LITE -ON
技术
公司
精简版,关于财产只有
在Ta = 25绝对最大额定值
℃
参数
功耗
最大正向电流
( 1/10占空比, 0.1ms的脉冲宽度)
直流正向电流
线性降额从50
℃
反向电压
工作温度范围
存储温度范围
推荐红外回流焊条件:
LTST-T670KGL
75
单位
mW
80
mA
30
0.4
5
-55
℃
到+ 100
℃
-55
℃
到+ 100
℃
mA
毫安/
℃
V
红外回流焊温度曲线进行无铅焊接(符合J- STD- 020B )
产品型号: LTST - T670KGL
BNS-OD-C131/A4
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LITE -ON
技术
公司
精简版,关于财产只有
电/光特性在TA = 25
℃
产品型号
LTST-
T670KGL
参数
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
测试条件
IF = 20毫安
注1
注2 (图6 )
测量
@Peak (图1)
注3
发光强度
IV
35.5
112.0
MCD
视角
2θ
1/2
T670KGL
120
度
峰值发射波长
λP
T670KGL
574
nm
主波长
λd
T670KGL
566.0
575.0
nm
谱线半宽
λ
T670KGL
15
nm
正向电压
VF
T670KGL
2.0
2.4
V
如果= 20mA下
反向电流
IR
T670KGL
100
μ
A
VR = 5V
VF=0,
F = 1MHz的
电容
C
T670KGL
40
PF
注: 1.发光强度的测量采用的光传感器和滤波器组合近似于CIE
眼睛 - 反应曲线。
2.
θ
1/2是离轴角处的发光强度为一半的轴向发光强度。
3.主波长
λ
d被从CIE色度图,代表了单
波长定义了设备的颜色。
4.正向电压容差为± 0.1伏。
产品型号: LTST - T670KGL
BNS-OD-C131/A4
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