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分立半导体
数据表
LV1721E50R
NPN微波功率晶体管
产品speci fi cation
取代1992年6月的数据
1997年2月19日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN微波功率晶体管
特点
叉指结构提供了高效率的发射器
扩散发射极镇流电阻器提供了极好的
电流共享和承受高VSWR
镀金实现非常稳定的特性
和优良的一生
多单元的几何形状给人消散良好的平衡
功率和低热阻
内部输入和输出prematching确保良好的
稳定,并允许宽带的设计更容易
电路。
应用
共发射极的A类放大器在CW条件
在1.7 GHz到军事和专业应用
2.1 GHz频段。
描述
标识代码:
1721E50R
3
2
顶视图
3
手册, halfpage
LV1721E50R
钉扎 - SOT445A
1
2
3
集热器
BASE
发射极连接到佛罗里达州安格
描述
1
c
b
e
MAM251
NPN硅平面外延微波功率晶体管
一个SOT445A金属陶瓷法兰封装发射
连接到所述凸缘。
Fig.1简化外形和符号。
快速参考数据
微波性能达至T
mb
= 25
°C
在共发射极的A类宽带放大器呃。
操作模式
A级( CW )
f
(千兆赫)
1.7至2.1
V
CE
(V)
16
警告
产品和环境安全 - 有毒物质
本品含有氧化铍。该产品是完全安全的前提是BeO的板坯不被损坏。
所有的人谁处理,使用或处置该产品应该知道它的性质和必要的安全
预防措施。使用后,可根据应用的位置法规处置化学废物或特殊废物
该用户。它绝不能抛出与一般的或生活垃圾。
I
C
(A)
1.1
P
L1
(W)
≥5
G
po
( dB)的
≥7
Z
i
; Z
L
()
参见图6
1997年2月19日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN微波功率晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
V
CBO
V
CER
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
英镑
T
j
T
SLD
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
总功耗
储存温度
工作结温
焊接温度
T
mb
75
°C
条件
发射极开路
R
BE
= 47
开基
集电极开路
65
0.1毫米的情况下;吨
10 s
分钟。
LV1721E50R
马克斯。
40
20
15
3
2
18
+200
200
235
V
V
V
V
A
W
单位
°C
°C
°C
手册, halfpage
10
MGL004
手册,
20
MGD971
IC
(A)
P合计
(W)
16
1
12
10
1
(1)
(2)
8
4
10
2
1
10
15
VCE ( V)
10
2
0
0
50
100
150
200
TMB ( ° C)
T
mb
75
°C.
( 1)区允许的直流操作。
( 2 )允许的扩展提供
BE
47
.
图2 DC飙升。
Fig.3
功率降额曲线。
1997年2月19日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN微波功率晶体管
热特性
符号
R
日J- MB
R
日MB -H
1.请参阅“安装
在手册SC19a的通用部分“的建议。
特征
T
mb
= 25
°C
除非另有规定编
符号
I
CBO
I
CER
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
V
CB
= 20V;我
E
= 0
V
CB
= 40 V ;我
E
= 0
V
CE
= 20V;
BE
= 47
V
CE
= 15 V ;我
B
= 0
V
EB
= 1.5 V ;我
C
= 0
V
CE
= 3 V ;我
C
= 1 A
15
分钟。
典型值。
参数
结点的热阻在安装基
从安装基热阻到散热器
条件
T
j
= 75
°C
T
j
= 75
°C;
注1
LV1721E50R
马克斯。
4
0.7
单位
K / W
K / W
马克斯。
0.5
2.5
25
2
100
100
单位
mA
mA
mA
mA
A
应用信息
微波性能达至T
mb
= 25
°C
在共发射极的A类宽带放大器呃。
操作模式
A级( CW )
f
(千兆赫)
1.7至2.1
V
CE
(V)
16
I
C
(A)
1.1
P
L1
(W)
≥5;
(典型值) 。 5.5
G
po
( dB)的
≥7;
典型值。 8
Z
i
; Z
L
()
参见图6
手册,全页宽
30
6.5
3
9.5
11
7.2
5
2
输入
VSWR <2
ZO = 50
9
C
24
18
5
5.5
30
5.5
14
18
2
产量
VSWR <2
ZO = 50
3
2.5
12.3
C
MSA096
尺寸(mm) 。
上有PTFE的玻璃纤维介质双包铜的印刷电路板的带状线( ε
r
= 2.5) ;厚度0.8mm 。
频率= 1.7 2.1 GHz的, CW , A类的应用程序。
图4宽带测试电路板。
1997年2月19日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN微波功率晶体管
LV1721E50R
手册, halfpage
10
MGD980
GPO
( dB)的
GPO
PL1
(W)
5
PL1
1.6
1.8
2.0
F(千兆赫)
2.2
V
CE
= 16 V ;我
C
= 1.1 (V
CE
C
调节) 。
Fig.5
负载功率和功率增益功能
的频率。
手册,全页宽
1
0.5
2
0.2
1.9
+
j
0
j
2.1
zi
1.7 GHz的
0.2
0.5
1
2
5
10
5
10
10
5
2.1 GHz的
ZL
0.2
1.9
1.7
0.5
1
Z
o
= 50
;
P
L1
= 5.5 W.
2
MGL031
图6的输入和最佳负载阻抗作为频率的函数;典型值。
1997年2月19日
5
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