LTC4449
高速同步
N沟道MOSFET驱动器
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
描述
此外，LTC
4449是高频栅极驱动程序
旨在推动在两个N沟道MOSFET
同步DC / DC转换器。强大的轨到轨
驱动能力降低了MOSFET的开关损耗
高栅极电容。
的LTC4449设有用于输入逻辑的独立供应
以匹配控制器IC的信号摆幅。如果输入
信号没有被驱动，则LTC4449激活关闭
模式关闭两个外部MOSFET 。输入逻辑
信号在内部电平转换来的自举电源，
它以高达42V地上的功能。
该LTC4449包含欠压锁定电路
司机和逻辑电源是关闭外部
当MOSFET的欠压条件存在。一
自适应贯通保护功能也内置
以防止MOSFET所产生的功率损耗的横
导通电流。
该LTC4449是采用2mm可用
×
3mm DFN封装
封装。
4V至6.5V V
CC
工作电压
38V最大输入电源电压
自适应贯通保护
轨至轨输出驱动器
3.2A峰值上拉电流
4.5A峰值下拉电流
为8ns TG上升时间驱动3000pF的负载
7ns的TG下降时间驱动3000pF的负载
独立的电源来匹配PWM控制器
驱动器双N沟道MOSFET
欠压锁定
低廓（高度仅0.75mm ）2毫米
×
3mm DFN封装
应用
n
n
分布式电源架构
高密度电源模块
L,
LT ， LTC和LTM的注册和凌特公司的商标。所有其他
商标是其各自所有者的财产。
典型用途
同步降压转换器驱动器
V
CC
4V至6.5V
V
CC
V
逻辑
BOOST
V
IN
至38V
输入（ IN）的
5V/DIV
LTC4449驱动3000pF的容性负载
LTC4449
TG
TS
V
OUT
顶栅
（ TG - TS ）
5V/DIV
PWM
IN
GND
BG
底栅
（ BG ） 5V / DIV
4449 TA01a
10ns/DIV
4449 TA01b
4449f
1
LTC4449
绝对最大额定值
（注1 ）
引脚配置
顶视图
TG 1
TS 2
BG 3
GND 4
9
8 BOOST
7 V
CC
6 V
逻辑
5
电源电压
V
逻辑
.................................................. .... -0.3V至7V
V
CC
.................................................. ......... -0.3V至7V
BOOST - TS ............................................. -0.3 V到7V
升压.......................................... -0.3V至42V
TS ................................................. ................ -5V至38V
电压................................................ .... -0.3V至7V
驱动器输出TG （相对于TS ） ......... -0.3V至7V
驱动器输出BG .......................................... -0.3V至7V
工作结温范围
（注2，注3 ） ............................................ -40 ° C至125°C
存储温度范围...................- 65℃ 150℃
DCB套餐
8引线（2毫米3毫米）塑料DFN
θ
JA
= 64 ° C / W ，
θ
JC
= 10.6 ° C / W
裸露焊盘（引脚9）为GND ，必须焊接到PCB
订购信息
无铅完成
LTC4449EDCB#PBF
LTC4449IDCB#PBF
磁带和卷轴
LTC4449EDCB#TRPBF
LTC4449IDCB#TRPBF
最热*
LFKC
LFKC
包装说明
8引脚（2毫米
×
3毫米）塑料DFN
8引脚（2毫米
×
3毫米）塑料DFN
温度范围
-40 ° C至85°C
-40_C到125_C
咨询LTC营销部分特定网络版与更广泛的工作温度范围。 *温度等级是identi网络版通过在包装盒上的标签。
咨询LTC营销上领先的基础网络光洁度部分信息。
有关无铅零件标记的更多信息，请访问：
http://www.linear.com/leadfree/
有关磁带和卷轴特定网络阳离子的更多信息，请访问：
http://www.linear.com/tapeandreel/
电气特性
符号
V
逻辑
I
VLOGIC
UVLO
参数
工作范围
直流电源电流
欠压锁定阈值
逻辑电源（V
逻辑
)
该
l
表示该应用在整个工作结对特定网络阳离子
温度范围内，另有规定的阳离子是在T
A
= 25°C 。 V
CC
= V
逻辑
= V
BOOST
= 5V, V
TS
= GND = 0V ，除非另有说明。
条件
民
3
IN =浮动
V
逻辑
升起
V
逻辑
落下
迟滞
l
l
典型值
最大
6.5
单位
V
μA
V
V
mV
V
μA
V
V
mV
μA
730
2.5
2.4
2.75
2.65
100
900
3
2.9
栅极驱动电压（V
CC
)
V
CC
I
VCC
UVLO
工作范围
直流电源电流
欠压锁定阈值
IN =浮动
V
CC
升起
V
CC
落下
迟滞
IN =浮动
l
l
4
300
2.75
2.60
3.20
3.04
160
300
6.5
400
3.65
3.50
400
I
BOOST
直流电源电流
4449f
2
LTC4449
电气特性
符号
输入信号（IN）的
V
IH（ TG）的
V
白细胞介素（ TG ）
V
IH（ BG）的
V
白细胞介素（ BG ）
I
中（SD）的
TG开启输入阈值
TG打开开关量输入阈值
BG导通上输入阈值
BG导通关输入Theshold
最大电流进入或离开的
关断模式
TG高输出电压
TG低输出电压
TG山顶上拉电流
TG峰值下拉电流
BG高输出电压
BG低输出电压
BG山顶上拉电流
BG峰值下拉电流
BG低到高TG传输延迟
低到TG低传输延迟
TG低血糖高传输延迟
高到BG低传输延迟
TG输出上升时间
TG输出下降时间
BG输出上升时间
BG输出下降时间
10 ％至90％ ，C
L
= 3nF的
10 ％至90％ ，C
L
= 3nF的
10 ％至90％ ，C
L
= 3nF的
10 ％至90％ ，C
L
= 3nF的
I
BG
= -100mA ，V
OH （ BG ）
= V
CC
– V
BG
I
BG
= 100毫安
l
l
该
l
表示该应用在整个工作结对特定网络阳离子
温度范围内，另有规定的阳离子是在T
A
= 25°C 。 V
CC
= V
逻辑
= V
BOOST
= 5V, V
TS
= GND = 0V ，除非另有说明。
参数
条件
V
逻辑
≥ 5V ，瑞星
V
逻辑
= 3.3V ，瑞星
V
逻辑
≥ 5V ，在属于
V
逻辑
= 3.3V ，在属于
V
逻辑
≥ 5V ，在属于
V
逻辑
= 3.3V ，在属于
V
逻辑
≥ 5V ，瑞星
V
逻辑
= 3.3V ，瑞星
V
逻辑
≥ 5V ，浮动
V
逻辑
= 3.3V ，浮动
I
TG
= -100mA ，V
OH （ TG ）
= V
BOOST
– V
TG
I
TG
= 100mA时V
OL （ TG）的
= V
TG
– V
TS
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
民
3
1.9
2.75
1.8
0.8
0.8
1.05
0.9
150
75
典型值
3.5
2.2
3.25
2.09
1.25
1.1
1.5
1.21
300
150
140
80
最大
4
2.6
3.75
2.5
1.6
1.4
1.85
1.5
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
μA
μA
mV
mV
A
A
mV
mV
A
A
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
高侧栅极驱动器输出（ TG ）
V
OH （ TG ）
V
OL （ TG）的
I
PU （ TG ）
I
PD（ TG）的
V
OH （ BG ）
V
OL （ BG ）
I
PU （ BG ）
I
PD（ BG）的
开关时间
t
PLH （ TG）的
t
PHL （ TG ）
t
PLH （ BG ）
t
PHL （ BG ）
t
R（ TG ）
t
F（ TG）的
t
R（ BG ）
t
F（ BG）的
14
13
13
11
8
7
7
4
2
1.5
3.2
2.4
100
100
低侧栅极驱动器输出（ BG ）
2
3
3.2
4.5
注1 ：
强调超越上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。暴露于任何绝对
最大额定值条件下工作会影响器件
可靠性和寿命。
注2 ：
该LTC4449I是保证符合特定网络连接的阳离子，在整个
-40 ° C至125 ° C的工作结温范围内。该LTC4449E是
保证满足特定连接的阳离子从0° C至85°C与特定网络连接的阳离子
在保证了-40 ° C至85° C的工作结温范围
设计，鉴定和相关的统计过程控制。
结温度T
J
从周围温度T计算出的
A
和功耗P
D
根据下列公式计算：
T
J
= T
A
+ （ PD 64 ° C / W）
注3 ：
该IC具有过热保护，旨在
在瞬间过载条件下，以保护设备。连接点
温度超过125°C时，过热保护功能被激活。
上述特定网络连续运行主编最高工作结
温度可能会影响器件的可靠性。
4449f
3
QQ：2880707522 复制
