特点
n
n
n
n
n
n
n
n
LTC4355
正高电压
理想二极管，或与输入电源
和保险丝显示器
描述
此外，LTC
4355是一个正电压理想二极管或控制
LER驱动两个外部N沟道MOSFET 。成型
二极管或与N沟道MOSFET代替肖特基
二极管，降低了功耗，散热和
PC板面积。
与LTC4355 ，动力源可以很容易地进行或运算
在一起，以增加整个系统的可靠性。该LTC4355
可以二极管或两个正电源或地的返回路径
两个负电源，如在-48V系统。
在向前方向的LTC4355控制电压
MOSFET两端的年龄下降，以保证电流顺畅
从一个路径转移到其他无振荡。如果
一个电源发生故障或短路，快速关断最大限度地减少
反向电流瞬变。
电源故障检测表明，如果输入电源是
不调控，内联保险丝被烧断，或电压
年龄横跨MOSFET是高于故障
门槛。
替代功率肖特基二极管
控制N沟道MOSFET
0.3μs关断时间限制峰值故障电流
宽工作电压范围： 9V至80V
流畅的切换无振荡
无反向DC电流
监视V
IN
，保险丝和MOSFET二极管
可提供14引脚（4毫米
×
3毫米） DFN ，
16引脚MS和SO封装
应用
n
n
n
n
高可用性系统
AdvancedTCA的
（ ATCA ）系统
+ 48V和-48V分布式电源系统
电信基础设施
L,
LT ， LTC ， LTM ，凌特和线性标识是注册商标，
热插拔是凌特公司的商标。所有其他商标均为
其各自所有者的财产。
典型用途
+ 48V二极管或
7A
V
IN1
= +48V
7A
V
IN2
= +48V
FDB3632
TO
负载
功耗（ W）
FDB3632
22k
340k
340k
IN1
MON1
SET
MON2
12.7k
GND
4355 TA01
功耗与负载电流
6
5
二极管（ MBR10100 ）
4
3
2
1
FET （ FDB3632 ）
0
0
2
4
6
电流（A ）
8
10
4355 TA02
22k
22k
22k
22k
GATE1 IN2
GATE2 OUT
VDSFLT
FUSEFLT1
FUSEFLT2
PWRFLT1
PWRFLT2
动力
保存
LTC4355
GND
12.7k
绿色LED
松下LN1351C
4355fe
1
LTC4355
绝对最大额定值
（注1,2 ）
电源电压
IN1 ， IN2 ............................................... ... -1V至100V
OUT ................................................. .... -0.3V至100V
输入电压
MON1 ， MON2 ， SET .................................. -0.3V至7V
输出电压
GATE1 （注3 ） ................... V
IN1
- 0.2V至V
IN1
+ 13V
GATE2 （注3 ） ................... V
IN2
- 0.2V至V
IN2
+ 13V
PWRFLT1 ， PWRFLT2 ， VDSFLT ，
FUSEFLT1 ， FUSEFLT2
............................... -0.3V至8V
工作温度范围
LTC4355C ................................................ 0 ° C至70℃
LTC4355I ..............................................- 40 ° C至85°C
存储温度范围...................- 65℃ 150℃
焊接温度（焊接， 10秒）
MS ， SO封装............................................. 300 ℃，
引脚配置
顶视图
IN1 1
IN1
GATE1
OUT
GATE2
IN2
VDSFLT
GND
1
2
3
4
5
6
7
15
14 MON1
13
PWRFLT1
12
FUSEFLT1
11
FUSEFLT2
10
PWRFLT2
9 MON2
8集
IN1
GATE1
NC
OUT
NC
GATE2
IN2
VDSFLT
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
16
15
14
13
12
11
10
9
MON1
PWRFLT1
FUSEFLT1
FUSEFLT2
PWRFLT2
MON2
SET
GND
GATE1 2
NC 3
出4
NC 5
GATE2 6
IN2 7
NC 8
顶视图
16 MON1
15
PWRFLT1
14
FUSEFLT1
13
FUSEFLT2
12
PWRFLT2
11 MON2
10集
9
GND
DE14包装
14引脚（4毫米3毫米）塑料DFN
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 43 ° C / W
裸露焊盘（引脚15 ）印刷电路板接地连接可选
MS包装
16引脚塑料MSOP
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 125°C / W
的一揽子
16引脚塑料SO
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 75 ° C / W
订购信息
无铅完成
LTC4355CDE#PBF
LTC4355IDE#PBF
LTC4355CS#PBF
LTC4355IS#PBF
LTC4355CMS#PBF
LTC4355IMS#PBF
磁带和卷轴
LTC4355CDE#TRPBF
LTC4355IDE#TRPBF
LTC4355CS#TRPBF
LTC4355IS#TRPBF
LTC4355CMS#TRPBF
LTC4355IMS#TRPBF
最热*
4355
4355
LTC4355CS
LTC4355IS
4355
4355
包装说明
14引脚（4毫米
×
3毫米）塑料DFN
14引脚（4毫米
×
3毫米）塑料DFN
16引脚塑料SO
16引脚塑料SO
16引脚塑料MSOP
16引脚塑料MSOP
温度范围
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
咨询LTC营销部分特定网络版与更广泛的工作温度范围。 *温度等级是identi网络版通过在包装盒上的标签。
咨询LTC营销非标准铅基音响光洁度部分信息。
有关无铅零件标记的更多信息，请访问： http://www.linear.com/leadfree/
有关磁带和卷轴特定网络阳离子的更多信息，请访问： http://www.linear.com/tapeandreel/
4355fe
2
LTC4355
电气特性
符号
V
OUT
I
OUT
I
INX
ΔV
GATEx
I
GATEx （ UP ）
I
GATEx （ DN ）
t
关闭
V
MONx （ TH ）
V
MONx （ HYST ）
I
MONx （IN）的
V
INx的（ TH ）
V
INx的（ HYST ）
ΔV
SD
ΔV
SD （ FLT ）
ΔV
SD （ FLT ） （ HYST ）
V
FLT
I
FLT
R
SET （L）的
R
SET （M）的
R
SET （H）的
参数
工作电压范围
电源电流
INx的引脚输入电流
外部N沟道栅极驱动
(V
GATEx
– V
INX
)
外部N沟道栅极上拉电流
外部N沟道栅极下拉的故障
条件
栅极关断时间
MONx引脚阈值电压
MONx引脚电压迟滞
MONx引脚输入电流
INx的引脚阈值电压
INx的引脚电压迟滞
源极 - 漏极电压调节
(V
INX
– V
OUT ）
短路故障电压
(V
INX
– V
OUT
）上升
短路故障滞后电压
PWRFLTx ， FUSEFLTx ， VDSFLT
引脚
输出低
PWRFLTx ， FUSEFLTx ， VDSFLT
引脚
漏电流
SET电阻范围为
ΔV
SD （ FLT ）
= 0.25V
SET电阻范围为
ΔV
SD （ FLT ）
= 0.5V
SET电阻范围为
ΔV
SD （ FLT ）
= 1.5V
I
Pwrfltx
, I
FUSEFLTx
, I
VDSFLT
= 5毫安
V
Pwrfltx
, V
FUSEFLTx
, V
VDSFLT
= 5V
l
l
l
l
l
该
l
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
温度范围内，另有规定的阳离子是在T
A
= 25°C 。 9V < V
OUT
< 80V，除非另有说明。
条件
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
民
9
典型值
2
最大
80
3
1.2
18
18
–26
单位
V
mA
mA
V
V
μA
A
门高
V
OUT
= 20V至80V
V
OUT
= 9V至20V
V
GATEx
= V
INX
,
V
INX
– V
OUT
= 100mV的
栅极驱动关闭，V
GATEx
= V
INX
+5V
–
V
INX
– V
OUT
= 55mV |
–
= 1V ，C
门
= 0
V
GATEx
– V
INX
＆ LT ; 1V
0.5
10
4.5
–14
1
0.6
14
6
–20
2
0.3
0.4
1.245
45
±1
4
150
55
0.3
0.6
1.6
200
±1
5
150
μs
V
mV
μA
V
mV
mV
V
V
V
mV
mV
μA
kΩ
kΩ
MΩ
V
MONx
升起
V
MONx
= 1.23V
V
INX
升起
V
GATEx
– V
INX
= 2.5V
SET = 0V
SET = 100kΩ的
SET =高阻
1.209
10
3
25
10
0.2
0.4
1.3
1.227
30
0
3.5
75
25
0.25
0.5
1.5
30
100
0
l
l
l
l
l
l
l
0
50
1
注1 ：
强调超越上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。暴露于任何绝对
最大额定值条件下工作会影响器件
可靠性和寿命。
注2 ：
所有流进针是积极的，所有的电压参考
GND除非另有规定ED 。
注3 ：
该GATEx引脚内部限于上述最低13V的
INx的。这些管脚驱动超出夹具可能会损坏部件。
4355fe
3
LTC4355
引脚功能
裸露焊盘：
裸露焊盘可悬空或连接
到GND 。
FUSEFLTx ：
保险丝故障输出。漏极开路输出
当拉至GND V
INX
< 3.5V ，说明该熔断器
已经吹开。否则，此输出为高阻态。
连接至GND ，如果未使用。
GATEx ：
栅极驱动器输出。在GATE引脚拉高，
提高N沟道MOSFET时的负载电流
租金跨越创造超过25mV的电压降
在MOSFET 。当负载电流小，则
门正在积极推动以保持25mV的跨越
MOSFET。如果反向电流发展超过
的两端的MOSFET的电压降-25mV ，一个快速下拉
电路快速GATE引脚连接到IN引脚，转弯
断MOSFET 。限制栅极之间的电容
和IN管脚小于0.1μF 。
GND ：
设备接地。
INx的：
输入电压和GATE快速下拉的回报。该
在销的理想二极管的阳极和连接到
所述N沟道MOSFET的源。电压感测
在这些引脚被用来控制源极 - 漏极电压
横跨MOSFET和所使用的故障检测
电路的驱动
PWRFLT ， FUSEFLT ，
和
VDSFLT
销。
门快速下拉电流是通过在返回
销。连接这些引脚尽量靠近MOSFET源
成为可能。连接是否使用。
MONx ：
输入电源监视器。这些引脚用来
检测输入电源电压。这些引脚连接到
输入电源之间的外部电阻分压器
GND 。如果V
MONx
低于1.23V时，
Pwrfltx
引脚拉
到GND 。连接至GND ，如果未使用。
NC ：
无连接。没有内部连接。这些
引脚提供高，低电压的额外的距离
年龄引脚。
OUT ：
漏极电压感和正电源输入。 OUT
是二极管或IN1和IN2的输出。它连接到
所述N沟道MOSFET的公共漏极连接。该
电压感测，在这个引脚用来控制源 -
漏极电压横跨MOSFET和所使用的
错，驱动检测电路
PWRFLT
和
VDSFLT
销。该LTC4355是从OUT引脚供电。
PWRFLTx ：
电源故障输出。漏极开路输出
这时候拉至GND V
MONx
低于1.23V或
MOSFET两端的正向电压超过
ΔV
SD （ FLT ）
。当V
MONx
高于1.23V和
MOSFET两端的正向电压小于
ΔV
SD （ FLT ）
,
Pwrfltx
为高阻抗。连接到GND
如果未使用。
设置：
ΔV
SD （ FLT ）
门槛CON组fi guration输入。 SET绑
到GND，到100k的电阻连接到GND，或离开
设置开放式网络骗子居雷什的
ΔV
SD （ FLT ）
正向电压故障
门槛为250mV ， 500mV的，或1.5V分别。当
跨越MOSFET电压超过
ΔV
SD （ FLT ）
中，
VSDFLT
销与所述至少一个
PWRFLT
引脚拉至GND。
VDSFLT ：
MOSFET故障输出。漏极开路输出
拉至GND时，正向电压或者跨越
MOSFET超过
ΔV
SD （ FLT ）
.
PWRFLT1
or
PWRFLT2
还
拉低来指示MOSFET的正向电压降
超过
ΔV
SD （ FLT ）
。否则，该引脚为高阻态。
连接至GND ，如果未使用。
4355fe
5
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