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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符L型号页 > 首字符L的型号第280页 > LTC4413EDD1
特点
LTC4413-1/LTC4413-2
双2.6A , 2.5V至5.5V
快理想二极管
3毫米
×
3mm DFN封装
描述
此外,LTC
4413-1和LTC4413-2每个包含两个单
岩屑理想二极管,每一个能够提供高达2.6A
从输入2.5V和5.5V之间的电压。理想
二极管使用100mΩ的P沟道MOSFET ,以独立地
INA连接至OUTA和INB为OUTB 。在正常
向前运转时,电压降的每一个
这些二极管被调节到低至18mV 。静
电流小于二极管电流高达1A超过80μA 。如果
任一输出电压超过其各自的输入
电压,即MOSFET被关断和小于1μA
从反向输出电流FL OWS至IN 。最大向前
电流在每个MOSFET被限制在一个恒定2.6A和
在内部热限制电路保护器件
故障情况。内部过压保护传感器
检测时的电压超过了LTC4413-2绝对
最大电压容限。
两个高电平有效控制引脚独立关闭2
包含LTC4413-1 / LTC4413-2在理想二极管。
当所选择的信道是反向偏置的,或
LTC4413-1 / LTC4413-2被置于低功耗待机时,
状态信号拉低一个11μA漏极开路。
该LTC4413-1 / LTC4413-2都装在一个10引脚3mm
× 3mm DFN封装。
, LT LTC和LTM是凌力尔特公司的注册商标。
,
PowerPath的是凌力尔特公司的商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
双通道理想二极管的OR'ing或负载共享
低损耗替代的PowerPath
TM
或运算
二极管
快速响应置换LTC4413
低正向导通电阻( 140mΩ最大电压为3.6V )
低反向漏电流
低压稳压正向电压( 18mV典型值)
过电压保护传感器,驱动器输出的
外部P沟道MOSFET ( LTC4413-2仅)
2.5V至5.5V工作电压范围
2.6A最大正向电流
内部电流限制保护
内部热保护
状态输出指示是否选中通道
可编程通道ON / OFF
低廓(高度仅0.75mm) 10引线3mm x 3mm DFN封装
应用
电池和墙上适配器二极管或运算在手持设备
制品
后备电池二极管的OR'ing
电源开关
USB外设
不间断供应
典型用途
自动切换从电池到墙上适配器
FDR8508
WALL
适配器
输入
INA
0.1μF
10μF
理想
ENBA
STAT
LTC4413-2
GND
OVI
BAT
ENBB
INB
理想
OVP
OUTB
OUTA
损耗(毫瓦)
470k
STAT
500
V
CC
700
600
功率损耗与负载
LTC4413-1
400
300
1N5817
200
100
0
0
500
OVP
加载
4.7μF
441312 TA01a
+
STAT为高电平时交流适配器
供热负荷电流
OVP为高电平时墙上适配器电压6V >
1000 1500 2000
LOAD (毫安)
2500
3000
441312 TA01b
441312fb
1
LTC4413-1/LTC4413-2
绝对最大额定值
(注1 )
INA , INB , OUTA , OUTB , STAT ,
ENBA , ENBB电压.................................... -0.3V至6V
OVI , OVP电压....................................... -0.3V至13V
工作温度范围.................. -40 ° C至85°C
存储温度范围................... -65 ° C至125°C
连续功率耗散.......................... 1500MW
( 25mW的降额/°C, 70°C以上)
引脚配置
顶视图
INA
ENBA
GND
ENBB
INB
1
2
3
4
5
11
10 OUTA
9 STAT
8 NC
7 NC
6 OUTB
INA
ENBA
GND
ENBB
INB
1
2
3
4
5
11
顶视图
10 OUTA
9 STAT
8 OVI
7 OVP
6 OUTB
DD包
10引脚(采用3mm x 3mm ) DFN塑料
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 43 ° C / W
裸露焊盘(引脚11 )为GND ,必须焊接到PCB
DD包
10引脚(采用3mm x 3mm ) DFN塑料
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 43 ° C / W
裸露焊盘(引脚11 )为GND ,必须焊接到PCB
订购信息
无铅完成
LTC4413EDD1#PBF
LTC4413EDD2#PBF
含铅涂层
LTC4413EDD1
LTC4413EDD2
磁带和卷轴
LTC4413EDD1#TRPBF
LTC4413EDD2#TRPBF
磁带和卷轴
LTC4413EDD1#TR
LTC4413EDD2#TR
最热
LCPP
LCPQ
最热
LCPP
LCPQ
包装说明
10引脚(采用3mm x 3mm ) DFN塑料
10引脚(采用3mm x 3mm ) DFN塑料
包装说明
10引脚(采用3mm x 3mm ) DFN塑料
10引脚(采用3mm x 3mm ) DFN塑料
温度范围
-40 ° C至85°C
-40 ° C至85°C
温度范围
-40 ° C至85°C
-40 ° C至85°C
咨询LTC营销部分特定网络版与更广泛的工作温度范围。
有关无铅零件标记的更多信息,请访问:
http://www.linear.com/leadfree/
有关磁带和卷轴特定网络阳离子的更多信息,请访问:
http://www.linear.com/tapeandreel/
电气特性
符号
V
IN
, V
OUT
UVLO
I
QF
I
QRIN
I
QRGND
参数
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
温度范围内,另有规定的阳离子是在T
A
= 25°C 。 (注2,6)
条件
2.5
典型值
最大
5.5
2.45
单位
V
V
V
μA
μA
μA
工作电压范围为通道A或B V
IN
和/或V的
OUT
必须在该范围内为
正确操作
UVLO开启阈值上升
UVLO开启关闭阈值下降
静态电流的正向调节,
通过测量GND
从目前的拉制或采购成
当V
OUT
大于V
IN
静态电流,同时在反
关断,经测量GND
马克斯(V
INA
, V
INB
, V
OUTA
, V
OUTB
)
马克斯(V
INA
, V
INB
, V
OUTA
, V
OUTB
)
V
INA
= 3.6V ,我
INA
= 100mA时V
INB
= 0V,
I
INB
= 0毫安(注3)
V
IN
= 3.6V, V
OUT
= 5.5V (注6 )
V
INA
= V
INB
= 0V, V
OUTB
= V
OUTA
= 5.5V,
V
STAT
= 0V
1.7
40
–1
2.5
28
58
4.5
36
441312fb
2
LTC4413-1/LTC4413-2
电气特性
符号
I
QROUTB
参数
静态电流,同时在反
关断。从V电流消耗
OUTA
OUTB供应芯片电源
静态电流与两个ENBA和
ENBB高
反向关断电压(V
OUT
– V
IN
)
正向压降(V
IN
– V
OUT
)
在我
OUT
= -1mA
导通电阻,R
FWD
(测量为
ΔV / ΔI )
导通电阻,R
ON
(测量的V / I在我
IN
= 1A)
PowerPath的开启时间
PowerPath的关闭时间
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
温度范围内,另有规定的阳离子是在T
A
= 25°C 。 (注2,6)
条件
V
INA
= V
INB
= 0V, V
OUTA
= 3.6V, V
OUTB
= 5.5V
典型值
3.5
最大
6.5
单位
μA
I
QOFF
V
RTO
V
FWD
R
FWD
R
ON
t
ON
t
关闭
V
INA
= V
INB
= 3.6V, V
ENBA
= V
ENBB
= 1V
V
IN
= 3.6V
V
IN
= 3.6V
V
IN
= 3.6V ,我
OUT
= -100mA到-500mA (注5 )
V
IN
= 3.6V ,我
IN
= 1A (注5 )
V
IN
= 3.6V ,从ENB下降到我
OUT
坡道
开始
V
IN
= 3.6V ,从ENB瑞星与我
IN
= 100毫安
下降到0毫安
V
INA或B
= 3.6V (注5 )
V
INA或B
= 3.6V ,我
OUT
= 1.8A (注5 )
28
–5
18
100
140
11
2
38
10
24
140
200
μA
mV
mV
μs
μs
短路响应
I
OC
I
QOC
STAT输出
I
SOFF
I
儿子
t
秒(上)
t
S( OFF)
ENB输入
V
ENBIH
V
ENBIL
V
ENBHYST
I
ENB
V
OVIH
V
OVIL
V
奥维德
I
OVI
ENB输入的上升阈值电压
ENB输入下降阈值电压
ENB输入滞后
ENB输入下拉电流
OVI上升沿输入阈值电压
OVI输入下降阈值电压
OVI - OVP电压降
OVI偏置电流
V
ENB
升起
V
ENB
落下
V
ENBHYST
= (V
ENBIH
– V
ENBIL
)
V
OUT
& LT ; V
IN
= 3.6V, V
ENB
& LT ; V
IL
V
OVI
升起
V
OVI
落下
V
OVI
= 8V ,空载时OVP
V
OVI
= 8V
5.4
电流限制
静态电流,而在过流
手术
STAT关闭电流
STAT灌电流
STAT引脚电流的导通时间
STAT引脚电流关断时间
1.8
100
130
A
μA
关闭
V
IN
& GT ; V
OUT
, V
CTL
& LT ; V
IL
, T
J
< 135℃ ,我
OUT
& LT ;我
最大
V
IN
= 3.6V ,从ENB下降
V
IN
= 3.6V ,从瑞星ENB
–1
7
0
11
1.8
0.8
540
1
13
μA
μA
μs
μs
600
mV
mV
mV
400
2
460
90
3
5.9
5.6
100
80
4
6.2
μA
V
V
mV
μA
OVI输入( LTC4413-2仅)
注1 :
强调超越上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。暴露于任何绝对
最大额定值条件下工作会影响器件
可靠性和寿命。
注2 :
该LTC4413-1 / LTC4413-2 ,保证满足性能
特定连接的阳离子从0° C至85°C 。特定网络连接的阳离子在-40° C至
85°C的工作环境温度范围内由设计保证,
鉴定和相关的统计过程控制。
注3 :
静态电流随二极管电流:是指绘制的
I
QF
VS我
OUT
.
注4 :
该IC具有过热保护,旨在
在瞬间过载条件下,以保护设备。
过温保护将成为活跃在结温
比最大工作温度更高。连续运行
上述特定网络版最大工作结温可能会损害
器件的可靠性。
注5 :
特定网络连接的阳离子是由关联到晶圆级保
测量。
注6 :
除非另有规定ED ,目前进入一个引脚是积极的,
当前的引脚输出为负。所有电压参考GND 。
441312fb
3
LTC4413-1/LTC4413-2
典型性能特性
I
QF
VS我
负载
(日志)
120
120°C
100
80
I
QF
(μA)
60
40
20
0
1
10
100
LOAD (毫安)
1000
10000
441312 G01
I
QF
VS我
负载
(线性)
120
120°C
100
80
I
QF
(μA)
60
40
20
0
80°C
40°C
0°C
I
QF
(μA)
–40°C
100
80°C
40°C
0°C
–40°C
120
I
QF
与温度
1A
80
500mA
60
40
20
0
–40
100mA
1mA
0
500
1000 1500 2000
LOAD (毫安)
2500
3000
0
40
80
温度(℃)
120
441312 G03
441312 G02
I
QF
VS V
IN
90
80
70
60
I
OC
(MA )
I
QF
(μA)
50
40
30
20
10
0
2
2.5
3
3.5
4
V
IN
(V)
441312 G04
I
OC
与温度
3500
I
QF
= 1A
3000
2500
I
QF
= 100毫安
2000
1500
UVLO门槛值(V )
2.20
2.15
2.10
2.05
2.00
UVLO阈值与温度
升起
落下
1.95
1.90
1.85
–40
1000
500
0
–40
4.5
5
5.5
6
0
40
温度(℃)
80
120
441312 G05
0
40
温度(℃)
80
120
441312 G06
UVLO滞环与温度
250
600
500
ENB阈值与温度
120
100
ENB HYSETERSIS (毫伏)
ENBIH
ENBIL
80
60
40
20
ENB迟滞与温度
UVLO迟滞(MV )
200
ENBIH / ENBIL (毫伏)
150
400
300
200
100
0
–40
100
50
0
–40 –20
0
20 40
60 80
温度(℃)
100 120
441312 G07
0
40
80
温度(℃)
120
441312 G08
0
–40 –20
0
20 40 60 80
温度(℃)
100 120
441312 G09
441312fb
4
LTC4413-1/LTC4413-2
典型性能特性
R
FWD
VS V
IN
负载
= 500毫安
80
78
76
R
FWD
500毫安( MΩ)
74
R
FWD
(mΩ)
72
70
68
66
64
62
60
2
2.5
3
3.5
4
4.5
V
IN
(V)
5
0
5.5
6
0
500
1000 1500 2000
LOAD (毫安)
2500
0
3000
0
1
10
100
LOAD (毫安)
1000
0
10000
441312 G12
V
FWD
和R
FWD
VS我
负载
(线性)
500
120°C
80°C
40°C
0°C
–40°C
250
600
500
400
R
FWD
(mΩ)
V
FWD
(毫伏)
150
R
FWD
和V
FWD
VS我
负载
(日志)
120°C
80°C
40°C
0°C
–40°C
R
FWD
300
200
50
100
V
FWD
150
100
50
300
250
200
V
FWD
(毫伏)
400
200
V
FWD
300
200
R
FWD
100
100
441312 G10
441312 G11
V
FWD
VS我
负载
(日志)
250
120°C
80°C
40°C
0°C
–40°C
R
FWD
(mΩ)
120
100
R
FWD
与温度
1
I
泄漏
与温度的
V
反向
= 5.5V
200
100mA
80
60
40
1A
I
泄漏
(μA)
500mA
0.1
V
FWD
(毫伏)
150
0.01
5.5V
3.6V
100
0.001
50
20
0
–40
0.0001
0
1
10
100
LOAD (毫安)
1000
10000
441312 G13
0
40
80
温度(℃)
120
441312 G14
0.00001
–40 –20
0
20 40 60 80
温度(℃)
100 120
441312 G15
I
泄漏
VS V
反向
100
10
1
I
泄漏
(μA)
0.1
0.01
120°C
80°C
40°C
0°C
–40°C
响应800mA的负载阶跃
在<16μs
CH1 =以100mV / DIV
CH2 OUT
100mV/DIV
ENB开启,为30μs要打开
与180毫安负载
CH1 IN 1V / DIV
CH3 ENB
1V/DIV
CH2 OUT
1V/DIV
我CH4
OUT
200mV/DIV
我CH4
OUT
200mV/DIV
0.001
0.0001
0.00001
0
1
2
3
V
反向
(V)
441312 G16
4μs/DIV
441312 G17
10μs/DIV
441312 G18
4
5
6
441312fb
5
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    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    LTC4413EDD1
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ:1298863740 复制

电话:0755-82561519 0755-82567969 18928435545
联系人:李
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
LTC4413EDD1
LINEAR/凌特
2409+
4890
QFN
十年芯路!砥砺前行!只有原装!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885348317 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885348339 复制

电话:0755-83209630 82519391
联系人:许小姐
地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
LTC4413EDD1
LINEAR
24+
11880
QFN
优势现货,只做原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
LTC4413EDD1
LINEAR/凌特
08+
45
QFN
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
LTC4413EDD1
LINEAR/凌特
08+
45
QFN
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

电话:0755-82780082
联系人:朱先生
地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层
LTC4413EDD1
LINEAR
23+
5000
QFN
进口原装现货!自己库存!!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
LTC4413EDD1
√ 欧美㊣品
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