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订购数量: ENA1641
CMOS IC
LV51142T
概观
1节锂离子电池
保护IC
该LV51142T是保护IC可充电锂离子电池用高耐压CMOS工艺。
该LV51142T保护单节锂离子电池过充电,过放电,过充电电流和放电
过电流。
特点
高精度检测电压
过充电检测
过充电滞后
过放电检测
充电过电流检测
放电过电流检测
手术
过放电状态
±25mV
±25mV
±2.5%
±30mV
±20mV
TYP 。 3.0μA
马克斯。 0.1μA
延迟时间(内部调整)
低电流消耗
0V电池充电功能
所述过放电检测被释放,只有当充电器连接。
特定网络阳离子
绝对最大额定值/ TA = 25 ℃
参数
电源电压
虚拟机的输入电压
CO的输出电压
DO输出电压
允许功耗
工作温度
储存温度
符号
VDD
VM
VCO
VDO
PD
TOPR
TSTG
条件
评级
VSS - 0.3 VSS + 7
VDD - 28 VDD + 0.3
VM- 0.3 VDD + 0.3
VSS - 0.3 VDD + 0.3
350
-40至+85
-55到+125
单位
V
V
V
V
mW
°C
°C
任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有,关于产品
"standard application" ,意为用作一般电子设备(家电,影音设备,
通信设备,办公自动化设备,工业设备等)。本文提到的产品不得
意欲用于任何"special application" (医疗设备,其目的是维持生命,航天
仪器,核控制设备,燃烧设备,交通运输设备,交通信号控制系统,安全
设备等)应要求可靠性非常高的水平,可以直接威胁到人的生命的情况下,
故障或产品或故障可能导致危害人体组织中,也不得给予任何保证
物。如果您打算使用我们的产品的标准应用之外的应用我们
客户谁是考虑到这样的使用和/或外面的我们的预期标准的应用程序的范围,请
与我们之前的预期用途进行磋商。如果在预定使用之前没有咨询或查询,我们
客户应自行负责使用。
产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定
的性能,特点,以及在独立的状态下所描述的产品的功能,并且不
的性能,特点,以及所述产品的功能,作为安装在保证
客户
'
产品或设备。要验证的症状,并且不能在一个独立的评估状态
设备,客户必须不断的评估和测试设备安装在客户
'
生产的产品或
设备。
D2409 SY 20091221 - S00001 No.A1641-1 / 13
LV51142T
电气特性
在范围Topr = 25℃ ,除非另有说明
参数
检测电压
过充电检测电压
过充电滞后电压
过放电检测电压( * 2 )
充电过电流检测电压
放电过电流检测电压
负载短路检测电压
输入电压
VDD和VSS之间的输入电压
0V电池充电开始充电器电压
消耗电流
消耗电流上运行
消耗电流在停机
输出电阻
CO : P沟道导通电阻
CO : N沟道导通电阻
DO : P沟道导通电阻
DO : N沟道导通电阻
放电过电流脱扣器的电阻
检测延迟时间
过充电检测延迟时间
tc
VDD = VC- 0.2V → VC + 0.2V ,
VM = 0V
VDD =伏直流+ 0.2V → VDC- 0.2V ,
VM = 0V
充电过电流检测延迟时间
放电过电流检测延迟时间
负载短路检测延迟时间
解除延迟时间
解除延迟时间1
过放电释放
充电过电流脱扣器( * 1 )
放电过电流脱扣器
负载短路释放
解除延迟时间2
过充电释放
trel2
VDD = VC + 0.2V → VC- 0.2V ,
VM = 1.0V
6
8.0
16.0
24.0
ms
trel1
6
1.0
2.0
3.0
ms
TIC
TIDC
tshort
VDD = 3.0V , VM = 0V → -1.0V
VDD = 3.0V , VM = 0V → 1.0V
VDD = 3.0V , VM = 0V → 3.0V
6
6
6
5.6
5.6
190
8.0
8.0
370
10.4
10.4
550
ms
ms
μs
6
0.70
1.0
1.30
s
RCOP
CO = 3.0V , VDD = 3.5V ,
VM = 0V
CO = 0.5V , VDD = 4.6V ,
VM = 0V
DO = 3.0V , VDD = 3.5V ,
VM = 0V
DO = 0.5V , VDD = VM = 1.8V
VDD = 3.5V , VM = 1.0V
5
1.5
3.0
4.5
IOPR
ISDN
VDD = 3.5V , VM = 0V
VDD = VM = 1.8V
4
4
3.0
6.0
0.1
μA
μA
VDD
VCHA
内部电路工作电压
接受
-
3
1.8
0.9
7.0
1.4
V
V
VC
VHC
VDC
维克
VIDC
VSHORT
基于VDD , VDD = 3.5V
1
1
1
2
2
2
4.175
0.175
2.730
-0.150
0.100
-1.7
4.200
0.2
2.800
-0.120
0.120
-1.3
4.225
0.225
2.870
-0.090
0.140
-1.0
V
V
V
V
V
V
符号
条件
TEST
电路
评级
典型值
最大
单位
RCON
5
0.5
1.0
1.5
RDOP
5
1.7
3.5
5.0
Rdon
Rdwn
5
5
1.7
15.0
3.5
30.0
5.0
60.0
过放电检测延迟时间
香港贸易发展局
6
21.7
31.0
40.3
ms
注:* 1当充电器下过放电连接,这意味着该时间被释放的过放电检测之后。
* 2的过放电检测被释放在该电压仅当充电器连接。
没有发布过放电检测,如果充电器没有连接。
No.A1641-2/13
LV51142T
包装尺寸
单位:mm (典型值)
3356
0.4
钯最大 - TA
指定板: 33 × 5 × 1.0毫米
3
环氧玻璃
0.35
(双方衬底)
2.9
6
允许功耗,钯最大 - 含
0.3
1.6
2.8
0.2
0.4
0.14
0.1
1
(0.5)
2
0.95
0.4
0.15
1.3最大
(1.2)
0
40
0
40
80
120
0.8
环境温度TA - C
0.05
三洋: SOT- 23-6
引脚分配
VSS
6
VDD
5
NC
4
顶视图
1
DO
2
VM
3
CO
引脚功能
PIN号
1
2
3
4
5
6
引脚名称
DO
VM
CO
NC
VDD
VSS
描述
放电控制用FET门极连接端子(CMOS输出)
电压监测充电器负
充电控制用FET门极连接端子(CMOS输出)
N / C
正电源输入
负电源输入
No.A1641-3/13
LV51142T
框图
振荡器
计数器
VDD
控制电路
总之探测器
+
-
VM
水平
CO
-
+
过充电
探测器
收费
过电流
探测器
+
-
过放电
探测器
VSS
放电
过电流
探测器
+
-
DO
测量条件
过充电检测电压,过充电滞后电压--- [线路1 ]
在V1 = 3.0V和V2 = 0V 。过充电检测电压VC V1在该VCO去"Low"从"High"时V1
从3.0V逐渐增加。然后集成电路从过充电状态解除器和VCO的推移"High"从"Low"在
电压"Measured VC- VHc"在V1逐渐减小。
如果V2被设定为比放电过电流检测电压VIDC在过充电状态下的更大的值, VHC是
取消,则集成电路从过充电状态,在VC释放。
过放电检测电压--- [线路1 ]
在V1 = 3.0V和V2 = 0V 。过放电检测电压Vdc为V1在这VDO成为"Low"从"High"时
V1逐渐从3.0V下降。接下来,设置V2下的过电流检测电压VIC充电。然后是IC
从过放电状态,在释放VDC和VDO成为"High"从"Low" 。
充电过电流检测电压--- [线路2 ]
在V1 = 3.0V和V2 = 0V 。充电过电流检测电压VIC是V2在该VCO去"Low"从"High"
当V2被从0V逐渐减小。
放电过电流检测电压--- [电路2]
在V1 = 3.0V和V2 = 0V 。放电过电流检测电压VIDC为V2在该VDO成为"Low"从
"High"当V2被从0V逐渐增加。
负载短路检测电压--- [线路2 ]
在V1 = 3.0V和V2 = 0V 。负载短路检测电压VSHORT V2是在其VDO成为"Low"从
"High"的最小和负载短路检测延迟时间tSHORT的最大值之间的时间内,
当V2被10μs的范围内迅速升高。
0V电池充电开始充电器电压--- [电路3 ]
在V1 = V2 = 0V ,降低V2逐渐显现。 0V电池充电开始充电器电压VCHA是V2时, VCO变
"High" ( V1-0.1V或更高)。
接下页。
No.A1641-4/13
LV51142T
从接下页。
消耗电流在运行和停机--- [电路4 ]
在V1 = 3.5V和V2 = 0V正常状态。 IDD显示电流消耗在操作IOPR 。
在V1 = V2 = 1.8V的过放电状态。 IDD显示的电流消耗在关机ISDN 。
合作: P沟道导通电阻,联合:N沟道导通电阻--- [电路5 ]
在V1 = 3.5V ,V2 = 0V和V3 = 3.0V 。 ( V1 - V3 ) / |丘|是P沟道导通电阻Rcop 。
在V1 = 4.6 V ,V2 = 0V和V3 = 0.5V 。 V3 / |丘|是N沟道导通电阻RCON 。
这样做: P沟道导通电阻,如下: N沟道导通电阻--- [电路5 ]
在V1 = 3.5V ,V2 = 0V和V4 = 3.0V 。 ( V1 - V4 ) / | IDO |是P沟道导通电阻RDOP 。
在V1 = V2 = 1.8V和V4 = 0.5V 。 V4 / | IDO |是N沟道导通电阻Rdon 。
放电过电流脱扣器的电阻--- [电路5 ]
在V1 = 3.5V , V2 = 0V在第一。然后,设置V2 = 1.0V 。 V2 / | IVM
|
是放电过电流脱扣器的电阻Rdwn 。
过充电检测延迟时间,解除延迟时间2 --- [电路6 ]
设定V2 = 0V 。加大从电压VC- 0.2V至VC + 0.2V范围内迅速V1为10μs 。过充电检测延迟时间
tc为刚V1的变化后去"Low"所需的VCO的时间。
接下来,将V2 = 1V和VC + 0.2V快速10μs的范围内降低V1到VC- 0.2V 。过充电解除延迟时间TREL
图2是刚刚V1的变化后去"High"所需的VCO的时间。
过放电检测延迟时间,解除延迟时间1 --- [电路6 ]
设定V2 = 0V 。从电压Vdc + 0.2V至10微秒内VDC- 0.2V迅速降低V1 。过放电检测
延迟时间的tdc仅仅是V1的变化后去"Low"所需的VDO的时间。
接下来,将V2 = -1V和10微秒内增加从VDC- 0.2V V1到伏+ 0.2V迅速。释放延迟时间1 trel1的情况下
的过放电仅仅是V1的变化后去"High"所需的VDO的时间。
充电过电流检测延迟时间,解除延迟时间1 --- [电路6 ]
在V1 = 3.0V和V2 = 0V 。降低V2从0V至10微秒内迅速-1V 。充电过流延迟时间抽动症是
需要VCO只是时间V2的变化之后去"Low" 。
接下来,加大V2从-1V到10微秒内迅速0V。释放延迟时间1 trel1的情况下充电过电流是
需要VCO只是时间V2的变化之后去"High" 。
放电过电流检测延迟时间,释放延迟时间1 --- [电路6]
在V1 = 3.0V和V2 = 0V 。 V2从0V至10微秒内迅速1V。放电过流延迟时间是TIDC
需要VDO的只是时间V2的变化之后去"Low" 。
其次,降低V2从1V到10微秒内迅速0V。释放延迟时间1 trel1的情况下排出的过电流是
需要VDO只是时间V2的变化之后去"High" 。
负载短路检测延迟时间,解除延迟时间1 --- [电路6 ]
在V1 = 3.0V和V2 = 0V 。 V2从0V到3.0V范围内迅速为10μs 。负载短路检测延迟
时间tSHORT只是V2的变化后去"Low"所需的VDO的时间。
其次,降低V2从3.0V到10微秒内迅速0V。释放延迟时间1 trel1万一负载短路的是
需要VDO只是时间V2的变化之后去"High" 。
No.A1641-5/13
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    -
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