LX1684
L I N· I N I T
D I V I S I O 4 N
电压模式PWM控制器
P
RODUCTION
描述
主要特点
W W W.
Microsemi的
.COM
该LX1684是一款单芯片，电压 -
模式脉冲宽度调制器的控制器。
它被设计为实现一个灵活的，
低成本降压（降压）稳压器
供应用最少的外部
组件。
该LX1684具有同步
驱动，提高效率，是
优化，提供12V至3.3V或
12V至2.5V调节。它也可以是
用于将5V或3.3V的电压来
低至1.25V 。
开关频率被固定在
175kHz获得最佳的成本和空间。
短路电流限制可以是
无需昂贵的电流来实现
检测电阻。
类似于函数的LX1682但
与当前的正侧
检测比较器带出（ CSP ） ，以
允许它被引用到上部
FET 。
目前正在使用的电压来检测
接R降
DS （ ON）
MOSFET的
这种感应延迟1μs至
消除MOSFET振铃错误。
打嗝模式故障保护功能降低
平均电源功率元件
在短路条件。
欠压锁定和软启动
提供了用于优化启动
性能。拉软启动引脚来
地面可以禁用LX1684 。
小型14引脚SOIC封装，
再加上低调，低ESR
电容，和TO- 252封装的FET
结果在一个高效率的转换器中的一个
小的电路板面积。在大多数情况下，印刷电路板
铜可以完成所需的热量
下沉并没有笨重的额外的热量
接收器是必需的。
如果不要求低轮廓设计
小的电解电容器，可用于
降低了整个转换器的成本。
!
固定的175kHz开关
频率
!
恒定频率电压 -
模式控制不需要
外部补偿
!
打嗝模式过电流
保护
!
高效率
!
输出电压设置到
电阻分压器
!
欠压锁定
!
软启动和启用
!
同步整流
!
小型， 14引脚表面贴装
包
应用
!
12V至3.3V或更低巴克
稳压器
!
3.3 / 5V到2.5V或更低巴克
稳压器
!
硬盘驱动器
!
电脑附加卡
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
产品集锦 - 典型的12V至3.3V应用
5V
5%
R1
165欧姆
1
12V
10%
12V
C5
1F
2
3
4
C1
0.1F
D1
5817SMT
Q1
SUB45N
05-20L
3x
820F,
16V
C4
FB
NC
SS
CSP
GND
保护地
BDR
VCC
NC
CS
NC
VC1
NC
TDR
14
13
LM78L05
或同等学历
5V
TO
VCC
R2
100欧姆
CSS
0.1F
RSET
12
3.3K
11
10
9
8
5
6
7
可选12V电路只
L1是粉末状的
铁磁环
Q2
SUB45N05-
20L
L1
10H
4x
1500F
6.3V
VOUT
3.3V
10A
C3
LX1684
LX1684
包装订购信息
T
A
(°C)
°
0到70
版权
2000
1.0版， 2001年9月19日
O
安输出
同步
D
塑料SOIC
14-PIN
LX1684CD
注：可在磁带&卷轴。
追加字母“ T”的零件编号。 （即LX1684CDT ）
Microsemi的
LINFINITY微电子部
11861西大街，加登格罗夫，CA。 92841 ， 714-898-8121 ，传真： 714-893-2570
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LX1684
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D I V I S I O 4 N
电压模式PWM控制器
P
RODUCTION
绝对最大额定值（注1 ）
封装引脚
FB
N / C
SS
VCSP
GND
保护地
BDRV
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
V
CC
N / C
CS
N / C
V
C1
N / C
T Drv的
W W W.
Microsemi的
.COM
电源电压（V
C1
) ...................................................................................... 18V
电源电压（V
CC
) ........................................................................................ 7V
输入电压（ CSP引脚） ............................................ ...................................... 14V
输出驱动峰值电流源（ 500纳秒） .......................................... .......... 1.0A
输出驱动峰值电流吸入（ 500ns的） .......................................... .............. 1.0A
输入电压（ SS / ENABLE引脚） .......................................... .................- 0.3 6V
工作结温............................................... ................... 150℃
存储温度................................................ ...................- 65 ° C至+ 150°C
引线温度（焊接10秒） ........................................... ....... 300℃
注意：
超过这些额定值可能会导致设备损坏。所有的电压都是相对于
地面上。电流是积极进入，负出指定的终端。
14-P
IN
SOIC
（T OP查看）
热数据
D
P
ACKAGE
165°C/W
°
热阻
-
结到环境
,
θ
JA
结温计算：T已
J
= T
A
+ (P
D
x
θ
JA
).
该
θ
JA
数字是该设备/印刷电路板的散热性能准则
系统。以上所有的假设没有环境空气流通。
功能引脚说明
P
IN
N
AME
V
FB
D
ESCRIPTION
电压反馈。甲1.25V基准源连接到一个电阻分压器来设置所需的输出电压。
软启动和打嗝电容引脚。在启动该引脚的电压控制输出电压。一
内部22KΩ电阻和外部电容器设置的时间常数为软启动。软启动未开始
直到电源电压超过UVLO门限。当过电流发生时，该电容器用于定时
打嗝。该PWM可拉动低于0.3V SS引脚被禁用
正过电流阈值输入
模拟地为SS ， FB ， CS和VCC 。
MOSFET驱动器电源地
SS
VCSP
GND
保护地
T Drv的
BDRV
V
C1
CS
V
CC
P
ACKAGE
D
ATA
P
ACKAGE
D
ATA
栅极驱动MOSFET上。
栅极驱动下的MOSFET 。
独立的电源对于MOSFET栅极驱动器。连接到栅极驱动电压。
过电流设置。连接CS引脚和上MOSFET的源极，设置限流电阻之间
点。
IC的电源电压（标称5V ） 。
版权
2000
1.0版， 2001年9月19日
Microsemi的
LINFINITY微电子部
11861西大街，加登格罗夫，CA。 92841 ， 714-898-8121 ，传真： 714-893-2570
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LX1684
L I N· I N I T
D I V I S I O 4 N
电压模式PWM控制器
P
RODUCTION
电气特性
除非另有说明，以下规格适用于工作环境温度0°C
≤
T
A
≤
70℃下，除非
另有说明。测试条件： V
CC
=5V, V
C1
=16V
参数
符号
测试条件
LX1684
典型值
单位
W W W.
Microsemi的
.COM
民
最大
!
参考
参考电压
V
FB
V
OUT
=V
FB
, T
A
=25°C
V
OUT
=V
FB
0° ℃下牛逼
A
＆ LT ; 70℃
1.237
1.231
1.25
1.262
1.269
V
V
!
振荡器
频率
斜坡幅度
F
OSC
V
坡道
135
175
1.25
200
千赫
VPP
!
!
误差放大器器
输入阻抗
电流检测
R
IN
V
OUT
= V
FB
20
k
当前设置
V
旅
电流检测延迟
I
SET
V
CS
= V
CC
–0.4V
40
300
45
380
1.0
420
A
mV
微秒
T
惩教署
!
输出驱动器
驱动器上升时间，下降时间
驱动高
驱动低
T
RF
V
DH
V
DL
C
L
= 3000pF的
I
来源
= 20mA时， V
C1
=16V
I
SINK
= 20mA时， V
C1
=16V
13
50
14
0.1
0.2
nS
V
V
!
UVLO和软启动（ SS ）
V
CC5
起动阈值
迟滞
SS电阻
SS输出使能
打嗝占空比
V
ST
V
C1
＆ GT ; 4.0V
4.0
4.25
0.10
4.5
V
V
k
R
SS
V
EN
DC
HIC
C
SS
= 0.1F, F
REQ
=100Hz
0.25
22
0.3
12
0.35
14
V
%
E
LECTRICALS
E
LECTRICALS
!
电源电流
V
C1
动态电源电流
静态电源电流V
C1
5V
I
CD
I
VC1
I
VCC
出频率= 175kHz ，C
L
= 3000pF的，同步。 ，V
SS
＆ GT ; 0.3V
V
SS
＆ LT ; 0.3V ;输出低电平（禁用） ，V
C1
= 16V
V
SS
＆ GT ; 0.3V ;输出低电平（禁用）
30
7
9
40
9
12
mA
mA
mA
版权
2000
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电压模式PWM控制器
P
RODUCTION
框图
W W W.
Microsemi的
.COM
R
SET
I
SET
12
VCSP
CS
+17.5V
CS COM P
-
I
RESET
PW M
V
IN
(+12V)
R
2
C
IN
R
1
10
V
C1
4
V
牛逼RIP
320k
20k
+
I
SET
R
S
Q
Q
8
T Drv的
L
1
V
FB
-
+
上午plifier /
COM补偿
V
矿
ESR
C
OU牛逼
错误COM P
SET
+
-
V
RESET
7
BDRV
V
再F
R
SS
嗝
嗝
6
保护地
5
GND
UVLO
+5V
UVLO
坡道
振荡器
14
V
CC
3
SS /启用
C
SS
B
LOCK
D
IAGRAM
B
LOCK
D
IAGRAM
版权
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电压模式PWM控制器
P
RODUCTION
工作原理
概述
的LX1684是电压模式脉冲宽度调制
控制器集成电路。内部振荡器和斜
发生器频率固定为175kHz 。该器件具有内部
补偿，从而无需外置补偿是必需的。
电源和初始化
在加电时， LX1684监视电源电压，以既
在+ 5V和V
C1
销（没有为没有特殊要求
序列中的两个电源） 。前两个电源达到其
欠电压锁定（ UVLO）阈值时，软启动（SS ）引脚
保持为低电平，以防止从开始软启动;振荡器
控件将被禁用，顶部MOSFET保持关闭。
软启动
一旦供应量高于UVLO门限，软启动
电容器开始通过一个20k的被充电用参考
内部电阻。在SS引脚的电容电压上升为
简单的RC电路。 SS引脚连接到放大器的非
反相输入端，用于控制所述输出电压。输出电压
将按照SS引脚电压是否有足够的充电电流是
提供给输出电容器。简单的RC软启动允许
输出上升快开始时较慢，在结束时
软启动时间间隔。因此，所需的充电电流进
输出电容小于在所述软起动时间间隔的末尾，以便
减小过电流的可能性。比较器
监测SS引脚电压和表示软启动结束
当SS引脚电压达到95 ％的V
REF
.
过电流保护（ OCP）和打嗝
的LX1684采用上部MOSFET的RDS（ON） ，
再加上一个电阻（ RSET ）设定的实际限流点。
不像LX1681 / 2控制器LX1684包括正
电流检测比较器输入端提供真正的开尔文检测
这是比较准确的，并提供更多的抗噪性。
这
Kelvin检测也简化了电流检测的PCB布局。
在CSP引脚有一个有用的共模输入范围为14V左右。
比较器检测电流为1μs后，高端MOSFET
接通。
实验表明，该MOSFET的漏极电压将
环用于栅后200-500ns被接通。为了减少
不准确，由于振铃，一个1μs的栅极导通后，消隐延迟
内置电流检测比较器。这1us的延迟降低
电流检测比较器的有效性，当输出
脉冲宽度小于1微秒。这可能是问题，当该组
应用输出电压小于3.0V与12V输入。
在这种情况下，输出电流限制保护不会
正常工作。这通常是不正确的具有短路
当前状态，这将导致导通时间大于所述
消隐延迟。在这种情况下，电流限制比较
将关闭顶部FET驱动器。
比较器提取电流（ ISET ） ，其大小是
45μA 。一组电阻选择来设置电流限制为
应用程序。当横跨RDS所感测的电压（ON）的加
设置电阻超过400mV的VTRIP阈值， OCP
比较器输出一个信号来复位PWM锁存器和启动
打嗝模式。软启动电容（ CSS ）是慢慢排出
（比当被充电用RSS慢10倍） 。当
电压的SS / ENABLE引脚达到0.3V阈值时，打嗝
再次完成和电路的软启动。期间打嗝，顶
MOSFET关断和底部MOSFET保持接通。打嗝是
在软启动期间禁止，允许电路启动
向上的最大电流。如果输出的上升速度
电压是太快了，所需的充电输出电流
电容器可以比极限电流更高。在这种情况下，该
MOSFET峰值电流被调节到极限电流
电流检测比较器。如果MOSFET电流仍然达到
限制在软启动结束后，打嗝再次被触发。该
嗝确保在两个MOSFET的平均发热体
和平均电流是远小于在正常
操作中，如果输出有短路。过电流保护
也可以用一个感测电阻器，而不是使用实施
上MOSFET ，为更大的设置点精度的RDS （ ON） 。
参见应用信息部分。
振荡器频率
一个内部振荡器设定开关频率在约175
千赫。
W W W.
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.COM
描述
描述
版权
2000
1.0版， 2001年9月19日
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电压模式PWM控制器
P
RODUCTION
描述
主要特点
W W W.
Microsemi的
.COM
该LX1684是一款单芯片，电压 -
模式脉冲宽度调制器的控制器。
它被设计为实现一个灵活的，
低成本降压（降压）稳压器
供应用最少的外部
组件。
该LX1684具有同步
驱动，提高效率，是
优化，提供12V至3.3V或
12V至2.5V调节。它也可以是
用于将5V或3.3V的电压来
低至1.25V 。
开关频率被固定在
175kHz获得最佳的成本和空间。
短路电流限制可以是
无需昂贵的电流来实现
检测电阻。
类似于函数的LX1682但
与当前的正侧
检测比较器带出（ CSP ） ，以
允许它被引用到上部
FET 。
目前正在使用的电压来检测
接R降
DS （ ON）
MOSFET的
这种感应延迟1μs至
消除MOSFET振铃错误。
打嗝模式故障保护功能降低
平均电源功率元件
在短路条件。
欠压锁定和软启动
提供了用于优化启动
性能。拉软启动引脚来
地面可以禁用LX1684 。
小型14引脚SOIC封装，
再加上低调，低ESR
电容，和TO- 252封装的FET
结果在一个高效率的转换器中的一个
小的电路板面积。在大多数情况下，印刷电路板
铜可以完成所需的热量
下沉并没有笨重的额外的热量
接收器是必需的。
如果不要求低轮廓设计
小的电解电容器，可用于
降低了整个转换器的成本。
!
固定的175kHz开关
频率
!
恒定频率电压 -
模式控制不需要
外部补偿
!
打嗝模式过电流
保护
!
高效率
!
输出电压设置到
电阻分压器
!
欠压锁定
!
软启动和启用
!
同步整流
!
小型， 14引脚表面贴装
包
应用
!
12V至3.3V或更低巴克
稳压器
!
3.3 / 5V到2.5V或更低巴克
稳压器
!
硬盘驱动器
!
电脑附加卡
重要提示：
有关最新资料，请咨询
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产品集锦 - 典型的12V至3.3V应用
5V
5%
R1
165欧姆
1
12V
10%
12V
C5
1F
2
3
4
C1
0.1F
D1
5817SMT
Q1
SUB45N
05-20L
3x
820F,
16V
C4
FB
NC
SS
CSP
GND
保护地
BDR
VCC
NC
CS
NC
VC1
NC
TDR
14
13
LM78L05
或同等学历
5V
TO
VCC
R2
100欧姆
CSS
0.1F
RSET
12
3.3K
11
10
9
8
5
6
7
可选12V电路只
L1是粉末状的
铁磁环
Q2
SUB45N05-
20L
L1
10H
4x
1500F
6.3V
VOUT
3.3V
10A
C3
LX1684
LX1684
包装订购信息
T
A
(°C)
°
0到70
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1.0版， 2001年9月19日
O
安输出
同步
D
塑料SOIC
14-PIN
LX1684CD
注：可在磁带&卷轴。
追加字母“ T”的零件编号。 （即LX1684CDT ）
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电压模式PWM控制器
P
RODUCTION
绝对最大额定值（注1 ）
封装引脚
FB
N / C
SS
VCSP
GND
保护地
BDRV
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
V
CC
N / C
CS
N / C
V
C1
N / C
T Drv的
W W W.
Microsemi的
.COM
电源电压（V
C1
) ...................................................................................... 18V
电源电压（V
CC
) ........................................................................................ 7V
输入电压（ CSP引脚） ............................................ ...................................... 14V
输出驱动峰值电流源（ 500纳秒） .......................................... .......... 1.0A
输出驱动峰值电流吸入（ 500ns的） .......................................... .............. 1.0A
输入电压（ SS / ENABLE引脚） .......................................... .................- 0.3 6V
工作结温............................................... ................... 150℃
存储温度................................................ ...................- 65 ° C至+ 150°C
引线温度（焊接10秒） ........................................... ....... 300℃
注意：
超过这些额定值可能会导致设备损坏。所有的电压都是相对于
地面上。电流是积极进入，负出指定的终端。
14-P
IN
SOIC
（T OP查看）
热数据
D
P
ACKAGE
165°C/W
°
热阻
-
结到环境
,
θ
JA
结温计算：T已
J
= T
A
+ (P
D
x
θ
JA
).
该
θ
JA
数字是该设备/印刷电路板的散热性能准则
系统。以上所有的假设没有环境空气流通。
功能引脚说明
P
IN
N
AME
V
FB
D
ESCRIPTION
电压反馈。甲1.25V基准源连接到一个电阻分压器来设置所需的输出电压。
软启动和打嗝电容引脚。在启动该引脚的电压控制输出电压。一
内部22KΩ电阻和外部电容器设置的时间常数为软启动。软启动未开始
直到电源电压超过UVLO门限。当过电流发生时，该电容器用于定时
打嗝。该PWM可拉动低于0.3V SS引脚被禁用
正过电流阈值输入
模拟地为SS ， FB ， CS和VCC 。
MOSFET驱动器电源地
SS
VCSP
GND
保护地
T Drv的
BDRV
V
C1
CS
V
CC
P
ACKAGE
D
ATA
P
ACKAGE
D
ATA
栅极驱动MOSFET上。
栅极驱动下的MOSFET 。
独立的电源对于MOSFET栅极驱动器。连接到栅极驱动电压。
过电流设置。连接CS引脚和上MOSFET的源极，设置限流电阻之间
点。
IC的电源电压（标称5V ） 。
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1.0版， 2001年9月19日
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D I V I S I O 4 N
电压模式PWM控制器
P
RODUCTION
电气特性
除非另有说明，以下规格适用于工作环境温度0°C
≤
T
A
≤
70℃下，除非
另有说明。测试条件： V
CC
=5V, V
C1
=16V
参数
符号
测试条件
LX1684
典型值
单位
W W W.
Microsemi的
.COM
民
最大
!
参考
参考电压
V
FB
V
OUT
=V
FB
, T
A
=25°C
V
OUT
=V
FB
0° ℃下牛逼
A
＆ LT ; 70℃
1.237
1.231
1.25
1.262
1.269
V
V
!
振荡器
频率
斜坡幅度
F
OSC
V
坡道
135
175
1.25
200
千赫
VPP
!
!
误差放大器器
输入阻抗
电流检测
R
IN
V
OUT
= V
FB
20
k
当前设置
V
旅
电流检测延迟
I
SET
V
CS
= V
CC
–0.4V
40
300
45
380
1.0
420
A
mV
微秒
T
惩教署
!
输出驱动器
驱动器上升时间，下降时间
驱动高
驱动低
T
RF
V
DH
V
DL
C
L
= 3000pF的
I
来源
= 20mA时， V
C1
=16V
I
SINK
= 20mA时， V
C1
=16V
13
50
14
0.1
0.2
nS
V
V
!
UVLO和软启动（ SS ）
V
CC5
起动阈值
迟滞
SS电阻
SS输出使能
打嗝占空比
V
ST
V
C1
＆ GT ; 4.0V
4.0
4.25
0.10
4.5
V
V
k
R
SS
V
EN
DC
HIC
C
SS
= 0.1F, F
REQ
=100Hz
0.25
22
0.3
12
0.35
14
V
%
E
LECTRICALS
E
LECTRICALS
!
电源电流
V
C1
动态电源电流
静态电源电流V
C1
5V
I
CD
I
VC1
I
VCC
出频率= 175kHz ，C
L
= 3000pF的，同步。 ，V
SS
＆ GT ; 0.3V
V
SS
＆ LT ; 0.3V ;输出低电平（禁用） ，V
C1
= 16V
V
SS
＆ GT ; 0.3V ;输出低电平（禁用）
30
7
9
40
9
12
mA
mA
mA
版权
2000
1.0版， 2001年9月19日
Microsemi的
LINFINITY微电子部
11861西大街，加登格罗夫，CA。 92841 ， 714-898-8121 ，传真： 714-893-2570
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LX1684
L I N· I N I T
D I V I S I O 4 N
电压模式PWM控制器
P
RODUCTION
框图
W W W.
Microsemi的
.COM
R
SET
I
SET
12
VCSP
CS
+17.5V
CS COM P
-
I
RESET
PW M
V
IN
(+12V)
R
2
C
IN
R
1
10
V
C1
4
V
牛逼RIP
320k
20k
+
I
SET
R
S
Q
Q
8
T Drv的
L
1
V
FB
-
+
上午plifier /
COM补偿
V
矿
ESR
C
OU牛逼
错误COM P
SET
+
-
V
RESET
7
BDRV
V
再F
R
SS
嗝
嗝
6
保护地
5
GND
UVLO
+5V
UVLO
坡道
振荡器
14
V
CC
3
SS /启用
C
SS
B
LOCK
D
IAGRAM
B
LOCK
D
IAGRAM
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2000
1.0版， 2001年9月19日
Microsemi的
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LX1684
L I N· I N I T
D I V I S I O 4 N
电压模式PWM控制器
P
RODUCTION
工作原理
概述
的LX1684是电压模式脉冲宽度调制
控制器集成电路。内部振荡器和斜
发生器频率固定为175kHz 。该器件具有内部
补偿，从而无需外置补偿是必需的。
电源和初始化
在加电时， LX1684监视电源电压，以既
在+ 5V和V
C1
销（没有为没有特殊要求
序列中的两个电源） 。前两个电源达到其
欠电压锁定（ UVLO）阈值时，软启动（SS ）引脚
保持为低电平，以防止从开始软启动;振荡器
控件将被禁用，顶部MOSFET保持关闭。
软启动
一旦供应量高于UVLO门限，软启动
电容器开始通过一个20k的被充电用参考
内部电阻。在SS引脚的电容电压上升为
简单的RC电路。 SS引脚连接到放大器的非
反相输入端，用于控制所述输出电压。输出电压
将按照SS引脚电压是否有足够的充电电流是
提供给输出电容器。简单的RC软启动允许
输出上升快开始时较慢，在结束时
软启动时间间隔。因此，所需的充电电流进
输出电容小于在所述软起动时间间隔的末尾，以便
减小过电流的可能性。比较器
监测SS引脚电压和表示软启动结束
当SS引脚电压达到95 ％的V
REF
.
过电流保护（ OCP）和打嗝
的LX1684采用上部MOSFET的RDS（ON） ，
再加上一个电阻（ RSET ）设定的实际限流点。
不像LX1681 / 2控制器LX1684包括正
电流检测比较器输入端提供真正的开尔文检测
这是比较准确的，并提供更多的抗噪性。
这
Kelvin检测也简化了电流检测的PCB布局。
在CSP引脚有一个有用的共模输入范围为14V左右。
比较器检测电流为1μs后，高端MOSFET
接通。
实验表明，该MOSFET的漏极电压将
环用于栅后200-500ns被接通。为了减少
不准确，由于振铃，一个1μs的栅极导通后，消隐延迟
内置电流检测比较器。这1us的延迟降低
电流检测比较器的有效性，当输出
脉冲宽度小于1微秒。这可能是问题，当该组
应用输出电压小于3.0V与12V输入。
在这种情况下，输出电流限制保护不会
正常工作。这通常是不正确的具有短路
当前状态，这将导致导通时间大于所述
消隐延迟。在这种情况下，电流限制比较
将关闭顶部FET驱动器。
比较器提取电流（ ISET ） ，其大小是
45μA 。一组电阻选择来设置电流限制为
应用程序。当横跨RDS所感测的电压（ON）的加
设置电阻超过400mV的VTRIP阈值， OCP
比较器输出一个信号来复位PWM锁存器和启动
打嗝模式。软启动电容（ CSS ）是慢慢排出
（比当被充电用RSS慢10倍） 。当
电压的SS / ENABLE引脚达到0.3V阈值时，打嗝
再次完成和电路的软启动。期间打嗝，顶
MOSFET关断和底部MOSFET保持接通。打嗝是
在软启动期间禁止，允许电路启动
向上的最大电流。如果输出的上升速度
电压是太快了，所需的充电输出电流
电容器可以比极限电流更高。在这种情况下，该
MOSFET峰值电流被调节到极限电流
电流检测比较器。如果MOSFET电流仍然达到
限制在软启动结束后，打嗝再次被触发。该
嗝确保在两个MOSFET的平均发热体
和平均电流是远小于在正常
操作中，如果输出有短路。过电流保护
也可以用一个感测电阻器，而不是使用实施
上MOSFET ，为更大的设置点精度的RDS （ ON） 。
参见应用信息部分。
振荡器频率
一个内部振荡器设定开关频率在约175
千赫。
W W W.
Microsemi的
.COM
描述
描述
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2000
1.0版， 2001年9月19日
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