订购数量： ENA1702C
LV8729V
概观
BI -CMOS LSI
PWM恒流控制
步进电机驱动器
该LV8729V是一个PWM电流控制微双极步进电机驱动器。
此驱动程序可以执行第二阶段的激励的八倍到32W1 -第二阶段，并且可以由驱动器简单地
CLK输入。
特点
单路PWM电流控制步进电机驱动器。
BiCDMOS过程IC 。
输出导通电阻（上侧： 0.35Ω ;下侧： 0.3Ω ;共有上下： 0.65Ω ; TA = 25 ° C， IO = 1.8A ）
2相， 1-2相， W1-2相， 2W1-2相， 4W1-2相， 8W1-2相， 16W1-2相， 32W1-2相激励是
可选。
推进激励步骤，唯一的步骤信号输入。
可正反转控制。
过电流保护电路。
热关断电路。
输入上拉下拉电阻
带复位引脚和使能引脚。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在Ta = 25℃
参数
最大电源电压
最大输出峰值电流
最大逻辑输入电压
VREF的最大输入电压
MO最大输入电压
符号
VM最大
IO最大
最大输入电压
VREF最大
VMO最大
条件
评级
36
1.8
6
6
6
单位
V
A
V
V
V
接下页。
任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有，关于产品
"standard application" ，意为用作一般电子设备（家电，影音设备，
通信设备，办公自动化设备，工业设备等）。本文提到的产品不得
意欲用于任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，航天
仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号控制系统，安全
设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁到人的生命的情况下，
故障或产品或故障可能导致危害人体组织中，也不得给予任何保证
物。如果您打算使用我们的产品的标准应用之外的应用我们
客户谁是考虑到这样的使用和/或外面的我们的预期标准的应用程序的范围，请
与我们之前的预期用途进行磋商。如果在预定使用之前没有咨询或查询，我们
客户应自行负责使用。
产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定
的性能，特点，以及在独立的状态下所描述的产品的功能，并且不
的性能，特点，以及所述产品的功能，作为安装在保证
客户
'
产品或设备。要验证的症状，并且不能在一个独立的评估状态
设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户
'
生产的产品或
设备。
20211 SY / 90110 SY / 81110 SY / 42110 SY 20100331 - S00001 No.A1702-1 / 26
LV8729V
从接下页。
参数
下最大输入电压
允许功耗
工作温度
储存温度
符号
最大VDOWN
钯最大
TOPR
TSTG
*
条件
评级
6
3.85
-30至+85
-55到+150
单位
V
W
°C
°C
*指定的电路板： 90.0毫米× 90.0毫米× 1.6毫米，环氧玻璃2层电路板，与背面安装。
允许工作额定值
在Ta = 25℃
参数
电源电压范围
逻辑输入电压
VREF输入电压范围
符号
VM
VIN
VREF
条件
评级
9 32个
0-5
0至3
单位
V
V
V
电气特性
在Ta = 25 ℃， VM = 24V ， VREF = 1.5V
参数
待机模式下的电流消耗
漏电流
热关断温度
热滞宽度
逻辑引脚输入电流
符号
IMST
IM
TSD
Tsd
IINL
IINH
逻辑高电平输入电压
逻辑低电平输入电压
斩波频率
OSC1引脚充电/放电电流
斩波振荡电路
阈值电压
VREF引脚的输入电压
DOWN输出残voltagr
MO脚残压
保持电流开关频率
保持电流开关频率
阈值电压
VREG1输出电压
VREG2输出电压
输出导通电阻
VINH
VINL
FCH
Iosc1
Vtup1
Vtdown1
IREF
VO1DOWN
VO1MO
FDOWN
Vtup2
Vtdown2
Vreg1
Vreg2
Ronu
ROND
输出漏电流
二极管的正向电压
当前设置的参考电压
IOLEAK
VD
VRF
VM
IO = 1.8A ，高边导通电阻
IO = 1.8A ，低边导通电阻
VM = 36V
ID = -1.8A
VREF = 1.5V ，流动比率100 ％
0.285
1
0.3
VREF = 1.5V
Idown = 1毫安
伊莫= 1毫安
COSC2 = 1500pF
1.12
0.8
0.3
4.7
18
Cosc1 = 100pF的
70
7
0.8
0.3
-0.5
40
40
1.6
1
0.5
5
19
0.35
0.3
100
100
2.08
1.2
0.7
5.3
20
0.455
0.39
50
1.4
0.315
100
10
1
0.5
ST = “L”的
ST = “H”时，OE =“ H”时，无负载
设计保证
设计保证
VIN = 0.8V
VIN = 5V
3
30
2.0
0.8
130
13
1.2
0.7
150
条件
评级
民
典型值
70
3.3
180
40
8
50
15
70
最大
100
4.6
200
单位
μA
mA
°C
°C
μA
μA
V
V
千赫
μA
V
V
μA
mV
mV
Hz
V
V
V
V
μA
V
V
No.A1702-2/26
LV8729V
5.0
钯最大
-
Ta
（ 1 ） ：裸露的芯片， Padsubstrate
（ 2 ） ：无裸露的芯片焊盘
(1)
允许功耗，钯最大 - 含
4.0
3.85
3.0
2.70
(2)
2.0
2.00
1.40
1.0
0
—
30
0
30
60
90
120
环境温度TA - C
基板规格
（基板推荐LV8729V的操作）
SIZE
为90mm × 90毫米× 1.6毫米（两层基材[ 2S0P ] ）
材料
：环氧玻璃
铜布线密度： L 1 = 85 ％/ L 2 = 90％
L1 ：铜配线图案图
L 2 ：铜布线图案图
注意事项
1）用于与安装在所述裸管芯焊盘基材的情况下的数据表明的值时， 90％或更多的
裸露的芯片- Pad是湿的。
2）为集设计，采用降额设计有足够的裕量。
应力会减小包括电压，电流，结温的功率损耗，以及机械应力，如
振动，冲击和紧张。
因此，该设计必须确保这些应力是由于低或尽可能小。
该准则对于普通的降额如下所示：
（1 ）最大值的80％或更低的电压等级
（ 2）最大值的80％或更小的额定电流
（3）最大值的80％或更低的温度等级
3）在集设计，一定要验证设计的实际产品。
确认焊点状态，也验证焊点的可靠性为裸露模切垫等。
任何空隙或恶化，若在这些部件的焊接点观察到的，导致劣化的热传导
可能导致IC的热破坏。
No.A1702-4/26
框图
VREG2
RF1
OUT1A
OUT2B
OUT1B VM1
VM2 OUT2A
VM
+
-
稳压器2
RF2
PGND1
PGND2
输出前阶段
输出前阶段
输出前阶段
输出前阶段
MO
LV8729V
VREG1
稳压器1
-
+
VREF
+
-
Oscllator
TSD
ISD
ST
OSC2
当前
SELECT
电路
下
输出控制逻辑
-
+
当前
SELECT
电路
衰减模式
设置电路
EMO
SGND
MD1 MD2 MD3 FR STP RST OE
OSC1
No.A1702-5/26
QQ：2881677436 复制
