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分立半导体
数据表
LTE21025R
NPN微波功率晶体管
产品speci fi cation
取代1992年6月的数据
1997年2月21日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN微波功率晶体管
特点
扩散发射极镇流电阻提供出色的
电流共享和承受高VSWR
自对准工艺完全离子注入
镀金实现非常稳定的特性
和优良的一生
输入匹配单元提高了输入阻抗和
允许宽带电路更简单的设计。
olumns
LTE21025R
钉扎 - SOT440A
1
2
3
集热器
BASE
发射极连接到佛罗里达州安格
描述
1
c
应用
共发射极的A类线性功率放大器起来
4.2 GHz的。
3
b
描述
2
MAM131
e
NPN硅平面外延微波功率晶体管
一个SOT440A金属陶瓷法兰封装发射
连接到所述凸缘。
顶视图
标识代码:
439
Fig.1简化外形和符号。
快速参考数据
RF性能可达到吨
mb
= 25
°C
在一个共发射极A类测试电路。
操作模式
A级( CW )
f
(千兆赫)
2.1
V
CE
(V)
16
警告
产品和环境安全 - 有毒物质
本品含有氧化铍。该产品是完全安全的前提是BeO的板坯不被损坏。
所有的人谁处理,使用或处置该产品应该知道它的性质和必要的安全
预防措施。使用后,可根据应用的位置法规处置化学废物或特殊废物
该用户。它绝不能抛出与一般的或生活垃圾。
I
C
(MA )
400
P
L1
(W)
(典型值) 。 2.8
G
po
( dB)的
(典型值) 。 7.8
1997年2月21日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN微波功率晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
V
CBO
V
CER
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
英镑
T
j
T
SLD
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
总功耗
储存温度
工作结温
焊接温度
0.3毫米的陶瓷;
t
10 s
T
mb
75
°C
条件
发射极开路
R
BE
= 70
开基
集电极开路
65
分钟。
LTE21025R
马克斯。
40
20
16
3
800
8
+200
200
235
V
V
V
V
单位
mA
W
°C
°C
°C
手册, halfpage
1
MGL006
手册,
10
MGD973
P合计
(W)
IC
(A)
8
(1)
(2)
6
10
1
4
2
10
2
1
10
16
VCE ( V)
10
2
0
0
50
100
150
200
TMB ( ° C)
T
mb
75
°C.
( 1)区允许的直流操作。
( 2 )允许的扩展提供
BE
70
.
Fig.3
图2 DC飙升。
功耗降额的函数
安装底座的温度。
1997年2月21日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN微波功率晶体管
热特性
符号
R
日J- MB
R
日MB -H
1.请参阅“安装
在手册SC19a的通用部分“的建议。
特征
T
mb
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
cb
C
ce
C
eb
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 基极电容
集电极 - 发射极电容
发射极 - 基极电容
条件
V
CB
= 20V;我
E
= 0
V
CB
= 40 V ;我
E
= 0
V
EB
= 1.5 V ;我
C
= 0
V
CE
= 5 V ;我
C
= 400毫安
V
CB
= 16 V; V
EB
= 1.5 V;
I
E
= I
C
= 0; F = 1 MHz的
V
CE
= 16 V; V
EB
= 1.5 V;
I
E
= I
C
= 0; F = 1 MHz的
V
CB
= 10 V; V
EB
= 1 V;
I
C
= I
E
= 0; F = 1 MHz的
15
分钟。
3
1.5
28
典型值。
参数
结点的热阻在安装基
从安装基热阻到散热器
条件
T
j
= 75
°C
T
j
= 75
°C;
注1
LTE21025R
马克斯。
10
0.7
单位
K / W
K / W
马克斯。
225
1.5
0.6
150
单位
A
mA
A
pF
pF
pF
1997年2月21日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN微波功率晶体管
表1
LTE21025R
散射参数: V
CE
= 16 V ;我
C
= 400 MA( V
CE
C
受规管) ;牛逼
mb
= 25
°C;
Z
o
= 50
;
典型值。 (括号中给出的数字,单位为dB值) 。
s
11
大小
(比)
0.94
0.94
0.94
0.93
0.93
0.93
0.92
0.93
0.93
0.93
0.93
0.93
0.93
0.92
0.88
0.89
0.90
0.90
0.87
0.83
0.82
0.83
0.80
0.73
0.69
0.67
0.69
0.72
0.76
(度)
176
174
173
172
170
168
167
166
164
167
163
162
161
159
151
148
147
147
142
134
129
130
130
127
122
122
126
130
128
s
21
大小
(比)
0.017 (35.4)
0.018 (34.7)
0.019 (34.4)
0.020 (34.1)
0.021 (33.8)
0.022 (33.3)
0.023 (32.6)
0.026 (31.6)
0.029 (30.6)
0.032 (29.9)
0.037 (28.7)
0.040 (27.9)
0.042 (27.5)
0.043 (27.3)
0.046 (26.7)
0.052 (25.7)
0.059 (24.6)
0.069 (23.2)
0.073 (22.8)
0.075 (22.5)
0.077(22.2)
0.085 (21.4)
0.091 (20.8)
0.091 (20.8)
0.087 (21.2)
0.078 (22.2)
0.071 (23.0)
0.059 (24.6)
0.054 (25.4)
(度)
43
46
47
49
49
50
50
50
49
54
54
53
51
49
46
43
41
38
32
26
21
18
11
3
7
15
19
18
11
s
12
大小
(比)
2.79 (8.9)
2.39 (7.6)
2.07 (6.3)
1.85 (5.3)
1.66 (4.4)
1.50 (3.5)
1.39 (2.9)
1.31 (2.4)
1.23 (1.8)
1.16 (1.3)
1.11 (0.9)
1.07 (0.6)
1.03 (0.3)
0.99 (0.1)
0.99 (0.1)
0.92 (0.7)
0.88 (1.1)
0.90 (0.9
0.88 (1.1)
0.90 (0.9)
0.87 (1.2)
0.90 (1.0)
0.91 (0.8)
0.94 (0.5)
0.95 (0.5)
0.89 (1.0)
0.83 (1.7)
0.70 (3.1)
0.60 (4.4)
(度)
81
77
72
68
64
60
57
53
49
48
43
39
35
30
22
14
9
1
8
18
27
37
50
64
82
100
121
141
160
s
22
大小
(比)
0.49
0.54
0.52
0.52
0.53
0.53
0.53
0.54
0.54
0.55
0.54
0.55
0.55
0.56
0.56
0.57
0.58
0.59
0.60
0.61
0.63
0.65
0.69
0.74
0.79
0.84
0.89
0.92
0.94
(度)
173
173
176
177
179
179
179
177
176
179
176
175
176
174
170
168
168
168
169
168
166
165
165
164
162
157
150
143
136
f
(兆赫)
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
1400
1500
1600
1700
1800
2000
2200
2400
2600
2800
3000
3200
3400
3600
3800
4000
4200
4400
4600
4800
1997年2月21日
5
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