飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN微波功率晶体管
特点
叉指结构提供
高效率的发射器
扩散发射极镇流电阻器
提供出色的电流分配
并承受高VSWR
镀金实现非常
稳定的特性和优异的
一生
多单元的几何形状提供了良好的
耗散功率的平衡，
低热阻。
输入和输出匹配单元
改善了阻抗和
促进宽带的设计
电路。
应用
手册， halfpage
LV2327E40R
快速参考数据
微波性能对于T
例
= 25
°C
在宽带共射
A类电路。
的模式
手术
CW ;线性
扩增fi er
f
（兆赫）
V
CE
(V)
1
I
C
(A)
P
L1
(W)
≥4
G
PO
（ dB）的
≥7
Z
i
()
11 + j3
Z
L
()
7.5
j9
2.3 2.7 16
钉扎 - SOT445B
针
1
2
3
集热器
BASE
发射极连接到佛罗里达州安格
描述
1
共发射极级的线性
宽带功率放大器中
2.3 2.7 GHz频段。
描述
NPN硅平面外延
在微波功率晶体管
SOT445B金属陶瓷法兰
封装，具有发射极连接到
凸缘。
3
2
顶视图
MAM315
c
b
3
e
标识代码：
2327E40R.
Fig.1简化外形和符号。
警告
产品和环境安全 - 有毒物质
本品含有氧化铍。该产品是完全安全的前提是BeO的板坯不被损坏。
所有的人谁处理，使用或处置该产品应该知道它的性质和必要的安全
预防措施。使用后，可根据应用的位置法规处置化学废物或特殊废物
该用户。它绝不能抛出与一般的或生活垃圾。
维护型 - 不建议用于新设计; SEE SC15指数部分
1997年02月18
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN微波功率晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
CER
V
EBO
I
C
P
合计
T
英镑
T
j
T
SLD
记
1. 0.3毫米从壳体。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
总功耗
储存温度
结温
焊接温度
t
≤
10秒;注1
T
mb
≤
75
°C
条件
发射极开路
开基
R
BE
= 47
集电极开路
65
LV2327E40R
分钟。
马克斯。
40
15
20
3
2
18
+200
200
235
单位
V
V
V
V
A
W
°C
°C
°C
维护型 - 不建议用于新设计; SEE SC15指数部分
1997年02月18
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN微波功率晶体管
包装外形
LV2327E40R
手册，全页宽
8.0
0.1
3.4
3.0
3
20.6 MAX
座位
飞机
3.2
2.9
0.4
M
1.8最大
5.3
最大
1
4.0敏
3.2
2.9
5.2
最大
5.35
最大
O 0.3
M
2
4.0敏
7.1
3.2
2.9
14.2
0.4
M
MSA094 - 1
尺寸（mm） 。
扭矩螺母：最大。 0.4牛米。
推荐螺丝： M2.5 。
图2 SOT445B 。
维护型 - 不建议用于新设计; SEE SC15指数部分
1997年02月18
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN微波功率晶体管
释义
数据表状态
客观的特定网络阳离子
初步speci fi cation
产品speci fi cation
极限值
LV2327E40R
此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。
此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。
此数据表包含网络最终产品规范阳离子。
给定的限值按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。强调以上一个或
更多的限制，可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只有经营
该设备在这些或高于任何其他条件本规范的特性部分给出的
是不是暗示。暴露限制值长时间可能会影响器件的可靠性。
应用信息
其中应用信息被给出，它是咨询，并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。
生命支持应用
这些产品并非设计用于生命支持设备，设备或系统中使用，其中这些故障
产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户
在这类应用中使用这样做在自己的风险，并同意完全赔偿飞利浦对此类造成的任何损坏
不当使用或销售。
维护型 - 不建议用于新设计; SEE SC15指数部分
1997年02月18
5
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