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TECCOR
品牌晶闸管
EV系列0.8安培敏感的双向可控硅
LX8系列
描述
新的0.8安培双向固态开关系列
提供直接接口,微处理器驱动程序
经济型TO- 92和表面贴装封装。模具
电压阻断结是玻璃钝化保证
长期的可靠性和参数的稳定性。
特点&贝内连接TS
微秒
(V
DRM
)的能力
- 高达600V
主要特点
能力> 9.5安培
符号
I
T( RMS )
V
DRM
/V
RRM
I
GT
价值
0.8
400至600
35
单位
A
V
mA
贴装封装
应用
该LX8 EV系列是专为低电流设计
的应用,如在头发护理产品的加热控制,
以及更换的机械开关触点
其中,长寿命的要求。
原理图符号
MT2
G
MT1
绝对最大额定值
符号
I
T( RMS )
I
TSM
I
2
t
的di / dt
I
GTM
P
G( AV )
T
英镑
T
J
参数
通态电流(全正弦波)的RMS
不重复浪涌峰值通态电流
(单周期,T
J
初始= 25 ° C)
I
2
为融合吨价
通态电流I的临界上升率
G
= 2×我
GT
栅极峰值电流
平均门功耗
存储结温范围
工作结温范围
TO-92
SOT-223
TO-92
SOT-223
t
p
= 10毫秒
t
p
= 8.3毫秒
TO-92
SOT-223
t
p
= 10 μs
T
C
= 50°C
T
L
= 90°C
F = 50赫兹
F = 60赫兹
F = 50赫兹
F = 60赫兹
T
J
= 110°C
T
J
= 110°C
T
J
= 110°C
价值
0.8A
8.0
9.5
0.32
0.37
20
1
0.1
-40至150
-40至110
单位
A
A
A
2
s
A / μs的
A
W
°C
°C
2008 Littelfuse公司
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
请参考http://www.littelfuse.com的最新信息。
25
修订日期: 2008年7月9日
LX8系列
EV 0.8A双向可控硅
TECCOR
品牌晶闸管
EV系列0.8安培敏感的双向可控硅
电气特性
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
符号
I
GT
V
GT
I
H
dv / dt的
描述
直流门极触发电流
直流门极触发电压
保持电流
爆击率-OF-崛起
断态电压
危急
率的-崛起
整流电压
开启时间
TEST
条件
V
D
= 12V
R
L
= 60 Ω
象限
I – II – III
IV
所有
极限
马克斯。
马克斯。
马克斯。
价值
LX803xy
3
5
1.3
5
LX807xy
5
7
1.3
5
单位
mA
V
mA
门打开
T
J
= 110°C
V
D
= V
DRM
指数波形
门打开
( di / dt的)C = 0.43A / MS
T
J
= 110°C
I
G
= 25毫安
PW =为15μs
I
T
= 1.2A ( PK)
分钟。
10
10
V / μs的
( dv / dt的)C
分钟。
1.5
1.5
V / μs的
t
gt
马克斯。
2.0
2.0
μs
注:X =电压, Y =包
静态特性
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
符号
V
TM
I
DRM
描述
峰值通态电压
断态电流,峰值重复
测试条件
I
TM
= 1.13A ( PK)
V
D
= V
DRM
T
J
= 25°C
V
D
= V
DRM
T
J
= 110°C
极限
最大
最大
价值
1.60
5
100
单位
V
μA
μA
热阻
符号
R
日(J -C )
描述
结到外壳( AC)
测试条件
I
T
= 0.8A
(RMS)1
TO-92
SOT-223
TO-92
SOT-223
价值
60
25
150
60
单位
° C / W
R
号(j -a)的
1
结到环境
I
T
= 0.8A
(RMS)1
° C / W
60Hz的交流电阻性负载条件下, 100%的导通。
LX8系列
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修订日期: 2008年7月9日
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TECCOR
品牌晶闸管
EV系列0.8安培敏感的双向可控硅
图1 :象限德网络nition
图2 :归直流栅极触发电流为
所有象限 - 结温
所有的极性是MT1 REFERENCED
MT2正
(正半周)
MT2
(
-
)
+
MT2
I
GT
MT1
(+)
MT1
I
GT
I
GT
I
GT
(T
J
= 25C)
I
GT
+
MT2
I
GT
MT1
REF
I
GT
MT2
(
-
)
I
GT
MT1
REF
(+)
MT2负
(负半周)
-
-
REF
QII齐
QIII QIV
REF
结温(T
J
) °C
图3 :归DC控股电流
- 结温
3.0
初始通态电流=百毫安( DC )
2.5
图4 :归直流栅极触发电压
所有象限 - 结温
2.00
1.75
V
GT
(T
J
= 25C)
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
I
H
(T
J
= 25C)
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-55
-40
-15
+5
+25
+45
+65
+85
+110
+125
V
GT
I
H
0.0
-55
-40
-15
+5
+25
+45
+65
+85
+110
+125
结温(T
J
) °C
结温(T
J
) °C
图5 :功耗(典型值)
VS. RMS通态电流
2.00
图6 :最大允许外壳温度
与通态电流
130
电流波形:正弦
负载:阻性或感性
导通角: 360
o
外壳温度:测量
在三维图中所示
通态平均功耗
[P
D( AV )
] - 沃茨
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0.0
0.0
0.1
0.2
0.3
电流波形:正弦
负载:阻性或感性
导通角: 360
最大允许外壳温度
(T
C
) - C
120
110
SOT-223
100
90
80
TO-92
70
60
50
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
RMS通态电流[I
T( RMS )
] - 安培
RMS通态电流[I
T( RMS )
] - 安培
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LX8系列
EV 0.8A双向可控硅
TECCOR
品牌晶闸管
EV系列0.8安培敏感的双向可控硅
图7 :浪涌峰值通态电流与周期数
20
峰值浪涌(不重复)通态电流
(I
TSM
) - 安培。
10
9
8
7
6
5
4
3
电源频率: 60Hz的正弦
负载:阻性
RMS通态电流[I
T( RMS )
] :最大额定值,在特定网络
外壳温度
注意事项:
1.门控制可以在立即丢失
以下浪涌电流的时间间隔。
2.超载,不得重复进行,直到结
温度恢复到稳态额定值。
0.8
A
2
De
维克
es
1
1
2
3
4
5
6 7 8 9 10
20
30 40 60 80 100
200
300 400 600
1000
浪涌电流持续时间 - 完整周期
焊接参数
再溢流条件
- 最低温度(T
秒(分钟)
)
前热火
- 最高温度(T
S( MAX)的
)
- 时间(最小至最大) (T
s
)
平均倾斜上升率(液相线温度)
(T
L
)峰
T
S( MAX)的
给T
L
- 升温速率
再溢流
- 温度(T
L
) (液相)
- 时间(最小至最大) (T
s
)
铅 - 免费装配
T
P
温度
斜升
t
P
150°C
200°C
60 - 180秒
5 ° C /秒
5 ° C /秒
217°C
60 - 150秒
260
+0/-5
°C
20 - 40秒
5 ° C /秒
最多8分钟。
280°C
T
L
T
S( MAX)的
预热
t
L
斜坡-DO
减速
T
秒(分钟)
t
S
25
时间到峰值温度
时间
峰值温度(T
P
)
在5 ℃,实际峰值的时间
温度(T
p
)
下降斜率
时间25 ° C到峰值温度(T
P
)
不超过
LX8系列
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品牌晶闸管
EV系列0.8安培敏感的双向可控硅
身体特定网络阳离子
终端完成
机身材质
铅材料
100 %雾锡电镀。
UL认可的环氧会议FL可燃性
分类科幻阳离子94V- 0 。
铜合金
可靠性/环境试验
TEST
AC阻塞
说明和条件
MIL -STD - 750 , M- 1040 ,电导率一个应用
AC峰值电压@ 110℃ 1008小时
MIL -STD - 750 , M- 1051 ,
100次; -40 ° C至+ 150°C ; 15分钟
停留时间
温度循环
设计注意事项
仔细选择正确的设备的应用程序的
运行参数和环境将很长的路要走
向延伸的所述晶闸管的运行寿命。良好
设计实践中应限制的最大连续
当前通过主终端设备的75%
投资评级。其他的方式来确保长寿命的功率分立
半导体是适当的散热和选择
额定电压为最坏的情况下。过热,
过电压(包括的dv / dt ) ,和浪涌电流
半导体的主要杀手。正确的安装,
焊接和引线的形成也有助于保护
对组件损坏。
高温存储
低温度贮藏
米尔
-STD - 750 , M- 1031 ,
1008小时; 150℃
1008小时; -40°C
MIL -STD - 750 , M- 1056
10个循环; 0 ℃至100 ℃; 5分钟dwell-
时间在各温度下10秒(最大)
温度之间传输的时间
EIA / JEDEC , JESD22- A102
168小时( 121 ℃下以2的自动取款机),并
100 %R / H
MIL- STD- 750方法2031
ANSI / J- STD- 002 ,类别3 ,试验A
MIL -STD - 750 , M- 2036电导率é
热冲击
高压灭菌器
焊锡热
可焊性
引脚弯曲
尺寸 - TO- 92 (E封装)
尺寸
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
英寸
0.175
0.170
0.500
0.135
0.125
0.080
0.016
0.045
0.095
0.015
典型值
0.165
0.095
0.050
0.100
最大
0.205
0.210
0.165
0.105
0.021
0.055
0.105
0.020
4.450
4.320
12.700
3.430
3.180
2.040
0.407
1.150
2.420
0.380
MILLIMETERS
典型值
4.190
2.400
1.270
2.540
最大
5.200
5.330
4.190
2.660
0.533
1.390
2.660
0.500
2008 Littelfuse公司
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
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LX8系列
EV 0.8A双向可控硅
温度/
湿度
EIA / JEDEC , JESD22- A101
1008小时; 320V - 直流: 85°C ; 85 %
相对湿度
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型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    LX803ME
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
LX803ME
Littelfuse Inc.
24+
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TO-92
原厂一级代理,原装现货
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
LX803ME
LITTELFUSE/力特
2443+
23000
TO92
一级代理专营,原装现货,价格优势
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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联系人:销售部1部
地址:美驻深办公室:广东省深圳市福田区上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼,展销柜:深圳市福田区华强北新亚洲电子城3B047柜,分展销柜:湖南省桂阳和平杉林下展销柜
LX803ME
LITTELFUS
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地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
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力特/Littelfuse
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联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
LX803ME
LITTELFUSE/力特
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12720
NA
全新原装正品/质量有保证
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