LY6125616
2.1版
5V 256K ×16位高速CMOS SRAM
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描述
创刊号
修订后的V
IL
= 0.6V = 0.8V >
修订后的封装外形尺寸（ TSOP - II ）
新增LL规格。
对我修改测试条件
SB1
/I
DR
新增-12ns规格。
修订后的我
CC
我
SB1
添加I级
修订
绝对最高可评级
对我修改测试条件
CC
修订
特点
＆放大器;
订购信息
无铅绿色封装
to
绿色包装
可用的
删除吨
SOLDER
in
绝对最高可评级
在加入填料类型
订购信息
发行日期
Mar.23.2006
Jun.9.2006
Apr.12.2007
Jun.25.2007
2.1版
Apr.17.2009
Lyontek公司
保留权利更改规格和产品，恕不另行通知。
5楼， 2号，工业东路。九，科学工业园区，新竹300 ，台湾。
电话： 886-3-6668838
传真： 886-3-6668836
0
LY6125616
2.1版
5V 256K ×16位高速CMOS SRAM
概述
该LY6125616是4,194,304位低功耗CMOS
静态随机存取存储器组织为262144
字由16位。它采用非常高的制作
高性能，高可靠性的CMOS技术。其
待机电流的范围内，稳定
工作温度。
该LY6125616是精心设计的低功耗
应用程序，并特别适合于电池
备份非易失性存储器应用。
该LY6125616单电源工作
5V电源和所有输入和输出完全TTL
兼容
特点
快速存取时间：12 /15/20 / 25ns的
低功耗：
工作电流：一百四十分之一百八十〇 / 110 / 100mA（最大）。
待机电流：
15毫安（最大的为12ns ）
3毫安（最大为15/20 / 25ns的）
100μA （ （最大为15/20 / 25ns的LL版）
单5V电源
所有输入和输出TTL兼容
全静态操作
三态输出
数据字节控制： LB ＃ （ DQ0 DQ7 ）
瑞银（ DQ8 DQ15 ）
数据保持电压： 2.0V （ MIN ）
提供绿色包装
封装： 44引脚400密耳的TSOP -II
产品系列
产品
操作
家庭
温度
0 ~ 70℃
LY6125616
-20 ~ 80℃
LY6125616(E)
-40 ~ 85℃
LY6125616(I)
0 ~ 70℃
LY6125616
-20 ~ 80℃
LY6125616(E)
-40 ~ 85℃
LY6125616(I)
0 ~ 70℃
LY6125616(LL)
LY6125616 （ LLE ） -20 80 ℃
LY6125616 （ LLI ） -40 85 ℃
VCC
范围
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
速度
12ns
12ns
12ns
15/20/25ns
15/20/25ns
15/20/25ns
15/20/25ns
15/20/25ns
15/20/25ns
功耗
待机（我
SB1
)
工作（ ICC）
15mA(MAX.)
180mA(MAX.)
15mA(MAX.)
180mA(MAX.)
15mA(MAX.)
180mA(MAX.)
3毫安（ MAX 。 ）一百一十分之一百四十/ 100mA（最大）。
3毫安（ MAX 。 ）一百一十分之一百四十/ 100mA（最大）。
3毫安（ MAX 。 ）一百一十分之一百四十/ 100mA（最大）。
100μA （最大值）一百一十分之一百四十〇 / 100mA（最大）。
100μA （最大值）一百一十分之一百四十〇 / 100mA（最大）。
100μA （最大值）一百一十分之一百四十〇 / 100mA（最大）。
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1
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引脚说明
符号
描述
地址输入
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
低字节控制
高字节控制
电源
地
功能框图
VCC
VSS
A0 - A17
CE＃
WE＃
OE ＃
磅＃
UB ＃
V
CC
DQ0 - DQ15数据输入/输出
解码器
256Kx16
存储阵列
A0-A17
DQ0-DQ7
低字节
DQ8-DQ15
高字节
I / O数据
电路
V
SS
列I / O
CE＃
WE＃
OE ＃
磅＃
UB ＃
控制
电路
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2
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引脚配置
A4
A3
A2
A1
A0
CE＃
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
VSS
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
WE＃
A17
A16
A15
A14
A13
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
TSOP II
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE ＃
UB ＃
磅＃
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
VSS
VCC
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
NC
A8
A9
A10
A11
A12
绝对最高可额定值*
参数
在V电压
CC
相对于V
SS
在任何其他引脚相对于V电压
SS
工作温度
储存温度
功耗
直流输出电流
符号
V
T1
V
T2
T
A
T
英镑
P
D
I
OUT
等级
-0.5 6.5
-0.5到V
CC
+0.5
0 70 （C级）
-20 80 （E级）
-40 85 （ I级）
-65到150
1
50
单位
V
V
℃
℃
W
mA
*应力大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
值仅为该设备甚至超过上述的这个业务部门所标明的任何其他条件的功能操作
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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真值表
模式
待机
输出禁用
读
CE＃
H
L
L
L
L
L
L
L
L
OE ＃
X
H
X
L
L
L
X
X
X
WE＃ LB ＃
X
H
X
H
H
H
L
L
L
X
X
H
L
H
L
L
H
L
UB ＃
X
X
H
H
L
L
H
L
L
I / O操作
DQ0-DQ7
DQ8-DQ15
高 - z
高 - z
高 - z
高 - z
高 - z
高 - z
D
OUT
高 - z
高 - z
D
OUT
D
OUT
D
OUT
D
IN
高 - z
高 - z
D
IN
D
IN
D
IN
电源电流
I
SB1
I
CC
I
CC
写
注意：
I
CC
H = V
IH
中，L = V
IL
，X =无关。
DC电气特性
符号
测试条件
参数
电源电压
V
CC
*1
输入高电压
V
IH
*2
输入低电压
V
IL
输入漏电流
I
LI
V
CC
≧
V
IN
≧
V
SS
输出漏
V
CC
≧
V
OUT
≧
V
SS
,
I
LO
当前
输出禁用
输出高电压
V
OH
I
OH
= -4mA
输出低电压
V
OL
I
OL
= 8毫安
12
周期时间=最小。
平均开工
15
I
CC
CE＃ = V
IL
, I
I / O
= 0毫安
电源电流
20
其他在V
IL
或V
IH
25
12
待机功耗
CE＃
≧
V
CC
- 0.2V
I
SB1
15/20/25
电源电流
其他在0.2V / V
CC
-0.2V
15/20/25LL
注意事项：
1. V
IH
（MAX） = V
CC
+ 3.0V的脉冲宽度小于10ns的。
2. V
IL
（分钟） = V
SS
- 3.0V的脉冲宽度小于10ns的。
3.过冲/下冲规范的特点，而不是100 ％测试。
4.典型值包括仅供参考，不保证或测试。
典型的价值V的测
CC
= V
CC
（ TYP。 ）和T
A
= 25℃
5. 1毫安的特殊要求
6. 50μA的特殊要求
分钟。
4.5
2.2
- 0.3
-1
-1
2.4
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
5.0
-
-
-
-
*4
马克斯。
5.5
V
CC
+0.3
0.8
1
1
-
0.4
180
140
110
100
15
5
3*
6
100*
单位
V
V
V
A
A
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
-
-
-
100
80
75
-
0.1
20
电容
(T
A
= 25
℃
中，f = 1.0MHz的）
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
C
IN
C
I / O
分钟。
-
-
最大
8
10
单位
pF
pF
注：这些参数由器件特性保证，但未经生产测试。
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4
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