LX5506E
I N T E摹R A T E
P ，R 0 ü （C T） S
的InGaP HBT 4 - 6GHz的功率放大器
P
RELIMINARY
D
ATA
S
HEET
描述
主要特点
先进的InGaP HBT
4.9-5.85GHz操作
单极性3.3V电源
总电流 200毫安的
噘嘴= 19dBm时5.25GHz
P1dB为> + 26dBm的
功率增益 23分贝在5.25GHz
＆放大器;噘嘴= 19dBm
对于64QAM / 54Mbps的EVM 3％的
＆放大器;噘嘴= 19dBm
集成的功率检测器
片内的输入匹配
简单的输出匹配
极少的外部元件
占地面积小： 3x3mm2
低调： 0.9毫米
应用/优势
该LX5506E是功率放大器
对于FCC未经许可优化
国家信息基础设施
（ U-NII ）频段， HyperLAN2和日本
在4.9-5.85 WLAN应用
GHz的频率范围内。该PA是
实施
as
a
三阶段
单片微波集成电路
集成电路（MMIC ）与有源偏置，导通
芯片的输入匹配和输出预
匹配。该装置被制
用的InGaP / GaAs异质
双极晶体管（ HBT ）工艺IC
法（MOCVD ） 。它还具有一个集成的
差分输出功率检测器对
以帮助降低BOM成本和PCB
电路板空间，系统实施。
LX5506E可在一个16引脚
3mmx3mm微型引线封装（ MLP ） 。
紧凑的尺寸，低轮廓，以及
在MLP的优异的热性能
封装使LX5506E的理想
宽带，高增益的解决方案
功率放大器要求IEEE
802.11和HIPERLAN2便携式WLAN
应用程序。
WWW .
Microsemi的
.C
OM
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
FCC U- N11无线
支持IEEE 802.11a
HiperLAN2
产品集锦
包装订购信息
T
J
(°C)
0到70
LQ
16-Pin
塑料MLPQ
LX5506E-LQ
LX5506E
LX5506E
注：可在磁带&卷轴。
追加字母“ T”的零件编号。
（即LX5506E - LQT ）
版权
2000
1.0版， 2003-01-10
Microsemi的
集成产品部门
11861西大街，加登格罗夫，CA。 92841 ， 714-898-8121 ，传真： 714-893-2570
第1页
LX5506E
I N T E摹R A T E
P ，R 0 ü （C T） S
的InGaP HBT 4 - 6GHz的功率放大器
P
RELIMINARY
D
ATA
S
HEET
绝对最大额定值
封装引脚
WWW .
Microsemi的
.C
OM
直流电源电压，射频关............................................ ................................... 6V
集电极电流................................................ ........................................ 500毫安
总功率耗散............................................... ..................................... 3W
RF输入功率............................................... ............................................ 10dBm的
工作环境温度............................................... ........- 40 + 85°C
存储温度................................................ .......................... -60 150℃下
注：超过这些额定值可能会导致设备损坏。所有的电压都是相对于
地面上。电流是积极进入，负出指定的终端
.
13 14 15 16
12
11
10
9
8
7
6
5
1
2
3
4
LQ P
ACKAGE
（底视图）
功能引脚说明
名字
在RF
针＃
2, 3
描述
RF输入用于功率放大器。该引脚直流接地短路而AC耦合到晶体管基极
的第一阶段。
电源电压偏置参考电路和控制电路。该引脚可与VC1 ， VC2相结合，并
VC3引脚，从而产生一个单一的电源电压（称为维生素C ） 。
偏置控制电压为第一阶段。
偏置控制电压为第二阶段。
偏置控制电压为第三阶段。
检测器的输出电压为第三阶段的PA的输出功率。
检测器输出电压为基准功率检测器。
RF输出功率放大器。该引脚被交流耦合和不需要的DC阻挡
电容。
直流电源电压为所述第一级放大器。
直流电源电压为所述第二级放大器。
直流电源电压为第三级放大器。
该MLP封装的中心金属基底提供了DC / RF地线以及散热器
电源放大器呃。
这些引脚是不用的，而不是连接到封装内的设备。它们可以被处理
作为开路引脚，或者连接到地获得更好的散热效果。
VCC
VB1
VB2
VB3
DET
REF
4
5
6
7
9
8
RF OUT
VC1
VC2
VC3
GND
10, 11
16
15
14
中心
金属
P
ACKAGE
D
ATA
P
ACKAGE
D
ATA
NC
1,12,13
版权
2000
1.0版， 2003-01-10
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I N T E摹R A T E
P ，R 0 ü （C T） S
的InGaP HBT 4 - 6GHz的功率放大器
P
RELIMINARY
D
ATA
S
HEET
电气特性
除非另有说明，以下规格适用于下列测试条件： Vc的= 3.3V， Icq的= 100毫安，T
A
= 25°C
参数
频带
在1dB压缩输出功率
功率增益为噘= 19dBm
EVM在噘= 19dBm
总电流为噘= 19dBm
静态电流
偏置控制参考电流
小信号增益
增益平坦度
增益随温度变化
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
二次谐波
三次谐波
探测器响应
斜坡上的时间
噘嘴= 19dBm
噘嘴= 19dBm
噘嘴= 19dBm
10~90%
DET
t
ON
在200MHz的
-20 + 85℃
o
WWW .
Microsemi的
.C
OM
条件
符号
f
噘
Gp
分钟。
5.15
25
典型值。
27
23
3
200
100
2
22
+/-0.5
+/-1
-20
-10
-40
-40
-40
1.7
100
马克斯。
5.35
分钟。
5.7
25
典型值。
27
21
3.5
210
100
2
20
+/-0.5
+/-1
马克斯。
5.85
单位
GHz的
DBM
dB
%
mA
mA
mA
dB
dB
dB
64QAM/54Mbps
Ic_total
ICQ
ICQ的= 100毫安
IREF
S21
S21
S21
S11
S22
S12
-10
-12
-10
-40
-40
-40
1.2
100
-10
dB
dB
dB
dBc的
dBc的
V
ns
注：获得一个10万GETEK评估板无散热片的所有测量数据。
E
LECTRICALS
E
LECTRICALS
版权
2000
1.0版， 2003-01-10
Microsemi的
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P ，R 0 ü （C T） S
的InGaP HBT 4 - 6GHz的功率放大器
P
RELIMINARY
D
ATA
S
HEET
特性曲线
典型EVM和总电流与噘
（VC = 3.3V ， VREF = 2.9V ，ICQ = 95毫安，频率= 5.25GHz ， 64QAM / 54Mbps的）
WWW .
Microsemi的
.C
OM
7
6.5
6
5.5
5
EVM
Ictotal
250
240
230
220
210
200
190
180
170
160
150
140
15
16
17
18
19
20
21
130
Ictotal （毫安）
EVM （％）
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
的Pout （ dBm的）
注： EVM是没有去嵌入实际测量数据。试验
系统的EVM地板是用于输入功率电平在试验1.4 1.6％。
典型的ACPR与噘
（VC = 3.3V ， VREF = 2.9V ，ICQ = 95毫安，频率= 5.25GHz ， 64QAM / 54Mbps的， 30MHz的偏移量）
-45
-46
-47
-48
ACPR
ACPR （ DBC）
-49
-50
-51
-52
-53
-54
-55
15
16
17
18
19
20
21
E
LECTRICALS
E
LECTRICALS
的Pout （ dBm的）
版权
2000
1.0版， 2003-01-10
Microsemi的
集成产品部门
11861西大街，加登格罗夫，CA。 92841 ， 714-898-8121 ，传真： 714-893-2570
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的InGaP HBT 4 - 6GHz的功率放大器
P
RELIMINARY
D
ATA
S
HEET
特性曲线
EVM和总电流与频率的关系
（VC = 3.3V ， VREF = 2.9V ，ICQ = 95毫安，噘= 18dBm的， 64QAM / 54Mbps的）
WWW .
Microsemi的
.C
OM
6
5.5
5
4.5
EVM
Ictotal
215
210
205
EVM （％）
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
4.9
5
5.1
5.2
5.3
5.4
5.5
5.6
5.7
5.8
Ictotal （毫安）
200
195
190
185
180
5.9
频率（GHz ）
注： EVM是没有去嵌入实际测量数据。横河电机VG6000系统EVM地板
对于输入功率电平在试验1.4 1.6％。
典型的功率检测器的响应
（VC = 3.3V ， VREF = 2.9V ，ICQ = 95毫安，频率= 5.25GHz ， 64QAM / 54Mbps的）
2.2
2.1
2
1.9
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
DET
DET- REF
检测器的输出（V）的
E
LECTRICALS
E
LECTRICALS
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
的Pout （ dBm的）
版权
2000
1.0版， 2003-01-10
Microsemi的
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P ，R 0 ü （C T） S
的InGaP HBT 4 - 6GHz的功率放大器
P
RELIMINARY
D
ATA
S
HEET
描述
主要特点
先进的InGaP HBT
4.9-5.85GHz操作
单极性3.3V电源
总电流 200毫安的
噘嘴= 19dBm时5.25GHz
P1dB为> + 26dBm的
功率增益 23分贝在5.25GHz
＆放大器;噘嘴= 19dBm
对于64QAM / 54Mbps的EVM 3％的
＆放大器;噘嘴= 19dBm
集成的功率检测器
片内的输入匹配
简单的输出匹配
极少的外部元件
占地面积小： 3x3mm2
低调： 0.9毫米
应用/优势
该LX5506E是功率放大器
对于FCC未经许可优化
国家信息基础设施
（ U-NII ）频段， HyperLAN2和日本
在4.9-5.85 WLAN应用
GHz的频率范围内。该PA是
实施
as
a
三阶段
单片微波集成电路
集成电路（MMIC ）与有源偏置，导通
芯片的输入匹配和输出预
匹配。该装置被制
用的InGaP / GaAs异质
双极晶体管（ HBT ）工艺IC
法（MOCVD ） 。它还具有一个集成的
差分输出功率检测器对
以帮助降低BOM成本和PCB
电路板空间，系统实施。
LX5506E可在一个16引脚
3mmx3mm微型引线封装（ MLP ） 。
紧凑的尺寸，低轮廓，以及
在MLP的优异的热性能
封装使LX5506E的理想
宽带，高增益的解决方案
功率放大器要求IEEE
802.11和HIPERLAN2便携式WLAN
应用程序。
WWW .
Microsemi的
.C
OM
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
FCC U- N11无线
支持IEEE 802.11a
HiperLAN2
产品集锦
包装订购信息
T
J
(°C)
0到70
LQ
16-Pin
塑料MLPQ
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LX5506E
LX5506E
注：可在磁带&卷轴。
追加字母“ T”的零件编号。
（即LX5506E - LQT ）
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P ，R 0 ü （C T） S
的InGaP HBT 4 - 6GHz的功率放大器
P
RELIMINARY
D
ATA
S
HEET
绝对最大额定值
封装引脚
WWW .
Microsemi的
.C
OM
直流电源电压，射频关............................................ ................................... 6V
集电极电流................................................ ........................................ 500毫安
总功率耗散............................................... ..................................... 3W
RF输入功率............................................... ............................................ 10dBm的
工作环境温度............................................... ........- 40 + 85°C
存储温度................................................ .......................... -60 150℃下
注：超过这些额定值可能会导致设备损坏。所有的电压都是相对于
地面上。电流是积极进入，负出指定的终端
.
13 14 15 16
12
11
10
9
8
7
6
5
1
2
3
4
LQ P
ACKAGE
（底视图）
功能引脚说明
名字
在RF
针＃
2, 3
描述
RF输入用于功率放大器。该引脚直流接地短路而AC耦合到晶体管基极
的第一阶段。
电源电压偏置参考电路和控制电路。该引脚可与VC1 ， VC2相结合，并
VC3引脚，从而产生一个单一的电源电压（称为维生素C ） 。
偏置控制电压为第一阶段。
偏置控制电压为第二阶段。
偏置控制电压为第三阶段。
检测器的输出电压为第三阶段的PA的输出功率。
检测器输出电压为基准功率检测器。
RF输出功率放大器。该引脚被交流耦合和不需要的DC阻挡
电容。
直流电源电压为所述第一级放大器。
直流电源电压为所述第二级放大器。
直流电源电压为第三级放大器。
该MLP封装的中心金属基底提供了DC / RF地线以及散热器
电源放大器呃。
这些引脚是不用的，而不是连接到封装内的设备。它们可以被处理
作为开路引脚，或者连接到地获得更好的散热效果。
VCC
VB1
VB2
VB3
DET
REF
4
5
6
7
9
8
RF OUT
VC1
VC2
VC3
GND
10, 11
16
15
14
中心
金属
P
ACKAGE
D
ATA
P
ACKAGE
D
ATA
NC
1,12,13
版权
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的InGaP HBT 4 - 6GHz的功率放大器
P
RELIMINARY
D
ATA
S
HEET
电气特性
除非另有说明，以下规格适用于下列测试条件： Vc的= 3.3V， Icq的= 100毫安，T
A
= 25°C
参数
频带
在1dB压缩输出功率
功率增益为噘= 19dBm
EVM在噘= 19dBm
总电流为噘= 19dBm
静态电流
偏置控制参考电流
小信号增益
增益平坦度
增益随温度变化
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
二次谐波
三次谐波
探测器响应
斜坡上的时间
噘嘴= 19dBm
噘嘴= 19dBm
噘嘴= 19dBm
10~90%
DET
t
ON
在200MHz的
-20 + 85℃
o
WWW .
Microsemi的
.C
OM
条件
符号
f
噘
Gp
分钟。
5.15
25
典型值。
27
23
3
200
100
2
22
+/-0.5
+/-1
-20
-10
-40
-40
-40
1.7
100
马克斯。
5.35
分钟。
5.7
25
典型值。
27
21
3.5
210
100
2
20
+/-0.5
+/-1
马克斯。
5.85
单位
GHz的
DBM
dB
%
mA
mA
mA
dB
dB
dB
64QAM/54Mbps
Ic_total
ICQ
ICQ的= 100毫安
IREF
S21
S21
S21
S11
S22
S12
-10
-12
-10
-40
-40
-40
1.2
100
-10
dB
dB
dB
dBc的
dBc的
V
ns
注：获得一个10万GETEK评估板无散热片的所有测量数据。
E
LECTRICALS
E
LECTRICALS
版权
2000
1.0版， 2003-01-10
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集成产品部门
11861西大街，加登格罗夫，CA。 92841 ， 714-898-8121 ，传真： 714-893-2570
第3页
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P ，R 0 ü （C T） S
的InGaP HBT 4 - 6GHz的功率放大器
P
RELIMINARY
D
ATA
S
HEET
特性曲线
典型EVM和总电流与噘
（VC = 3.3V ， VREF = 2.9V ，ICQ = 95毫安，频率= 5.25GHz ， 64QAM / 54Mbps的）
WWW .
Microsemi的
.C
OM
7
6.5
6
5.5
5
EVM
Ictotal
250
240
230
220
210
200
190
180
170
160
150
140
15
16
17
18
19
20
21
130
Ictotal （毫安）
EVM （％）
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
的Pout （ dBm的）
注： EVM是没有去嵌入实际测量数据。试验
系统的EVM地板是用于输入功率电平在试验1.4 1.6％。
典型的ACPR与噘
（VC = 3.3V ， VREF = 2.9V ，ICQ = 95毫安，频率= 5.25GHz ， 64QAM / 54Mbps的， 30MHz的偏移量）
-45
-46
-47
-48
ACPR
ACPR （ DBC）
-49
-50
-51
-52
-53
-54
-55
15
16
17
18
19
20
21
E
LECTRICALS
E
LECTRICALS
的Pout （ dBm的）
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的InGaP HBT 4 - 6GHz的功率放大器
P
RELIMINARY
D
ATA
S
HEET
特性曲线
EVM和总电流与频率的关系
（VC = 3.3V ， VREF = 2.9V ，ICQ = 95毫安，噘= 18dBm的， 64QAM / 54Mbps的）
WWW .
Microsemi的
.C
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6
5.5
5
4.5
EVM
Ictotal
215
210
205
EVM （％）
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
4.9
5
5.1
5.2
5.3
5.4
5.5
5.6
5.7
5.8
Ictotal （毫安）
200
195
190
185
180
5.9
频率（GHz ）
注： EVM是没有去嵌入实际测量数据。横河电机VG6000系统EVM地板
对于输入功率电平在试验1.4 1.6％。
典型的功率检测器的响应
（VC = 3.3V ， VREF = 2.9V ，ICQ = 95毫安，频率= 5.25GHz ， 64QAM / 54Mbps的）
2.2
2.1
2
1.9
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
DET
DET- REF
检测器的输出（V）的
E
LECTRICALS
E
LECTRICALS
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
的Pout （ dBm的）
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