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LITE -ON
技术
公司
精简版,关于财产只有
特点
*
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*
包装在7"卷轴直径8mm带。
兼容与自动贴装设备。
兼容红外线和汽相回流焊工艺。
EIA STD包装。
I.C.兼容。
无铅封装(根据RoHS指令) 。
尺寸
产品型号
LTST-T670KGL
镜片颜色
无色透明
源色
绿色的AllnGaP
注意事项:
1.所有尺寸为毫米(英寸) 。
2.宽容
±
0.2毫米( 0.008" ),除非另有说明。
产品型号: LTST - T670KGL
BNS-OD-C131/A4
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LITE -ON
技术
公司
精简版,关于财产只有
在Ta = 25绝对最大额定值
参数
功耗
最大正向电流
( 1/10占空比, 0.1ms的脉冲宽度)
直流正向电流
线性降额从50
反向电压
工作温度范围
存储温度范围
推荐红外回流焊条件:
LTST-T670KGL
75
单位
mW
80
mA
30
0.4
5
-55
到+ 100
-55
到+ 100
mA
毫安/
V
红外回流焊温度曲线进行无铅焊接(符合J- STD- 020B )
产品型号: LTST - T670KGL
BNS-OD-C131/A4
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LITE -ON
技术
公司
精简版,关于财产只有
电/光特性在TA = 25
产品型号
LTST-
T670KGL
参数
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
测试条件
IF = 20毫安
注1
注2 (图6 )
测量
@Peak (图1)
注3
发光强度
IV
35.5
112.0
MCD
视角
1/2
T670KGL
120
峰值发射波长
λP
T670KGL
574
nm
主波长
λd
T670KGL
566.0
575.0
nm
谱线半宽
λ
T670KGL
15
nm
正向电压
VF
T670KGL
2.0
2.4
V
如果= 20mA下
反向电流
IR
T670KGL
100
μ
A
VR = 5V
VF=0,
F = 1MHz的
电容
C
T670KGL
40
PF
注: 1.发光强度的测量采用的光传感器和滤波器组合近似于CIE
眼睛 - 反应曲线。
2.
θ
1/2是离轴角处的发光强度为一半的轴向发光强度。
3.主波长
λ
d被从CIE色度图,代表了单
波长定义了设备的颜色。
4.正向电压容差为± 0.1伏。
产品型号: LTST - T670KGL
BNS-OD-C131/A4
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LITE -ON
技术
公司
精简版,关于财产只有
滨代码表
发光强度
BIN码
N2
P1
P2
Q1
Q2
分钟。
35.5
45.0
56.0
71.0
90.0
公差每个强度斌为+/- 15 %
单位: mcd切换@ 20毫安
马克斯。
45.0
56.0
71.0
90.0
112.0
主波长
BIN码
C
D
E
分钟。
566.0
569.0
572.0
单位:nm @ 20毫安
马克斯。
569.0
572.0
575.0
公差为每个支配波长斌为+/- 1纳米
产品型号: LTST - T670KGL
BNS-OD-C131/A4
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LITE -ON
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精简版,关于财产只有
典型电气/光学特性曲线
( 25 ° C环境温度,除非另有说明)
产品型号: LTST - T670KGL
BNS-OD-C131/A
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    LTST-T670KGL
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LTST-T670KGL
LITE ON OPTOELECTRONICS
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