LTZ1000/LTZ1000A
绝对最大额定值
(注1 )
信息
底部视图
8
7
Q2
6
Q1
7V
5
4
H8包
TO-5金属的CAN
θ
JA
= 80 ° C / W ,
θ
JA
= 400 ° C / W
3
2
1
加热器基板............................................... 35V ....
集电极发射极击穿Q1 ............................... 15V
集电极发射极击穿Q2 ............................... 35V
发射基地反向偏置.......................................... 2V
工作温度范围.........- 55℃ ≤牛逼
A
≤ 125°C
存储温度范围.............- 65℃ ≤牛逼
A
≤ 150°C
基板正向偏压0.1V ............................................
订购部件号
LTZ1000ACH
LTZ1000CH
最热
订购选项
无铅:添加#PBF
无铅最热:
http://www.linear.com/leadfree/
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电气特性
参数
齐纳电压
齐纳变化与电流
齐纳二极管的泄漏电流
齐纳噪声
加热器电阻
加热器击穿电压
晶体管Q1击穿
晶体管Q2击穿
Q1 , Q2电流增益
热阻
长期稳定性
条件
(注2 )
民
7.0
6.9
典型值
7.2
7.15
80
20
1.2
200
35
15
35
80
时间= 5分钟
时间= 5分钟
300
20
50
200
80
400
2
450
° C / W
° C / W
μV√kHr
最大
7.5
7.45
240
200
2
420
V
V
V
单位
V
V
mV
A
V
P-P
l
Z
= 5毫安, (V
Z
+ VBE
Q1
) I
Q1
= l00μA
l
Z
= 1mA时, (V
Z
+ VBE
Q1
) I
Q1
= l00A
1毫安 - 我
Z
< 5毫安
V
Z
= 5V
l
Z
= 5毫安,为0.1Hz < F <为10Hz
1
Q1
= 100A
I
L
≤ 100A
I
C
= 10μA , LVCEO
I
C
= 10μA , LVCEO
I
C
= 100A
LTZ1000
LTZ1000A
中T = 65℃
注1 :
强调超越上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。暴露于任何绝对
最大额定值条件下工作会影响器件
可靠性和寿命。
注2 :
所有的测试是在25 ℃。脉冲测试用于LTZ1000A来
最大限度地减少测试过程中温度上升。 LTZ1000和LTZ1000A设备
在-55°C至125 ° C的QA测试。
1000afb
2
LTZ1000/LTZ1000A
引脚功能
引脚1 :
加热器阳性。必须有较高的正值
比2脚和4脚。
引脚2 :
加热器负。必须有较高的正值
比针脚4.必须具有相同或更低的电势比针脚1 。
3脚:
齐纳阳性。必须有较高的正值
比4脚。
引脚4 :
基板和稳压负。必须有一个更高的
比针脚7.正值如果Q1是Zenered (约7V )一
在公测的永久退化将导致。
5脚:
温度补偿晶体管集电极。
引脚6 :
温度传感晶体管的基极。如果基
发射结Zenered (约7V ) ,晶体管会
遭受永久性的测试版降级。
引脚7 :
发射器的感应和补偿晶体管。
引脚8 :
集电极感应晶体管。
典型性能特性
齐纳电压随电流
100
90
齐纳电压噪声(NV / √Hz的)
齐纳电压的变化(毫伏)
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
齐纳开尔文
感觉到Q1
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
齐纳电流(毫安)
1000 G01
齐纳电压噪声谱
500
450
400
350
300
250
齐纳电流= 0.5毫安
200
150
100
50
0
0.1
齐纳电流= 4毫安
齐纳噪声
I
Z
= 4毫安
齐纳ALONE
齐纳电压噪声( 2μV / D)
I
Z
- 0.5毫安
1
10
频率(Hz)
100
0
10
20
30
40
时间(秒)
50
60
1000 G02
1000 G03
模具温度上升
VS加热器电源
0.8
0.7
加热器功率( W)
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
25 35 45 55 65 75 85 95 105 115 125
芯片温度高于环境温度( ° C)
1000 G04
模具温度对时间
125
LTZ1000A
片芯温升( ° C)
加热器功率= 0.3W
125
模具温度上升对时间
LTZ1000
100
LTZ1000
片芯温升( ° C)
100
75
加热器功率= 0.2W
75
加热器功率= 0.7W
加热器功率= 0.5W
50
50
LTZ1000A
25
加热器功率= 0.1W
25
加热器功率= 0.3W
0
0.1
1
10
100
时间(秒)
1000
0
0.1
1
10
100
时间(秒)
1000 G06
1000
1000 G05
1000afb
3
LTZ1000/LTZ1000A
应用信息
LTZ1000和LTZ1000A能够提供终极的
电压基准的表现。更好的温度漂移
大于0.03ppm / °的量级C和长期稳定性
每月1μV可以实现。约0.15ppm噪声
也可以得到。这样的表现是在牺牲
电路的复杂性,因为外部的佛罗里达州uences可以很容易地
导致超过1ppm的输出电压的变化。
热电偶的影响是最严重的问题之一,
可以给很多ppm的表观漂移/°C,以及事业
低频噪声。在TO- 5的可伐输入导线
当连接到铜包形式的热电偶
PC板。这些热电偶产生的输出
35μV / ℃。它是强制性的,以保持齐纳和晶体管
导致在相同的温度,否则1ppm的至5ppm的
在输出电压中的变化可以容易地从预期
这些热电偶。
气流穿过引线吹也可以引起小
温度的变化,特别是因为包是
加热。这看起来就像1ppm的低频5ppm的
发生过若干分钟内的噪声。为了获得最好的
结果,该装置应位于一个封闭的区域
并且还有来自气流屏蔽。
当然,任何温度梯度外部产生,
从电源说,横跨不应出现
关键电路。引线的晶体管和齐纳
应连接到相同大小的PC轨迹均衡
的热损失,并维持在类似的温度。
PC板的底部应采用屏蔽
对气流为好。
电阻器,以及具有电阻温度coef-
科幻cients ,可以产生热电偶效应。某些类型的
电阻器可以产生数百热电偶的毫伏
情侣电压。在这些电阻热电偶效应
也会干扰的输出电压。线绕
电阻器通常具有最低的热电偶电压
而锡氧化物型电阻具有极高的热电偶
电压。薄膜电阻,特别是威世精密液膜
电阻器,可以具有较低的热电偶电压。
普通的电路试验板的技术还不够好
以得到稳定的输出电压与LTZ1000家族
设备。为模拟板试验,因此建议小
印刷电路板可以由使用该参考文献中,
扩增fi er和线绕电阻。必须小心,以
确保加热器电流不溢流通过相同的
接地线为基准的负侧(发射极
Q1的) 。加热器电流的变化可能会增加,或
由,参考电压引起的错误与减
温度。采用低电阻单点接地
布线建议。
设定控制温度
控制晶体管的发射极 - 基极电压设置
稳定温度为LTZ1000 。随着价值观
在应用中给定的,温度通常为60℃。
这提供了裕量的15℃以上的最高环境
为45℃ ,例如。在发射极 - 基极产生的变化
电压通常会造成大约± 10℃的变化。自从
大约为2mV / ° C和发射极 - 基极电压的变化很
可预测的,其他温度容易设置。
因为较高的温度加速老化,降低
长期稳定性,以保持一致的最低温度
的操作环境应该被使用。该LTZ1000A
应设置约10℃高于LTZ1000 。这
是因为在正常工作的功率耗散
LTZ1000A导致约10 ℃的温度上升。的
当然两种类型的设备应该从绝缘
环境。热身几分钟是平常。
如果不需要极端的精度或
在LTZ1000的低噪声,线性技术使得
宽线的电压基准。像LT1021器件
可以提供漂移低至为2ppm / ℃,例如设备
该LM399A提供1PPM /的漂移℃。只有应用
需要非常低噪声,低漂移与时间的系统蒸发散
在LTZ1000应该使用这个设备。请参阅应用
注释AN- 82和AN- 86获取更多信息。请教
凌力尔特应用部门AD-
ditional帮助。
1000afb
4
LTZ1000/LTZ1000A
典型应用
负参考电压
齐纳+ SENSE
V
+
15V
GND
0.1F
1
1k
2N3904
7
LT1013
R4
13k
8
3
6
10k
1M
2
0.1F
3
400k*
R5
1k
R1
120
4
7
8
1
LT1013
4
1N4148
0.022F
齐纳 - FORCE
齐纳 - SENSE
*提供温度补偿,删除LTZ1000A
近似变化对参考电压一个100ppm的变化对电阻值:
R1
R2
R3
R4 / R5比
为100ppm =
R()
0.012
7
7
R
= 0.01%
V
Z
1ppm
0.3ppm
0.2ppm
1ppm
1000 TA02
R3
70k
5
R2
70k
+
–
5
2
–
+
V
–
≥
10V
A1和A2贡献较比输出漂移在50° C温度范围内2μV
平均参考电压的低噪音和更好的稳定性
V
IN
15V
0.01%
1.6k
1.6k
V
IN
15V
1.5k
提高电源抑制
电源抑制
在V
OUT1
=为20mV / V
V
OUT1
50
V
OUT2
30*
30*
电源抑制AT
V
OUT2
=为3mV / V
150
产量
150
150
1000 TA03
I
C
1000 TA04
* R = KT
Q我
C
1000afb
5