订购数量： ENA1975
LV8772
概观
BI -CMOS LSI
PWM恒流控制
步进电机驱动器
该LV8772是一个步进马达驱动器，其能够微步驱动，并支持4W 1-2相励磁。这是
加强办公设备和娱乐应用中的电机。
特点
低导通电阻（上部： 0.3Ω ;下侧： 0.25Ω ;共有上下： 0.55Ω ; TA = 25 ° C， IO = 2.5A ）
励磁方式可以被设置为2相， 1-2相， W1-2相，或4W1-2相
BiCDMOS过程IC
激发步骤只有一步信号输入进行
输出短路保护电路中
电动机电流可选择四个步骤
异常情况报警输出引脚
无需控制电源
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在Ta = 25℃
参数
电源电压
输出峰值电流
输出电流
逻辑输入电压
MONI / EMO输入电压
允许功耗
符号
VM最大
IO峰值
IO最大
VIN
Vmoni / VEMO
钯MAX1
钯MAX2
工作温度
储存温度
TOPR
TSTG
1个单位
*
tw
≤
为10ms ，占空比20 ％
条件
评级
36
3.0
2.5
-0.3 +6
-0.3 +6
3.0
5.4
-20至+85
-55到+150
单位
V
A
A
V
V
W
W
°C
°C
*指定的电路板： 90.0毫米× 90.0毫米× 1.6毫米，环氧玻璃2层电路板，与背面安装。
注意事项1 ）绝对最大额定值表示不能超出任何时间长度的值。
注意2 ）即使当器件的绝对最大额定值范围内使用，如高温，高电流，高在连续使用的结果
电压，或急剧的温度变化时，IC的可靠性可能降低。请与我们联系，为进一步的细节。
任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有，关于产品
"standard application" ，意为用作一般电子设备。该产品本文档中提及
不得意欲用于任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，
航空航天仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号控制系统，
安全设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁到人的生命
在发生故障或产品或故障可能造成的危害对人体的，也不得给予任何
担保物。如果您打算使用我们的产品，引进新的或不同的其他应用程序
从汽车设备，通信设备，办公自动化设备的使用目前的条件，工业
设备等，请与我们协商有关前使用条件（温度，运行时间等）
使用目的。如果在预定使用之前没有咨询或查询，客户应自行
负责使用。
产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定
的性能，特点，以及在独立的状态下所描述的产品的功能，并且不
的性能，特点，以及所述产品的功能，作为安装在保证
客户
'
产品或设备。要验证的症状，并且不能在一个独立的评估状态
设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户
'
生产的产品或
设备。
90711 SY 20110902 - S00001 No.A1975-1 / 17
LV8772
允许工作额定值
在Ta = 25℃
参数
电源电压范围
逻辑输入电压
VREF输入电压范围
符号
VM
VIN
VREF
条件
评级
9 32个
0至5.5
0至3
单位
V
V
V
电气特性
在Ta = 25 ℃， VM = 24V ， VREF = 1.5V
参数
待机模式下的电流消耗
漏电流
VREG5输出电压
热关断温度
热滞宽度
电机驱动器
输出导通电阻
Ronu
ROND
输出漏电流
二极管的正向电压
逻辑引脚输入电流
IOLEAK
VD
IINL
IINH
逻辑高电平输入电压
逻辑低电平输入电压
当前设置
比较
门槛
电压
（当前步骤
切换）
4W1-2-phase
DRIVE
Vtdac1_4W
Vtdac2_4W
Vtdac3_4W
Vtdac4_4W
Vtdac5_4W
Vtdac6_4W
Vtdac7_4W
Vtdac8_4W
Vtdac9_4W
Vtdac10_4W
Vtdac11_4W
Vtdac12_4W
Vtdac13_4W
Vtdac14_4W
Vtdac15_4W
W1-2-phase
DRIVE
Vtdac4_W
Vtdac8_W
Vtdac12_W
1-2相驱动器
Vtdac0_H
Vtdac8_H
2相驱动
当前设置比较
阈值电压
（电流衰减率转换）
Vtdac8_F
Vtatt00
Vtatt01
Vtatt10
Vtatt11
斩波频率
CHOP脚充电/放电电流
fChop
Ichop
Vtdac0_W
VINH
VINL
Vtdac0_4W
步骤0 （当初始化： 1通道
比较级）
步骤1 （初始状态+ 1 ）
步骤2 （初始状态+ 2 ）
第3步（初始状态+ 3 ）
第4步（初始状态+ 4 ）
第5步（初始状态+ 5 ）
第6步（初始状态+ 6 ）
第7步（初始状态+ 7 ）
第8步（初始状态+ 8 ）
第9步（初始状态+ 9 ）
第10步（初始状态+ 10 ）
第11步（初始状态+ 11 ）
第12步（初始状态+ 12 ）
第13步（初始状态+ 13 ）
第14步（初始状态+ 14 ）
第15步（初始状态+ 15 ）
步骤0 （当初始化： 1通道
比较级）
第4步（初始状态+ 1 ）
第8步（初始状态+ 2 ）
第12步（初始状态+ 3 ）
步骤0 （当初始化： 1通道
比较级）
第8步（初始状态+ 1 ）
第8步“ （当初始化：通道1
比较级）
ATT1 = L时， ATT2 = L
ATT1 = H， ATT2 = L
ATT1 = L时， ATT2 = H
ATT1 = H， ATT2 = H
Cchop =为180pF
0.291
0.232
0.143
0.053
45
7
0.3
0.24
0.15
0.06
55
10
0.309
0.248
0.157
0.067
65
13
V
V
V
V
千赫
μA
0.201
0.291
0.21
0.3
0.219
0.309
V
V
0.267
0.201
0.107
0.291
0.276
0.21
0.114
0.3
0.285
0.219
0.121
0.309
V
V
V
V
0.291
0.285
0.279
0.267
0.255
0.240
0.222
0.201
0.180
0.157
0.134
0.107
0.080
0.053
0.023
0.291
0.3
0.294
0.288
0.276
0.264
0.249
0.231
0.210
0.189
0.165
0.141
0.114
0.087
0.060
0.030
0.3
0.309
0.303
0.297
0.285
0.273
0.258
0.240
0.219
0.198
0.173
0.148
0.121
0.094
0.067
0.037
0.309
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
0.291
0.3
ID = -2.5A
VIN = 0.8V
VIN = 5V
4
30
2.0
0.8
0.309
1.2
8
50
IO = 2.5A，导通电阻的上侧
IO = 2.5A，导通电阻低侧
0.3
0.25
0.4
0.33
50
1.4
12
70
Ω
Ω
μA
V
μA
μA
V
V
V
符号
IMST
IM
Vreg5
TSD
Tsd
ST = “L”的
ST =“ H”时，在无负载
IO = -1mA
设计保证
设计保证
4.5
150
条件
评级
民
典型值
100
3.2
5
180
40
最大
400
5
5.5
200
单位
μA
mA
V
°C
°C
接下页。
No.A1975-2/17
LV8772
从接下页。
参数
斩波振荡电路
阈值电压
VREF引脚输入电流
MONI引脚饱和电压
电荷泵
VG的输出电压
上升时间
振荡器频率
输出短路保护
EMO引脚饱和电压
VsatEMO
IEMO = 1毫安
400
mV
VG
童
FOSC
VG = 0.1μF ， CP1 ， CP2 = 0.1μF ，
ST = “H”的
ΔVG
= VM + 4V
90
125
150
千赫
28
28.7
200
29.8
500
V
μS
符号
Vtup
Vtdown
IREF
Vsatmon
VREF = 1.5V
Imoni = 1毫安
条件
评级
民
0.8
0.4
-0.5
400
典型值
1
0.5
最大
1.2
0.6
单位
V
V
μA
mV
包装尺寸
单位：mm （典型值）
3147C
28
15
R1.7
12.7
11.2
8.4
1
20.0
26.75
14
(1.81)
1.78
0.6
1.0
三洋： DIP28H （ 500mil ）
7.0
钯最大
-
Ta
允许功耗，钯最大
- W
6.0
5.4
5.0
随着基板
2.20
3.0
1个单位
2.8
2.0
1.5
1.0
0
—
20
0
20
40
60
4.0
4.0
80
100
环境温度，钽
- C
0.4
No.A1975-3/17
QQ：2881677436 复制
