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AudioMAX
L I N· I N I T
D I V I S I O 4 N
LX1721 / 1722
D类立体声功率放大器控制器
P
RELIMINARY
描述
主要特点
W W W.
Microsemi的
.COM
该LX1721 / 1722是一款单片高
高性能D类立体声控制器IC
设计用于高效率或空间
受限的音频要求,例如
便携式或电池供电的产品,
汽车放大器以及多声道
多媒体计算机和视频游戏
应用程序。这种高频率,满
音频带宽开关电源
放大器控制器提供显着
在LINFINITY的提高性能
上一代放大器产品。
增强特性包括更高的输出
动力,更好的信噪比,噪音低地板上,
降低THD 。结合输出
功率MOSFET的导通和输出滤波器时,
LX1721 / 1722是一个完整的D类音频
的解决方案。
一个完整的音频放大器模块
可用于快速评估LX1721
或LX1722立体控制器。简单地
放大器连接到上述电源,
音频信号,并且扬声器。参考
设计支持各种要求
INCLUDING
通道
系统
低音炮,卫星频道/低音炮的COM
组合将各种扬声器负载( 2Ω ,
4Ω , 8Ω ) 。多功能放大器解决方案
可以很容易地调整频率
对此,对于优化的效率和
性能,或设计为最小化
PCB面积和元件数量。该
LX1721 / 1722是在一个空间可用
节省44引脚QSOP封装。
(接下页)
重要提示:
有关最新资料,请咨询
Microsemi的
网址:
http://www.microsemi.com
产品集锦
7V - 25V
通道
1
!
集成开关D类
音响控制器IC
!
全为20Hz- 20kHz的音频
带宽
!
高保真( LX1721 )或
高功率( LX1722 )
可用版本
!
单电源供电
!
THD + N <0.06 %(典型)
( 1Wrms ,为1kHz , 4Ω )
!
最高效率80 % -
85%
!
每个输出功率>60Wrms
信道( LX1722 , 4Ω ,1%
THD + N)
!
PSRR典型-70dB
!
差分输入,以尽量减少
隔音效果
!
支持多声道
系统
!
完整的LXE1721or
LXE1722放大器评估
模块可用
!
44引脚QSOP封装
应用
!
多媒体音箱
!
环绕声游戏
系统
!
笔记本电脑
!
台式电脑
!
汽车功放
单位负责人
!
电池供电设备
(喊话器,公共广播
系统)
!
便携式音响(臂箱)
!
无线音箱
!
高功率低音炮
!
汽车音响系统
!
家庭影院
IN +
IN -
场效应管
输出功率与电源电压
为1kHz , 4Ω , THD + N = 1 %
LX1722
立体声
通道2
IN +
IN -
时钟
场效应管
2, 4, 8
LX1711
通道3
IN +
IN -
单声道
场效应管
低音炮
2.1音频放大器
CON组fi guration
LX1721 / 22
LX1721 / 22
包装订购信息
T
J
(°C)
°
0到70
0到70
V
DD
7V – 15V
7V – 25V
DB
塑料QSOP
44-Pin
LX1721CDB
LX1722CDB
注:可在磁带&卷轴。
追加字母“ T”的零件编号。 (即LX1722CDBT )
版权
2000
牧师0.1B , 2001年9月19日
Microsemi的
LINFINITY微电子部
11861西大街,加登格罗夫,CA。 92841 , 714-898-8121 ,传真: 714-893-2570
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LX1721 / 1722
D类立体声功率放大器控制器
P
RELIMINARY
热数据
封装引脚
LFAOUT
1
44
LFBK-
LFBK +
LISN
VDD
CN
PVDD
保护地
LN +
LP +
LP-
LN-
RN-
反相
RP +
RN +
保护地
CP
PVDD
NC
RISN
RFBK +
22
23
RFBK-
W W W.
Microsemi的
.COM
DB
44-P
IN
QSSOP P
ACKAGE
热阻
-
结到环境
,
θ
JA
50°C/W
°
CPWM
RPWM
LMUTE
LEAOUT
LEAIN
VREF
时钟
GND
V25
LIN +
LIN-
LAMPOUT
RIN +
RIN-
RAMPOUT
睡觉
状态
RMUTE
REAIN
REAOUT
RFAOUT
结温计算:T已
J
= T
A
+ (P
D
x
θ
JA
).
θ
JA
数字是该设备/印刷电路板的散热性能准则
系统。以上所有的假设没有环境空气流通。
DB P
ACKAGE
( TOP VIEW )
说明( CONTINUTED )
立体声输出控制器是在任一可用
LX1722高功率版本( >65Wrms , 4Ω )与供应
7V - 25V或LX1721高保真的电压范围
版本(更好的信噪比性能)与电源电压
范围7V - 15V的。外部的电流额定值
MOSFET的,可用的电源电压和负载扬声器
主要是限制了最大输出功率。该放大器
提供高的保真度的性能,并设计成
工作在全20Hz至20kHz的音频带宽。信号
失真测量产量
THD + N水平为0.06 % ( 1kHz时, 1Wrms ) 。效率
大于80%的典型的,这消除了对
散热器在大多数应用中。该AudioMAX 解决方案
需要单电源电压,简化了输入功率
要求凡有双电源可能无法使用。对
最大限度地减少潜在的环境噪声问题,并缓解
积分放大器到各种应用中,
功能,如平衡/差分音频输入和高
电源抑制比有助于降低噪音的效果
从音频信号或电源。
P
ACKAGE
D
ATA
P
ACKAGE
D
ATA
版权
2000
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D类立体声功率放大器控制器
P
RELIMINARY
功能引脚说明
P
IN
N
AME
LFAOUT
CPWM
RPWM
LMUTE
LEAOUT
LEAIN
VREF
时钟
GND
V25
LIN +
LIN-
LAMPOUT
RIN +
RIN-
RAMPOUT
D
ESCRIPTION
左反馈放大器输出
PWM电容连接
PWM电阻连接
左静音输入(高电平有效)
左误差放大器输出
误差放大器的左反相输入
5V参考
输入/输出时钟的同步操作
小电流接地
2.5V参考
左正音频输入
左负音频输入
左输入放大器输出
正面右侧音频输入
右负音频输入
正确的输入放大器输出
睡眠输入(低电平有效)
欠压锁定指示灯(集电极开路输出)
正确的静音输入(高电平有效)
误差放大器的反相右侧输入
正确的误差放大器输出
右反馈放大器输出
P
IN
N
AME
LFBK-
LFBK +
LISN
VDD
CN
PVDD
保护地
LN +
LP +
LP-
LN-
RN-
反相
RP +
RN +
保护地
CP
PVDD
NC
RISN
RFBK +
RFBK-
D
ESCRIPTION
左反馈放大器反相输入
左反馈放大器非反相
输入
左限流检测输入
模拟电源电压
电源去耦为NFET司机
输出驱动器电源电压
输出驱动高电流接地
左驾车的NFET上的正半
左驱动的PFET的正半
左驱动的PFET在负半
左驾车的NFET上的负半
正确的驱动器用于NFET上的负半
正确的驱动器的PFET在负半
正确的驱动器的PFET的正半
正确的驱动器用于NFET上的正半
输出驱动高电流接地
电源去耦的PFET驱动程序
输出驱动器电源电压
无连接
右限流检测输入
左反馈放大器非反相
输入
右反馈放大器反相输入
W W W.
Microsemi的
.COM
睡觉
状态
RMUTE
REAIN
REAOUT
RFAOUT
绝对最大额定值
电源电压( PVDD , VDD)..............................................................................................................................-0.3V至30V
睡觉
,
状态, R / LFBK + , R/LFBK-................................................................................................. -0.3V到VDD + 0.3V
R/LISN......................................................................................................................................... PVDD -2至PVDD至+ 0.3V
RPWM , CPWM , R/LMUTE....................................................................................................................-0.3V到VREF + 0.3V
R / LIN + R / LIN- , R / LAMPOUT ..............................................................................................................-0.3V到VREF + 0.3V
R / LEAIN , R / LEAOUT , R/LFAOUT......................................................................................................-0.3V到VREF + 0.3V
时钟........................................................................................................................................................ -0.3V到CN + 0.3V
工作结温塑...........................................................................................................................125°C
储存温度Range............................................................................................................................... -65 ℃150 ℃的
引线温度(焊接, 10 seconds).......................................................................................................................300°C
注:超过这些额定值可能会导致设备损坏。所有的电压是相对于地面。电流为正至负出的
指定的终端。
P
ACKAGE
D
ATA
P
ACKAGE
D
ATA
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LX1721 / 1722
D类立体声功率放大器控制器
P
RELIMINARY
电气特性
除非另有说明,以下规格适用于工作环境温度0 ℃, < TA < 70 ℃。
测试条件: RPWM = 34.8k , CPWM = 100pF电容, VDD = PVDD = 15V
参数
评估模块(参见图2 )
电源电压
LX1721
LX1722
电源抑制比
输出功率(每通道)
V
DD
PSRR
P
O
V
IN
= 15V, V
纹波
= 1V
RMS
, 20Hz的
到20kHz
V
IN
= 15V ,R
L
= 4Ω , THD + N = 1 % ,
10Hz到22kHz的
V
IN
= 25V ,R
L
= 4Ω , THD + N = 1 % ,
10Hz到22kHz的
V
IN
= 15V ,女
IN
= 1kHz时,P
O
= 10W
V
IN
= 15V ,女
IN
= 1kHz时,P
O
= 20W
THD + N
SNR
F
OSC
I
CHG
I
DIS
V
PK
V
VAL
(随V
DD
引脚电压)
(随V
DD
引脚电压)
(随V
DD
引脚电压)
(随V
DD
引脚电压)
V
DD
= 8V至25V
T
A
= 0
O
C至70
O
C
T
A
= -40°C至125°C
V
IO
A
OL
UGBW
V
OH
V
OL
I
IN
I
OUT
= -100A
I
OUT
= +100A
V
IN
= 1V至V
REF
通过设置内部电阻
V
OH
V
OL
I
OUT
= -100A
I
OUT
= +100A
42
3.465
3.85
1.3
3.5
V
REF
–1
50
1
3.535
O
O
W W W.
Microsemi的
.COM
符号
测试条件
LX1721 / 1722
典型值
最大
7
7
-70
25
15
25
单位
V
dB
W
60
82
85
.06
.2
81
335
-110
110
3.4
1.6
0.6
1.0
1.5
5
60
7
2
2
%
%
DBR
千赫
A
A
V
V
%
%
%
±毫伏
dB
ΔMHz
V
±毫伏
A
效率
总谐波失真加噪声
信噪比
振荡器部分
振荡器频率
充电电流
放电电流
振荡器峰值电压
振荡器谷值电压
电压稳定
温度稳定性
误差放大器器
输入失调电压
直流开环增益
单位增益带宽
高输出电压
低输出电压
输入共模范围
输入偏置电流
输入放大器器
级增益
输出电压,高
输出电压,低
输入阻抗
f
IN
= 1kHz时,P
O
= 1W
f
IN
= 20Hz到20kHz ,P
O
= 1W
R
L
= 4, P
O
= 1W
E
LECTRICALS
E
LECTRICALS
V/V
V
±毫伏
‘k
版权
2000
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D类立体声功率放大器控制器
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RELIMINARY
参数
反馈放大器
级增益
输入阻抗
电流限制比较
电气特性(续)
LX1721 / 1722
符号
测试条件
典型值
最大
LX1721
LX1722
通过设置内部电阻
通过设置内部电阻
89
56
91
57
388
210
500
250
4
2
5.000
± 25
2
4
0.5
5
6.5
6.5
62,500
25
2.9
1.2
1.6
I
SINK
= 3毫安
I
SINK
= 75毫安
I
来源
= 3毫安,C
N
= 5.2V
外部施加
I
来源
= 75毫安,C
N
= 5.2V
外部施加
I
SINK
= 3毫安
I
SINK
= 75毫安
I
来源
= 3毫安,C
P
= 5.2V
(外加)
I
来源
= 75毫安,C
P
= 5.2V
(外加)
62,500
1.45
1.7
30
1.5
30
1.5
30
1
30
1
5.0
1.6
1.8
100
2.0
100
2.0
100
1.5
100
1.5
93
58
W W W.
Microsemi的
.COM
单位
“ mV / V的
“ mV / V的
k
电压检测门限
消隐脉冲延迟
响应时间
I
UM
需要限流脉冲
LATCH
需连续清除脉冲
我重置
UM
计数器
参考电压科
初始精度
电压稳定
温度稳定性
线路调整
负载调整率
欠压锁定部分
启动阈值电压
UV锁定迟滞
UVLO延迟到输出使能
电源电流
睡眠电流
工作电流
睡眠输出使能
睡眠阈值
静音科
静音阈值
对于N沟道MOSFET的输出驱动器
NFET驱动器,低电压等级
V
OL
190
不包括消隐脉冲
4
2
230
mV
“ NS
“ NS
“周期
“周期
4
2
T
A
= 0 ℃至70℃的
T
A
= -40
O
C至125
O
C
V
DD
= 9V至15V
I
OUT
= 0至20mA
O
O
± 50
5
10
±毫伏
±毫伏
±毫伏
±毫伏
±毫伏
V
V
clkcyc
A
±毫伏
clkcyc
V
V
±毫伏
V
±毫伏
V
±毫伏
V
±毫伏
V
0.5
SLEEP输入= 0V ,T
A
= 25
O
C
SLEEP输入= 2V ,V
IN
= 15V,
无连接的MOSFET
NFET驱动,高电平电压
输出驱动器为P沟道MOSFET
PFET驱动器,低电压等级
V
OH
E
LECTRICALS
E
LECTRICALS
V
OL
PFET驱动,高电平电压
V
OH
版权
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    -
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