LTC4442/LTC4442-1
高速同步
N沟道MOSFET驱动器
特点
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
描述
此外，LTC
4442是设计一个高频栅极驱动器
驱动两个N沟道MOSFET的同步降压
DC / DC变换器的拓扑结构。强大的驱动器capabil-
性降低开关损耗的MOSFET在高门
电容。
的LTC4442设有用于输入单独的电源
逻辑，以匹配控制器IC的信号摆幅。如果
输入信号没有被驱动，则LTC4442激活
关断模式，关闭两个外部MOSFET 。
输入逻辑信号由内部电平转换来的
自举电源，它可以起到在高达42V
在地面上。
该LTC4442包含欠压锁定电路
司机和逻辑电源是关闭外部
当MOSFET的欠压条件存在。
该LTC4442和LTC4442-1具有不同的欠压
锁定阈值，以适应各种各样的AP-的
并发症。自适应贯通保护功能是
还内置了以防止MOSFET造成功率损失
交叉传导电流。
该LTC4442 / LTC4442-1可在热
增强型8引线MSOP封装。
， LT ， LTC和LTM是凌力尔特公司的注册商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
宽V
CC
范围： 6V至9.5V
38V最大输入电源电压
自适应贯通保护
2.4A峰值上拉电流
5A峰值下拉电流
TG为8ns下降时间驱动3000pF的负载
TG为12ns上升时间驱动3000pF的负载
独立的电源来匹配PWM控制器
驱动器双N沟道MOSFET
欠压锁定
耐热增强型MSOP封装
应用
■
■
分布式电源架构
高密度电源模块
典型用途
同步降压转换器驱动器
V
CC
6V
BOOST
LTC4442
V
逻辑
V
CC
PWM
IN
GND
4442 TA01a
LTC4442驱动3000pF的容性负载
V
IN
32V
输入（ IN）的
5V/DIV
TG
TS
BG
V
OUT
底部
门（ BG）的
5V/DIV
顶栅
（TG- TS）的
5V/DIV
10ns/DIV
4442 TA01b
4442fa
1
LTC4442/LTC4442-1
绝对最大额定值
（注1 ）
引脚配置
顶视图
TG
TS
BG
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
BOOST
V
CC
V
逻辑
IN
9
电源电压
V
CC
.................................................. ....... -0.3V至10V
V
逻辑
.................................................. .. -0.3V至10V
BOOST - TS ........................................... -0.3V到10V
电压................................................ .. -0.3V至10V
升压.......................................... -0.3V至42V
TS电压................................................ ..... -5V至38V
TS + V
CC
...................................................................42V
驱动器输出TG （相对于TS ） ....... -0.3V至10V
驱动器输出BG ........................................ -0.3V至10V
工作温度范围（注2 ） ...... -40 ° C至85°C
结温（注3 ） ............................. 125°C
存储温度范围................... -65℃ 150℃
引线温度（焊接， 10秒） .................. 300℃
MS8E套餐
8引脚塑料MSOP
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 160 ° C / W
裸露焊盘（PIN ＃ ）为GND ，必须焊接到PCB
订购信息
无铅完成
LTC4442EMS8E#PBF
LTC4442IMS8E#PBF
LTC4442EMS8E-1#PBF
LTC4442IMS8E-1#PBF
磁带和卷轴
LTC4442EMS8E#TRPBF
LTC4442IMS8E#TRPBF
最热*
LTCTJ
LTCTJ
包装说明
8引脚塑料MSOP
8引脚塑料MSOP
8引脚塑料MSOP
8引脚塑料MSOP
温度范围
-40 ° C至85°C
-40 ° C至85°C
-40 ° C至85°C
-40 ° C至85°C
LTC4442EMS8E -1 ＃ TRPBF LTCXR
LTC4442IMS8E -1 ＃ TRPBF LTCXR
咨询LTC营销部分特定网络版与更广泛的工作温度范围。 *温度等级为identi网络由在包装盒上的标签编。
咨询LTC营销非标准铅基音响光洁度部分信息。
有关无铅零件标记的更多信息，请访问：
http://www.linear.com/leadfree/
有关磁带和卷轴特定网络阳离子的更多信息，请访问：
http://www.linear.com/tapeandreel/
电气特性
符号
V
逻辑
I
VLOGIC
UVLO
参数
工作范围
直流电源电流
欠压锁定阈值
逻辑电源（V
逻辑
)
该
●
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
温度范围内，另有规定的阳离子是在T
A
= 25°C 。 V
CC
= V
BOOST
= 7V, V
TS
= GND = 0V ，V
逻辑
= 5V ，除非另有说明。
条件
民
3
IN =浮动
V
逻辑
升起
V
逻辑
落下
迟滞
●
●
典型值
最大
9.5
单位
V
μA
V
V
mV
V
μA
730
2.5
2.4
2.75
2.65
100
850
3.0
2.9
栅极驱动电压（V
CC
)
V
CC
I
VCC
工作范围
直流电源电流
IN =浮动
6
300
9.5
380
4442fa
2
LTC4442/LTC4442-1
电气特性
符号
UVLO
参数
欠压锁定阈值
该
●
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
温度范围内，另有规定的阳离子是在T
A
= 25°C 。 V
CC
= V
BOOST
= 7V, V
TS
= GND = 0V ，V
逻辑
= 5V ，除非另有说明。
条件
V
CC
瑞星（ LTC4442 ）
V
CC
下降（ LTC4442 ）
迟滞（ LTC4442 ）
V
CC
瑞星（ LTC4442-1 ）
V
CC
下降（ LTC4442-1 ）
迟滞（ LTC4442-1 ）
●
●
●
●
民
2.75
2.60
5.6
4.7
典型值
3.20
3.04
160
6.2
5.3
850
325
最大
3.65
3.50
6.7
5.8
单位
V
V
mV
V
V
mV
μA
V
V
V
V
自举电源（ BOOST - TS ）
I
BOOST
输入信号（IN）的
V
IH（ TG）的
V
白细胞介素（ TG ）
V
IH（ BG）的
V
白细胞介素（ BG ）
I
中（SD）的
TG开启输入阈值
TG打开开关量输入阈值
BG导通上输入阈值
BG导通关输入Theshold
最大电流进入或离开的
关断模式
TG高输出电压
TG低输出电压
TG山顶上拉电流
TG峰值下拉电流
BG高输出电压
BG低输出电压
BG山顶上拉电流
BG峰值下拉电流
BG低到高TG传输延迟
低到TG低传输延迟
TG低血糖高传输延迟
高到BG低传输延迟
TG输出上升时间
TG输出下降时间
BG输出上升时间
BG输出下降时间
10% – 90%, C
L
= 3nF的
10% – 90%, C
L
= 3nF的
10% – 90%, C
L
= 3nF的
10% – 90%, C
L
= 3nF的
I
BG
= -10mA ，V
OH （ BG ）
= V
CC
– V
BG
I
BG
= 100毫安
●
●
直流电源电流
IN =浮动
V
逻辑
≥ 5V ，瑞星
V
逻辑
= 3.3V ，瑞星
V
逻辑
≥ 5V ，在属于
V
逻辑
= 3.3V ，在属于
V
逻辑
≥ 5V ，在属于
V
逻辑
= 3.3V ，在属于
V
逻辑
≥ 5V ，瑞星
V
逻辑
= 3.3V ，瑞星
V
逻辑
≥ 5V ，浮动
V
逻辑
= 3.3V ，浮动
I
TG
= -10mA ，V
OH （ TG ）
= V
BOOST
– V
TG
I
TG
= 100mA时V
OL （ TG）的
= V
TG
– V
TS
●
●
●
●
●
●
400
4.0
2.6
3.0
1.9
3.5
2.2
3.25
2.09
0.8
0.8
1.25
1.10
1.50
1.21
1.6
1.4
V
V
V
V
μA
μA
V
mV
A
A
V
mV
A
A
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
200
100
300
150
0.7
100
高侧栅极驱动器输出（ TG ）
V
OH （ TG ）
V
OL （ TG）的
I
PU （ TG ）
I
PD（ TG）的
V
OH （ BG ）
V
OL （ BG ）
I
PU （ BG ）
I
PD（ BG）的
开关时间
t
PLH （ TG）的
t
PHL （ TG ）
t
PLH （ BG ）
t
PHL （ BG ）
t
R（ TG ）
t
F（ TG）的
t
R（ BG ）
t
R（ BG ）
20
12
20
12
12
8
12
5
1.5
1.5
2.4
2.4
0.7
100
低侧栅极驱动器输出（ BG ）
1.4
3.5
2.4
5.0
注1 ：
强调超越上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。暴露于任何绝对
最大额定值条件下工作会影响器件
可靠性和寿命。
注2 ：
该LTC4442I / LTC4442I -1 ，保证满足特定连接的阳离子
从-40 ° C到85°C 。该LTC4442E / LTC4442E -1 ，保证满足
特定连接的阳离子从0° C至85°C与特定网络连接的阳离子在-40° C至
85 ° C的工作温度范围内保证了设计，表征和
相关的统计过程控制。
T
J
从周围温度T计算出的
A
和功耗P
D
根据下列公式计算：
T
J
= T
A
+ （ PD
θ
JA
° C / W）
注3 ：
该IC具有过热保护，旨在
在瞬间过载条件下，以保护设备。连接点
温度超过125°C时，过热保护功能被激活。
上述特定网络连续运行主编最高工作结
温度可能会影响器件的可靠性。
4442fa
3
LTC1154
高端微
MOSFET驱动器
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
描述
此外，LTC
1154单高侧栅极驱动器允许使用低
成本N型沟道FET用于高侧开关应用。一
内部电荷泵使上述栅极驱动电压
正电源轨，充分提高N沟道MOS开关
无需外部元件。微功耗运行，具有
8μA待机电流和85μA工作电流，使
使用在几乎所有的与最大的效率的系统。
包括芯片是可编程的过流检测。
时间延迟可以被添加，以防止误触发上
高浪涌电流的负载。高电平有效关断输入
还提供了与直接接口到一个标准的PTC
热敏电阻的热关断。漏极开路输出
提供给到微处理器的主动汇报开关状态
.
低使能输入被提供给控制多个开关
在银行。
该LTC1154是采用8引脚DIP和8引脚SOIC封装
包。
L,
线性LT ， LTC ， LTM ，凌特和线性标识是注册商标
技术公司。所有其他商标均为其各自所有者的财产。
全面提升N沟道功率MOSFET
我8μA
Q
待机电流
85μA我
Q
在当前
无需外部电荷泵电容
4.5V至18V电源电压范围
短路保护
通过PTC热敏电阻热关断
状态输出指示关闭
提供8引脚SOIC和PDIP封装
应用
n
n
n
n
n
n
笔记本电脑电源开关
SCSI终端电源开关
蜂窝电话电源管理
电池充电管理
高端工业和汽车交换
步进电机和直流电机控制
典型用途
超低压降高边开关与
短路保护
5V
51k
IN
μP
EN
LTC1154
状态
GND
G
SD
IRLR024
V
S
0.1μF**
200k**
DS
0.036Ω*
2.7A MAX
电源电流（ μA ）
待机电源电流
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
5
10
15
电源电压（ V）
20
LTC1153 TA02
V
IN
= 0V
T
J
= 25°C
5V
负载
显示的所有元件都是贴片。
* IMS026国际制造业SERVICE ， INC 。 （ 401 ） 683-9700
**则无需再次负载电阻或电感。
LTC1154 TA01
1154fb
1
LTC1154
绝对最大额定值
（注1 ）
电源电压................................................ .......... 22V
输入电压....................... （V
S
+ 0.3V ）至（ GND - 0.3V ）
使能输入电压........... （V
S
+ 0.3V ）至（ GND - 0.3V ）
栅极电压......................... （V
S
+ 24V ）至（ GND - 0.3V ）
状态输出电压............................................... 15V
电流（任何引脚） ............................................. ...... 50毫安
工作温度
LTC1154C ................................................ 0 ° C至70℃
LTC1154H .......................................... -40 ° C至150°
存储温度范围....................- 65℃至150℃
引线温度（焊接， 10秒） ................. 300℃
引脚配置
顶视图
IN 1
启用
2
状态3
GND 4
8
7
6
5
V
S
漏感
门
关闭
IN 1
启用
2
状态3
GND 4
顶视图
8
7
6
5
V
S
漏感
门
关闭
N8包装
8引脚塑料DIP
T
JMAX
= 100°C,
θ
JA
= 130 ° C / W
S8包装
8引脚塑料SOIC
T
JMAX
= 100°C,
θ
JA
= 150 ° C / W
订购信息
无铅完成
LTC1154CN8#PBF
LTC1154CS8#PBF
LTC1154HS8#PBF
含铅涂层
LTC1154CN8
LTC1154CS8
LTC1154HS8
磁带和卷轴
LTC1154CN8#TRPBF
LTC1154CS8#TRPBF
LTC1154HS8#TRPBF
磁带和卷轴
LTC1154CN8#TR
LTC1154CS8#TR
LTC1154HS8#TR
1154
1154H
1154
1154H
最热
最热
包装说明
8引脚塑料DIP
8引脚塑料SIOC
8引脚塑料SIOC
包装说明
8引脚塑料DIP
8引脚塑料SIOC
8引脚塑料SIOC
温度范围
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
-40 ° C至150℃
温度范围
0 ° C至70℃
0 ° C至70℃
-40 ° C至150℃
咨询LTC营销部分特定网络版与更广泛的工作温度范围。
有关无铅零件标记的更多信息，请访问：
http://www.linear.com/leadfree/
有关磁带和卷轴特定网络阳离子的更多信息，请访问：
http://www.linear.com/tapeandreel/
该
l
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
温度范围内，另有规定的阳离子是在T
A
= 25°C 。 V
S
= 4.5V至18V ，T
A
= 25 ° C，V
EN
= 0V, V
SD
= 0V ，除非另有说明。
符号
V
S
I
Q
参数
电源电压
静态电流关
静态电流
静态电流
V
INH
输入高电压
V
S
= 5V, V
IN
= 0V
V
S
= 5V, V
IN
= 5V
V
S
= 12V, V
IN
= 5V
l
电气特性
条件
l
民
4.5
典型值
8
85
180
最大
18
20
120
400
单位
V
μA
μA
μA
V
1154fb
2
2
LTC1154
典型性能特性
待机电源电流
50
45
40
电源电流（ μA ）
35
30
25
20
15
10
5
0
–50
–25
V
S
= 18V
V
S
= 5V
50
25
0
75
温度（℃）
100
125
电源电流（ μA ）
V
IN
= 0V
V
EN
= 0V
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
–50
V
S
= 5V
V
S
= 12V
输入门限电压（ V）
V
IN
= 5V
V
EN
= 0V
电源电流
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
100
125
输入阈值电压
V
S
= 5V
V
S
= 18V
–25
25
0
50
75
温度（℃）
0.4
–50
–25
25
0
50
75
温度（℃）
100
125
LTC1154 TPC10
LTC1154 TPC11
LTC1154 TPC12
关断阈值电压
2.4
关断阈值电压（ V）
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
–50
–25
25
0
50
75
温度（℃）
100
125
V
S
= 5V
V
S
= 18V
启用阈值电压（V ）
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
启用
阈值电压
V
S
= 12V
1000
栅极驱动电流
T
A
= 25°C
栅极驱动电流（ μA ）
100
V
S
= 18V
V
S
= 12V
10
关闭
1
V
S
= 5V
启用
–25
25
0
50
75
温度（℃）
100
125
0.1
0
4
8
12
16
栅极电压高于电源（V ）
20
0
–50
LTC1154 TPC13
LTC1154 TPC14
LTC1154 TPC15
引脚功能
输入和关断引脚
该LTC1154的输入引脚为高电平有效，并激活所有的
保护和电荷泵电路，当接通电源。
关断引脚的目的是立即停用
如果二次故障状态切换（过温，
等）被检测到。该LTC1154的逻辑和关断输入
是高阻抗CMOS门电路具有ESD保护
二极管到地和电源，因此，不应该
强行超越电源轨。关断引脚
应连接到地在不使用时。
启用
输入引脚
该
启用
输入可以用来使若干
LTC1154高压侧开关在银行或提供节
控制继发手段。它也可以作为一个反相
输入。该
启用
输入是高阻抗CMOS门
与ESD钳位二极管接地和电源，因此
不应该强迫超出电源轨。这
引脚应接地不使用时。
1154fb
5
LTC4441/LTC4441-1
N沟道MOSFET
栅极驱动器
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
描述
此外，LTC
4441 / LTC4441-1是一个N沟道MOSFET的栅极
驱动器，可提供高达峰值输出电流为6A 。
该芯片被设计成与一个电源电压工作
高达25V ，并具有用于可调节的线性稳压器
栅极驱动。栅极驱动电压可以被编程
与5V和8V 。
该LTC4441 / LTC4441-1具有逻辑驱动器的阈值
输入。该输入可以被驱动低于地或高于
驱动电源。一种双功能的控制输入被提供给
禁用该驱动程序或迫使芯片进入关断模式
随着电源电流<12μA 。欠压锁定和
过温保护电路将禁用该驱动程序
输出被激活时。该LTC4441还配备了一个
开漏输出，可提供可调的前沿
消隐，以防止振荡感应电流源时，
租的功率MOSFET 。
该LTC4441是采用耐热增强型10引线
MSOP封装。该LTC4441-1是SO- 8版无
消隐功能。
L,
线性LT ， LTC ， LTM ，凌特和线性标识是注册商标
技术公司。所有其他商标均为其各自所有者的财产。
由美国专利包括6677210保护。
n
6A峰值输出电流
宽V
IN
电源电压范围： 5V至25V
可调式栅极驱动电压： 5V至8V
逻辑输入可驱动地电位以下
30ns的传播延迟
供应独立的CMOS / TTL输入阈值
欠压锁定
低关断电流： <12μA
过热保护
可调消隐时间为MOSFET的
电流检测信号（ LTC4441 ）
可在SO -8和10引脚MSOP
（裸露焊盘）封装
应用
n
n
n
n
电源
马达/继电器控制
线路驱动器
电荷泵
典型用途
V
IN
6V至24V
R5
关闭
Q2
R6
R1
330k
R2
86.6k
V
IN
D1
L1
MBR10100
10μH 20A
+
FB
SGND
LTC4441
EN / SHDN
R7
DRV
CC
OUT
C
VCC
10F
X5R
22F
25V
X7R
C
OUT
+
V
OUT
52V
2A
上升/下降时间对C
负载
200
T
A
= 25°C
180 DRV
CC
= 5V
160
上升/下降时间（ NS ）
140
120
100
80
60
40
下降时间
上升时间
Si7370
×2
R3
5m
LTC3803
开关
调节器
门
SENSE
+
GND
FB
RBLANK
IN
保护地
空白
R4
100
R8
511k
R9
8.06k
4441 TA01a
20
0
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
C
负载
（ NF）
4441 TA01b
44411fa
1
LTC4441/LTC4441-1
绝对最大额定值
（注1,8 ）
电源电压
V
IN
............................................................................28V
DRV
CC
.........................................................................9V
输入电压
在................................................. ............- 15V至15V
FB ， EN / SHDN ..........................- 0.3V至DRV
CC
+ 0.3V
RBLANK ，空（ LTC4441只） ............ -0.3V至5V
OUT输出电流............................................百毫安
工作结温范围
（注2 ） .............................................. .... -55 ° C至125°C
存储温度范围.................. -65℃ 150℃
引线温度（焊接， 10秒） .................. 300℃
引脚配置
顶视图
保护地
空白
RBLANK
SGND
IN
1
2
3
4
5
10
9
8
7
6
OUT
DRV
CC
V
IN
FB
EN / SHDN
保护地1
SGND 2
IN 3
EN / SHDN 4
顶视图
8
7
6
5
OUT
DRV
CC
V
IN
FB
11
MSE包
10引脚塑料MSOP
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 38 ℃/ W（注3 ）
裸露焊盘（引脚11 ）为GND ，必须焊接到PCB
S8包装
8引脚塑料SO
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 150 ° C / W
订购信息
无铅完成
LTC4441EMSE#PBF
LTC4441IMSE#PBF
LTC4441MPMSE#PBF
LTC4441ES8-1#PBF
LTC4441IS8-1#PBF
含铅涂层
LTC4441EMSE
LTC4441IMSE
LTC4441MPMSE
LTC4441ES8-1
LTC4441IS8-1
磁带和卷轴
LTC4441EMSE#TRPBF
LTC4441IMSE#TRPBF
LTC4441MPMSE#TRPBF
LTC4441ES8-1#TRPBF
LTC4441IS8-1#TRPBF
磁带和卷轴
LTC4441EMSE#TR
LTC4441IMSE#TR
LTC4441MPMSE#TR
LTC4441ES8-1#TR
LTC4441IS8-1#TR
最热*
LTBJQ
LTBJP
LTBJP
44411
4441I1
最热*
LTBJQ
LTBJP
LTBJP
44411
4441I1
包装说明
10引脚塑料MSOP
10引脚塑料MSOP
10引脚塑料MSOP
8引脚塑料SO
8引脚塑料SO
包装说明
10引脚塑料MSOP
10引脚塑料MSOP
10引脚塑料MSOP
8引脚塑料SO
8引脚塑料SO
温度范围
-40_C到125_C
-40_C到125_C
-55 ° C至125°C
-40_C到125_C
-40_C到125_C
温度范围
-40_C到125_C
-40_C到125_C
-55 ° C至125°C
-40_C到125_C
-40_C到125_C
咨询LTC营销与更广泛的工作温度范围规定的部分。 *温度等级标识在包装盒上的标签。
有关无铅零件标记的更多信息，请访问：
http://www.linear.com/leadfree/
有关磁带和卷轴特定网络阳离子的更多信息，请访问：
http://www.linear.com/tapeandreel/
44411fa
2
LTC4441/LTC4441-1
电气特性
符号
V
DRVCC
I
VIN
参数
驱动器电源可编程范围
V
IN
电源电流
EN / SHDN = 0V ，IN = 0V
EN / SHDN = 5V ， IN = 0V
f
IN
= 100kHz时，C
OUT
= 4.7nF （注4 ）
V
IN
= 7.5V
V
IN
= 7.5V至25V
负荷= 0mA至40毫安
LOAD = 40毫安
上升沿
下降沿
上升沿
下降沿
上升，下降沿
V
IN
= ±10V
V
EN / SHDN
= 9V
下降沿
上升沿
下降沿
上升，下降沿
I
OUT
= 100毫安
DRV
CC
= 8V
DRV
CC
= 8V
IN = 0V时，我
空白
= 100毫安LTC4441仅
RBLANK = 200kΩ的LTC4441仅
C
OUT
= 4.7nF （注5 ）
C
OUT
= 4.7nF （注5 ）
C
OUT
= 4.7nF （注5 ）
C
OUT
= 4.7nF （注5 ）
RBLANK = 200kΩ的（注6 ）
l
l
l
l
l
l
该
l
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
结温范围内，另有规定的阳离子是在T
A
= 25 ℃（注2） 。 V
IN
= 7.5V ， DRV
CC
= 5V ，除非另有规定ED 。
条件
l
l
l
民
5
典型值
5
250
3
最大
8
12
500
6
1.31
40
单位
V
μA
μA
mA
V
mV
%
mV
V
V
DRV
CC
调节器
V
FB
ΔV
DRVCC （ LINE）
V
降
V
UVLO
输入
V
IH
V
IL
V
IH
-V
IL
I
INP
I
EN / SHDN
V
SHDN
V
EN
V
EN （ HYST ）
产量
R
ONL
I
PU
I
PD
R
ON （空白）
V
RBLANK
t
PHL
t
PLH
t
r
t
f
t
空白
驱动器输出下拉电阻
驱动器输出峰值上拉电流
驱动器输出峰值下拉电流
BLANK引脚下拉电阻
RBLANK引脚电压
驱动器输出高，低传输延迟
驱动器输出低到高传输延迟
驱动器输出上升时间
驱动器输出下降时间
驱动器输出高到BLANK引脚高
0.35
6
6
11
1.3
30
36
13
8
200
0.8
Ω
A
A
Ω
V
ns
ns
ns
ns
ns
IN引脚的高输入阈值
IN引脚低电平输入阈值
IN引脚输入电压迟滞
IN引脚输入电流
EN / SHDN引脚输入电流
EN / SHDN引脚关断阈值
EN / SHDN引脚使能阈值
EN / SHDN引脚使能迟滞
2
1
2.4
1.4
1
±0.01
±0.01
0.45
1.036
1.21
1.09
0.12
1.145
±10
±1
2.8
1.8
V
V
V
μA
μA
V
V
V
V
稳压器的反馈电压
稳压线路调整
稳压器输出电压差
FB引脚电压UVLO
l
1.11
1.21
9
–0.1
370
1.09
0.97
ΔV
DRVCC （ LOAD ）
负载调整率
切换时机
注1 ：
强调超越上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。暴露于任何绝对
最大额定值条件下工作会影响器件
可靠性和寿命。
注2 ：
该LTC4441 / LTC4441-1是脉冲负载条件下测试
例如那件T
J
≈ T
A
。该LTC4441E / LTC4441E -1 ，保证满足
在0°C的性能规格， 85° C的工作结
温度。规格在-40° C至125 ° C的工作结
温度范围由设计特性和相关性有保证
统计过程控制。该LTC4441I / LTC4441I - 1级的
保证工作在-40 ° C至125 ° C的工作结温
范围内。该LTC4441MP保证和测试，在整个-55°C至
125 ° C的工作结温范围内。注意，该最大
环境温度与这些特定网络连接的阳离子由下式确定一致
与电路板布局结合特定网络C的工作条件下，额定
封装的热阻抗和其他环境因素。结
温度（T
J
，单位为℃ ） ，从环境温度计算
(T
A
，单位为℃ ）和功耗（P
D
在瓦）根据下式：
T
J
= T
A
+ (P
D
θ
JA
)
哪里
θ
JA
（单位为℃ / W）是封装的热阻抗。
44411fa
3
LTC4441/LTC4441-1
电气特性
注3 ：
否则焊接MSE封装的裸露焊盘到PC
板将导致热阻小于38° C / W的高得多。
注4 ：
在正常操作中供给的电流由电流占主导地位
需要进行充电和放电的外部功率MOSFET的栅极。这
电流会随着电源电压，开关频率和所述外部
MOSFET的使用。
注5 ：
上升和下降时间是使用10 ％和90％水平的测定。
延迟时间是从输入的50 ％开始，到20％/ 80％的水平驱动
输出。
注6 ：
消隐时间是从输出的前缘50 ％开始，到10％的
空白与一个1kΩ的上拉，在BLANK引脚。 LTC4441只。
注7 ：
通过设计保证，不受测试。
注8 ：
该IC具有过热保护，旨在
在瞬间过载条件下保护器件。结
温度超过125°C时，过热保护功能被激活。
上面的最大工作结温持续运行
可能会影响器件的可靠性。
典型性能特性
IN引脚低阈值电压
与温度
1.8
V
IN
= 7.5V
DRV
CC
= 5V
1.7
IN引脚输入门限（ V）
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
25 50 75
–75 –50 –25 0
温度（℃）
100 125
4441 G01
IN引脚高阈值电压
与温度
2.8
EN引脚输入门限电压（ V）
V
IN
= 7.5V
DRV
CC
= 5V
2.7
IN引脚输入门限（ V）
2.6
2.5
2.4
2.3
2.2
2.1
2.0
25 50 75
–75 –50 –25 0
温度（℃）
100 125
4441 G02
EN引脚输入门限电压
与温度
1.30
V
IN
= 7.5V
1.28
DRV
CC
= 5V
1.26
1.24
上升沿
1.22
1.20
1.18
1.16
1.14
1.12
下降沿
1.10
1.08
1.06
1.04
25 50 75 100 125
–75 –50 –25 0
温度（℃）
4441 G03
FB引脚UVLO门限
与温度
1.20
FB引脚UVLO阈值电压（ V）
1.16
1.12
1.08
1.04
1.00
0.96
0.92
0.88
0.84
25 50 75
–75 –50 –25 0
温度（℃）
100 125
4441 G04
SD引脚输入门限电压
与温度
0.80
SD引脚输入门限电压（ V）
V
IN
= 7.5V
0.75 DRV
CC
= 5V
0.70
上升沿
DRV
CC
电压（V）的
0.65
0.60
0.55
0.50
0.45
0.40
0.35
0.30
25 50 75
–75 –50 –25 0
温度（℃）
100 125
4441 G05
V
IN
= 7.5V
上升沿
5.50
DRV
CC
电压与温度
R1 = 330K
5.45 R2 = 10万
5.40
5.35
5.30
5.25
5.20
5.15
5.10
5.05
5.00
25 50 75
–75 –50 –25 0
温度（℃）
100 125
4441 G06
下降沿
V
IN
= 25V
V
IN
= 7.5V
下降沿
44411fa
4
LTC4441/LTC4441-1
典型性能特性
5.50
DRV
CC
负载调整率
DRV
CC
漏失电压（MV ）
V
IN
= 7.5V
5.45 T
A
= 25°C
R1 = 330K
5.40 R2 = 10万
5.35
DRV
CC
(V)
DRV
CC
(V)
5.30
5.25
5.20
5.15
5.10
5.05
5.00
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
I
负载
（MA ）
4441 G07
5.30
DRV
CC
线路调整
DRV
CC
输入输出电压差
与温度
1000
V
IN
= 7.5V
900 DRV
CC
= 5V
= 40毫安
I
800
负载
700
600
500
400
300
200
100
T
A
= 25°C
R1 = 330K
5.25 R2 = 10万
5.20
5.15
5.10
5.05
5.00
0
5
10
15
V
IN
(V)
20
25
30
4441 G08
0
25 50 75
–75 –50 –25 0
温度（℃）
100 125
4441 G09
OUT引脚下拉电阻
与温度
0.8
OUT引脚下拉电阻（ ）
V
IN
= 7.5V
DRV
CC
= 5V
0.7
0.6
t
PLH
, t
PHL
（纳秒）
60
50
40
30
20
10
t
PLH
, t
PHL
VS DRV
CC
T
A
= 25°C
C
负载
= 4.7nF
60
50
40
30
20
10
t
PLH
, t
PHL
与温度
V
DRVCC
= 5V
C
负载
= 4.7nF
t
PLH
0.4
0.3
0.2
0.1
0
25 50 75
–75 –50 –25 0
温度（℃）
100 125
4441 G10
t
PLH
, t
PHL
（纳秒）
0.5
t
PLH
t
PHL
t
PHL
0
4.5 5.0 5.5 6.0 6.5 7.0 7.5 8.0 8.5 9.0
DRV
CC
(V)
4441 G11
0
–75 –50 –25 0
25 50 75
温度（℃）
100 125
4441 G12
100
t
PLH
, t
PHL
对C
负载
T
A
= 25°C
90 DRV
CC
= 5V
80
70
上升/下降时间（ NS ）
t
PLH
30
25
20
15
10
5
上升/下降时间VS DRV
CC
T
A
= 25°C
C
负载
= 4.7nF
上升/下降时间（ NS ）
上升/下降时间与温度
30
25
20
上升时间
15
10
下降时间
5
0
–50
V
DRVCC
= 5V
C
负载
= 4.7nF
t
PLH
, t
PHL
（纳秒）
60
50
40
30
20
10
0
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
C
负载
（ NF）
4441 G13
t
PHL
上升时间
下降时间
0
4.5 5.0 5.5 6.0 6.5 7.0 7.5 8.0 8.5 9.0
DRV
CC
(V)
4441 G14
–25
0
50
75
25
温度（℃）
100
125
4441 G15
44411fa
5
特点
n
n
LTC3861-1
双通道，多相降压型
电压模式DC / DC控制器
用精确的电流分配
描述
此外，LTC
3861-1是一款双通道多相
同步步进
降压型开关稳压控制器，用于高电流
分布式电源系统中，数字信号处理器，并
其他电信和工业DC / DC电源。它使用
恒定频率电压模式架构相结合
具有极低的偏移量，高带宽误差放大器和
远程输出检测差分放大器优秀
瞬态响应和输出调节。
该控制器采用无损耗电感器DCR电流
传感维持相间和电流平衡
提供过电流保护。该芯片从工作
V
CC
3V和5.5V之间的供应是专为步进
低于V转换
IN
3V和24V输出之间
0.6V和V之间的电压
CC
– 0.5V.
电感电流反转时软启动被禁用
电力安全预偏置负载。在恒定的工作
频率可以被同步至外部时钟或
线性编程在250kHz至2.25MHz 。多达六个
LTC3861-1控制器可以并行操作为1-，2- ，3-，
4-，6-或12相操作。
该LTC3861-1引脚对引脚与LTC3860兼容。
它是在一个32引脚5mm × 5mm QFN封装提供。该
LTC3861is的LTC3861-1 ，一个36引脚QFN封装的版本，
具有双差分输出电压检测放大器。
L,
LT ， LTC ， LTM ，多相，凌特和线性标识是注册商标
凌力尔特公司的。所有其他商标均为其各自的属性
业主。受美国专利保护，其中包括6144194 ， 5055767
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
工作在电源模块， DrMOS的或外部
栅极驱动器和MOSFET
与固定频率电压模式控制
精确的电流分配
± 0.75 ％， 0.6V电压基准
差分远端输出电压检测放大器
多相功能，多达12相工作
可编程电流限制
可以安全地为预偏置负载
可编程或PLL的同步开关
频率高达2.25MHz的
无损电流检测采用电感器DCR或
高精度电流检测和检测电阻器
V
CC
范围： 3V到5.5V
V
IN
范围： 3V至24V
电源良好输出电压监视器
输出电压跟踪能力
可编程软启动
采用32引脚5mm × 5mm QFN封装
应用
n
n
n
n
高电流分布式电源系统
DSP ， FPGA和ASIC供应
数据通信和电信系统
工业电源
典型用途
V
IN
， 7V至14V
V
CC
1F
28.7k
V
CC
频率
FB2
I
LIM2
VINSNS
LTC3861-1
PWM1
RUN1,2
I
LIM1
ISNS1P
ISNS1N
ISNS2N
ISNS2P
59k
0.22F
0.22F
LTC4449
IN
GND
V
逻辑
TG
V
CC
TS
BOOST
BG
0.22F
V
CC
LTC4449
IN
GND
V
逻辑
TG
V
CC
TS
BOOST
BG
0.22F
V
IN
， 7V至14V
180F
0.47H
2.87k
V
OUT
1.2V
60A
V
OUT
VSNSOUT
VSNSP
VSNSN
CONFIG
1nF
20k
221
1nF
PWM2
FB1
13K 220PF
I
AVG
COMP1,2 SS1,2 SGND CLKIN
0.1F
V
CC
100pF
V
IN
330F
×
6
2.87k
0.47H
38611 TA01
100F
×
4
20k
38611f
1
LTC3861-1
绝对最大额定值
（注1 ）
引脚配置
TRACK/SS1
PWMEN1
PWMEN2
顶视图
PGOOD1
VINSNS
CONFIG
SGND
I
AVG
PWM1
24 RUN1
23 I
LIM1
22 ISNS1P
33
SGND
21 ISNS1N
20 ISNS2N
19 ISNS2P
18 I
LIM2
17 RUN2
9 10 11 12 13 14 15 16
TRACK/SS2
CLKOUT
PHSMD
PGOOD2
PWM2
频率
CLKIN
V
CC
电压................................................. 。 -0.3V至6V
VINSNS电压......................................... -0.3V至30V
运行电压................................................ 。 -0.3V至6V
ISNS1P ， ISNS1N ，
ISNS2P ， ISNS2N ........................... -0.3V到（V
CC
+ 0.1V)
所有其他引脚................................- 0.3V至（V
CC
+ 0.3V)
工作结温范围
（注2，注3 ） ............................................ -40 ° C至125°C
存储温度范围.................. -65℃ 150℃
32 31 30 29 28 27 26 25
V
CC
1
FB1 2
COMP1 3
VSNSOUT 4
VSNSN 5
VSNSP 6
COMP2 7
FB2 8
UH套餐
32引脚（5毫米
×
5毫米）塑料QFN
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 34 ° C / W
裸露焊盘（引脚33） SGND ，必须焊接到PCB
订购信息
无铅完成
LTC3861EUH-1#PBF
LTC3861IUH-1#PBF
磁带和卷轴
LTC3861EUH-1#TRPBF
LTC3861IUH-1#TRPBF
最热*
38611
38611
包装说明
32引脚（5毫米× 5毫米）塑料QFN
32引脚（5毫米× 5毫米）塑料QFN
温度范围
-40_C到125_C
-40_C到125_C
咨询LTC营销与更广泛的工作温度范围规定的部分。 *温度等级标识在包装盒上的标签。
咨询LTC营销基于非标准铅涂层器件的信息。
有关无铅零件标记的更多信息，请访问：
http://www.linear.com/leadfree/
有关磁带和卷轴特定网络阳离子的更多信息，请访问：
http://www.linear.com/tapeandreel/
有关焊接配置文件的详细信息，请访问：
http://cds.linear.com/docs/Packaging/Linear_Technology_Surface_Mount_Products.pdf
38611f
2
LTC3861-1
电气特性
符号
I
ISENSE
V
OS
f
OSC
参数
SENSE引脚输入电流
电流检测输入失调
振荡器频率
该
l
表示该应用在特定网络编辑工作的特定连接的阳离子
结温范围内，另有规定的阳离子是在T
J
= 25 ℃（注3） 。 V
CC
= 5V, V
RUN1,2
= 5V, V
频率
= 5V, V
CLKIN
= 0V,
V
FB
= 0.6V ，女
OSC
= 0.6MHz ，除非另有规定。
条件
V
CM
= 1.5V
-40_C到125_C
V
CLKIN
= 0V
V
频率
= 0V
V
频率
= 5V
V
CLKIN
= 5V
R
频率
< 24.9k
R
频率
= 36.5k
R
频率
= 48.7k
R
频率
= 64.9k
R
频率
= 88.7k
最大频率
最小频率
3
18.5
100
100
13
V
CLKIN
落下
V
CLKIN
升起
V
CLKIN
= 0V
V
频率
落下
V
频率
升起
I
负载
= –500A
I
负载
= 500A
V
PHSMD
= 0V
V
PHSMD
= FLOAT
V
PHSMD
= V
CC
V
PHSMD
= 0V
V
PHSMD
= FLOAT
V
PHSMD
= V
CC
I
负载
= 500A
I
负载
= –500A
l
l
l
民
–1.25
典型值
100
最大
1.25
单位
nA
mV
振荡器和锁相环
l
l
360
540
400
600
200
600
1
1.45
2.1
440
660
千赫
千赫
千赫
千赫
兆赫
兆赫
兆赫
0.25
20
21.5
兆赫
兆赫
A
ns
ns
kΩ
V
V
V
V
V
V
度
度
度
度
度
度
V
I
频率
t
CLKIN （ HI ）
t
CLKIN （ LO ）
R
CLKIN
V
CLKIN
V
频率
V
OL （ CLKOUT ）
V
OH （ CLKOUT ）
θ
2
-θ
1
θ
CLKOUT
-θ
1
FREQ引脚输出电流
CLKIN脉冲宽度高
CLKIN脉冲宽度低
CLKIN拉电阻
CLKIN输入阈值
FREQ输入阈值
V
频率
= 0.8V
V
CLKIN
= 0V至5V
V
CLKIN
= 0V至5V
1.2
2
1.5
2.5
0.2
V
CC
– 0.2
180
180
120
60
90
240
4.5
0.5
±5
91.5
CLKOUT低输出电压
CLKOUT高输出电压
通道1到通道2的相位关系
CLKOUT到通道1相位关系
PWM / PWMEN输出
PWM
PWM输出高电压
PWM输出低电压
PWM输出电流的Hi-Z状态
PWM最大占空比
PWMEN
PWMEN输出高电压
I
负载
= 1毫安
l
V
A
%
V
4.5
注1 ：
强调超越上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。暴露于任何绝对
最大额定值条件下工作会影响器件
可靠性和寿命。
注2 ：
T
J
从周围温度T计算出的
A
和权力
耗散P
D
根据下列公式计算：
T
J
= T
A
+ (P
D
34 ° C / W）
注3 ：
该LTC3861-1是脉冲负载条件，例如，根据测试
T
J
≈
T
A
。该LTC3861-1E是保证符合性能
特定连接的阳离子从0° C至85° C的结温。特定网络上的阳离子
在-40°C至125 ° C的工作结温范围内有保证
通过设计，表征和相关的统计过程
控制。该LTC3861-1I保证在-40 ° C至125°C
工作结温范围内。最高环境温度
这些规范是一致通过具体的操作来确定
在电路板布局，额定封装的热条件结合
电阻器和其他环境因素的影响。
注4 ：
通过设计保证。
38611f
4
LTC3861-1
典型性能特性
负载阶跃瞬态响应
（单相使用LTC4449 ）
I
负载
20A/DIV
I
L
10A/DIV
I
L1
10A/DIV
I
L2
10A/DIV
V
OUT
50mV/DIV
AC耦合
V
IN
= 12V
V
OUT
= 1.2V
20s/DIV
I
负载
STEP = 3A至18A至3A
f
SW
= 300kHz的
38611 G01
负载阶跃瞬态响应
（使用2相LTC4449 ）
负载阶跃瞬态响应
（使用2相D12S1R845A
电源模块）
I
负载
20A/DIV
V
OUT
50mV/DIV
AC耦合
V
OUT
50mV/DIV
AC耦合
40s/DIV
I
负载
STEP = 0A到20A到0A
f
SW
= 300kHz的
38611 G02
V
IN
= 12V
V
OUT
= 1.2V
V
IN
= 12V
V
OUT
= 1.2V
50s/DIV
I
负载
STEP = 4A至20A至4A
f
SW
= 400kHz的
38611 G03
负载阶跃瞬态响应
（使用FDMF6707B 3相
的DrMOS ）
I
L1
10A/DIV
I
L2
10A/DIV
I
L3
10A/DIV
V
OUT
100mV/DIV
AC耦合
V
IN
= 12V
V
OUT
= 1.2V
50s/DIV
I
负载
STEP = 0A到30A至0A
f
SW
= 500kHz的外部时钟
38611 G04
负载阶跃瞬态响应
（使用四相TDA21220
的DrMOS ）
I
负载
40A/DIV
V
IN
10V/DIV
I
L1
10A/DIV
I
L2
10A/DIV
V
OUT
50mV/DIV
AC耦合
V
IN
= 12V
V
OUT
= 1V
40s/DIV
I
负载
STEP = 40A至80A 40A的
f
SW
= 500kHz的外部时钟
38611 G05
行阶跃瞬态响应
（使用2相LTC4449 ）
V
OUT
50mV/DIV
AC耦合
20s/DIV
V
IN
= 7V至14V IN 20μs的我
负载
= 20A
V
OUT
= 1.2V
f
SW
= 300kHz的
38611 G06
EF网络效率与负载电流
100
95
90
效率（％）
85
80
75
70
65
60
55
50
0
10
20
30
V
IN
= 12V
V
OUT
= 1.2V
2相， LTC4449
f
SW
= 300kHz的
40
50
60
70
负载电流（A ）
效率（％）
96
94
92
90
88
86
84
82
80
78
76
74
72
70
EF网络效率与负载电流
601.00
600.75
600.50
600.25
600.00
599.75
反馈电压V
FB
与温度
V
IN
= 12V, V
OUT
= 1V
4相TDA21220 DrMOS的
f
SW
= 500kHz的外部时钟
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
负载电流（A ）
38611 G08
稳压V
FB
电压（V）的
599.50
–50 –25
0
25
50
75
100 125 150
38611 G09
38611 G07
温度（℃）
38611f
5
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