特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
LTC4446
高电压高侧/
低端N沟道
MOSFET驱动器
描述
此外，LTC
4446是一个高频高电压栅极驱动器
用于驱动两个N沟道MOSFET中的DC / DC转换器
与电源电压高达100V 。强大的驱动器钙
pability降低开关损耗的MOSFET在高
栅极电容。的LTC4446的上拉为顶栅
驱动器有2.5A和其下拉的峰值输出电流
具有1.2Ω的输出阻抗。上拉为bot-
汤姆栅极驱动器3A和的峰值输出电流的
下拉具有0.55Ω的输出阻抗。
该LTC4446是CON连接gured两个电源电压无关
输入。高压侧输入逻辑信号在内部
电平移位至自举电源，其可以
函数在高达114V地上。
该LTC4446包含欠压锁定电路的
当被激活时禁止外部MOSFET 。
该LTC4446可在热增强型8引脚
MSOP封装。
该LTC4446不具备自适应贯通亲
保护。对于类似的驱动程序与自适应贯通
保护，请参见下面的图表。
参数
LTC4446
LTC4444
LTC4444-5
贯通保护
No
是的
是的
绝对最大TS
100V
100V
100V
MOSFET栅极驱动器
7.2V至13.5V 7.2V至13.5V 4.5V至13.5V
+
6.6V
6.6V
4V
V
CC
UV
–
6.15V
6.15V
3.55V
V
CC
UV
自举电源电压高达114V
宽V
CC
电压： 7.2V至13.5V
2.5A峰顶门上拉电流
3A峰值底栅上拉电流
1.2Ω顶部栅极驱动器下拉
0.55Ω底栅驱动器下拉
5ns的门顶下降时间驱动1nF的负载
为8ns顶部门上升时间驱动1nF的负载
3ns的底栅下降时间驱动1nF的负载
6ns的底栅上升时间驱动1nF的负载
同时驱动高端和低端N沟道MOSFET
欠压锁定
热增强型8引脚MSOP封装
应用
n
n
n
n
分布式电源架构
汽车电源
高密度电源模块
电信系统
L,
LT ， LTC和LTM的注册和凌特公司的商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
由美国专利包括6677210保护。
典型用途
两个开关正激转换器
V
CC
7.2V至13.5V
BOOST
V
CC
PWM1
（来自控制器IC ）
PWM2
（来自控制器IC ）
TINP
BINP
GND
TG
LTC4446
TS
BG
V
IN
36V至72V
（ 100V ABS MAX）
LTC4446驱动一个1000pF的容性负载
BINP
5V/DIV
BG
10V/DIV
TINP
5V/DIV
TG- TS
10V/DIV
20ns/DIV
4446 TA01a
4446 TA01b
TO
次
电路
4446f
1
LTC4446
绝对最大额定值
（注1 ）
引脚配置
顶视图
TINP
BINP
V
CC
BG
1
2
3
4
8
7
6
5
TS
TG
BOOST
NC
9
电源电压
V
CC
.................................................. ....... -0.3V至14V
BOOST - TS ........................................... -0.3V到14V
TINP电压................................................ 。 -2V至14V
BINP电压................................................ 。 -2V至14V
升压........................................ -0.3V至114V
TS电压................................................ ... -5V至100V
工作温度范围（注2 ） .... -40 ° C至85°C
结温（注3 ） ............................. 125°C
存储温度范围................... -65℃ 150℃
引线温度（焊接， 10秒） .................. 300℃
MS8E套餐
8引脚塑料MSOP
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 40 ° C / W ，
θ
JC
= 10 ℃/ W（注4 ）
裸露焊盘（引脚9）为GND ，必须焊接到PCB
订购信息
无铅完成
LTC4446EMS8E#PBF
LTC4446IMS8E#PBF
磁带和卷轴
LTC4446EMS8E#TRPBF
LTC4446IMS8E#TRPBF
最热*
LTDPZ
LTDPZ
包装说明
8引脚塑料MSOP
8引脚塑料MSOP
温度范围
-40 ° C至85°C
-40 ° C至85°C
咨询LTC营销部分特定网络版与更广泛的工作温度范围。 *温度等级为identi网络由在包装盒上的标签编。
咨询LTC营销非标准铅基音响光洁度部分信息。
有关无铅零件标记的更多信息，请访问：
http://www.linear.com/leadfree/
有关磁带和卷轴特定网络阳离子的更多信息，请访问：
http://www.linear.com/tapeandreel/
该
l
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
温度范围内，另有规定的阳离子是在T
A
= 25°C 。 V
CC
= V
BOOST
= 12V, V
TS
= GND = 0V ，除非另有说明。
符号
参数
栅极驱动器供电，V
CC
V
CC
工作电压
直流电源电流
I
VCC
UVLO
欠压锁定阈值
条件
民
7.2
TINP = BINP = 0V
V
CC
升起
V
CC
落下
迟滞
TINP = BINP = 0V
BINP斜坡高
BINP斜坡低
TINP斜坡高
TINP斜坡低
l
l
l
l
l
l
电气特性
典型值
最大
13.5
550
7.20
6.70
单位
V
μA
V
V
mV
μA
V
V
V
V
μA
V
mV
A
Ω
4446f
6.00
5.60
350
6.60
6.15
450
0.1
自举电源（ BOOST - TS ）
直流电源电流
I
BOOST
输入信号（ TINP BINP ）
,
BG导通上输入阈值
V
IH（ BG）的
BG导通关输入阈值
V
白细胞介素（ BG ）
TG开启输入阈值
V
IH（ TG）的
TG打开开关量输入阈值
V
白细胞介素（ TG ）
输入引脚偏置电流
I
TINP （ BINP ）
高侧栅极驱动器输出（ TG ）
TG高输出电压
V
OH （ TG ）
TG低输出电压
V
OL （ TG）的
TG山顶上拉电流
I
PU （ TG ）
TG下拉电阻
R
DS （ TG ）
2
3.25
2.75
3.25
2.75
±2
2.25
1.85
2.25
1.85
2.75
2.3
2.75
2.3
±0.01
0.7
120
2.5
1.2
I
TG
= -10mA ，V
OH （ TG ）
= V
BOOST
– V
TG
I
TG
= 100mA时V
OL （ TG）的
= V
TG
–V
TS
l
l
l
220
2.2
1.7
2
LTC4446
该
l
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
温度范围内，另有规定的阳离子是在T
A
= 25°C 。 V
CC
= V
BOOST
= 12V, V
TS
= GND = 0V ，除非另有说明。
符号
参数
低侧栅极驱动器输出（ BG ）
BG高输出电压
V
OH （ BG ）
BG低输出电压
V
OL （ BG ）
BG山顶上拉电流
I
PU （ BG ）
BG下拉电阻
R
DS （ BG ）
条件
I
BG
= -10mA ，V
OH （ BG ）
= V
CC
– V
BG
I
BG
= 100毫安
民
典型值
0.7
55
3
0.55
25
22
19
14
10
–3
8
80
5
50
6
60
3
30
最大
单位
V
mV
A
Ω
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
电气特性
l
l
l
110
1.1
45
40
35
30
35
25
2
切换时间（ BINP （ TINP ）连接至地而TINP （ BINP ）的切换。请参考时序图）
l
TG低到高（导通）传播延迟
t
PLH （ TG）的
l
TG （从高到低） （关断）传播延迟
t
PHL （ TG ）
l
BG从低到高（导通）传播延迟
t
PLH （ BG ）
l
BG （从高到低） （关断）传播延迟
t
PHL （ BG ）
l
延迟匹配BG导通和关TG打开，在
t
DM （ BGTG ）
l
延迟匹配TG打开，关闭和BG导通论
t
DM （ TGBG ）
TG输出上升时间
10% – 90%, C
L
= 1nF的
t
R（ TG ）
10% – 90%, C
L
= 10nF的
TG输出下降时间
10% – 90%, C
L
= 1nF的
t
F（ TG）的
10% – 90%, C
L
= 10nF的
BG输出上升时间
10% – 90%, C
L
= 1nF的
t
R（ BG ）
10% – 90%, C
L
= 10nF的
BG输出下降时间
10% – 90%, C
L
= 1nF的
t
F（ BG）的
10% – 90%, C
L
= 10nF的
注1 ：
强调超越上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。暴露于任何绝对
最大额定值条件下工作会影响器件
可靠性和寿命。
注2 ：
该LTC4446E保证，以满足特定连接的阳离子
0 ° C至85°C 。特定网络连接的阳离子在-40° C至85° C的工作
温度范围是由设计，表征和相关保障
–15
–25
统计过程控制。该LTC4446I保证在全
-40 ° C至85° C的工作温度范围。
注3 ：
T
J
从周围温度T计算出的
A
和权力
耗散P
D
根据下列公式计算：
T
J
= T
A
+ (P
D
θ
JA
° C / W）
注4 ：
未能焊接MS8E包的露出背面侧到
PC板将导致热阻小于40℃ / W的高得多。
典型性能特性
V
CC
供应静态电流
VS电压
450
400
静态电流（ μA ）
350
300
250
200
150
100
50
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14
V
CC
电源电压（ V）
4446 G01
BOOST -TS供应静态
电流与电压
400
350
静态电流（ μA ）
300
250
200
150
100
50
TINP = BINP = 0V
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14
升压电源电压（ V）
4446 G02
V
CC
供应电流与
温度
380
370
V
CC
电源电流（ μA ）
360
TINP = BINP = 0V
350
340
330
TINP （ BINP ） = 12V
320
310
300
–40 –25 –10 5 20 35 50 65 80 95 110 125
温度（℃）
4446 G03
T
A
= 25°C
BOOST = 12V
TS = GND
TINP = BINP = 0V
T
A
= 25°C
V
CC
= 12V
TS = GND
TINP = 12V ， BINP = 0V
V
CC
= BOOST = 12V
TS = GND
TINP （ BINP ） = 12V
TINP = 0V ， BINP = 12V
4446f
3
LTC4446
典型性能特性
升压电源电流
与温度
400
BOOST电源电流（ μA ）
350
300
250
200
150
100
50
TINP = BINP = 0V
0
–40 –25 –10 5 20 35 50 65 80 95 110 125
温度（℃）
4446 G04
输出低电压（V
OL
)
与电源电压
160
V
OL （ TG）的
TG或BG输出电压（V）的
140
输出电压（毫伏）
120
100
80
V
OL （ BG ）
60
40
20
0
7
8
9
12
11
10
电源电压（ V）
13
14
4446 G05
输出高电压（V
OH
） VS
电源电压
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
7
8
11
10
9
12
电源电压（ V）
13
14
–100mA
–1mA
–10mA
T
A
= 25°C
BOOST = V
CC
TS = GND
V
CC
= BOOST = 12V
TS = GND
TINP = 12V
BINP = 0V
TINP = 0V
BINP = 12V
T
A
= 25°C
I
TG （ BG ）
= 100毫安
BOOST = V
CC
TS = GND
4446 G06
输入阈值（ TINP BINP ） VS
,
电源电压
3.1
3.0
TG或BG输入门限（ V）
2.9
2.8
2.7
2.6
2.5
2.4
2.3
2.2
2.1
7
8
11
10
9
12
电源电压（ V）
13
14
V
白细胞介素（ TG ， BG ）
TG或BG输入门限（ V）
T
A
= 25°C
BOOST = V
CC
TS = GND
V
IH （ TG ， BG ）
3.0
输入阈值（ TINP BINP ） VS
,
温度
TG或BG输入阈值迟滞（MV ）
V
CC
= BOOST = 12V
2.9 TS = GND
2.8
2.7
2.6
2.5
2.4
2.3
2.2
2.1
2.0
–40 –25 –10 5 20 35 50 65 80 95 110 125
温度（℃）
4446 G08
输入阈值（ TINP BINP ）
,
迟滞VS电压
500
T
A
= 25°C
V
CC
- 升压
TS = GND
V
IH （ TG ， BG ）
475
450
V
白细胞介素（ TG ， BG ）
425
400
375
7
8
11
10
9
12
电源电压（ V）
13
14
4446 G07
4446 G09
输入阈值（ TINP BINP ）
,
迟滞与温度
TG或BG输入阈值迟滞（MV ）
500
V
CC
= BOOST = 12V
TS = GND
V
CC
SUPLLY电压（V）的
6.7
6.6
6.5
6.4
6.3
6.2
6.1
375
–40 –25 –10 5 20 35 50 65 80 95 110 125
温度（℃）
4446 G10
V
CC
欠压锁定
阈值与温度
BOOST = V
CC
TS = GND
阈值上升
32
30
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
上升和下降时间VS
V
CC
电源电压
T
A
= 25°C
BOOST = V
CC
TS = GND
C
L
=为3.3nF
475
t
R（ TG ）
450
上升/下降时间（ NS ）
t
R（ BG ）
425
下降阈值
t
F（ TG）的
400
t
F（ BG）的
7
8
11
10
9
12
电源电压（ V）
13
14
6.0
–40 –25 –10 5 20 35 50 65 80 95 110 125
温度（℃）
4446 G11
4446 G12
4446f
4
LTC4446
典型性能特性
上升和下降时间VS
负载电容
80
70
上升/下降时间（ NS ）
60
50
t
R（ BG ）
40
30
20
10
0
1
2
t
F（ BG）的
5
6
3
4
7
8
负载电容（ NF）
9
10
t
F（ TG）的
T
A
= 25°C
V
CC
= BOOST = 12V
TS = GND
上拉电流（A ）
t
R（ TG ）
3.4
3.2
3.0
2.8
2.6
I
PU （ TG ）
2.4
2.2
2.0
–40 –25 –10 5 20 35 50 65 80 95 110 125
温度（℃）
4446 G14
峰值驱动程序（ TG ， BG ）上拉
电流与温度
V
CC
= BOOST = 12V
TS = GND
I
PU （ BG ）
输出驱动器的下拉RESISTACNE （ Ω ）
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
输出驱动器下拉
电阻与温度
BOOST -TS = 12V
BOOST -TS = 7V
R
DS （ TG ）
BOOST -TS = 14V
V
CC
= 12V
V
CC
= 7V
V
CC
= 14V
R
DS （ BG ）
0
–40 –25 –10 5 20 35 50 65 80 95 110 125
温度（℃）
4446 G15
4445 G13
传播延迟VS
V
CC
电源电压
30
28
传播延迟（ NS ）
26
24
22
20
18
16
14
12
10
7
8
11
10
9
12
电源电压（ V）
13
14
t
PHL （ BG ）
t
PHL （ TG ）
t
PLH （ BG ）
t
PLH （ TG）的
T
A
= 25°C
BOOST = V
CC
TS = GND
传播延迟（ NS ）
37
32
27
22
传播延迟与温度
V
CC
= BOOST = 12V
TS = GND
t
PLH （ TG）的
t
PHL （ TG ）
t
PLH （ BG ）
17
t
PHL （ BG ）
12
7
2
–40 –25 –10 5 20 35 50 65 80 95 110 125
温度（℃）
4446 G17
4444 G16
开关电源电流与
输入频率
T
A
= 25°C
V
CC
= BOOST = 12V
3.5
TS = GND
电源电流（mA ）
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
I
BOOST
（ BG切换）
0
200
400
800
600
开关频率（kHz ）
1000
4446 G18
开关电源电流与
负载电容
I
VCC
（ BG切换
在1MHz ）
I
BOOST
（ TG开关
频率为500kHz ）
4.0
I
VCC
（ BG切换）
电源电流（mA ）
I
BOOST
（ TG切换）
100
10
I
VCC
（ TG切换）
1
I
VCC
（ BG切换
频率为500kHz ）
I
VCC
I
VCC
（ TG开关
（ TG开关频率为500kHz ）
在1MHz ）
I
BOOST
（ BG开关频率为1MHz或5OOkHz ）
I
BOOST
（ TG开关
在1MHz ）
0.1
1
2
3
4
5
6
7
8
负载电容（ NF）
9
10
4446 G19
4446f
5
LTC1154
高端微
MOSFET驱动器
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
描述
此外，LTC
1154单高侧栅极驱动器允许使用低
成本N型沟道FET用于高侧开关应用。一
内部电荷泵使上述栅极驱动电压
正电源轨，充分提高N沟道MOS开关
无需外部元件。微功耗运行，具有
8μA待机电流和85μA工作电流，使
使用在几乎所有的与最大的效率的系统。
包括芯片是可编程的过流检测。
时间延迟可以被添加，以防止误触发上
高浪涌电流的负载。高电平有效关断输入
还提供了与直接接口到一个标准的PTC
热敏电阻的热关断。漏极开路输出
提供给到微处理器的主动汇报开关状态
.
低使能输入被提供给控制多个开关
在银行。
该LTC1154是采用8引脚DIP和8引脚SOIC封装
包。
L,
线性LT ， LTC ， LTM ，凌特和线性标识是注册商标
技术公司。所有其他商标均为其各自所有者的财产。
全面提升N沟道功率MOSFET
我8μA
Q
待机电流
85μA我
Q
在当前
无需外部电荷泵电容
4.5V至18V电源电压范围
短路保护
通过PTC热敏电阻热关断
状态输出指示关闭
提供8引脚SOIC和PDIP封装
应用
n
n
n
n
n
n
笔记本电脑电源开关
SCSI终端电源开关
蜂窝电话电源管理
电池充电管理
高端工业和汽车交换
步进电机和直流电机控制
典型用途
超低压降高边开关与
短路保护
5V
51k
IN
μP
EN
LTC1154
状态
GND
G
SD
IRLR024
V
S
0.1μF**
200k**
DS
0.036Ω*
2.7A MAX
电源电流（ μA ）
待机电源电流
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
5
10
15
电源电压（ V）
20
LTC1153 TA02
V
IN
= 0V
T
J
= 25°C
5V
负载
显示的所有元件都是贴片。
* IMS026国际制造业SERVICE ， INC 。 （ 401 ） 683-9700
**则无需再次负载电阻或电感。
LTC1154 TA01
1154fb
1
LTC1154
绝对最大额定值
（注1 ）
电源电压................................................ .......... 22V
输入电压....................... （V
S
+ 0.3V ）至（ GND - 0.3V ）
使能输入电压........... （V
S
+ 0.3V ）至（ GND - 0.3V ）
栅极电压......................... （V
S
+ 24V ）至（ GND - 0.3V ）
状态输出电压............................................... 15V
电流（任何引脚） ............................................. ...... 50毫安
工作温度
LTC1154C ................................................ 0 ° C至70℃
LTC1154H .......................................... -40 ° C至150°
存储温度范围....................- 65℃至150℃
引线温度（焊接， 10秒） ................. 300℃
引脚配置
顶视图
IN 1
启用
2
状态3
GND 4
8
7
6
5
V
S
漏感
门
关闭
IN 1
启用
2
状态3
GND 4
顶视图
8
7
6
5
V
S
漏感
门
关闭
N8包装
8引脚塑料DIP
T
JMAX
= 100°C,
θ
JA
= 130 ° C / W
S8包装
8引脚塑料SOIC
T
JMAX
= 100°C,
θ
JA
= 150 ° C / W
订购信息
无铅完成
LTC1154CN8#PBF
LTC1154CS8#PBF
LTC1154HS8#PBF
含铅涂层
LTC1154CN8
LTC1154CS8
LTC1154HS8
磁带和卷轴
LTC1154CN8#TRPBF
LTC1154CS8#TRPBF
LTC1154HS8#TRPBF
磁带和卷轴
LTC1154CN8#TR
LTC1154CS8#TR
LTC1154HS8#TR
1154
1154H
1154
1154H
最热
最热
包装说明
8引脚塑料DIP
8引脚塑料SIOC
8引脚塑料SIOC
包装说明
8引脚塑料DIP
8引脚塑料SIOC
8引脚塑料SIOC
温度范围
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
-40 ° C至150℃
温度范围
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
-40 ° C至150℃
咨询LTC营销部分特定网络版与更广泛的工作温度范围。
有关无铅零件标记的更多信息，请访问：
http://www.linear.com/leadfree/
有关磁带和卷轴特定网络阳离子的更多信息，请访问：
http://www.linear.com/tapeandreel/
该
l
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
温度范围内，另有规定的阳离子是在T
A
= 25°C 。 V
S
= 4.5V至18V ，T
A
= 25 ° C，V
EN
= 0V, V
SD
= 0V ，除非另有说明。
符号
V
S
I
Q
参数
电源电压
静态电流关
静态电流
静态电流
V
INH
输入高电压
V
S
= 5V, V
IN
= 0V
V
S
= 5V, V
IN
= 5V
V
S
= 12V, V
IN
= 5V
l
电气特性
条件
l
民
4.5
典型值
8
85
180
最大
18
20
120
400
单位
V
μA
μA
μA
V
1154fb
2
2
LTC1154
典型性能特性
待机电源电流
50
45
40
电源电流（ μA ）
35
30
25
20
15
10
5
0
–50
–25
V
S
= 18V
V
S
= 5V
50
25
0
75
温度（℃）
100
125
电源电流（ μA ）
V
IN
= 0V
V
EN
= 0V
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
–50
V
S
= 5V
V
S
= 12V
输入门限电压（ V）
V
IN
= 5V
V
EN
= 0V
电源电流
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
100
125
输入阈值电压
V
S
= 5V
V
S
= 18V
–25
25
0
50
75
温度（℃）
0.4
–50
–25
25
0
50
75
温度（℃）
100
125
LTC1154 TPC10
LTC1154 TPC11
LTC1154 TPC12
关断阈值电压
2.4
关断阈值电压（ V）
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
–50
–25
25
0
50
75
温度（℃）
100
125
V
S
= 5V
V
S
= 18V
启用阈值电压（V ）
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
启用
阈值电压
V
S
= 12V
1000
栅极驱动电流
T
A
= 25°C
栅极驱动电流（ μA ）
100
V
S
= 18V
V
S
= 12V
10
关闭
1
V
S
= 5V
启用
–25
25
0
50
75
温度（℃）
100
125
0.1
0
4
8
12
16
栅极电压高于电源（V ）
20
0
–50
LTC1154 TPC13
LTC1154 TPC14
LTC1154 TPC15
引脚功能
输入和关断引脚
该LTC1154的输入引脚为高电平有效，并激活所有的
保护和电荷泵电路，当接通电源。
关断引脚的目的是立即停用
如果二次故障状态切换（过温，
等）被检测到。该LTC1154的逻辑和关断输入
是高阻抗CMOS门电路具有ESD保护
二极管到地和电源，因此，不应该
强行超越电源轨。关断引脚
应连接到地在不使用时。
启用
输入引脚
该
启用
输入可以用来使若干
LTC1154高压侧开关在银行或提供节
控制继发手段。它也可以作为一个反相
输入。该
启用
输入是高阻抗CMOS门
与ESD钳位二极管接地和电源，因此
不应该强迫超出电源轨。这
引脚应接地不使用时。
1154fb
5
LTC4441/LTC4441-1
N沟道MOSFET
栅极驱动器
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
描述
此外，LTC
4441 / LTC4441-1是一个N沟道MOSFET的栅极
驱动器，可提供高达峰值输出电流为6A 。
该芯片被设计成与一个电源电压工作
高达25V ，并具有用于可调节的线性稳压器
栅极驱动。栅极驱动电压可以被编程
与5V和8V 。
该LTC4441 / LTC4441-1具有逻辑驱动器的阈值
输入。该输入可以被驱动低于地或高于
驱动电源。一种双功能的控制输入被提供给
禁用该驱动程序或迫使芯片进入关断模式
随着电源电流<12μA 。欠压锁定和
过温保护电路将禁用该驱动程序
输出被激活时。该LTC4441还配备了一个
开漏输出，可提供可调的前沿
消隐，以防止振荡感应电流源时，
租的功率MOSFET 。
该LTC4441是采用耐热增强型10引线
MSOP封装。该LTC4441-1是SO- 8版无
消隐功能。
L,
线性LT ， LTC ， LTM ，凌特和线性标识是注册商标
技术公司。所有其他商标均为其各自所有者的财产。
由美国专利包括6677210保护。
n
6A峰值输出电流
宽V
IN
电源电压范围： 5V至25V
可调式栅极驱动电压： 5V至8V
逻辑输入可驱动地电位以下
30ns的传播延迟
供应独立的CMOS / TTL输入阈值
欠压锁定
低关断电流： <12μA
过热保护
可调消隐时间为MOSFET的
电流检测信号（ LTC4441 ）
可在SO -8和10引脚MSOP
（裸露焊盘）封装
应用
n
n
n
n
电源
马达/继电器控制
线路驱动器
电荷泵
典型用途
V
IN
6V至24V
R5
关闭
Q2
R6
R1
330k
R2
86.6k
V
IN
D1
L1
MBR10100
10μH 20A
+
FB
SGND
LTC4441
EN / SHDN
R7
DRV
CC
OUT
C
VCC
10F
X5R
22F
25V
X7R
C
OUT
+
V
OUT
52V
2A
上升/下降时间对C
负载
200
T
A
= 25°C
180 DRV
CC
= 5V
160
上升/下降时间（ NS ）
140
120
100
80
60
40
下降时间
上升时间
Si7370
×2
R3
5m
LTC3803
开关
调节器
门
SENSE
+
GND
FB
RBLANK
IN
保护地
空白
R4
100
R8
511k
R9
8.06k
4441 TA01a
20
0
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
C
负载
（ NF）
4441 TA01b
44411fa
1
LTC4441/LTC4441-1
绝对最大额定值
（注1,8 ）
电源电压
V
IN
............................................................................28V
DRV
CC
.........................................................................9V
输入电压
在................................................. ............- 15V至15V
FB ， EN / SHDN ..........................- 0.3V至DRV
CC
+ 0.3V
RBLANK ，空（ LTC4441只） ............ -0.3V至5V
OUT输出电流............................................百毫安
工作结温范围
（注2 ） .............................................. .... -55 ° C至125°C
存储温度范围.................. -65℃ 150℃
引线温度（焊接， 10秒） .................. 300℃
引脚配置
顶视图
保护地
空白
RBLANK
SGND
IN
1
2
3
4
5
10
9
8
7
6
OUT
DRV
CC
V
IN
FB
EN / SHDN
保护地1
SGND 2
IN 3
EN / SHDN 4
顶视图
8
7
6
5
OUT
DRV
CC
V
IN
FB
11
MSE包
10引脚塑料MSOP
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 38 ℃/ W（注3 ）
裸露焊盘（引脚11 ）为GND ，必须焊接到PCB
S8包装
8引脚塑料SO
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 150 ° C / W
订购信息
无铅完成
LTC4441EMSE#PBF
LTC4441IMSE#PBF
LTC4441MPMSE#PBF
LTC4441ES8-1#PBF
LTC4441IS8-1#PBF
含铅涂层
LTC4441EMSE
LTC4441IMSE
LTC4441MPMSE
LTC4441ES8-1
LTC4441IS8-1
磁带和卷轴
LTC4441EMSE#TRPBF
LTC4441IMSE#TRPBF
LTC4441MPMSE#TRPBF
LTC4441ES8-1#TRPBF
LTC4441IS8-1#TRPBF
磁带和卷轴
LTC4441EMSE#TR
LTC4441IMSE#TR
LTC4441MPMSE#TR
LTC4441ES8-1#TR
LTC4441IS8-1#TR
最热*
LTBJQ
LTBJP
LTBJP
44411
4441I1
最热*
LTBJQ
LTBJP
LTBJP
44411
4441I1
包装说明
10引脚塑料MSOP
10引脚塑料MSOP
10引脚塑料MSOP
8引脚塑料SO
8引脚塑料SO
包装说明
10引脚塑料MSOP
10引脚塑料MSOP
10引脚塑料MSOP
8引脚塑料SO
8引脚塑料SO
温度范围
-40_C到125_C
-40_C到125_C
-55 ° C至125°C
-40_C到125_C
-40_C到125_C
温度范围
-40_C到125_C
-40_C到125_C
-55 ° C至125°C
-40_C到125_C
-40_C到125_C
咨询LTC营销与更广泛的工作温度范围规定的部分。 *温度等级标识在包装盒上的标签。
有关无铅零件标记的更多信息，请访问：
http://www.linear.com/leadfree/
有关磁带和卷轴特定网络阳离子的更多信息，请访问：
http://www.linear.com/tapeandreel/
44411fa
2
LTC4441/LTC4441-1
电气特性
符号
V
DRVCC
I
VIN
参数
驱动器电源可编程范围
V
IN
电源电流
EN / SHDN = 0V ，IN = 0V
EN / SHDN = 5V ， IN = 0V
f
IN
= 100kHz时，C
OUT
= 4.7nF （注4 ）
V
IN
= 7.5V
V
IN
= 7.5V至25V
负荷= 0mA至40毫安
LOAD = 40毫安
上升沿
下降沿
上升沿
下降沿
上升，下降沿
V
IN
= ±10V
V
EN / SHDN
= 9V
下降沿
上升沿
下降沿
上升，下降沿
I
OUT
= 100毫安
DRV
CC
= 8V
DRV
CC
= 8V
IN = 0V时，我
空白
= 100毫安LTC4441仅
RBLANK = 200kΩ的LTC4441仅
C
OUT
= 4.7nF （注5 ）
C
OUT
= 4.7nF （注5 ）
C
OUT
= 4.7nF （注5 ）
C
OUT
= 4.7nF （注5 ）
RBLANK = 200kΩ的（注6 ）
l
l
l
l
l
l
该
l
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
结温范围内，另有规定的阳离子是在T
A
= 25 ℃（注2） 。 V
IN
= 7.5V ， DRV
CC
= 5V ，除非另有规定ED 。
条件
l
l
l
民
5
典型值
5
250
3
最大
8
12
500
6
1.31
40
单位
V
μA
μA
mA
V
mV
%
mV
V
V
DRV
CC
调节器
V
FB
ΔV
DRVCC （ LINE）
V
降
V
UVLO
输入
V
IH
V
IL
V
IH
-V
IL
I
INP
I
EN / SHDN
V
SHDN
V
EN
V
EN （ HYST ）
产量
R
ONL
I
PU
I
PD
R
ON （空白）
V
RBLANK
t
PHL
t
PLH
t
r
t
f
t
空白
驱动器输出下拉电阻
驱动器输出峰值上拉电流
驱动器输出峰值下拉电流
BLANK引脚下拉电阻
RBLANK引脚电压
驱动器输出高，低传输延迟
驱动器输出低到高传输延迟
驱动器输出上升时间
驱动器输出下降时间
驱动器输出高到BLANK引脚高
0.35
6
6
11
1.3
30
36
13
8
200
0.8
Ω
A
A
Ω
V
ns
ns
ns
ns
ns
IN引脚的高输入阈值
IN引脚低电平输入阈值
IN引脚输入电压迟滞
IN引脚输入电流
EN / SHDN引脚输入电流
EN / SHDN引脚关断阈值
EN / SHDN引脚使能阈值
EN / SHDN引脚使能迟滞
2
1
2.4
1.4
1
±0.01
±0.01
0.45
1.036
1.21
1.09
0.12
1.145
±10
±1
2.8
1.8
V
V
V
μA
μA
V
V
V
V
稳压器的反馈电压
稳压线路调整
稳压器输出电压差
FB引脚电压UVLO
l
1.11
1.21
9
–0.1
370
1.09
0.97
ΔV
DRVCC （ LOAD ）
负载调整率
切换时机
注1 ：
强调超越上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。暴露于任何绝对
最大额定值条件下工作会影响器件
可靠性和寿命。
注2 ：
该LTC4441 / LTC4441-1是脉冲负载条件下测试
例如那件T
J
≈ T
A
。该LTC4441E / LTC4441E -1 ，保证满足
在0°C的性能规格， 85° C的工作结
温度。规格在-40° C至125 ° C的工作结
温度范围由设计特性和相关性有保证
统计过程控制。该LTC4441I / LTC4441I - 1级的
保证工作在-40 ° C至125 ° C的工作结温
范围内。该LTC4441MP保证和测试，在整个-55°C至
125 ° C的工作结温范围内。注意，该最大
环境温度与这些特定网络连接的阳离子由下式确定一致
与电路板布局结合特定网络C的工作条件下，额定
封装的热阻抗和其他环境因素。结
温度（T
J
，单位为℃ ） ，从环境温度计算
(T
A
，单位为℃ ）和功耗（P
D
在瓦）根据下式：
T
J
= T
A
+ (P
D
θ
JA
)
哪里
θ
JA
（单位为℃ / W）是封装的热阻抗。
44411fa
3
LTC4441/LTC4441-1
电气特性
注3 ：
否则焊接MSE封装的裸露焊盘到PC
板将导致热阻小于38° C / W的高得多。
注4 ：
在正常操作中供给的电流由电流占主导地位
需要进行充电和放电的外部功率MOSFET的栅极。这
电流会随着电源电压，开关频率和所述外部
MOSFET的使用。
注5 ：
上升和下降时间是使用10 ％和90％水平的测定。
延迟时间是从输入的50 ％开始，到20％/ 80％的水平驱动
输出。
注6 ：
消隐时间是从输出的前缘50 ％开始，到10％的
空白与一个1kΩ的上拉，在BLANK引脚。 LTC4441只。
注7 ：
通过设计保证，不受测试。
注8 ：
该IC具有过热保护，旨在
在瞬间过载条件下保护器件。结
温度超过125°C时，过热保护功能被激活。
上面的最大工作结温持续运行
可能会影响器件的可靠性。
典型性能特性
IN引脚低阈值电压
与温度
1.8
V
IN
= 7.5V
DRV
CC
= 5V
1.7
IN引脚输入门限（ V）
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
25 50 75
–75 –50 –25 0
温度（℃）
100 125
4441 G01
IN引脚高阈值电压
与温度
2.8
EN引脚输入门限电压（ V）
V
IN
= 7.5V
DRV
CC
= 5V
2.7
IN引脚输入门限（ V）
2.6
2.5
2.4
2.3
2.2
2.1
2.0
25 50 75
–75 –50 –25 0
温度（℃）
100 125
4441 G02
EN引脚输入门限电压
与温度
1.30
V
IN
= 7.5V
1.28
DRV
CC
= 5V
1.26
1.24
上升沿
1.22
1.20
1.18
1.16
1.14
1.12
下降沿
1.10
1.08
1.06
1.04
25 50 75 100 125
–75 –50 –25 0
温度（℃）
4441 G03
FB引脚UVLO门限
与温度
1.20
FB引脚UVLO阈值电压（ V）
1.16
1.12
1.08
1.04
1.00
0.96
0.92
0.88
0.84
25 50 75
–75 –50 –25 0
温度（℃）
100 125
4441 G04
SD引脚输入门限电压
与温度
0.80
SD引脚输入门限电压（ V）
V
IN
= 7.5V
0.75 DRV
CC
= 5V
0.70
上升沿
DRV
CC
电压（V）的
0.65
0.60
0.55
0.50
0.45
0.40
0.35
0.30
25 50 75
–75 –50 –25 0
温度（℃）
100 125
4441 G05
V
IN
= 7.5V
上升沿
5.50
DRV
CC
电压与温度
R1 = 330K
5.45 R2 = 10万
5.40
5.35
5.30
5.25
5.20
5.15
5.10
5.05
5.00
25 50 75
–75 –50 –25 0
温度（℃）
100 125
4441 G06
下降沿
V
IN
= 25V
V
IN
= 7.5V
下降沿
44411fa
4
LTC4441/LTC4441-1
典型性能特性
5.50
DRV
CC
负载调整率
DRV
CC
漏失电压（MV ）
V
IN
= 7.5V
5.45 T
A
= 25°C
R1 = 330K
5.40 R2 = 10万
5.35
DRV
CC
(V)
DRV
CC
(V)
5.30
5.25
5.20
5.15
5.10
5.05
5.00
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
I
负载
（MA ）
4441 G07
5.30
DRV
CC
线路调整
DRV
CC
输入输出电压差
与温度
1000
V
IN
= 7.5V
900 DRV
CC
= 5V
= 40毫安
I
800
负载
700
600
500
400
300
200
100
T
A
= 25°C
R1 = 330K
5.25 R2 = 10万
5.20
5.15
5.10
5.05
5.00
0
5
10
15
V
IN
(V)
20
25
30
4441 G08
0
25 50 75
–75 –50 –25 0
温度（℃）
100 125
4441 G09
OUT引脚下拉电阻
与温度
0.8
OUT引脚下拉电阻（ ）
V
IN
= 7.5V
DRV
CC
= 5V
0.7
0.6
t
PLH
, t
PHL
（纳秒）
60
50
40
30
20
10
t
PLH
, t
PHL
VS DRV
CC
T
A
= 25°C
C
负载
= 4.7nF
60
50
40
30
20
10
t
PLH
, t
PHL
与温度
V
DRVCC
= 5V
C
负载
= 4.7nF
t
PLH
0.4
0.3
0.2
0.1
0
25 50 75
–75 –50 –25 0
温度（℃）
100 125
4441 G10
t
PLH
, t
PHL
（纳秒）
0.5
t
PLH
t
PHL
t
PHL
0
4.5 5.0 5.5 6.0 6.5 7.0 7.5 8.0 8.5 9.0
DRV
CC
(V)
4441 G11
0
–75 –50 –25 0
25 50 75
温度（℃）
100 125
4441 G12
100
t
PLH
, t
PHL
对C
负载
T
A
= 25°C
90 DRV
CC
= 5V
80
70
上升/下降时间（ NS ）
t
PLH
30
25
20
15
10
5
上升/下降时间VS DRV
CC
T
A
= 25°C
C
负载
= 4.7nF
上升/下降时间（ NS ）
上升/下降时间与温度
30
25
20
上升时间
15
10
下降时间
5
0
–50
V
DRVCC
= 5V
C
负载
= 4.7nF
t
PLH
, t
PHL
（纳秒）
60
50
40
30
20
10
0
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
C
负载
（ NF）
4441 G13
t
PHL
上升时间
下降时间
0
4.5 5.0 5.5 6.0 6.5 7.0 7.5 8.0 8.5 9.0
DRV
CC
(V)
4441 G14
–25
0
50
75
25
温度（℃）
100
125
4441 G15
44411fa
5
QQ：2880707522 复制
