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光宝科技股份有限公司。
精简版,关于财产只有
特点
*选择具体的在线强度和辐射强度的值域
*低成本微型塑料侧面看包装
*的机械和光谱匹配的LTR- 301系列的
PHOTOTRANSISTOR
包装尺寸
注意事项:
1.所有尺寸为毫米(英寸) 。
2.宽容
±0.25mm(.010")
除非另有说明。
3.引线间距是衡量地方引线从包装出现。
4.规格如有变更,恕不另行通知。
产品型号: LTE- 322 -M数据表
BNS-OD-C131/A4
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4
光宝科技股份有限公司。
精简版,关于财产只有
在T绝对最大额定值
A
=25
参数
功耗
峰值正向电流( 300pps , 10μs的脉冲)
连续正向电流
反向电压
工作温度范围
存储温度范围
引线焊接温度
[ 1.6毫米( 0.063" )从身体]
最大额定值
75
1
50
5
-40
至+ 85
-55 ℃至+ 100 ℃
单位
mW
A
mA
V
260 ℃ ,持续5秒
产品型号: LTE- 322 -M数据表
BNS-OD-C131/A4
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光宝科技股份有限公司。
精简版,关于财产只有
在T电气/光学特性
A
=25
参数
峰值发射波长
谱线半宽
正向电压
反向电流
符号
分钟。
典型值。马克斯。单位
测试COND 。
940
50
1.2
1.6
100
0.65
0.75
0.85
0.95
1.05
1.15
1.25
1.35
0.78
0.90
1.02
1.14
1.26
1.38
1.50
1.62
40
nm
nm
V
μA
I
F
= 20mA下
I
F
= 20mA下
I
F
= 20mA下
V
R
= 5V
箱子
颜色
记号
λ
P
Δλ
V
F
I
R
0.55
0.65
0.75
0.85
0.95
1.05
1.15
1.25
0.44
0.52
0.60
0.68
0.76
0.84
0.92
1.00
平均轴强度
(弱电)
设置LITE -ON的
生产
(I
L1
+I
L2
)/2)
I
L
mA
I
F
= 4毫安
Vcc=3.5V
平均轴强度
(弱电) Q.C限制
I
L
mA
(I
L1
+I
L2
)/2)
I
F
= 4毫安
Vcc=3.5V
滨F
彬摹
我斌
BIN
BIN L
BIN M
滨F
彬摹
我斌
BIN
BIN L
BIN M
紫色
粉红色
棕色
紫色
粉红色
棕色
可视角度(参见图6 )
2
θ
1/2
度。
红外轴强度试验方法
产品型号: LTE- 322 -M数据表
BNS-OD-C131/A4
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光宝科技股份有限公司。
精简版,关于财产只有
典型电气/光学特性曲线
( 25 ℃环境温度,除非另有说明)
1.0
相对辐射强度
正向电流IF (MA )
60
50
40
30
20
10
0
940
波长(nm )
1040
-40 -20 0
20 40 60 80 100
环境温度Ta ( ° C)
0.5
0
840
图1的光谱分布
图2正向电流与
环境温度
1.2
输出功率相对于
在IF = 20mA值
50
正向电流(mA )
40
30
20
10
0
0
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
正向电压( V)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-20
0
20
40
60
80
环境温度Ta ( ° C)
图3正向电流与
正向电压
图4相对辐射强度
- 环境温度
0
o
10
o
20
o
o
5.0
输出功率相对于
在IF = 20mA值
30
相对辐射强度
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
20
40
60
80
100
40
1.0
0.9
0.8
0.7
50
60
70
80
90
0.5 0.3 0.1
0.2 0.4 0.6
o
o
o
o
o
o
FOWARD电流(mA )
图5相对辐射强度
与正向电流
图6辐射方向图
产品型号: LTE- 322 -M数据表
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    LTE-322-M
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电话:0755-82561519 0755-82567969 18928435545
联系人:李
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
LTE-322-M
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联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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