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分立半导体

数据表

LWE2010S

NPN微波功率晶体管

产品speci fi cation

取代1994年11月数据

在分离式半导体文件， SC15

1997年2月19日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN微波功率晶体管

特点

扩散发射极镇流电阻器

提供出色的电流分配

并承受高VSWR

叉指结构提供

高效率的发射器

镀金实现非常

的特点，稳定性好

和优良的一生

多单元的几何形状提供了良好的

耗散功率的平衡，

低热阻。

应用

共发射极A类电源

放大器频率高达

2.3 GHz的。

手册， halfpage

LWE2010S

快速参考数据

微波性能达至T

mb

= 25

°C

在共发射极A级

选择性扩增fi er 。

的模式

手术

A级（ CW）

f

（千兆赫）

2.3

V

CE

(V)

18

I

C

（MA ）

110

P

L1

(W)

≥0.8

G

po

（ dB）的

≥8

Z

I

/Z

L

()

参见图6

与7

钉扎 - SOT446A

针

1

2

3

集热器

BASE

发射极连接到佛罗里达州安格

描述

描述

NPN硅平面外延

在微波功率晶体管

SOT446A金属陶瓷法兰

封装，具有发射极连接到

FL法兰。

1

c

3

b

e

2

MAM313

Fig.1简化外形和符号。

警告

产品和环境安全 - 有毒物质

本品含有氧化铍。该产品是完全安全的前提是BeO的光盘不被损坏。

所有的人谁处理，使用或处置该产品应该知道它的性质和必要的安全

预防措施。使用后，可根据应用的位置法规处置化学废物或特殊废物

该用户。它绝不能抛出与一般的或生活垃圾。

1997年2月19日

2

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN微波功率晶体管

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

V

CBO

V

CER

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

合计

T

英镑

T

j

T

SLD

记

1.最高至0.1毫米的陶瓷。

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

总功耗

储存温度

工作结温

焊接温度

t

≤

10秒;注1

T

mb

= 75

°C

条件

发射极开路

R

BE

= 250

开基

集电极开路

65

分钟。

LWE2010S

马克斯。

40

20

15

3

250

4.8

+200

200

235

单位

V

V

V

V

mA

W

°C

°C

°C

MGA250

MGA249

1

手册， halfpage

IC

(A)

6

手册， halfpage

P合计

(W)

4

10

1

2

(1)

(2)

10

2

1

10

VCE （ V）

10

2

0

50

0

50

100

150

200

250

TMB （

o

C)

T

mb

≤

75

°C.

（ 1）区允许的直流操作。

（ 2 ）允许的扩展提供

BE

≤

250

.

P

TOT最大

= 4.8 W.

Fig.3

图2 DC飙升。

最大功耗降额作为

功能安装基座的温度。

1997年2月19日

3

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN微波功率晶体管

热特性

符号

R

日J- MB

R

日MB -H

记

1.请参阅“安装

在SC15手册的通用部分“的建议。

特征

T

mb

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

I

CBO

I

EBO

h

FE

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

条件

V

CB

= 20V;我

E

= 0

V

CB

= 40 V ;我

E

= 0

V

EB

= 1.5 V ;我

C

= 0

V

CE

= 5 V ;我

C

= 110毫安

15

分钟。

参数

条件

马克斯。

22

2

LWE2010S

单位

K / W

K / W

结点的热阻在安装底座T

j

= 75

°C

从安装基座热阻散热器注1

马克斯。

75

500

200

150

单位

A

A

nA

应用信息

微波性能达至T

mb

= 25

°C

在共发射极级的选择性扩增fi er 。

操作模式

A级（ CW） ;注1

记

1.在图4所示的窄带测试电路。

f

（千兆赫）

2.3

V

CE

(V)

18

I

C

（MA ）

110

P

L1

(W)

≥0.8;

（典型值）。 0.9

G

po

（ dB）的

≥8;

（典型值）。 9

Z

I

()

5.2 + j 16.5

Z

L

()

7.5 + j 8.75

1997年2月19日

4

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN微波功率晶体管

LWE2010S

手册，全页宽

30 mm

30 mm

1

5

2.5 (3x)

4.5

8.5

10

5

5

3

1

3

40 mm

0.6

4

9

4.5

3

3

40 mm

MBC717

手册，全页宽

C1

C2

L1

输入

C3

L2

产量

C4

MBC718

基材： Epsilam 10 。

厚度： 0.635毫米。

介电常数：

ε

r

= 10.

图4 Prematching测试电路板。

1997年2月19日

5

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