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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符L型号页 > 首字符L的型号第797页 > LV51134T
订购数量： ENA0716A
CMOS IC
LV51134T
概观
2芯锂离子二次电池
保护IC
该LV51134T是保护IC的2芯锂离子二次电池。
特点
监控功能对每个单元格：
高电压检测精度：
迟滞取消功能：
放电电流监控功能：
低电流消耗：
0V电池充电功能：
检测过充电和过放电的条件下，控制
充电和放电的每个电池的操作。
过充电检测精度
±25mV
过放电检测精度为± 100mV的
过放电检测电压的滞后是通过检测取消
已经检测到的负载的过充电后的连接。
检测到过电流，负载的短路，以及一个过高的电压
充电器以及调节充电和放电操作。
正常工作模式（典型值） 。 6.0μA
待机模式
最大。 0.2μA
充电使能，即使当电池电压为0V ，给一个
VDD引脚和V-端子间的电位差。
任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有，关于产品
"standard application" ，意为用作一般电子设备（家电，影音设备，
通信设备，办公自动化设备，工业设备等）。本文提到的产品不得
意欲用于任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，航天
仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号控制系统，安全
设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁到人的生命的情况下，
故障或产品或故障可能导致危害人体组织中，也不得给予任何保证
物。如果您打算使用我们的产品的标准应用之外的应用我们
客户谁是考虑到这样的使用和/或外面的我们的预期标准的应用程序的范围，请
与我们之前的预期用途进行磋商。如果在预定使用之前没有咨询或查询，我们
客户应自行负责使用。
产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定
的性能，特点，以及在独立的状态下所描述的产品的功能，并且不
的性能，特点，以及所述产品的功能，作为安装在保证
客户
'
产品或设备。要验证的症状，并且不能在一个独立的评估状态
设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户
'
生产的产品或
设备。
52307 MS IM / 32207 MS IM 20070208 - S00009 No.A0716-1 / 8
LV51134T
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在Ta = 25℃
参数
电源电压
输入电压
充电器负电压
输出电压
COUT引脚电压
DOUT引脚电压
允许功耗
工作环境温度
储存温度
VCOUT
VDOUT
钯最大
TOPR
TSTG
独立IC
VDD - 28 VDD + 0.3
VSS - 0.3 VDD + 0.3
170
-30至+80
-40到+125
V
V
mW
°C
°C
符号
VDD
V-
条件
评级
-0.3至+12
VDD - 28 VDD + 0.3
单位
V
V
电气特性
在Ta = 25 ℃，除非特别指明。
参数
工作输入电压
0V电池充电的最低操作
电压
过充电检测电压
过充电复位电压
过充电检测延迟时间
过充复位延迟时间
过放电检测电压
过放电复位电压滞后
过放电检测延迟时间
过放电复位延迟时间
过电流检测电压
过流复位滞后电压
过电流检测延迟时间
过电流复位延迟时间
短路检测
短路检测延迟时间
过充电检测电压
复位过充电滞后电压
待机复位电压
过高的电压充电器
检测延迟时间
过高的电压的充电器复位
延迟时间
复位电阻（连接到VDD ）
复位电阻（连接到VSS ）
COUT N沟道导通电压
COUT P沟道导通电压
DOUT N沟道导通电压
DOUT P沟道导通电压
VC输入电流
漏电流
待机电流
RDD
RSS
VOL1
VOH1
VOL2
VOH2
IVC
国际直拨电话
Istb
IOL = 50μA ， VDD -VC = 4.4V ， VC- VSS = 4.4V
IOL = 50μA ， VDD -VC = 3.9V ， VC- VSS = 3.9V
IOL = 50μA ， VDD -VC = 2.2V ， VC- VSS = 2.2V
IOL = 50μA ， VDD -VC = 3.9V ， VC- VSS = 3.9V
VDD -VC = 3.5V ， VC- VSS = 3.5V
VDD -VC = 3.5V ， VC- VSS = 3.5V
VDD -VC = 2.2V ， VC- VSS = 3.5V
VDD-0.5
0.0
6.0
1.0
13.0
0.2
VDD-0.5
0.5
tr5
VDD -VC = 3.5V ， VC- VSS = 3.5V
*
100
15
200
30
400
60
0.5
k
k
V
V
V
V
A
A
A
0.5
1.5
3.0
ms
Vd1
Vh1
td1
tr1
Vd2
Vh2
td2
tr2
Vd3
Vh3
td3
tr3
Vd4
td4
Vd5
Vh5
VSTB
td5
VDD -VC = 3.5V → 2.2V ， VC- VSS = 3.5V
VDD -VC = 2.2V → 3.5V ， VC- VSS = 3.5V
VDD -VC = 3.5V ， VC- VSS = 3.5V
VDD -VC = 3.5V ， VC- VSS = 3.5V
VDD -VC = 3.5V ， VC- VSS = 3.5V
VDD -VC = 3.5V ， VC- VSS = 3.5V
VDD -VC = 3.5V ， VC- VSS = 3.5V
VDD -VC = 3.5V ， VC- VSS = 3.5V
与VDD -VC = 3.5V ， VC- VSS = 3.5V
（V - ） - VSS
VDD -VC = 3.5V ， VC- VSS = 3.5V
与VDD -VC = 2.0V ， VC- VSS = 2.0V
（V - ） - VSS
VDD -VC = 3.5V ， VC- VSS = 3.5V
VDD -VC = 3.5V → 4.5V ， VC- VSS = 3.5V
VDD -VC = 4.5V → 3.5V ， VC- VSS = 3.5V
4.225
4.000
0.5
20.0
2.40
10.0
50
0.5
0.170
5.0
10.0
0.5
1.0
0.4
-0.60
25.0
VDD
×0.4
0.5
4.250
4.050
1.0
40.0
2.50
20.0
100
1.0
0.200
10.0
20.0
1.0
1.3
1.0
-0.45
50.0
VDD
×0.5
1.5
4.275
4.100
1.5
60.0
2.60
44.0
150
1.5
0.230
20.0
30.0
1.5
1.6
1.6
-0.30
100.0
VDD
×0.6
3.0
V
V
s
ms
V
mV
ms
ms
V
mV
ms
ms
V
ms
V
mV
V
ms
符号
VCELL
VMIN
条件
Vdd和Vss之间
与VDD ， VSS = 0和VDD - V-
评级
民
1.5
典型值
最大
10
1.5
单位
V
V
*
时后，过放电，延迟时间连接到充电器的恢复后，从过放电。
No.A0716-2/8
LV51134T
包装尺寸
单位：mm （典型值）
3245B
200
钯最大 - TA
独立IC
3.0
8
允许功耗，钯最大 - 毫瓦
170
150
3.0
4.9
100
0.5
1
(0.53)
2
0.65
0.25
0.125
68
50
(0.85)
1.1MAX
0
-30 -20
0
20
40
60
80
100
环境温度，钽 -
°C
0.08
三洋： MSOP8 （ 150mil ）
引脚分配
DOUT
8
T
7
VC感
6
5
2
VDD Cout的
1
3
V-
4
VSS
顶视图
引脚功能
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
VDD
COUT
V-
VSS
SENSE
Vc
T
DOUT
符号
VDD引脚
过充电检测输出引脚
充电器负电压输入引脚
VSS引脚
SENSE引脚
中间电压输入引脚
脚缩短检测时间（正常情况下打开）
过放电检测输出引脚
描述
No.A0716-3/8
LV51134T
框图
SENCE
5
VDD
1
电平转换
+
-
+
-
+
-
td5,tr5
td1,tr1
延迟
控制
逻辑
td2,tr2
2 COUT
VC 6
+
-
+
-
+
-
8 Dout的
td3,tr3
+
-
td4
4
VSS
3
V-
7
T
No.A0716-4/8
LV51134T
功能说明
过充电检测
如果任一个单元的电压等于或大于过充电检测电压，还停止通过充电
转向“L”的COUT引脚和过充电检测延迟时间后关闭外部N沟道MOS FET 。这
延迟时间是由内部计数器设定。
过充电检测比较器具有滞后功能。请注意，此滞后可被取消
连接检测过充电检测后的负载。
一旦由过充电检测，过电流不进行检测，以防止误动作。需要注意的是短期
可以被检测电路。
过充电回报
如果充电器连接并且两个单元电压变得等于或低于过充电恢复电压或
过充电时，负载连接的检测电压时， Cout的销返回到“H”时的过充电恢复后
延迟时间由内部计数器设定。
当连接负载时，要么细胞或两者电池电压等于或高于过充电检测
电压时， Cout的针不会返回到“H”。当负载电流通过外部Cout的引脚寄生物传递
N沟道MOS场效应管的过充电恢复延迟时间后二极管和每个电池的电压变得等于或低于
过充电检测电压时， Cout的返回到“H”。
然而，如下面提及的高电压充电器连接， Cout的针不会返回到“H”的，因为过
之后，过充恢复充电器检测序列开始。
过放电检测
当任一单电池电压等于或低于过放电电压时，通过打开的“L”的Dout的停止进一步放电
销和所述过充电检测延迟时间后关闭外部N沟道MOS场效应管。
上述IC变为待机状态检测到过放电后其消耗电流保持在约0A 。后
检测时， V-引脚将通过200kΩ的连接到VDD引脚。
过放电回报
返回从过放电是通过连接充电器进行。如果V-端子的电压变得等于或小于下
通过检测到过放电后连接充电器备用返回电压时，从待机状态返回到开始
电池电压监测。如果两个电压变得等于或大于过放电检测电压由
充电时， Dout的销返回到“H”时，由内部计数器设定的过放电的返回延迟时间之后。
过电流检测
当大电流通过电池传递的V电位上升通过外部MOS场效应管和导通电阻
变得等于或大于过电流检测电压，这将被视为过电流状态。打开“ L”
过电流检测延迟时间后， DOUT引脚和关闭外部N沟道MOS FET ，以防止高
电路中的电流。延迟时间是由内部计数器设定。检测后，将V-引脚都将被连接到
通过VSS为30kΩ 。检测到过电流后，它不会进入待机状态。
短路检测
如果较大的放电电流通过和V-端子的电压变为等于或大于所述短路检测
电压时，它会在短路的延迟时间比过电流短后进入短路检测状态
检测延迟时间。当检测到短路，就像过电流检测时，转动Dout的端子“ L”的
和关闭外部N沟道MOS场效应管，以防止大电流的电路。之后， V-引脚连接到VSS
经检测为30kΩ 。检测短路之后它不会进入待机状态。
过流/短路侦测回报
在检测到过电流或短路时，恢复电阻（ typ.30kΩ ） V-端子和VSS之间的引脚成为
有效，如果电阻被打开V-引脚的电压将通过VSS引脚电压拉。此后， IC将
从过电流/短路检测状态返回时， V-端子的电压变为等于或低于该过
之后，由内部设置的过电流的返回延迟时间的电流检测电压与Dout的销返回到“H”的
计数器。
No.A0716-5/8
订购数量： ENA0716C
CMOS IC
LV51134T
概观
2芯锂离子二次电池
保护IC
该LV51134T是保护IC的2芯锂离子二次电池。
特点
监控功能对每个单元格：
高电压检测精度：
迟滞取消功能：
放电电流监控功能：
低电流消耗：
0V电池充电功能：
检测过充电和过放电的条件下，控制
充电和放电的每个电池的操作。
过充电检测精度
±25mV
过放电检测精度为± 100mV的
过放电检测电压的滞后被取消
已经检测到的负载的过充电后连接。
检测到过电流，负载的短路，以及一个过高的电压
充电器。
正常工作模式（典型值） 。 6.0μA
待机模式
最大。 0.2μA
充电使能，即使当电池电压为0V ，给一个
VDD引脚和V-引脚之间的电压。
任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有，关于产品
"standard application" ，意为用作一般电子设备（家电，影音设备，
通信设备，办公自动化设备，工业设备等）。本文提到的产品不得
意欲用于任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，航天
仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号控制系统，安全
设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁到人的生命的情况下，
故障或产品或故障可能导致危害人体组织中，也不得给予任何保证
物。如果您打算使用我们的产品的标准应用之外的应用我们
客户谁是考虑到这样的使用和/或外面的我们的预期标准的应用程序的范围，请
与我们之前的预期用途进行磋商。如果在预定使用之前没有咨询或查询，我们
客户应自行负责使用。
产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定
的性能，特点，以及在独立的状态下所描述的产品的功能，并且不
的性能，特点，以及所述产品的功能，作为安装在保证
客户
'
产品或设备。要验证的症状，并且不能在一个独立的评估状态
设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户
'
生产的产品或
设备。
81011HKPC / N2107MS 20071031 - S00002 / 52307MSIM / 32207MSIM 20070208 - S00009 No.A0716-1 / 8
LV51134T
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在Ta = 25℃
参数
电源电压
输入电压
充电器负电压
输出电压
COUT引脚电压
DOUT引脚电压
允许功耗
工作环境温度
储存温度
VCOUT
VDOUT
钯最大
TOPR
TSTG
独立IC
VDD - 28 VDD + 0.3
VSS - 0.3 VDD + 0.3
170
-30至+80
-40到+125
V
V
mW
°C
°C
符号
VDD
V-
条件
评级
-0.3至+12
VDD - 28 VDD + 0.3
单位
V
V
电气特性
在Ta = 25 ℃，除非特别指明。
参数
工作输入电压
0V电池充电的最低操作
电压
过充电检测电压
Vd1
TA = 0 45 °C * 1
过充电解除电压
Vr1
V-
≤
Vd3
V- > Vd3的
过充电检测延迟时间
过充电解除延迟时间
过放电检测电压
过放电解除滞后
电压
过放电检测延迟时间
过放电解除延迟时间
过电流检测电压
过电流脱扣器的滞后电压
过电流检测延迟时间
过电流脱扣器的延迟时间
短路检测
短路检测延迟时间
过度充电检测电压
过充电检测发布
滞后电压
待机释放电压
过度充电检测延迟时间
过度充电解除延迟时间
内阻（ VM- VDD）的
内阻（ VM- VSS ）
COUT N沟道导通电压
COUT P沟道导通电压
DOUT N沟道导通电压
DOUT P沟道导通电压
VC输入电流
消耗电流
待机电流
接通电压T-端子输入
VSTB
td5
tr5
RDD
RSS
VOL1
VOH1
VOL2
VOH2
IVC
国际直拨电话
Istb
VTEST
与VDD -VC = 2.0V ， VC- VSS = 2.0V
V-和VSS之间的电压
VDD -VC = 3.5V ， VC- VSS = 3.5V * 2
VDD -VC = 3.5V ， VC- VSS = 3.5V
后过放电检测。
后的过电流或短路进行检测。
IOL = 50μA ， VDD -VC = 4.4V ， VC- VSS = 4.4V
IOL = 50μA ， VDD -VC = 3.9V ， VC- VSS = 3.9V
IOL = 50μA ， VDD -VC = 2.2V ， VC- VSS = 2.2V
IOL = 50μA ， VDD -VC = 3.9V ， VC- VSS = 3.9V
VDD -VC = 3.5V ， VC- VSS = 3.5V
VDD -VC = 3.5V ， VC- VSS = 3.5V
VDD -VC = 2.2V ， VC- VSS = 3.5V
VDD -VC = 3.5V ， VC- VSS = 3.5V
VDD
×0.4
VDD
×0.5
VDD-0.5
0.0
6.0
1.0
13.0
0.2
VDD
×0.6
VDD-0.5
0.5
VDD
×0.4
0.5
0.5
100
15
VDD
×0.5
1.5
1.5
200
30
VDD
×0.6
3.0
3.0
400
60
0.5
V
ms
ms
kΩ
kΩ
V
V
V
V
μA
μA
μA
V
td2
tr2
Vd3
Vh3
td3
tr3
Vd4
td4
Vd5
Vh5
VDD -VC = 3.5V → 2.2V ， VC- VSS = 3.5V
VDD -VC = 2.2V → 3.5V ， VC- VSS = 3.5V
VDD -VC = 3.5V ， VC- VSS = 3.5V
VDD -VC = 3.5V ， VC- VSS = 3.5V
VDD -VC = 3.5V ， VC- VSS = 3.5V
VDD -VC = 3.5V ， VC- VSS = 3.5V
VDD -VC = 3.5V ， VC- VSS = 3.5V
VDD -VC = 3.5V ， VC- VSS = 3.5V
与VDD -VC = 3.5V ， VC- VSS = 3.5V
V-和VSS之间的电压
VDD -VC = 3.5V ， VC- VSS = 3.5V
50
0.5
0.28
5.0
10.0
0.5
1.0
0.125
-0.60
25.0
100
1.0
0.30
10.0
20.0
1.0
1.3
0.250
-0.45
50.0
150
1.5
0.32
20.0
30.0
1.5
1.6
0.500
-0.30
100.0
ms
ms
V
mV
ms
ms
V
ms
V
mV
td1
tr1
Vd2
Vh2
VDD -VC = 3.5V → 4.5V ， VC- VSS = 3.5V
VDD -VC = 4.5V → 3.5V ， VC- VSS = 3.5V
4.225
4.215
4.000
4.150
0.5
20.0
2.40
10.0
1.0
40.0
2.50
20.0
4.250
4.250
4.050
4.275
4.285
4.100
4.260
1.5
60.0
2.60
44.0
V
V
V
V
s
ms
V
mV
符号
VCELL
VMIN
条件
VDD和VSS之间的电压
在VDD - V-之间的电压VDD ， VSS = 0
评级
民
1.5
典型值
最大
10
1.5
单位
V
V
* 1上表中的评级是一家集设计目标，并没有测量。
* 2在过放电状态时，延迟操作过放电的释放之后启动。
No.A0716-2/8
LV51134T
包装尺寸
单位：mm （典型值）
3245B
200
钯最大 - TA
独立IC
3.0
8
允许功耗，钯最大 - 毫瓦
170
150
3.0
4.9
100
0.5
1
(0.53)
2
0.65
0.25
(0.85)
1.1MAX
68
50
0.125
0
-30 -20
0
20
40
60
80
100
环境温度，钽 -
°C
0.08
三洋： MSOP8 （ 150mil ）
引脚分配
DOUT
8
T
7
VC感
6
5
2
VDD Cout的
1
3
V-
4
VSS
顶视图
引脚功能
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
VDD
COUT
V-
VSS
SENSE
Vc
T
DOUT
符号
VDD引脚
过充电检测输出引脚
充电器负电压输入引脚
VSS引脚
SENSE引脚
中间两个电池电压输入引脚之间
销，以缩短检测时间（ “H”：缩短模式中， “L”或“打开” ：正常模式）
过放电检测输出引脚
描述
No.A0716-3/8
LV51134T
框图
SENCE
5
VDD
1
电平转换
+
-
+
-
+
-
td5,tr5
td1,tr1
延迟
控制
逻辑
td2,tr2
2 COUT
VC 6
+
-
+
-
+
-
8 Dout的
td3,tr3
+
-
td4
4
VSS
3
V-
7
T
No.A0716-4/8
LV51134T
功能说明
过充电检测
如果任一个单元的电压等于或大于过充电检测电压，还停止通过充电
转向“L”的COUT引脚和过充电检测延迟时间后关闭外部N沟道MOS FET 。
这个延迟时间是由内部计数器设定。
过充电检测比较器具有滞后功能。请注意，此滞后可被取消
连接检测过充电检测后的负载。并且变得小磁滞比较器有它自己的。
一旦由过充电检测，过电流不进行检测，以防止不正确的操作。注意
能够检测短路。
过充电释放
如果两个电池单元的电压变成等于或小于过充电释放电压时的VM电压等于或小于
比VD3，或当VM电压大于Vd3的负载连接时， COUT引脚返回到“ H”之后，过
收费由内部计数器设置释放延迟时间。
当VM电压大于Vd3的与负载连接，并且任一细胞或两个电池电压等于或更多
比过充电释放电压时， Cout的针不会返回到“高” 。但负载电流流过
外部的N沟道MOS场效应管上Cout的寄生二极管，从而每个电池单体电压变得等于或小于
过充电释放电压时， Cout的销返回到“H”的过充电释放延迟时间之后。
然而，如下文中提到过电压充电器连接， Cout的针不会返回到“H”，因为
过充电解除术后过多的充电器检测开始。
过放电检测
当任一单电池电压等于或小于过放电电压时，IC通过转动停止进一步放电
的Dout的端子“ L”和过充电检测延迟时间后关闭外部N沟道MOS场效应管。
在IC检测到过放电和其消耗电流保持在约0A之后进入待机模式。后
过放电检测时， V-引脚都将被连接到通过内部电阻（典型值为200kΩ的） VDD端子。
过放电释放
从过放电释放是通过仅连接充电器进行。如果V-端子的电压变为等于或低于
比待机释放电压，通过检测过放电后连接充电器，该IC被从释放
待机状态启动电池电压监视。虽然这两种电池电压等于或小于过放电
电压，充电将通过外部N沟道FET的DOUT引脚上的寄生二极管进行。如果两个电池电压
变得等于或大于由充电过放电检测电压时， Dout的销返回到“H”之后的
由内部计数器设置过放电解除延迟时间。
过电流检测
当过大的电流流过电池时， V-端子的电压上升时通过外部MOS FET的导通电阻
并变得等于或高于过电流检测电压以上时， Dout的针变为“ L”时，过电流后
检测延迟时间和所述外部的N沟道MOS场效应管被关断，以防止过量电流在电路中。该
检测延迟时间是由内部计数器设定。检测后， V-引脚将通过内部连接到VSS
电阻（典型为30kΩ ） 。检测到过电流后，将不会进入待机模式。
短路检测
如果更大的通过电池放电电流流和V-端子的电压变为等于或大于
短路检测电压，它会短路延迟时间短于后进入短路检测状态
过电流检测的延迟时间。当短路被检测到，就像过电流检测时，该
Dout的针变为“ L”和外部的N沟道MOS场效应管被关断，以防止大电流的电路。该V-引脚会
通过内部电阻（典型值在30kΩ ）检测后连接到VSS 。它不会进入待机模式后检测
短路。
过流/短路检测发布
在检测到过电流或短路，内部电阻（典型为30kΩ ）， V-端子和VSS之间的引脚成为
有效的。如果负载电阻被删除， V-引脚的电压将被拉低到VSS电平。此后，将集成电路
会从过电流/短路检测状态解除时的V-端子的电压变为等于或小于
比过电流检测电压， DOUT引脚返回到“H”后设定过电流脱扣器的延迟时间
内部计数器。
No.A0716-5/8
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