■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
专门设计用于驱动大和小Q
G
PFET的
非常低损耗替代电源
或运算二极管
宽工作电压范围： 3.6V至36V
-40 ° C至125°C的工作温度范围
反向电池保护
DC电源之间自动切换
低静态电流： 35μA每通道
负载电流共享
MOSFET栅极钳位保护
精准输入控制比较器的设置
切换阈值点
开漏点反馈的客户指定
滞环控制
极少的外部元件
节省空间的10引脚MSOP封装
此外，LTC
4416 / LTC4416-1控制两套外部
P沟道MOSFET ，以创建两个接近理想的二极管功能
电源切换电路。这使得高效
或所得的多个电源，以延长电池寿命
低自热。当导通时，电压降
MOSFET两端通常为25mV 。对于应用程序
交流适配器或其它辅助电源，负载
从电池将自动断开连接时， AUX-
iliary源连接。
该LTC4416集成了两个相互关联的PowerPath
TM
控制器具有软切换控制。在“软关机”
切换允许用户提供了两种显示之间进行传输
类似的无电压的过电压过冲（或
V
垂
）中的输出供给。该LTC4416 / LTC4416-1还
包含一个“快上”的功能，极大地提高了门
驱动电流时的正向输入端的电压超过25mV的。
该LTC4416 “快客”功能时从事的意义
电压超过输入电压为25mV 。该LTC4416-1
使在相同条件下的快速关闭，当
其他的外部P沟道器件是利用所选择的
ENABLE引脚。
宽工作电压范围支持从一个操作
八锂离子电池串联。低静态电流（ 35μA
每信道）是独立的负载电流。栅极驱动器
包括一个内部电压钳位为MOSFET保护。
该LTC4416 / LTC4416-1可在低调的10引脚
MSOP封装。
应用S
■
■
■
■
■
■
大电流开关PowerPath的
工业和汽车应用
不间断电源
逻辑控制电源开关
电池备份系统
应急系统的备用电池
， LT ， LTC和LTM是凌力尔特公司的注册商标。
PowerPath的是凌力尔特公司的商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
自动切换的PowerPath
V1
V1 = 12V （ FAIL）
V1 = 13.5V （ RESTORE ）主电源
221k
LTC4416
187k
GND
24.9k
E1
GND
E2
H2
H1
V2
V2 = 10.8V
备用电源SUP75P03_07
V1
G1
V
S
G2
V2
4416 TA01
SUP75P03_07
电流（A ）
3.6
LTc4416
U
典型应用
LTC4416 VS肖特基二极管
正向电压降
8.0
不变
R
ON
在和过压关断操作
V
IN
221k
V
TH2
同
迟滞
肖特基
二极管
24.9k
GND
V
TH1
同
迟滞
187k 24.3k
75k
182k
LTC4416-1
H1
G1
E1
GND
E2
H2
0.02
正向电压（ V）
0.5
4416 TA01b
不变
电压
V
S
0
UV启用了5V ，V
IN
恢复到Load当V
IN
上升到5.5V
OV启用了13.5V ，V
IN
恢复到Load当V
IN
下降到12V
U
特点
LTC4416/LTC4416-1
36V ，低损耗双
的PowerPath控制器的
大PFET的
DESCRIPTIO
U
V1
V
S
V2
G2
V
OUT
TO
负载
4416 TA01c
4416fa
LTC4416/LTC4416-1
（注1 ）
电源电压（ V1 ， V2） .............................. -14V至40V
电压V1或V2到V
S
....................... -40V至40V
输入电压
E1 ， E2 ............................................... ..... -0.3V至40V
V
S
.................................................. ......... -14V至40V
输出电压
G1 ....... -0.3V到V1 + 0.3V或V的更高
S
+ 0.3V
G2 ....... -0.3V到V2 + 0.3V或V的更高
S
+ 0.3V
H1 ， H2 ............................................... ...... -0.3V至7V
工作环境温度范围（注2 ）
LTC4416E ............................................ -40 ° C至85°C
LTC4416I ........................................... -40 ° C至125 ℃，
工作结
温度范围................................ -40 ° C至125°C
存储温度范围................... -65℃ 150℃
引线温度（焊接， 10秒） .................. 300℃
顶视图
H1
E1
GND
E2
H2
1
2
3
4
5
10
9
8
7
6
G1
V1
V
S
V2
G2
MS包装
10引脚塑料MSOP
T
JMAX
= 130°C,
θ
JA
= 120 ° C / W
订购部件号
LTC4416EMS
LTC4416IMS
LTC4416EMS-1
LTC4416IMS-1
MS最热*
LTCFC
LTCFC
LTCPS
LTCPS
订购选项
卷带式：添加#TR
无铅：添加#PBF无铅卷带式：添加#TRPBF
无铅最热： http://www.linear.com/leadfree/
咨询LTC营销部分特定网络版与更广泛的工作温度范围。
*温度等级为identi网络由在包装盒上的标签编。
电气特性
符号
V
V1
, V
V2
,
V
VS
I
QFL
I
QFH
I
QRL
I
QRH
I
QCL
I
QCH
I
泄漏
参数
工作电压范围
静态电源电流在低电源
而在正向调节
静态电源电流的高电源
而在正向调节
静态电源电流在低电源
而在反向关关
静态电源电流的高电源
而在反向关关
静态电源电流在低电源
用E1和E2的活性
静态电源电流的高电源
用E1和E2的活性
V 1， V 2和V
S
引脚泄漏电流
当其他引脚提供电源（注4 ）
该
●
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
温度范围，否则仅指在T
A
= 25°C 。 V1 = V2 = 12V ，E1 = 2V ，E2 = GND ，GND = 0V 。电流转换成销是
正和当前出销的是负的。所有电压都以GND为参考，除非另有说明。
条件
V1，V2和/或V的
S
必须在这个范围内进行适当的
手术
V
V1
= 3.6V, V
V2
= 3.6V 。测量电流组合
在V1，V2和V
S
销场均采用V
VS
= 3.560V
和V
VS
= 3.6V （注3）
V
V1
= 36V, V
V2
= 36V 。测量电流组合
在V1，V2和V
S
销场均采用V
VS
= 35.960V
和V
VS
= 36V （注3）
V
V1
= 3.6V, V
V2
= 3.6V 。测量电流组合
在V1，V2和V
S
引脚V
VS
= 3.7V
V
V1
= 35.9V, V
V2
= 35.9V 。测量组合
目前在V1 ， V2和V
S
引脚V
VS
= 36V
V
V1
= 3.6V, V
V2
= 3.6V, V
V1
– V
VS
= 0.9V,
V
E1
= 0V, V
E2
= 2V ， V1和V2分别测量
V
V1
= 36V, V
V2
= 36V, V
V1
– V
VS
= 0.9V,
V
E1
= 0V, V
E2
= 2V ， V1和V2分别测量
V
V1
= V
V2
= 28V, V
VS
= 0V 。衡量我
VS
V
V1
= V
V2
= 14V, V
VS
= -14V 。衡量我
VS
V
V1
= V
V2
= 36V, V
VS
= 8V 。衡量我
VS
的PowerPath控制器
V
FR
V
RTO
V
FO
开关PowerPath的正向调节
电压
开关PowerPath的反向关断
阈值电压
PowerPath的开关向前快速上
电压比较器阈值
V
V1
, V
V2
– V
VS
, 3.6V ≤ V
V1
, V
V2
≤ 36V,
C
G1
= C
G2
= 3nF的
V
V1
, V
V2
– V
VS
, 3.6V ≤ V
V1
, V
V2
≤ 36V,
C
G1
= C
G2
= 3nF的
V
V1
, V
V2
– V
VS
, 6V ≤ V
V1
, V
V2
≤ 36V,
C
G1
= C
G2
= 3nF的，我
G1
, I
G2
> 500μA
●
●
●
●
●
民
3.6
典型值
最大
36
70
130
70
130
30
65
单位
V
A
A
A
A
A
A
A
A
A
mV
mV
mV
4416fa
●
●
●
●
●
–10
–10
–10
10
–40
50
–1
–1
–1
1
1
1
40
–10
125
U
W
U
U
W W
W
绝对
AXI ü RATI GS
PACKAGE / ORDER我FOR ATIO
LTC4416/LTC4416-1
电气特性
符号
参数
GATE积极正向调控
源出电流
灌电流
灌电流在快速上
源电流在快客
G1和G2钳位电压
G1和G2电压关
G1和G2的导通时间
G1和G2关闭时间
使能比较器关闭延迟
H1和H2关机电流
H1和H2在电压
H1和H2开启时间
H1和H2关闭时间
E1和E2的输入阈值电压
E1和E2输入漏电流
源电流当其他频道
启用（注13 ）
LTC4416
LTC4416-1
G1，G2控制器
I
G（ SRC ）
I
G（ SNK ）
I
G（ FO ）
I
G（ OFF）
V
G（ ON）的
V
G（ OFF）
t
G（ ON）的
t
G（ OFF）
t
E（ OFF）
I
H（关闭）
V
H（ ON）的
t
H（ ON）的
t
H（关闭）
V
REF
I
E
I
G（ ENOFF ）
（注5 ）
（注6 ）
（注7 ）
（注12 ）
我申请
G1
= I
G2
= 2μA ，V
V1
= V
V2
= 12V,
V
VS
= 11.8V ，测量V
V1
– V
G1
或V
V2
– V
G2
我申请
G1
= I
G2
= -30μA ，V
V1
= V
V2
= 12V,
V
VS
= 12.2V ，测量V
V1
– V
G1
或V
V2
– V
G2
V
GS
< -6V ，C
G
= 17nF （注8 ）
V
GS
> -1.5V ，C
G
= 17nF （注9 ）
（注14 ） LTC4416-1仅
3.6V ≤ V
V1
, V
V2
≤ 36V （注10 ）
3.6V ≤ V
V1
, V
V2
≤ 36V （注10 ）
（注11 ）
（注11 ）
3.6V ≤ V
V1
, V
V2
≤ 36V ， -40 ° C至85°C
4V ≤ V
V1
, V
V2
≤ 36V ， -40 ° C至125°C
0V ≤ V
E1
, V
E2
≤ 1.5V
1.180
1.180
–100
1.215
1.215
–9
15
500
●
●
●
●
●
该
●
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
温度范围，否则仅指在T
A
= 25°C 。 V1 = V2 = 12V ，E1 = 2V ，E2 = GND ，GND = 0V 。电流转换成销是
正和当前出销的是负的。所有电压都以GND为参考，除非另有说明。
条件
民
典型值
最大
单位
–2
200
8.25
0.350
–500
9.1
0.920
60
30
6
7.4
A
A
A
A
V
V
s
s
s
A
mV
s
s
V
V
nA
H1和H2漏极开路驱动器
●
●
–1
1
100
5
10
1.240
1.240
100
E1和E2使能输入比较器
●
–9
–500
–3
A
A
注1 ：
强调超越上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。暴露于任何绝对
最大额定值条件下工作会影响器件
可靠性和寿命。
注2 ：
该LTC4416E是保证符合性能规格
从0° C至85°C 。特定网络连接的阳离子在-40° C至85° C的工作
温度范围是由设计，表征和相关保障
统计过程控制。该LTC4416I保证和测试
在-40° C至125 ° C的工作温度范围。
注3 ：
这导致在相同的电源电流将与被观察
外部P沟道MOSFET连接到LTC4416和在操作
向前调节。
注4 ：
只有9 3的排列说明。本规范是一样的
当电源通过V提供
S
或V2 。该规范仅适用
当V 1， V 2和V
S
在彼此的28V 。
注5 ：
V1和V2保持在12V和G1和G2被强制9V 。 V
S
is
设定在12V ，以测量或者G1或G2的源电流。
注6 ：
V1和V2保持在12V和G1和G2被强制9V 。 V
S
is
设置为11.96V ，测量吸收电流在任G1或G2 。
注7 ：
V1和V2保持在12V和G1和G2被强制9V 。 V
S
is
设置为11.875V测量吸收电流在任G1或G2 。
注8 ：
V1和V2保持在12V和V
S
从12.2V走到11.8V
触发事件。 G1和G2电压是初始V
G（ OFF）
.
注9 ：
V1和V2保持在12V和V
S
从11.8V走到12.2V
触发事件。 G1和G2电压是初始V
G（ ON）的
.
注10 ：
H1和H2被迫2V 。 E1和E2被迫1.5V至
测量H1和H2的关断电流。 H1和H2被强制与1mA至
测量在H1和H2的电压。
注11 ：
H1和H2被迫2V 。 E1和E2是从1.3V台阶
到1.1V来衡量吨
秒（上）
。 E1和E2是从1.1V走到1.3V至
测量牛逼
S（ OFF）
.
注12 ：
V1和V2保持在12V和G1和G2被强制9V 。 V
S
is
设置为12.05V ，以测量或者G1或G2的源电流。
注13 ：
V1和V2保持在12V和G1和G2被强制9V 。 V
S
被设定为12V ，测量在任G1或G2时，电源电流
通道被取消。
注14 ：
V1和V2保持在12V ，V
S
= 11.96V和G1和G2拥有4K
电阻器每次到9V 。测量延迟后的通道被禁止，直到
门信号开始拉大。
4416fa
LTC4416/LTC4416-1
PI FU CTIO S
H1 （引脚1 ） ：
漏极开路比较器的E1引脚的输出。
如果E1 > V
REF
中， H1引脚将变高阻抗，否则
该引脚接地。的最大电压允许
在此引脚为7V 。该引脚提供用于建立支持
滞后于外部电阻网络。
E1 （引脚2 ） ：
LTC4416比较使能输入。高
信号大于V
REF
将使V1的路径。理想
二极管的动作，然后将确定V1路径应该打开
上，通过控制连接到所述的G1销任何PFET （多个） 。
如果E1信号为低电平时， V1的路径将执行
“软关机”提供的PFET （S ）的配置是否正确
用于阻断直流电流。内部电流吸收会拉
在E1牵制，当E1输入超过1.5V 。
E1 （引脚2 ） ：
LTC4416-1比较使能输入。高
信号大于V
REF
将使V1的路径。理想
二极管的动作，然后将确定V1路径应该打开
上，通过控制连接到所述的G1销任何PFET （多个） 。
如果E1信号为低电平时， V1的路径将迅速
通过启用“快客”功能，拉动G1禁用
门高。一个内部电流吸收器将拉动E1牵制
当E1输入超过1.5V 。
GND （引脚3 ） ：
地面上。该引脚提供电源的回报
路径的所有内部电路。
E2 （引脚4 ） ：
LTC4416比较使能输入。低
信号小于V
REF
将使V2的路径。理想
二极管的动作，然后将确定V2路径应该打开
上，通过控制连接到G2的管脚任意PFET的（多个） 。
如果E2信号被驱动为高电平，使V2路径将执行
“软关机”提供的PFET （S ）的配置是否正确
用于阻断直流电流。内部电流吸收会拉
在E2牵制，当E2输入超过1.5V 。
E2 （引脚4 ） ：
LTC4416-1比较使能输入。低
信号小于V
REF
将使V2的路径。理想
二极管的动作，然后将确定V2路径应该打开
上，通过控制连接到G2的管脚任意PFET的（多个） 。
如果E2信号被驱动为高电平，使V2的路径将迅速
通过启用“快客”功能，拉动G2禁用
门高。一个内部电流吸收器将拉动E2牵制
当E2输入超过1.5V 。
H2 （引脚5 ） ：
漏极开路比较器的E2引脚的输出。
如果E2 > V
REF
， H2的引脚将变为高阻抗，否则
U
U
U
该引脚接地。的最大电压允许
在此引脚为7V 。该引脚提供用于建立支持
滞后于外部电阻网络。
G2 （引脚6 ） ：
第二个P沟道MOSFET电源开关
栅极驱动引脚。该脚由第二功率指示
控制器以保持正向调节电压（V
FR
)
在V2和V之间的25mV的
S
当引脚V2较大
比V
S
。当V2小于V
S
， G2的引脚将拉涨
于V
S
端子电压，关断第二P沟道
电源开关。
V2 （引脚7 ） ：
第二个输入电源电压。供电
到所述第二功率控制器和带隙参考
ENCE 。 V2是两个电压检测输入到所述一个
第二内部功率控制器（另一输入到
第二个内部电源控制器是V
S
针） 。该输入
通常供应的电力从第二或备份，
动力源。该引脚可旁路至地与
在0.1μF至10μF的范围中的电容器，如果需要
抑制负载瞬变。
V
S
（引脚8 ） ：
电源检测输入引脚。提供电源
第一和第二电源的内部电路
控制器和带隙基准。该引脚也是一个
电压检测输入到内部模拟控制器
（其他的输入到第一控制器是V1的销和
另一个输入到第二控制器的引脚V2 ）。
该输入也可以从辅助供给的电力
源，它也提供电流给负载。
V1 （ 9针） ：
首先输入电源电压。提供电源
第一功率控制器和带隙基准。 V1
是两个电压检测输入端1的第一内部
功率控制器（另一输入到第一内部电源
控制器是V
S
针） 。此输入通常是供给
动力从第一或主电源。该引脚
可以被旁路到地，在所述范围内的电容器
0.1μF至10μF的，如果需要抑制负载瞬变。
G1 （引脚10 ） ：
第一个P沟道MOSFET电源开关门
驱动销。该脚由所述第一电源控制器针对
保持正向调节电压（V
FR
）为25mV的
在V1和V之间
S
销时V1大于V
S
.
当V1小于V
S
， G1的引脚将拉至V
S
针
电压时，关断第一P-沟道功率开关。
4416fa
LTC4415
双通道4A理想二极管用
可调电流限制
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
描述
此外，LTC
4415包含两个整体式的PowerPath理想
二极管，每一个能够提供高达4A的典型
50mΩ以下的正向导通电阻。二极管电压
滴正向传导过程中，在调节至15mV的
低的电流，延长电源的工作范围
并确保在电源切换无振荡。
比从输出的反向电流流过IN的1μA以下
使该器件非常适用于电源的ORing
应用程序。
这两个理想二极管进行独立使能和
使用输入EN1和优先
EN2.
输出电流
限制可以独立调节，从0.5A到4A
使用上的CLIM引脚电阻。此外，理想的
二极管电流可以通过CLIM引脚电压进行监控。
开漏状态引脚指示当理想二极管
向前传导。当芯片温度的方法
热关断，或者如果输出负载超过电流
极限阈值，相应的报警引脚
拉低。
L,
LT ， LTC ， LTM ，凌特和线性标识是注册商标，
PowerPath的是凌力尔特公司的商标。所有其他商标均为
其各自所有者的财产。
双50mΩ的单片式理想二极管
1.7V至5.5V工作电压范围
最多每个二极管4A可调电流限制
低反向漏电流（ 1μA最大）
15mV的正向压降在调控
流畅切换中的ORing二极管
负载电流监控器
精密使能阈值设置切换
软启动限制浪涌电流在启动
状态引脚来指示正向二极管导通
与警告限流和热
耐热增强型16引线MSOP和DFN
(3mm
×
5毫米）封装
应用
n
n
n
n
n
n
高电流的PowerPath 开关
电池和墙上适配器二极管的ORing
后备电池二极管的ORing
逻辑控制大电流电源开关
超级电容器的ORing
多个电池共享
典型用途
优先级的电源供应器的ORing
主
动力
来源
IN1
100k
21.5k
124
124
EN2
次
动力
来源
理想
LTC4415
EN1
CLIM1
CLIM2
STAT1
WARN1
WARN2
STAT2
理想
GND
OUT2
4415 TA01a
LTC4415的正向特性
VS MBRS410E肖特基
TO
负载
负载电流（A ）
4
LTC4415
3
肖特基
二极管
MBRS410E
R
ON
= 50m
1
电流限制
OUT1
4.7F
2
+
IN2
0
0
100
300
400
200
正向压降（MV ）
500
4415 TA01b
4415fa
1
LTC4415
绝对最大额定值
（注1 ）
IN1，IN2 ， OUT1，OUT2 ， CLIM1 ， CLIM2 ，
STAT1 ， STAT2 ， WARN1 ， WARN2
电压....... -0.3V至6V
EN1,
EN2
电压................. -0.3V到最大（V
INX
, V
的OUTx
)
工作结温范围
（注3,4） ............................................ 。 - 40 ° C至125°C
存储温度范围.................. -65℃ 150℃
回流峰值温度..................................... 260℃
引脚配置
顶视图
IN1*
IN1*
EN1
CLIM1
CLIM2
EN2
IN2*
IN2*
1
2
3
4
5
6
7
8
17
GND
16 OUT1 *
15 OUT1 *
14
STAT1
13
WARN1
12
WARN2
11
STAT2
10 OUT2 *
9
OUT2*
IN1*
IN1*
EN1
CLIM1
CLIM2
EN2
IN2*
IN2*
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
16
15
14
13
12
11
10
9
OUT1*
OUT1*
STAT1
WARN1
WARN2
STAT2
OUT2*
OUT2*
17
GND
DHC套餐
方案A
16引脚（5毫米
×
3毫米）塑料DFN
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 43 ° C / W
裸露焊盘（引脚17）为GND ，必须焊接到PCB
*相邻引脚上的四个边角稠合在一起
MSE包
16引脚塑料MSOP
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 35℃ / W 40 ° C / W
裸露焊盘（引脚17）为GND ，必须焊接到PCB
*相邻引脚四个角上是一起的内熔丝。
订购信息
无铅完成
LTC4415EDHC#PBF
LTC4415IDHC#PBF
LTC4415EMSE#PBF
LTC4415IMSE#PBF
磁带和卷轴
LTC4415EDHC#TRPBF
LTC4415IDHC#TRPBF
LTC4415EMSE#TRPBF
LTC4415IMSE#TRPBF
最热*
4415
4415
4415
4415
包装说明
16引脚（5毫米
×
3毫米）塑料DFN
16引脚（5毫米
×
3毫米）塑料DFN
16引脚塑料MSOP
16引脚塑料MSOP
温度范围
-40_C到125_C
-40_C到125_C
-40_C到125_C
-40_C到125_C
咨询LTC营销与更广泛的工作温度范围规定的部分。 *温度等级标识在包装盒上的标签。
咨询LTC营销基于非标准铅涂层器件的信息。
有关无铅零件标记的更多信息，请访问：
http://www.linear.com/leadfree/
有关磁带和卷轴特定网络阳离子的更多信息，请访问：
http://www.linear.com/tapeandreel/
4415fa
2
LTC4415
电气特性
符号
t
状态（ OFF）
t
WARN （ON）的
t
WARN （OFF）的
V
ENTH
V
ENhyst
参数
STAT
打开-O FF时间
WARN
开启时间
WARN
打开-O FF时间
EN1崛起与
EN2
阈值下降
EN1和
EN2
迟滞
启用引脚电流拉高
V
EN1
= V
EN2
= 3.6V
l
该
l
表示该应用在特定网络编辑工作的特定连接的阳离子
结温范围内，另有规定的阳离子是在T
A
= 25 ℃（注2,3） 。 V
IN1
= V
IN2
= 3.6V ，R
CLIM
= 250Ω ，除非另有
指定的。
条件
禁用
STAT
引体向上
电流限制
WARN
下拉
出电流限制到
WARN
引体向上
l
民
典型值
2
500
5
最大
单位
s
s
s
使能输入（ EN1 ，
EN2)
760
800
55
0
1
840
mV
mV
A
注1 ：
强调超越上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。暴露于任何绝对
最大额定值条件下工作会影响器件
可靠性和寿命。
注2 ：
除非另有规定ED ，目前进入一个引脚是积极的，
当前的引脚输出为负。
注3 ：
的LTC4415是脉冲负载条件，例如，根据测试
T
J
≈ T
A
。该LTC4415E是保证符合性能规格
从0° C至85°C 。规格在-40° C至125 ° C的工作
结温范围是由设计，表征和放心
相关的统计过程控制。该LTC4415I保证
在-40 ° C至125 ° C的工作结温范围内。
结温度（T
J
单位为℃ ） ，从室温计算
温度（T
A
单位为℃ ）和功耗（P
D
在瓦数）根据
下式：
T
J
= T
A
+ (P
D
θ
JA
)
注意，最大环境温度与这些相一致
规格是由在特定的操作条件来确定
与电路板布局，额定封装的热阻抗和配合
其他环境因素。
注4 ：
该LTC4415具有过热保护，旨在
在瞬间过载条件下，以保护设备。连接点
温度超过125°C时，过热保护功能被激活。
上述特定网络连续运行主编最高工作结
温度可能会影响器件的可靠性。
注5 ：
一个通道启用。静态电流是相同的每个
通道。
注6 ：
使能输入被驱动到供给水平。其他二极管已经
启用，以便在芯片的偏置电路处于活动状态。
注7 ：
开启时间是从测量到让我
的OUTx
通过上升
为1mA。当输出电压超过1.2V时，软启动被禁用，并且
开启速度更快。
注8 ：
在软启动期间，电流逐渐从零到电流极限
持续时间。软启动时测得的10％至90％的电流限制。如果
负荷条件是这样的，目前并不需要去由
在启动期间，电流限制，输出电压可能达到稳态
越早。
典型性能特性
T
A
= 25 ° C，V
IN1
= V
IN2
= 3.6V ，R
CLIM
= 250Ω ，除非另有说明。
I-V特性
4
R
CLIM
= 124
80
70
正向电流（ A）
3
60
R
ON
(m )
2
50
40
1
125°C
90°C
25°C
–40°C
0
50
150
200
100
正向压降（MV ）
250
4415 G01
导通电阻与温度
80
70
60
R
ON
(m )
0
25 50 75 100 125 150
温度（℃）
4415 G02
导通电阻与V
IN
50
40
30
20
30
20
–50 –25
0
1
2
3
4
输入电压（ V）
5
6
4415 G03
4415fa
4
LTC4370
双电源二极管，或
电流平衡控制器
特点
n
n
描述
此外，LTC
4370是一个两电源的电流分配控制器
它集成了MOSFET的理想二极管。二极管
块反向和直通启动期间的电流
和故障情况。其正向电压被调节到
交流电源之间的负载电流。不像其他
共享方法，既不是股票，也不公交修剪引脚
电源是必需的。
MOSFET的最大电压降可以用一个设置
电阻器。快速门的开启降低了负载电压
在电源切换下垂。如果输入电源出现故障
或短路，快速关断最大限度地减小反向电流
瞬变。
控制器工作与物资从2.9V到18V 。
对于下部导轨的电压，一个需要外部电源，在
在V
CC
引脚。使能输入可以用来关闭
MOSFET和控制器置于低电流状态。
状态输出指示MOSFET的是否或
关。负载分担功能可被禁用，以打开
LTC4370为一个双通道理想二极管控制器。
n
n
n
n
n
n
n
n
股份负载两个电源之间
无需进行主动控制
输入电源
没有共享总线要求
块反向电流
没有直通电流在启动过程中或故障
0V至18V高压侧工作
使能输入
MOSFET导通状态输出
双通道理想二极管模式
16引脚DFN封装（4毫米× 3毫米）和MSOP封装
应用
n
n
n
冗余电源
高可用性系统和服务器
电信和网络基础设施
L,
LT ， LTC ， LTM ，凌特和线性标识是注册商标，
PowerPath和采用ThinSOT是凌特公司的商标。所有其他商标
是其各自所有者的财产。受美国专利保护，其中包括7920013和
8022679.其他专利正在申请中。
典型用途
12V ， 10A负载共享
V
INA
12V
SUM85N03-06P
39nF*
分享ERROR （我
VINA
– I
VINB
)/I
L
(%)
20
15
10
5
0
–5
–10
–15
–20
–750
SUM85N03-06P
4370 TA01
均流误差与电源差
EN1
CPO1
V
CC
GND
范围
EN2
CPO2
39nF*
V
INB
12V
V
IN1
GATE1
OUT1
0.1F
NC
LTC4370
FETON1
FETON2
OUT2
2m
2m
OUT
12V ， 10A
V
IN2
GATE2 COMP
0.18F
–500
–250
0
250
V
INA
– V
INB
（毫伏）
500
750
4370 TA01b
*可选，用于快速开启
4370f
1
LTC4370
绝对最大额定值
（注1,2 ）
V
IN1
, V
IN2
， OUT1 ， OUT2电压...................- 2V至24V
V
CC
电压............................................... -0.3 V到6.5V
GATE1 ， GATE2电压（注3） ............... -0.3V至34V
CPO1 ， CPO2电压（注3 ） ................... -0.3V至34V
电压范围................................- 0.3V至V
CC
+ 0.3V
COMP电压.............................................. -0.3 V到3V
EN1 ， EN2 ，
FETON1 ， FETON2电压.........- 0.3V至24V
CPO1 ， CPO2平均电流................................. 10毫安
FETON1 ， FETON2电流....................................... 5毫安
工作环境温度范围
LTC4370C ................................................ 0 ° C至70℃
LTC4370I ............................................. -40°C至85℃
存储温度范围.................. -65℃ 150℃
焊接温度（焊接， 10秒）
MS套餐................................................ ...... 300℃
引脚配置
顶视图
EN2
范围
COMP
V
IN2
GATE2
CPO2
OUT2
FETON2
1
2
3
4
5
6
7
8
17
16
EN1
15 GND
14 V
CC
13 V
IN1
12 GATE1
11 CPO1
10 OUT1
9 FETON1
顶视图
EN2
范围
COMP
V
IN2
GATE2
CPO2
OUT2
FETON2
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
EN1
GND
V
CC
V
IN1
GATE1
CPO1
OUT1
FETON1
DE包装
16引脚（4毫米
×
3毫米）塑料DFN
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 43 ° C / W
裸露焊盘（引脚17 ）印刷电路板接地连接是可选的
MS包装
16引脚塑料MSOP
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 125°C / W
订购信息
无铅完成
LTC4370CDE#PBF
LTC4370IDE#PBF
LTC4370CMS#PBF
LTC4370IMS#PBF
磁带和卷轴
LTC4370CDE#TRPBF
LTC4370IDE#TRPBF
LTC4370CMS#TRPBF
LTC4370IMS#TRPBF
最热*
4370
4370
4370
4370
包装说明
16引脚（4毫米× 3毫米）塑料DFN
16引脚（4毫米× 3毫米）塑料DFN
16引脚塑料MSOP
16引脚塑料MSOP
温度范围
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
咨询LTC营销与更广泛的工作温度范围规定的部分。 *温度等级标识在包装盒上的标签。
有关无铅零件标记的更多信息，请访问：
http://www.linear.com/leadfree/
有关磁带和卷轴特定网络阳离子的更多信息，请访问：
http://www.linear.com/tapeandreel/
4370f
2
LTC4370
电气特性
符号
耗材
V
IN
V
CC （ EXT ）
V
CC （ REG ）
I
IN
V
IN1
, V
IN2
工作范围
V
CC
外部电源工作范围
V
CC
稳定电压
V
IN1
, V
IN2
当前
启用后，较高的电源
已启用，更低的电源
引体向上
残
V
CC
当前
启用
残
V
CC
欠压锁定阈值
V
CC
欠压闭锁滞后
误差放大器输入失调
误差放大器的增益（ -ΔI
COMP
/ΔV
OUT
)
最小正向调节电压
(V
IN
- OUT ）
最大正向调节电压
(V
IN
- OUT ）
RANGE上拉电流
负载范围内共享禁用阈值
MOSFET栅极驱动器（ GATE - V
IN
)
GATE1 ， GATE2导通传播延迟
GATE1 ， GATE2关断传播延迟
GATE1 ， GATE2山顶上拉电流
GATE1 ， GATE2峰值下拉电流
GATE1 ， GATE2关闭下拉电流
EN1 ， EN2
阈值电压
EN1 ， EN2
阈值迟滞
EN1 ， EN2
当前
OUT1 ， OUT2电流
启用
残
CPO1 ， CPO2上拉电流
FETON1 ， FETON2输出低电压
FETON1 ， FETON2输出高电压
在0.6V
OUTn的= 0V ， 12V;两
EN
= 0V
两
EN
= 1V
CPO = V
IN
I = 1毫安
I = 3毫安
I = -1μA ，V
FWD
= 1V
V
FWD
= 0.2V ; I = 0时， -1μA ;最高V
IN
= 12V
V
FWD
= 0.2V ; I = 0时， -1μA ;最高V
IN
= 2.9V
V
FWD
(= V
IN
- OUT ）步骤： 0.3V - 0.3V
V
FWD
步骤： 0.3V - 0.3V
V
FWD
= 0.4V, ΔV
门
= 0V ， CPO = 17V
V
FWD
= 2V, ΔV
门
= 5V
相应
EN
= 1V, ΔV
门
= 2.5V
EN
落下
V
IN
= 1.2V, V
CC
= 5V
V
IN
= 12V
R
范围
= 4.99K ，V
IN
= 1.2V, V
CC
= 5V
R
范围
= 4.99K ，V
IN
= 12V
R
范围
= 49.9k ，V
IN
= 1.2V, V
CC
= 5V
R
范围
= 49.9k ，V
IN
= 12V
RANGE = 0.2V
l
l
l
l
l
l
l
l
该
l
表示该应用在整个工作的规范
温度范围，否则仅指在T
A
= 25°C 。 V
IN1
= V
IN2
= 12V ， OUT = V
IN
, V
CC
开，除非另有说明。
参数
条件
l
l
l
l
民
2.9
0
2.9
4.5
典型值
最大
18
V
CC
6
单位
V
V
V
V
mA
A
A
A
mA
A
V
mV
mV
S
mV
mV
mV
mV
mV
mV
A
V
V
V
s
s
A
A
A
mV
mV
A
A
A
A
V
V
V
与外部V
CC
供应
V
IN1
, V
IN2
≤ V
CC
5
2.1
320
–110
80
2
105
5.5
3
450
–180
180
2.8
220
2.7
300
±2
25
50
82
100
575
590
–11.2
其它V
IN
= 11.7V ，这两个
EN
= 0V
其它V
IN
= 12.3V ，这两个
EN
= 0V
双方V
IN
= 0V, V
CC
= 5V ，这两种
EN
= 0V
两
EN
= 1V
V
CC
= 5V ，这两种V
IN
= 1.2V ，这两个
EN
= 0V
V
CC
= 5V ，这两种V
IN
= 1.2V ，这两个
EN
= 1V
V
CC
升起
l
l
l
l
l
l
l
l
I
CC
V
CC （ UVLO ）
ΔV
CC （ HYST ）
负载共享
V
EA （OS）的
g
M（ EA ）
V
帧中继（MIN）
V
帧中继（MAX）中
2.3
40
2.55
120
0
150
l
2
2
40
45
425
440
–8.8
12
25
62
75
511
524
–10
I
范围
V
RANGE （ TH ）
栅极驱动器
ΔV
门
t
ON （ GATE ）
t
OFF （ GATE ）
I
GATE （ PK ）
I
门（OFF）的
V
EN（ TH）的
ΔV
EN（ TH）的
I
EN
I
OUT
I
CPO （ UP ）
V
OL
V
OH
V
CC
– 0.5 V
CC
– 0.3 V
CC
– 0.1
10
4.5
12
7
0.4
0.4
–0.9
0.9
65
580
2
–1.4
1.4
110
600
8
0
–70
–40
14
9
1
1
–1.9
1.9
160
620
20
±1
260
40
–115
0.4
1.2
l
l
l
l
l
l
l
输入/输出引脚
l
l
l
l
l
l
l
l
l
16
–70
0.12
0.36
V
CC
– 1.4 V
CC
– 0.9 V
CC
– 0.5
4370f
3
LTC4353
双路低电压
理想二极管控制器
特点
n
n
n
n
n
n
n
描述
此外，LTC
4353控制外部N沟道MOSFET，以
实现一个理想二极管的功能。它取代了两个高
功率肖特基二极管及其相关的散热片，
节省了功耗和电路板面积。理想二极管功能
允许低损耗电源的ORing和供应滞留
应用程序。
该LTC4353规定在整个正向压降
在MOSFET以确保顺利电流传输的二极管或
应用程序。快速接通减小了负载电压
在电源切换下垂。如果输入电源出现故障
或短路，一个快速关断最大限度地降低反向电流
瞬变。
控制器工作与物资从2.9V到18V 。如果
两个电源都低于2.9V ，外部电源是必要的
在V
CC
引脚。使能输入可以用来关闭
MOSFET和控制器置于低电流状态。
状态输出指示MOSFET的是否打开或关闭。
低损耗替代的功率二极管
控制N沟道MOSFET
0V至18V电源的ORing或持枪抢劫
1μs的栅极导通和关断时间
使能输入
MOSFET的导通状态输出
16引脚MSOP和DFN封装（4毫米× 3毫米）封装
应用
n
n
n
n
冗余电源
供应持枪抢劫
高可用性系统和服务器
电信和网络基础设施
L,
LT ， LTC ， LTM ，凌特和线性标识是注册商标，
热插拔， PowerPath和采用ThinSOT是凌特公司的商标。所有其他
商标是其各自所有者的财产。受美国专利保护，其中包括
7920013和8022679 。
典型用途
2.9V至18V ， 10A理想二极管-OR
2.9V至18V
Si4126DY
56nF*
V
IN1
CPO1
EN1
0.1F
V
CC
GND
EN2
CPO2
V
IN2
GATE2
OUT2
56nF*
2.9V至18V
*可选的快速开启
V
IN1
= 5.2V
V
IN2
= 5V
I
L
= 8A
C
L
= 100F
4353 TA01a
产量保持未有输入电源
LTC4353
ONST1
ONST2
MOSFET
导通状态
输出
电压2V / DIV
V
IN1
GATE1
OUT1
V
OUT
10A
V
IN2
V
OUT
Si4126DY
5s/DIV
4353 TA01b
4353f
1
LTC4353
绝对最大额定值
（注1,2 ）
V
IN1
, V
IN2
， OUT1 ， OUT2电压...................- 2V至24V
V
CC
电压............................................... -0.3 V到6.5V
GATE1 ， GATE2电压（注3） ............... -0.3V至34V
CPO1 ， CPO2电压（注3 ） ................... -0.3V至34V
EN1 ， EN2 ， ONST1 ， ONST2
电压.............- 0.3V至24V
CPO1 ， CPO2平均电流................................. 10毫安
ONST1 ， ONST2
电流........................................... 5毫安
工作环境温度范围
LTC4353C ................................................ 0 ° C至70℃
LTC4353I ............................................. -40°C至85℃
存储温度范围.................. -65℃ 150℃
焊接温度（焊接， 10秒）
MS套餐................................................ ...... 300℃
引脚配置
顶视图
EN2
NC
NC
V
IN2
GATE2
CPO2
OUT2
ONST2
1
2
3
4
5
6
7
8
17
16
EN1
15 GND
14 V
CC
13 V
IN1
12 GATE1
11 CPO1
10 OUT1
9
ONST1
EN2
NC
NC
V
IN2
GATE2
CPO2
OUT2
ONST2
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
16
15
14
13
12
11
10
9
EN1
GND
V
CC
V
IN1
GATE1
CPO1
OUT1
ONST1
MS包装
16引脚塑料MSOP
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 125°C / W
DE包装
16引脚（4毫米
×
3毫米）塑料DFN
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 43 ° C / W
裸露焊盘（引脚17 ）印刷电路板接地连接可选
订购信息
无铅完成
LTC4353CDE#PBF
LTC4353IDE#PBF
LTC4353CMS#PBF
LTC4353IMS#PBF
磁带和卷轴
LTC4353CDE#TRPBF
LTC4353IDE#TRPBF
LTC4353CMS#TRPBF
LTC4353IMS#TRPBF
最热*
4353
4353
4353
4353
包装说明
16引脚（4mm
×
3毫米）塑料DFN
16引脚（4mm
×
3毫米）塑料DFN
16引脚塑料MSOP
16引脚塑料MSOP
温度范围
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
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-40 ° C至85°C
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4353f
2
LTC4353
该
l
表示该应用在整个工作的规范
温度范围，否则仅指在T
A
= 25°C 。 V
IN1
= V
IN2
= 12V ， OUT = V
IN
, V
CC
开，除非另有说明。
符号
耗材
V
IN
V
CC （ EXT ）
V
CC （ REG ）
I
IN
V
IN1
, V
IN2
工作范围
V
CC
外部电源工作范围
V
CC
稳定电压
V
IN1
, V
IN2
当前
启用后，较高的电源
已启用，更低的电源
引体向上
残
V
CC
当前
启用
残
V
CC
欠压锁定阈值
V
CC
欠压闭锁滞后
正向调节电压（V
IN
- OUT ）
MOSFET栅极驱动器（ GATE - V
IN
)
GATE1 ， GATE2导通传播延迟
GATE1 ， GATE2关断传播延迟
GATE1 ， GATE2快速上拉电流
GATE1 ， GATE2快速下拉电流
GATE1 ， GATE2关闭下拉电流
EN1 ， EN2
阈值电压
EN1 ， EN2
阈值迟滞
EN1 ， EN2
当前
OUT1 ， OUT2电流
启用
残
CPO1 ， CPO2上拉电流
ONST1 ， ONST2
输出低电压
ONST1 ， ONST2
输出高电压
ONST1 ， ONST2
漏电流
MOSFET的导通检测阈值（ GATE - V
IN
)
在0.6V
OUTn的= 0V ， 12V;两
EN
= 0V
两
EN
= 1V
CPO = V
IN
I = 1毫安
I = 3毫安
I = -1μA
在12V
ONST
拉低
V
IN
= 1.2V, V
CC
= 5V
V
IN
= 12V
V
FWD
= 0.2V ; I = 0时， -1μA ;最高V
IN
=12V
V
FWD
= 0.2V ; I = 0时， -1μA ;最高V
IN
=2.9V
V
FWD
(= V
IN
- OUT ）步骤： -0.3V至0.3V
V
FWD
步骤： 0.3V至-0.3V
V
FWD
= 0.4V, ΔV
门
= 0V ， CPO = 17V
V
FWD
= 0.8V, ΔV
门
= 5V
相应
EN
= 1V, ΔV
门
= 2.5V
EN
落下
其它V
IN
= 11.7V ，这两个
EN
= 0V
其它V
IN
= 12.3V ，这两个
EN
= 0V
双方V
IN
= 0V, V
CC
= 5V ，这两种
EN
= 0V
两
EN
= 1V
V
CC
= 5V ，这两种V
IN
= 1.2V ，这两个
EN
= 0V
V
CC
= 5V ，这两种V
IN
= 1.2V ，这两个
EN
= 1V
V
CC
升起
与外部V
CC
供应
V
IN1
, V
IN2
≤ V
CC
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
电气特性
参数
条件
民
2.9
0
2.9
4.5
典型值
最大
18
V
CC
6
单位
V
V
V
V
mA
A
A
A
mA
A
V
mV
mV
mV
V
V
s
s
A
A
A
mV
mV
A
A
A
A
V
V
V
A
V
5
1.5
200
–45
75
1.5
88
5.5
2.5
300
–80
160
2.2
190
2.7
300
25
50
14
9
1
1
–1.9
1.9
160
620
20
±1
160
16
–115
0.4
1.2
±1
1.1
I
CC
V
CC （ UVLO ）
ΔV
CC （ HYST ）
V
FR
ΔV
门
t
ON （ GATE ）
t
OFF （ GATE ）
I
门
2.3
40
2
2
10
4.5
2.55
120
12
25
12
7
0.4
0.3
理想二极管控制
l
l
l
l
l
l
l
l
l
–0.9
0.9
65
580
2
–1.4
1.4
110
600
8
0
输入/输出引脚
V
EN（ TH）的
ΔV
EN（ TH）的
I
EN
I
OUT
I
CPO （ UP ）
V
OL
V
OH
I
ONST
ΔV
门（ON）的
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
–4
–40
8
–70
0.14
0.42
0
V
CC
– 1.4 V
CC
– 0.9 V
CC
– 0.5
0.28
0.7
注1 ：
强调超越上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。暴露于任何绝对
最大额定值条件下工作会影响器件
可靠性和寿命。
注2 ：
所有电流为器件引脚为正;所有电流输出装置的
引脚是负的。所有电压参考GND除非另有
指定的。
注3 ：
内部卡件限制在GATE和CPO引脚到最小10V的
以上，以及在对应的V低于二极管
IN
引脚。驱动这些引脚
超过钳位电压可能会损坏设备。
4353f
3
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