光宝科技股份有限公司
精简版,关于财产只有
特点
* 2.3英寸( 58.42毫米)矩阵的高度。
*低功耗的要求。
*单平面,宽视角。
*固态可靠性。
*使用X -Y SELECT 5X8阵列。
*兼容USASCLL和EBCDIC码。
*可堆叠的水平的。
*分类的发光强度。
*
无铅封装(根据ROHS )
描述
该LTP - 2158AKD是2.3英寸( 58.42毫米)矩阵高度5X8点阵
显示。超的AlInGaP红色LED芯片,这是一个由从的AlInGaP
不透明的GaAs衬底,,并有灰色的脸,白色段。
设备
产品型号
的AlInGaP超红
LTP-2158AKD
描述
阴极列
阳极行
PART NO 。: LTP- 2158AKD
BNS-OD-C131/A4
PAGE :
1
5
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精简版,关于财产只有
绝对最大额定值在T
A
=25
o
C
参数
平均功耗每点
峰值正向电流每点
平均正向电流每点
线性降额从25
0
每点
反向电压每点
工作温度范围
存储温度范围
最大额定值
40
90
15
0.2
5
-35
0
C至+ 85
0
C
-35
0
C至+ 85
0
C
单位
mW
mA
mA
毫安/
0
C
V
焊接条件: 1/16英寸以下的底座面3秒260
0
C
或温度单位(在组装过程中)不超过最大。温度等级以上
.
在T电气/光学特性
A
=25
o
C
符号最小值。 TYP 。 MAX 。单位测试条件
I
p
=32mA
平均发光强度
I
V
1650 3500
μcd
1/16DUTY
峰值发射波长
λp
650
nm
I
F
=20mA
谱线半宽
20
nm
I
F
=20mA
λ
主波长
λd
639
nm
I
F
=20mA
2.1
2.6
V
I
F
=20mA
正向电压的任何点
V
F
2.3
2.8
V
I
F
=80mA
反向电流的任何点
I
R
100
A
V
R
=5V
发光强度配比
I
p
=32mA
I
V
-m
2:1
1/16DUTY
(类似的采光面积)
参数
注意:发光强度的测量采用的光传感器和滤波器组合
近似于CIE (佣金国际歌DE L' Eclairage )眼响应曲线。
PART NO 。: LTP- 2158AKD
BNS-OD-C131/A4
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