LX1681/1682
TM
电压模式PWM控制器
P
RODUCTION
D
ATA
S
HEET
描述
主要特点
WWW .
Microsemi的
.C
OM
该LX1681 / 1682顷铁板一块，
脉冲宽度调制器控制器IC 。
它们被设计来实现
灵活的，低成本的降压（降压）
稳压电源具有最少的外部
组件。
的LX1681是一种非同步
控制器;
该
LX1682
有
a
同步驱动效率更高。
输出电压是可调
装置的电阻分压器来设定
1.25V和4.5V之间的电压。
短路电流限制可以是
无需昂贵的电流来实现
检测电阻。当前正在使用感知
穿过第r上的电压降
DS （ ON）
的
MOSFET - 感应延迟为1μs
消除MOSFET振铃错误。
打嗝模式故障保护功能降低
平均电源功率元件
在短路条件。
开关频率被固定在
200kHz的最优成本和空间。
欠压锁定和软启动
为最佳的启动性能。拉
软启动引脚接地可禁用
该LX1681 / 82 。
小型8引脚SOIC封装减少
电路板空间。优化5V到3.3V
or
5V-to-2.5V
转换，
该
LX1681 / 82也可用于
转换12V至5V ， 3.3V或其他
电压
同
高
ê FFI效率，
省去了笨重的散热片。
固定的200kHz开关频率
恒定频率电压模式
控制，无需外部
赔偿金
打嗝模式过电流
保护
高效率
输出电压设置由电阻
分频器
欠压锁定
软启动和启用
同步整流
(LX1682)
非同步整流
(LX1681)
小型8引脚表面贴装
包
应用
5V到3.3V或更低巴克
稳压器
FPGA供应
微处理器的芯片组供应
（例如卡米诺，惠特尼等）
Rambus公司RIMM 用品
硬盘驱动器
电脑附加卡
重要提示：
有关最新资料，请咨询
Microsemi的
网址：
http://www.microsemi.com
产品集锦
V
BO OST
12V
V
IN
5V
C
3
1F
C
1
1500F
x3
C
3
1F
V
嘘ST
12V
V
IN
5V
C
1
V
FB
C
SS
0.1F
V
C2
CS
V
FB
C
SS
V
C2
CS
1500F
x3
SS
SS
LX1681
北卡罗来纳州
GND
V
C1
T Drv的
R
SET
D
2
Q
1
IRL3103S
L
1
5H
C
2
1500F
x3
R
1
0.1F
V
OU牛逼
LX1682
摹ND
BDRV
V
C1
T Drv的
R
SET
Q
1
IRL3103S
L
1
5H
C
2
1500F
x3
R
1
V
OU牛逼
R
2
MBR2545
R
2
Q
2
IRL3103S
LX1681/1682
LX1681/1682
LX1681非同步控制器
LX1682同步控制器
包装订购信息
T
A
(°C)
0到70
O
安输出
非同步
同步
DM
塑料SOIC
8-PIN
LX1681CDM
LX1682CDM
符合RoHS /无铅
过渡D / C ： 0440
注：可在磁带&卷轴。追加字母“ TR”的零件编号。 （即LX1681CDM - TR ）
版权
2000
启11亿， 2005-03-09
Microsemi的
LINFINITY微电子部
11861西大街，加登格罗夫，CA。 92841 ， 714-898-8121 ，传真： 714-893-2570
第1页
LX1681/1682
TM
电压模式PWM控制器
P
RODUCTION
D
ATA
S
HEET
绝对最大额定值（注1 ）
电源电压（V
C1
).................................................................................................... 18V
电源电压（V
CC
) ..................................................................................................... 7V
输出驱动峰值电流源（ 500纳秒） .......................................... ....................... 1.0A
输出驱动峰值电流吸入（ 500ns的） .......................................... ........................... 1.0A
输入电压（ SS / ENABLE引脚） .......................................... .............................. -0.3 6V
工作结温............................................... ................................. 150℃
存储温度................................................ ................................. -65 ° C至+ 150°C
符合RoHS /无铅封装峰值回流焊温度（40秒最低。曝光） ........... 260 ° C（ 0 ， -5 ）
注意：
超过这些额定值可能会导致设备损坏。所有的电压都是相对于
地面上。电流是积极进入，负出指定的终端。
封装引脚
WWW .
Microsemi的
.C
OM
V
FB
SS
北卡罗来纳州
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
CS
V
C1
T Drv的
LX1681
DM P
ACKAGE
（ TOP VIEW ）
V
FB
SS
GND
BDRV
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
CS
V
C1
T Drv的
热数据
LX1682
DM P
ACKAGE
（ TOP VIEW ）
DM
P
ACKAGE
165°C/W
符合RoHS /无铅100 ％雾锡铅完成
热阻
-
结到环境
,
θ
JA
结温计算：T已
J
= T
A
+ (P
D
x
θ
JA
).
该
θ
JA
数字是该设备/印刷电路板的散热性能准则
系统。以上所有的假设没有环境空气流通。
功能引脚说明
P
IN
N
AME
V
FB
D
ESCRIPTION
电压反馈。甲1.25V基准源连接到一个电阻分压器来设置所需的输出电压。
软启动和打嗝电容引脚。在启动该引脚的电压控制输出电压。一
内部20kΩ的电阻和外部电容器设置的时间常数为软启动。软启动未开始
直到电源电压超过UVLO门限。当过电流发生时，该电容器用于定时
打嗝。该PWM可拉动低于0.3V SS引脚被禁用
地面IC 。
栅极驱动MOSFET上。
SS
GND
T Drv的
BDRV
V
C1
CS
V
CC
P
ACKAGE
D
ATA
P
ACKAGE
D
ATA
栅极驱动下的MOSFET 。
独立的电源对于MOSFET栅极驱动器。连接到12V 。
过电流设置。连接CS引脚和上MOSFET的源极，设置限流电阻之间
点。
IC的电源电压（标称5V ）和高边漏感电压。
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电压模式PWM控制器
P
RODUCTION
D
ATA
S
HEET
电气特性
WWW .
Microsemi的
.C
OM
除非另有说明，以下规格适用于工作环境温度0°C
≤
T
A
≤
70℃下，除非
另有说明。测试条件： V
CC
=5V, V
C1
= 12V ，T = 25°C
参数
参考
符号
测试条件
LX1681/1682
民
典型值
最大
单位
参考电压
V
FB
V
OUT
=V
FB
, T
A
=25°C
V
OUT
=V
FB
0° ℃下牛逼
A
＆ LT ; 70℃
1.237
1.231
1.25
1.262
1.269
V
V
振荡器
频率
斜坡幅度
误差放大器器
F
OSC
V
坡道
170
190
1.25
230
千赫
VPP
输入阻抗
电流检测
R
IN
V
OUT
=V
FB
20
k
当前设置
V
旅
电流检测延迟
输出驱动器
I
SET
V
CS
= V
CC
–0.4V
参考V
CC
40
40
45
45
1.1
A
A
微秒
T
惩教署
驱动器上升时间，下降时间
驱动高
驱动低
UVLO和软启动（ SS ）
T
RF
V
DH
V
DL
C
L
=3000pF
I
来源
= 20mA时， V
C1
=12V
I
SINK
= 20mA时， V
C1
=12V
10
50
11
0.1
0.2
Ns
V
V
V
CC5
起动阈值
迟滞
SS电阻
SS输出使能
打嗝占空比
电源电流
V
ST
V
C1
＆ GT ; 4.0V
4.0
4.25
0.10
4.5
V
V
k
R
SS
V
EN
DC
HIC
C
SS
= 0.1F, F
REQ
=100Hz
0.25
20
0.3
10
0.35
V
%
E
LECTRICALS
E
LECTRICALS
V
CC12
动态电源电流
静态电源电流12CV
5V
I
CD
I
VC1
I
VCC
出频率= 200kHz的，C
L
= 3000pF的，同步。 ，V
SS
＆ GT ; 0.3V
V
SS
＆ LT ; 0.3V
V
SS
＆ GT ; 0.3V
24
5
10
28
7
12
mA
mA
mA
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D
ATA
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工作原理
WWW .
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.C
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概述
过电流保护（ OCP）和打嗝
的LX1681 / 82为电压模式脉冲宽度调制
控制器集成电路。内部振荡器和斜
产生频率固定为200kHz的。该器件具有内部
补偿，从而无需外置补偿是必需的。
电源和初始化
在加电时， LX1681 / 82监视电源电压，以
无论是+ 5V和+ 12V电源引脚（没有特殊要求
用于两个电源的序列）。前两个电源达到
他们的欠压锁定（ UVLO ）门限，软启动（ SS ）
引脚保持为低电平，以防止从开始软启动;振荡器
控件将被禁用，顶部MOSFET保持关闭。
软启动
一旦供应量高于UVLO门限，软启动
电容器开始通过一个20k的被充电用参考
内部电阻。在SS引脚的电容电压上升为
简单的RC电路。 SS引脚连接到放大器的非
反相输入端，用于控制所述输出电压。输出电压
将按照SS引脚电压是否有足够的充电电流是
提供给输出电容器。简单的RC软启动允许
输出上升快开始时较慢，在结束时
软启动时间间隔。因此，所需的充电电流进
输出电容小于在所述软起动时间间隔的末尾，以便
减小过电流的可能性。比较器
监测SS引脚电压和表示软启动结束
当SS引脚电压达到95 ％的V
REF
.
该LX1681 / 1682系列采用第r
DS （ ON）
上部的
的MOSFET ，与电阻一起（注册商标
SET
）来设置实际的电流
极限点。该比较器检测当前1μs的后上方
MOSFET接通。实验已经表明，在
MOSFET的漏极电压会响200-500ns后的门
接通。为了减少由于不准确到振铃，需要1μs
栅极导通之后的延迟中内置电流检测比较器。
比较绘制一个电流（I
SET
） ，其大小是45μA 。
一组电阻选择来设置电流限制为
应用程序。当整个R中的感测的电压
DS （ ON）
加
设置电阻超过400mV的电压触发阈值时， OCP
比较器输出一个信号来复位PWM锁存器和启动
打嗝模式。软启动电容（C
SS
）缓慢排出
（10倍以上时，被充电的R慢
SS
） 。当
电压的SS / ENABLE引脚达到0.3V阈值时，打嗝
再次完成和电路的软启动。期间打嗝，顶
MOSFET关断和底部MOSFET保持接通。打嗝是
在软启动期间禁止，允许电路启动
向上的最大电流。如果输出的上升速度
电压是太快了，所需的充电输出电流
电容器可以比极限电流更高。在这种情况下，该
MOSFET峰值电流被调节到极限电流
电流检测比较器。如果MOSFET电流仍然达到
限制在软启动结束后，打嗝再次被触发。该
嗝确保在两个MOSFET的平均发热体和
平均电流为比在正常操作中要少得多，
如果输出有短路。过电流保护，也可
使用一个检测电阻器，而不是使用R实现
DS （ ON）
of
上MOSFET ，为更大的设置点精度。看
应用信息部分。
振荡器频率
一个内部振荡器设定在200 kHz的开关频率。
D
ESCRIPTION
D
ESCRIPTION
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RODUCTION
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HEET
应用信息
输出电感
输出电容
（续）
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.C
OM
输出电感器的选择应符合要求
输出电压纹波在稳态运行和的
电感电流斜率瞬变过程。的峰 - 峰
输出电压纹波为：
V
纹波
=
ESR
×
I
纹波
哪里
I
纹波
=
(
V
IN
- V
OUT
)
×
V
OUT
f
SW
×
L
V
IN
I
纹波
是电感的纹波电流，L是输出电感器
值， ESR是等效串联电阻的输出
电容。
I
纹波
通常应在20％的范围内的40％的
最大输出电流。较高的电感产生较低
输出电压纹波，从而略高ESR以满足
短暂的规范。较高的电感也减缓了电感器
电流转换率响应于所述负载电流的阶跃变化，
I,
从而导致更多的输出电容电压下降。该电感 -
电流上升和下降时间：
铝电解电容器可用于输出电容，但
是随着年龄的增长比钽电容稳定性较差。因为他们的年龄，他们的
ESR的退化，降低了系统的性能和提高
故障的风险。建议在多个并联电容
使用，所以，作为ESR随着年龄的增加，总体性能
将仍满足处理器的要求。
经常有强大的压力以使用最便宜的
组件可能的，但是，这可能会导致长期下降
长期可靠性，尤其是在滤波电容的情况。
LINFINITY的演示板采用三洋MV- GX过滤器
电容，这是铝电解，并有
验证的可靠性。该系列OSCON三洋一般
提供长期ESR方面最好的表现
稳定性和一般的可靠性，但在大量的成本损失。
该MV- GX系列提供了出色的ESR性能在
合理的成本。谨防关品牌，成本非常低的过滤器
电容，这已被证明在两个ESR的降解和
一般的电解特性随着时间的推移。
输入电容
T
上升
=
和
L
×
I
(
V
IN
V
OUT
)
输入电容器和所述输入电感器是过滤
脉动由降压转换器产生的电流，从而减小
干扰到连接到相同的5V电源的其它电路。在
另外，输入电容器提供局部去耦降压
转换器。电容器应在额定处理RMS电流
要求。该RMS电流为：
T
秋天
=
L
×
I
V
OUT
I
RMS
=
I
L
d
(1
d
)
哪里
I
L
是电感电流和d是占空比。该
最大值，当d = 50％ ，
I
RMS
= 0.5I
L
。对于5V输入，
在2 3V的范围内输出，所需要的电流有效值是非常
近0.5I
L
.
软启动电容
当使用电解电容器，所述电容器的电压降
通常是可以忽略不计，由于大的电容量。
输出电容
输出电容器的尺寸，以满足纹波和瞬变
性能规格。有效串联电阻（ESR）是一个
关键参数。当一个阶跃负载电流时，输出
电压将有一个等于所述ESR和的乘积的工序的
当前步骤，
I.
在先进的微处理器供电，
输出电容通常选择ESR的电容，而不是
或RMS电流能力。满足ESR电容器
要求，通常具有较大的电容和电流能力
不是严格必要的。允许的ESR可以发现：
软启动电容的值决定的速度有多快
输出电压上升时，如何大的电感电流是必需的
给输出电容器充电。的输出电压将跟随
电压在SS引脚如果所需的电感器电流不超过
在电感器的最大电流。 SS引脚电压可以
表示为：
A
PPLICATION
A
PPLICATION
V
SS
=
V
SET
(1
e
t
/
R
SS
C
SS
)
哪里
V
SET
是参考电压。
R
SS
和
C
SS
软启动
电阻器和电容器。所需的电感器电流对输出
电容跟随SS引脚的电压等于所需的电容
电流加在负载电流。软启动电容应
选择，以使整体的电感电流不超过其
最大。
ESR
×
(
I
纹波
+
I
)
＆ LT ;
V
EX
在那里我
纹波
是电感纹波电流，
I
为最大
负载电流的阶跃变化，并且
V
EX
是允许的输出电压
游在短暂的。
版权
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Microsemi的
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