LTC4411
2.6A低损耗
采用ThinSOT封装的理想二极管
TM
特点
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
DESCRIPTIO
s
s
低损耗替代的PowerPath
TM
或运算二极管
小稳压正向电压（ 28MV敏）
2.6A最大正向电流
低正向电阻（ 140mΩ最大）
低反向漏电流（ <1μA ）
2.6V至5.5V工作电压范围
内部电流限制保护
内部热保护
无需外部有源器件
引脚兼容的低功耗替代
对于LTC4412
低静态电流（ 40μA典型值）
低扁平（1mm ） 5引脚SOT- 23封装
此外，LTC
4411是一个理想二极管IC ，能够提供高达
从2.6V至5.5V的输入电压2.6A 。该
LTC4411是采用5引脚1mm的SOT- 23
封装。
的LTC4411包含一个140mΩ P沟道MOSFET CON-
necting IN与OUT 。在正常的向前运转时，
MOSFET两端的压降被调节到低至28MV 。
静态电流小于负载电流高达40μA比
100mA电流。如果输出电压超过输入电压时，该
MOSFET被关断和小于反向电流为1μA
从OUT流至IN 。最大正向电流被限制
以一个恒定的2.6A （典型值），内部热限制税务局局长
cuits保护在故障条件下的部分。
漏极开路STAT引脚指示导通状态。该
STAT脚可以被用来驱动一辅助P沟道
连接备用电源MOSFET功率开关
当LTC4411未进行远期源
电流。
高电平有效控制引脚关断LTC4411和
电流消耗降低到小于25μA 。当
关断时， LTC4411指示这种情况的低
电压上的状态信号。
， LTC和LT是凌特公司的注册商标。
采用ThinSOT封装和PowerPath的是凌力尔特公司的商标。
应用S
s
s
s
s
s
s
手机
掌上电脑
数码相机
USB外设
不间断供应
逻辑控制电源开关
典型应用
WALL
适配器
输入
IN
电池
细胞（S）
OUT
LTC4411
GND
CTL
STAT
TO
负载
V
CC
4.7F
470k
I
最大
I
OC
LTC4411
坡
1/R
ON
不变
R
ON
电流（A ）
状态输出
为低电平时WALL
适配器是供应
负载电流
4411 F01
I
FWD
图负荷1.自动切换
之间的电池和墙上适配器
V
FWD
U
LTC4411 VS肖特基二极管
正向电压特性
我常
ON
坡
1/R
FWD
肖特基
二极管
LTC4411 FO2
U
U
不变
V
ON
正向电压（ V）
4411f
1
LTC4411
绝对
（注1 ）
AXI ü RATI GS
PACKAGE / ORDER我FOR ATIO
订购部件
数
顶视图
IN 1
GND 2
CTL 3
4 STAT
5 OUT
IN， OUT ， STAT ， CTL电压.......................... -0.3 6V
工作环境温度范围
（注2 ） .............................................. 。 - 40 ° C至85°C
工作结温
（注3 ） .............................................- 40 ° C至125°C
存储温度范围..................- 65 ° C至125°C
引线温度（焊接， 10秒） .................. 300℃
LTC4411ES5
S5 PART
记号
LTAEN
S5包装
5引脚塑封SOT- 23
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 250℃ / W （注3）
咨询LTC营销部分特定网络版与更广泛的工作温度范围。
该
q
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
温度范围，否则仅指在T
A
= 25℃。 （注6 ）
符号
V
IN
, V
OUT
I
QF
I
QRIN
I
QROUT
I
泄漏
V
FWD
–V
RTO
R
FWD
R
ON
UVLO
参数
工作电压范围
静态电流正向调节
（注4 ）
静态电流，同时在反
关断。从V电流消耗
IN
静态电流，同时在反
关断。从V电流消耗
OUT
V
IN
目前在V
OUT
供电
正向开启电压（V
IN
– V
OUT
)
反向关断电压（V
OUT
– V
IN
)
正向导通电阻，
(V
IN
-V
OUT
)/(I
负载
)
导通电阻的常数R
ON
模式
欠压锁定
条件
q
电气特性
民
2.6
典型值
40
最大
5.5
V
IN
= 3.6V ，我
负载
= 100毫安
V
IN
= 3.6V
V
OUT
= 3.7V
V
IN
= 3.6V
V
OUT
= 3.7V
V
IN
= 0V, V
OUT
= 5.5V
V
IN
= 3.6V
V
IN
= 3.6V
V
IN
= 3.6V ， 80μA <我
负载
< 1A
V
IN
= 3.6V ，我
负载
=千毫安
V
IN
瑞星， 0 ℃， <牛逼
A
＆ LT ; 85°C
V
IN
升起
V
IN
落下
V
IN
= 3.6V, V
OUT
＆ GT ; V
IN
+ V
RTO
,
V
CTL
＆ GT ; V
TH
+ V
HYST
V
IN
= 3.6V, V
OUT
＆ LT ; V
IN
– V
FWD
,
V
CTL
＆ LT ; V
TH
– V
HYST
q
q
单位
V
A
A
A
A
mV
mV
m
m
V
V
V
1.3
14
–1
8
0
1.8
17
2.3
23
1
28
14
140
245
2.5
2.6
q
q
q
q
q
17
5
100
140
1.6
STAT输出
I
S（ SNK ）
I
S（ OFF）
t
秒（上）
t
S（ OFF）
CTL输入
V
TH
V
HYST
I
CTL
I
OC
I
QOC
STAT引脚吸收电流
STAT引脚电流关
STAT引脚的导通时间
STAT引脚关断时间
CTL输入阈值电压
CTL输入滞后
CTL输入下拉电流
电流限制
静态电流，同时在
过电流操作
7
–1
11
18
1
1.2
1.1
V
TH
= (V
IL
+ V
IH
)/2
V
HYST
= (V
IH
– V
IL
)
V
OUT
＆ LT ; V
IN
= 3.6V, V
CTL
= 1.5V
V
IN
= 3.6V （注5 ）
V
IN
= 3.6V ，我
OUT
= 1.8A
q
q
1.4
1.25
530
6
390
2
1.8
460
90
3.5
2.6
575
短路响应
A
1100
A
4411f
2
U
A
A
s
s
mV
mV
A
W
U
U
W W
W
LTC4411
该
q
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
温度范围，否则仅指在T
A
= 25℃。 （注6 ）
注1 ：
绝对最大额定值是那些价值超过其使用寿命
的装置的可能损害。
注2 ：
该LTC4411E是保证符合性能规格
从0℃至70℃。特定网络连接的阳离子在-40° C至85 ° C的环境
工作温度范围是由设计，表征和放心
相关的统计过程控制。
注3 ：
T
J
从周围温度T计算出的
A
和权力
耗散P
D
根据下列公式计算：
T
J
= T
A
+ (P
D
150 ° C / W ）
下面的表列出了几种不同的电路板尺寸的热阻
和铜区。所有的测量是在静止空气中的32"分之3 FR- 4
板与设备安装在上部。
测得的热阻（ 2层板* ）
铜区
顶面
背面
2500mm
2
1000mm
2
225mm
2
100mm
2
50mm
2
2500mm
2
2500mm
2
2500mm
2
2500mm
2
2500mm
2
板
区域
2500mm
2
2500mm
2
2500mm
2
2500mm
2
2500mm
2
热阻
结到环境
125°C/W
125°C/W
130°C/W
135°C/W
150°C/W
注4 ：
静态电流随负载电流，是指绘制的我
QF
VS我
负载
.
注5 ：
该IC具有过热保护，旨在
在瞬间过载条件下保护器件。连接点
温度超过125°C时，过热保护功能被激活。
上述特定网络连续运行主编最高工作结
温度可能会影响器件的可靠性。
注6 ：
电流转换成一个引脚是正和电流输出的一个引脚是负的。
所有电压都参考GND 。
电气特性
*每一层都使用一个盎司铜
典型PERFOR一个CE特征
典型的我
QF
VS我
负载
在V
IN
= 3.6V
1000
T
A
= –40°C
T
A
= 0°C
T
A
= 40°C
T
A
= 80°C
T
A
= 120°C
静态电流（ μA ）
正向电压（ V）
0.3
100
电阻（Ω ）
10
0
0.5
1.0
1.5
2.0
负载电流（A ）
2.5
3.0
4411 G01
ü W
V
FWD
VS我
负载
在V
IN
= 3.6V
0.5
T
A
= –40°C
T
A
= 0°C
T
A
= 40°C
T
A
= 80°C
T
A
= 120°C
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
R
FWD
和R
ON
VS我
负载
at
V
IN
= 3.6V
T
A
= –40°C
T
A
= 0°C
T
A
= 40°C
T
A
= 80°C
T
A
= 120°C
0.4
0.2
0.1
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
负载电流（A ）
2.5
3.0
4411 G02
0
0.5
1.0
1.5
负载电流（A ）
2.0
4411 G03
4411f
3
LTC4411
典型PERFOR一个CE特征
R
FWD
VS V
供应
0.150
T
A
= –40°C
T
A
= 0°C
T
A
= 40°C
0.20
T
A
= 80°C
T
A
= 120°C
0.15
I
QROUT
电流（A ）
0.125
R
FWD
()
R
FWD
()
0.100
0.075
0.050
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
电源电压（ V）
I
泄漏
VS V
反向
,V
IN
= 0V
10
T
A
= 60°C
T
A
= 80°C
T
A
= 100°C
T
A
= 120°C
V
CTRL
500mV/DIV
V
STAT
2V/DIV
漏电流（ A）
1
100n
10n
0
1
2
3
4
反向电压（ V）
PI FU CTIO S
IN（引脚1 ） ：
理想二极管的阳极与电源正极
对于LTC4411 。当操作LTC4411作为开关它必
绕过与1μF的低ESR陶瓷电容。 X5R
和X7R电介质是优选的上级电压
和温度特性。
GND （引脚2 ） ：
电源和信号接地为IC 。
CTL （引脚3 ） ：
控制关断引脚。弱（ 3μA ） - 上拉
下来。把这引脚为高电平关闭IC 。领带GND
启用。可以悬空在不使用时。
STAT （引脚4 ） ：
状态指示灯状态。该引脚indi-
凯茨的LTC4411的导通状态。如果部件是
正向偏压（V
IN
＆ GT ; V
OUT
+ V
FWD
）该引脚将高阻。
如果该部分被反向偏置（Ⅴ
OUT
＆ GT ; V
IN
+ V
RTO
），那么这
引脚通过一个漏极开路下拉10μA 。当
通过47万电阻器，端接于一个高电压
高电压指示二极管导通。可能会留下
浮动或接地不使用时。
OUT （引脚5 ） ：
理想二极管的阴极和输出
LTC4411 。绕过OUT标称1毫欧的ESR电容
中的至少4.7μF 。该LTC4411是稳定的ESR下降
为0.2mΩ 。然而，随着更高的ESR的稳定性提高。
4411f
4
ü W
5.0
5
R
FWD
与温度的
V
IN
= 3.6V
100
I
QROUT
VS V
反向
在V
IN
= 0V
10
0.10
1
0.05
5.5
4411 G04
0
–40 –20
0
20 40 60 80
温度（℃）
100 120
4411 G05
100n
0
1
T
A
= –40°C
T
A
= 0°C
T
A
= 40°C
T
A
= 80°C
T
A
= 120°C
2
3
4
反向电压（ V）
5
6
4411 G06
CTL开启
V
CTRL
500mV/DIV
V
STAT
2V/DIV
V
OUT
2V/DIV
I
OUT
50mA/DIV
CTL打开，关闭
V
OUT
2V/DIV
I
OUT
500mA/DIV
200s/DIV
4411 G08
20s/DIV
4411 G09
6
4411 G07
U
U
U
LTC4411
BLOCK DIAGRA
W
+
–
5 OUT
IN
1
–+
P1
V
门
GND
2
SHDB
V
REF
关闭
CTL
3
3A
V
B
图2.详细框图
单操作
负载电流（A ）
的LTC4411动作进行的援助描述
图3.正向调控的LTC4411有三种
根据负载的大小的操作模式
电流。对于小负载电流时， LTC4411提供
一个恒定的电压降;这种操作模式被称为
作为“恒V
ON
“监管。作为电流超过我
FWD
上的电压降将线性增加的电流与
1 / R的斜率
ON
;这种操作模式被称为
“一定R
ON
“监管。随着电流的增加进一
疗法，超过我
最大
的正向电压降将在 -
折痕迅速;这种操作模式被称为
“我不断
ON
“监管。特色的
以下参数：v
FWD
, R
ON
, V
FWD
, I
FWD
和我
最大
在特定网络版与图3的援助。
操作开始时，在IN的电源上升到大于
2.4V （典型值）和CTL （控制）引脚的UVLO电压
是低的。如果仅在IN端子的电压存在时，电源
源LTC4411 （V
DD
）将被从IN引脚提供。
该放大器（ A）将提供成比例的电压
V之间的区别
IN
和V
OUT
到栅极（Ⅴ
门
）的
内部P沟道MOSFET （ P1 ） ，驾驶该栅极电压
低于V
IN
。这将打开P1 。由于P1导通， V
OUT
将
被拉高到V
IN
。该LTC4411然后将控制
V
门
保持低正向压降。该系统
现在在向前调节和负载在OUT将
–
+
–
+
过温
A
UVLO
OUT
最大
V
B
10A
4 STAT
4411 F03
U
动力从在中的供给。随着负载电流的变化，
V
门
会被控制，以保持低的正向电压
下降。如果负载电流超过P1的传送能力
当前，为V
门
接近GND时， P1将表现为
一个固定电阻，与电阻R
ON
，由此向前
电压会随着增加的负载电流。正如我
负载
进一步增加（我
负载
＆ GT ;我
最大
）的LTC4411将规范
负载电流，如下所述。在正向
操作调节模式的STAT引脚将是一个开放
电路。
3.0
I
OC
I
最大
2.0
LTC4411
I
FWD
1.5
1.0
0.5
0
坡
1/R
FWD
坡
1/R
ON
2.5
T
A
= 40°C
肖特基
二极管
1.0
4411 F04
0
V
FWD
0.25
0.5
0.75
正向电压（ V）
图3： LTC4411 VS肖特基二极管
正向导通特性
4411f
5
LTC4411
2.6A低损耗
采用ThinSOT封装的理想二极管
TM
特点
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
DESCRIPTIO
s
s
低损耗替代的PowerPath
TM
或运算二极管
小稳压正向电压（ 28MV敏）
2.6A最大正向电流
低正向电阻（ 140mΩ最大）
低反向漏电流（ <1μA ）
2.6V至5.5V工作电压范围
内部电流限制保护
内部热保护
无需外部有源器件
引脚兼容的低功耗替代
对于LTC4412
低静态电流（ 40μA典型值）
低扁平（1mm ） 5引脚SOT- 23封装
此外，LTC
4411是一个理想二极管IC ，能够提供高达
从2.6V至5.5V的输入电压2.6A 。该
LTC4411是采用5引脚1mm的SOT- 23
封装。
的LTC4411包含一个140mΩ P沟道MOSFET CON-
necting IN与OUT 。在正常的向前运转时，
MOSFET两端的压降被调节到低至28MV 。
静态电流小于负载电流高达40μA比
100mA电流。如果输出电压超过输入电压时，该
MOSFET被关断和小于反向电流为1μA
从OUT流至IN 。最大正向电流被限制
以一个恒定的2.6A （典型值），内部热限制税务局局长
cuits保护在故障条件下的部分。
漏极开路STAT引脚指示导通状态。该
STAT脚可以被用来驱动一辅助P沟道
连接备用电源MOSFET功率开关
当LTC4411未进行远期源
电流。
高电平有效控制引脚关断LTC4411和
电流消耗降低到小于25μA 。当
关断时， LTC4411指示这种情况的低
电压上的状态信号。
， LTC和LT是凌特公司的注册商标。
采用ThinSOT封装和PowerPath的是凌力尔特公司的商标。
应用S
s
s
s
s
s
s
手机
掌上电脑
数码相机
USB外设
不间断供应
逻辑控制电源开关
典型应用
WALL
适配器
输入
IN
电池
细胞（S）
OUT
LTC4411
GND
CTL
STAT
TO
负载
V
CC
4.7F
470k
I
最大
I
OC
LTC4411
坡
1/R
ON
不变
R
ON
电流（A ）
状态输出
为低电平时WALL
适配器是供应
负载电流
4411 F01
I
FWD
图负荷1.自动切换
之间的电池和墙上适配器
V
FWD
U
LTC4411 VS肖特基二极管
正向电压特性
我常
ON
坡
1/R
FWD
肖特基
二极管
LTC4411 FO2
U
U
不变
V
ON
正向电压（ V）
4411f
1
LTC4411
绝对
（注1 ）
AXI ü RATI GS
PACKAGE / ORDER我FOR ATIO
订购部件
数
顶视图
IN 1
GND 2
CTL 3
4 STAT
5 OUT
IN， OUT ， STAT ， CTL电压.......................... -0.3 6V
工作环境温度范围
（注2 ） .............................................. 。 - 40 ° C至85°C
工作结温
（注3 ） .............................................- 40 ° C至125°C
存储温度范围..................- 65 ° C至125°C
引线温度（焊接， 10秒） .................. 300℃
LTC4411ES5
S5 PART
记号
LTAEN
S5包装
5引脚塑封SOT- 23
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 250℃ / W （注3）
咨询LTC营销部分特定网络版与更广泛的工作温度范围。
该
q
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
温度范围，否则仅指在T
A
= 25℃。 （注6 ）
符号
V
IN
, V
OUT
I
QF
I
QRIN
I
QROUT
I
泄漏
V
FWD
–V
RTO
R
FWD
R
ON
UVLO
参数
工作电压范围
静态电流正向调节
（注4 ）
静态电流，同时在反
关断。从V电流消耗
IN
静态电流，同时在反
关断。从V电流消耗
OUT
V
IN
目前在V
OUT
供电
正向开启电压（V
IN
– V
OUT
)
反向关断电压（V
OUT
– V
IN
)
正向导通电阻，
(V
IN
-V
OUT
)/(I
负载
)
导通电阻的常数R
ON
模式
欠压锁定
条件
q
电气特性
民
2.6
典型值
40
最大
5.5
V
IN
= 3.6V ，我
负载
= 100毫安
V
IN
= 3.6V
V
OUT
= 3.7V
V
IN
= 3.6V
V
OUT
= 3.7V
V
IN
= 0V, V
OUT
= 5.5V
V
IN
= 3.6V
V
IN
= 3.6V
V
IN
= 3.6V ， 80μA <我
负载
< 1A
V
IN
= 3.6V ，我
负载
=千毫安
V
IN
瑞星， 0 ℃， <牛逼
A
＆ LT ; 85°C
V
IN
升起
V
IN
落下
V
IN
= 3.6V, V
OUT
＆ GT ; V
IN
+ V
RTO
,
V
CTL
＆ GT ; V
TH
+ V
HYST
V
IN
= 3.6V, V
OUT
＆ LT ; V
IN
– V
FWD
,
V
CTL
＆ LT ; V
TH
– V
HYST
q
q
单位
V
A
A
A
A
mV
mV
m
m
V
V
V
1.3
14
–1
8
0
1.8
17
2.3
23
1
28
14
140
245
2.5
2.6
q
q
q
q
q
17
5
100
140
1.6
STAT输出
I
S（ SNK ）
I
S（ OFF）
t
秒（上）
t
S（ OFF）
CTL输入
V
TH
V
HYST
I
CTL
I
OC
I
QOC
STAT引脚吸收电流
STAT引脚电流关
STAT引脚的导通时间
STAT引脚关断时间
CTL输入阈值电压
CTL输入滞后
CTL输入下拉电流
电流限制
静态电流，同时在
过电流操作
7
–1
11
18
1
1.2
1.1
V
TH
= (V
IL
+ V
IH
)/2
V
HYST
= (V
IH
– V
IL
)
V
OUT
＆ LT ; V
IN
= 3.6V, V
CTL
= 1.5V
V
IN
= 3.6V （注5 ）
V
IN
= 3.6V ，我
OUT
= 1.8A
q
q
1.4
1.25
530
6
390
2
1.8
460
90
3.5
2.6
575
短路响应
A
1100
A
4411f
2
U
A
A
s
s
mV
mV
A
W
U
U
W W
W
LTC4411
该
q
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
温度范围，否则仅指在T
A
= 25℃。 （注6 ）
注1 ：
绝对最大额定值是那些价值超过其使用寿命
的装置的可能损害。
注2 ：
该LTC4411E是保证符合性能规格
从0℃至70℃。特定网络连接的阳离子在-40° C至85 ° C的环境
工作温度范围是由设计，表征和放心
相关的统计过程控制。
注3 ：
T
J
从周围温度T计算出的
A
和权力
耗散P
D
根据下列公式计算：
T
J
= T
A
+ (P
D
150 ° C / W ）
下面的表列出了几种不同的电路板尺寸的热阻
和铜区。所有的测量是在静止空气中的32"分之3 FR- 4
板与设备安装在上部。
测得的热阻（ 2层板* ）
铜区
顶面
背面
2500mm
2
1000mm
2
225mm
2
100mm
2
50mm
2
2500mm
2
2500mm
2
2500mm
2
2500mm
2
2500mm
2
板
区域
2500mm
2
2500mm
2
2500mm
2
2500mm
2
2500mm
2
热阻
结到环境
125°C/W
125°C/W
130°C/W
135°C/W
150°C/W
注4 ：
静态电流随负载电流，是指绘制的我
QF
VS我
负载
.
注5 ：
该IC具有过热保护，旨在
在瞬间过载条件下保护器件。连接点
温度超过125°C时，过热保护功能被激活。
上述特定网络连续运行主编最高工作结
温度可能会影响器件的可靠性。
注6 ：
电流转换成一个引脚是正和电流输出的一个引脚是负的。
所有电压都参考GND 。
电气特性
*每一层都使用一个盎司铜
典型PERFOR一个CE特征
典型的我
QF
VS我
负载
在V
IN
= 3.6V
1000
T
A
= –40°C
T
A
= 0°C
T
A
= 40°C
T
A
= 80°C
T
A
= 120°C
静态电流（ μA ）
正向电压（ V）
0.3
100
电阻（Ω ）
10
0
0.5
1.0
1.5
2.0
负载电流（A ）
2.5
3.0
4411 G01
ü W
V
FWD
VS我
负载
在V
IN
= 3.6V
0.5
T
A
= –40°C
T
A
= 0°C
T
A
= 40°C
T
A
= 80°C
T
A
= 120°C
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
R
FWD
和R
ON
VS我
负载
at
V
IN
= 3.6V
T
A
= –40°C
T
A
= 0°C
T
A
= 40°C
T
A
= 80°C
T
A
= 120°C
0.4
0.2
0.1
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
负载电流（A ）
2.5
3.0
4411 G02
0
0.5
1.0
1.5
负载电流（A ）
2.0
4411 G03
4411f
3
LTC4411
典型PERFOR一个CE特征
R
FWD
VS V
供应
0.150
T
A
= –40°C
T
A
= 0°C
T
A
= 40°C
0.20
T
A
= 80°C
T
A
= 120°C
0.15
I
QROUT
电流（A ）
0.125
R
FWD
()
R
FWD
()
0.100
0.075
0.050
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
电源电压（ V）
I
泄漏
VS V
反向
,V
IN
= 0V
10
T
A
= 60°C
T
A
= 80°C
T
A
= 100°C
T
A
= 120°C
V
CTRL
500mV/DIV
V
STAT
2V/DIV
漏电流（ A）
1
100n
10n
0
1
2
3
4
反向电压（ V）
PI FU CTIO S
IN（引脚1 ） ：
理想二极管的阳极与电源正极
对于LTC4411 。当操作LTC4411作为开关它必
绕过与1μF的低ESR陶瓷电容。 X5R
和X7R电介质是优选的上级电压
和温度特性。
GND （引脚2 ） ：
电源和信号接地为IC 。
CTL （引脚3 ） ：
控制关断引脚。弱（ 3μA ） - 上拉
下来。把这引脚为高电平关闭IC 。领带GND
启用。可以悬空在不使用时。
STAT （引脚4 ） ：
状态指示灯状态。该引脚indi-
凯茨的LTC4411的导通状态。如果部件是
正向偏压（V
IN
＆ GT ; V
OUT
+ V
FWD
）该引脚将高阻。
如果该部分被反向偏置（Ⅴ
OUT
＆ GT ; V
IN
+ V
RTO
），那么这
引脚通过一个漏极开路下拉10μA 。当
通过47万电阻器，端接于一个高电压
高电压指示二极管导通。可能会留下
浮动或接地不使用时。
OUT （引脚5 ） ：
理想二极管的阴极和输出
LTC4411 。绕过OUT标称1毫欧的ESR电容
中的至少4.7μF 。该LTC4411是稳定的ESR下降
为0.2mΩ 。然而，随着更高的ESR的稳定性提高。
4411f
4
ü W
5.0
5
R
FWD
与温度的
V
IN
= 3.6V
100
I
QROUT
VS V
反向
在V
IN
= 0V
10
0.10
1
0.05
5.5
4411 G04
0
–40 –20
0
20 40 60 80
温度（℃）
100 120
4411 G05
100n
0
1
T
A
= –40°C
T
A
= 0°C
T
A
= 40°C
T
A
= 80°C
T
A
= 120°C
2
3
4
反向电压（ V）
5
6
4411 G06
CTL开启
V
CTRL
500mV/DIV
V
STAT
2V/DIV
V
OUT
2V/DIV
I
OUT
50mA/DIV
CTL打开，关闭
V
OUT
2V/DIV
I
OUT
500mA/DIV
200s/DIV
4411 G08
20s/DIV
4411 G09
6
4411 G07
U
U
U
LTC4411
BLOCK DIAGRA
W
+
–
5 OUT
IN
1
–+
P1
V
门
GND
2
SHDB
V
REF
关闭
CTL
3
3A
V
B
图2.详细框图
单操作
负载电流（A ）
的LTC4411动作进行的援助描述
图3.正向调控的LTC4411有三种
根据负载的大小的操作模式
电流。对于小负载电流时， LTC4411提供
一个恒定的电压降;这种操作模式被称为
作为“恒V
ON
“监管。作为电流超过我
FWD
上的电压降将线性增加的电流与
1 / R的斜率
ON
;这种操作模式被称为
“一定R
ON
“监管。随着电流的增加进一
疗法，超过我
最大
的正向电压降将在 -
折痕迅速;这种操作模式被称为
“我不断
ON
“监管。特色的
以下参数：v
FWD
, R
ON
, V
FWD
, I
FWD
和我
最大
在特定网络版与图3的援助。
操作开始时，在IN的电源上升到大于
2.4V （典型值）和CTL （控制）引脚的UVLO电压
是低的。如果仅在IN端子的电压存在时，电源
源LTC4411 （V
DD
）将被从IN引脚提供。
该放大器（ A）将提供成比例的电压
V之间的区别
IN
和V
OUT
到栅极（Ⅴ
门
）的
内部P沟道MOSFET （ P1 ） ，驾驶该栅极电压
低于V
IN
。这将打开P1 。由于P1导通， V
OUT
将
被拉高到V
IN
。该LTC4411然后将控制
V
门
保持低正向压降。该系统
现在在向前调节和负载在OUT将
–
+
–
+
过温
A
UVLO
OUT
最大
V
B
10A
4 STAT
4411 F03
U
动力从在中的供给。随着负载电流的变化，
V
门
会被控制，以保持低的正向电压
下降。如果负载电流超过P1的传送能力
当前，为V
门
接近GND时， P1将表现为
一个固定电阻，与电阻R
ON
，由此向前
电压会随着增加的负载电流。正如我
负载
进一步增加（我
负载
＆ GT ;我
最大
）的LTC4411将规范
负载电流，如下所述。在正向
操作调节模式的STAT引脚将是一个开放
电路。
3.0
I
OC
I
最大
2.0
LTC4411
I
FWD
1.5
1.0
0.5
0
坡
1/R
FWD
坡
1/R
ON
2.5
T
A
= 40°C
肖特基
二极管
1.0
4411 F04
0
V
FWD
0.25
0.5
0.75
正向电压（ V）
图3： LTC4411 VS肖特基二极管
正向导通特性
4411f
5
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