LY611024
修订版1.6
128K ×8位高速CMOS SRAM
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描述
创刊号
删除ICC1规格。
添加E / I级
修订后的V
TERM
到V
T1
和V
T2
对我修改测试条件
SB1
/I
DR
新增LL规格。
对我修改测试条件
CC
/I
SB
修订
特点
＆放大器;
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领导
免费提供绿色包装
to
提供绿色包装
删除吨
SOLDER
in
绝对最高可评级
在加入填料类型
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包装外形尺寸
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修订
订购信息
第11页
修订
包装外形尺寸
在第8页
发行日期
Jul.25.2004
Sep.21.2004
Apr.7.2005
Feb.2.2009
Apr.17.2009
REV 。 1.5
修订版1.6
May.7.2010
Aug.25.2010
5楼， 2号，工业东路。九，科学工业园区，新竹300 ，台湾。
电话： 886-3-6668838
传真： 886-3-6668836
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0
LY611024
修订版1.6
128K ×8位高速CMOS SRAM
概述
该LY611024是1,048,576位低功耗CMOS
静态随机存取存储器组织为131072
字由8位。它采用非常高的制作
高性能，高可靠性的CMOS技术。其
待机电流的范围内，稳定
工作温度。
该LY611024是精心设计的超高速
系统的应用，并且特别适用于
电池备份非易失性存储器应用。
该LY611024单电源工作
供应4.5V 5.5V ，所有输入和输出
完全兼容TTL
特点
快速存取时间： 12 / 15ns的
低功耗：
工作电流： 50 / 40毫安（ TYP 。 ）
待机电流： 1mA（典型值）。
2μA （典型值） LL -version
单4.5V 5.5V单电源供电
所有输入和输出TTL兼容
全静态操作
三态输出
数据保持电压： 2.0V （ MIN ）
提供绿色包装
封装： 32引脚300密耳SOJ
32引脚采用8mm x 20毫米TSOP -I
32引脚采用8mm x 13.4毫米STSOP
产品系列
产品
家庭
LY611024
LY611024(E)
LY611024(I)
LY611024(LL)
LY611024(LLE)
LY611024(LLI)
操作
温度
0 ~ 70℃
-20 ~ 80℃
-40 ~ 85℃
0 ~ 70℃
-20 ~ 80℃
-40 ~ 85℃
VCC范围
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
4.5 ~ 5.5V
速度
12/15ns
12/15ns
12/15ns
12/15ns
12/15ns
12/15ns
功耗
待机（我
SB1,
TYP 。 ）
工作（ICC ， TYP 。 ）
1mA
50/40mA
1mA
50/40mA
1mA
50/40mA
2A
50/40mA
2A
50/40mA
2A
50/40mA
功能框图
引脚说明
符号
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
电源
地
无连接
VCC
VSS
A0 - A16
DQ0 - DQ7
解码器
128Kx8
存储阵列
CE ＃ ， CE2
WE＃
OE ＃
V
CC
V
SS
NC
A0-A16
DQ0-DQ7
I / O数据
电路
列I / O
CE＃
CE2
WE＃
OE ＃
控制
电路
5楼， 2号，工业东路。九，科学工业园区，新竹300 ，台湾。
电话： 886-3-6668838
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1
LY611024
修订版1.6
128K ×8位高速CMOS SRAM
引脚配置
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
32
31
30
29
28
VCC
A15
CE2
WE＃
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
A11
A9
A8
A13
WE＃
CE2
A15
VCC
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VSS
DQ2
DQ1
DQ0
A0
A1
A2
A3
LY611024
SOJ
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
LY611024
TSOP -I / STSOP
绝对最高可额定值*
参数
在V电压
CC
相对于V
SS
在任何其他引脚相对于V电压
SS
工作温度
储存温度
功耗
直流输出电流
符号
V
T1
V
T2
T
A
T
英镑
P
D
I
OUT
等级
-0.5 6.5
-0.5到V
CC
+0.5
0 70 （C级）
-20 80 （E级）
-40 85 （ I级）
-65到150
1
50
单位
V
V
℃
℃
℃
℃
W
mA
*应力大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力
值仅为该设备甚至超过上述的这个业务部门所标明的任何其他条件的功能操作
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
真值表
模式
待机
输出禁用
读
写
注意：
CE＃
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
OE ＃
X
X
H
L
X
WE＃
X
X
H
H
L
I / O操作
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
电源电流
I
SB
,I
SB1
I
SB
,I
SB1
I
CC
I
CC
I
CC
H = V
IH
中，L = V
IL
，X =无关。
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128K ×8位高速CMOS SRAM
DC电气特性
符号测试条件
参数
电源电压
V
CC
*1
输入高电压
V
IH
*2
输入低电压
V
IL
输入漏电流
V
CC
≧
V
IN
≧
V
SS
I
LI
输出漏
V
CC
≧
V
OUT
≧
V
SS,
I
LO
当前
输出禁用
输出高电压
V
OH
I
OH
= -4mA
输出低电压
V
OL
I
OL
= 8毫安
周期时间=最小。
平均开工
CE＃ = V
IL
和CE2 = V
IH
,
I
CC
电源电流
I
I / O
= 0毫安
其他在V
IL
或V
IH
CE＃ = V
IH
或CE2 = V
IL
I
SB
其他在V
IL
或V
IH
CE＃
≧
V
CC
-0.2V
待机功耗
或CE2
≦
0.2V
电源电流
I
SB1
CE＃
≧
V
CC
-0.2V
或CE2
≦
0.2V
其他人在0.2V或V
CC
-0.2V
分钟。
4.5
2.4
- 0.5
-1
-1
2.4
-
- 12
- 15
-
-
-
正常
LL
-
-
典型值。
5.0
-
-
-
-
-
-
50
40
3
1
2
*4
马克斯。
5.5
V
CC
+0.5
0.8
1
1
-
0.4
80
65
20
5
50
单位
V
V
V
A
A
V
V
mA
mA
mA
mA
A
注意事项：
1. V
IH
（MAX） = V
CC
+ 3.0V的脉冲宽度小于10ns的。
2. V
IL
（分钟） = V
SS
- 3.0V的脉冲宽度小于10ns的。
3.过冲/下冲规范的特点，而不是100 ％测试。
4.典型值包括仅供参考，不保证或测试。
典型的价值V的测
CC
= V
CC
（ TYP。 ）和T
A
= 25℃
电容
(T
A
= 25
℃
中，f = 1.0MHz的）
参数
输入电容
输入/输出电容
符号
C
IN
C
I / O
分钟。
-
-
最大
6
8
单位
pF
pF
注：这些参数由器件特性保证，但未经生产测试。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
0.2V至V
CC
- 0.2V
3ns
1.5V
C
L
= 30pF的+ 1TTL ，我
OH
/I
OL
= -4mA / 8毫安
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128K ×8位高速CMOS SRAM
AC电气特性
（ 1 ）读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出启用访问时间
芯片使能在低Z输出
输出使能，以在低Z输出
芯片禁用输出高阻
输出禁用输出高阻
从地址变更输出保持
（ 2 ）写周期
参数
写周期时间
地址有效到写结束
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据写入时间重叠
从写入时间结束数据保持
输出写入结束活动
写在高Z输出
符号。
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OE
t
CLZ
*
t
OLZ
*
t
CHZ
*
t
OHZ
*
t
OH
LY611024-12
分钟。
马克斯。
12
-
-
12
-
12
-
6
3
-
0
-
-
6
-
6
3
-
LY611024-15
分钟。
马克斯。
15
-
-
15
-
15
-
7
4
-
0
-
-
7
-
7
3
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号。
t
WC
t
AW
t
CW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
OW
*
t
WHZ
*
LY611024-12
分钟。
马克斯。
12
-
10
-
10
-
0
-
9
-
0
-
7
-
0
-
3
-
-
7
LY611024-15
分钟。
马克斯。
15
-
12
-
12
-
0
-
10
-
0
-
8
-
0
-
4
-
-
8
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
*这些参数由器件特性保证，但未经生产测试。
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