LTC4352
低电压理想二极管
控制器与监控
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
描述
此外，LTC
4352创建使用外部一个接近理想的二极管
N沟道MOSFET 。它取代高功率肖特基二极管
以及相关的散热片，从而节省功耗和电路板面积。
理想二极管功能允许低损耗电源的ORing
与电源保持应用程序。
的LTC4352调节整个正向压降
该MOSFET ，保证电流顺畅转移diode-
或应用程序。快速接通减小了负载电压
在电源切换下垂。如果输入电源出现故障
或短路，快速关断最大限度地减小反向电流。
控制器工作与物资从2.9V到18V 。
为较低的电压，一个需要外部电源，在
V
CC
引脚。欠压期间，电源通道被禁用
或过压条件。该控制器还具有
开放式MOSFET检测电路标志过高的电压
调整管两端滴在接通状态。倒档销
使反向电流，覆盖二极管的行为
在需要的时候。
L,
LT ， LTC ， LTM ，凌特和线性标识是注册商标，
采用ThinSOT封装和PowerPath的是凌力尔特公司的商标。所有其他商标
是其各自所有者的财产。
低损耗替代的功率二极管
控制N沟道MOSFET
0V至18V电源的ORing或持枪抢劫
0.5μs的导通和关断时间
欠压和过压保护
打开MOSFET检测
状态和故障输出
热插拔
反向电流使能输入
12引脚MSOP和DFN （3毫米
×
3毫米）封装
应用
n
n
n
n
冗余电源
供应持枪抢劫
电信基础设施
计算机系统和服务器
典型用途
2.9V至18V理想二极管
4.0
Si7336ADP
2.9V至18V
功耗（ W）
0.1F*
加载
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
2
MOSFET （ Si7336ADP ）
4
6
负载电流（A ）
8
10
4352 TA01b
功耗与负载电流
二极管（ SBG1025L ）
CPO源V
IN
0.1F
V
CC
UV
OV
转
*可选
GND
LTC4352
门
OUT
状态
故障
4352 TA01
MOSFET在
状态
故障
动力
保存
4352fa
1
LTC4352
绝对最大额定值
V
IN
，源极电压...................................- 2V至24V
V
CC
电压................................................. 。 -0.3V至7V
输出电压................................................ ...- 2V至24V
CPO ，栅极电压（注3） ..................... -0.3V至30V
CPO直流电流............................................... .... 10毫安
UV，OV ， REV电压................................ -0.3V至24V
FAULT ， STATUS
电压............................ -0.3V至24V
（注1,2 ）
FAULT ， STATUS
电流.......................................... 5毫安
工作环境温度范围
LTC4352C ................................................ 0 ° C至70℃
LTC4352I .............................................- 40℃至85℃
LTC4352H .......................................... -40 ° C至150°
存储温度范围.................. -65℃ 150℃
焊接温度（焊接， 10秒）
MS套餐................................................ ...... 300℃
引脚配置
顶视图
V
IN
V
CC
UV
OV
状态
故障
1
2
3
4
5
6
13
12 SOURCE
11 GATE
10 CPO
9 GND
8 OUT
7 REV
V
IN
V
CC
UV
OV
状态
故障
1
2
3
4
5
6
顶视图
12
11
10
9
8
7
来源
门
CPO
GND
OUT
转
DD包
12引脚（3mm
×
3毫米）塑料DFN
T
JMAX
= 150°C,
θ
JA
= 43 ° C / W
裸露焊盘（引脚13 ）印刷电路板接地连接可选
MS包装
12引脚塑料MSOP
T
JMAX
= 150°C,
θ
JA
= 164 ° C / W
订购信息
无铅完成
LTC4352CDD#PBF
LTC4352IDD#PBF
LTC4352HDD#PBF
LTC4352CMS#PBF
LTC4352IMS#PBF
LTC4352HMS#PBF
磁带和卷轴
LTC4352CDD#TRPBF
LTC4352IDD#TRPBF
LTC4352HDD#TRPBF
LTC4352CMS#TRPBF
LTC4352IMS#TRPBF
LTC4352HMS#TRPBF
最热*
LDPJ
LDPJ
LDPJ
4352
4352
4352
包装说明
12引脚（3mm
×
3毫米）塑料DFN
12引脚（3mm
×
3毫米）塑料DFN
12引脚（3mm
×
3毫米）塑料DFN
12引脚塑料MSOP
12引脚塑料MSOP
12引脚塑料MSOP
温度范围
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
-40 ° C至150℃
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
-40 ° C至150℃
咨询LTC营销与更广泛的工作温度范围规定的部分。 *温度等级标识在包装盒上的标签。
咨询LTC营销基于非标准铅涂层器件的信息。
有关无铅零件标记的更多信息，请访问：
http://www.linear.com/leadfree/
有关磁带和卷轴特定网络阳离子的更多信息，请访问：
http://www.linear.com/tapeandreel/
4352fa
2
LTC4352
电气特性
符号
耗材
V
IN
V
CC （ EXT ）
V
CC （ INT ）
I
IN
I
CC
V
CC （ UVLO ）
ΔV
CC （ HYST ）
V
FWD （ REG ）
ΔV
门
t
ON （ GATE ）
t
OFF （ GATE ）
V
UV ， OV （ TH ）
ΔV
UV ， OV （ HYST ）
V
REV （ TH ）
I
UV，OV
I
转
I
OUT
I
来源
I
CPO （ UP ）
I
门
I
FLT ， STAT （ IN）
I
FLT ， STAT （ UP ）
V
OL
V
OH
ΔV
门（ST）的
V
FWD （ FLT ）
输入电压范围
随着外部2.9V至4.7V V
CC
供应
随着外部4.7V至6V V
CC
供应
l
l
l
l
l
该
l
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
温度范围，否则仅指在T
A
= 25°C 。 V
IN
= 12V, V
来源
= V
IN
, V
OUT
= V
IN
, V
CC
开，除非另有说明。
参数
条件
民
2.9
0
0
2.9
3.5
4.1
1.4
–10
–10
1.25
2.45
50
10
5
2.57
70
25
6.1
0.25
0.2
490
2.5
0.8
0.8
7
–13
–85
–60
–50
–90
–75
–1.5
1.5
100
0
–8
V
CC
– 1
0.3
0.28
200
–10
0.2
V
CC
– 0.5
0.7
0.7
250
1.1
1.1
300
500
5
1.0
1.0
0
10
典型值
最大
18
V
CC
18
6
4.7
3
–13
–25
2.5
2.7
90
40
7.5
0.5
0.5
510
8.5
1.2
1.25
±1
13
200
–130
–115
–100
单位
V
V
V
V
V
mA
A
A
mA
V
mV
mV
V
s
s
mV
mV
V
V
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
V
V
V
V
mV
V
CC
外部电源电压范围
V
CC
内部稳压器
V
IN
电源电流
外部V
CC
电源电流
V
CC
欠压锁定阈值
V
CC
欠压闭锁滞后
正向调节电压（V
IN
V
OUT
)
MOSFET栅极驱动器（V
门
– V
来源
)
门的开启延迟
栅极关断延迟
UV，OV阈值电压
UV，OV阈值迟滞
REV阈值电压
UV，OV电流
转电流
输出电流
源出电流
CPO上拉电流
门的快速上拉电流
GATE快速下拉电流
门关下拉电流
状态，故障
漏电流
状态，故障
上拉电流
状态，故障
输出低电压
状态，故障
输出高电压
MOSFET在检测阈值
开放式MOSFET的阈值（V
IN
– V
OUT
)
(LTC4352H)
V = 0.5V
V
转
= 1V
V
OUT
= 0V, 12V
V
来源
= 0V
V
CPO
= V
IN
= 2.9V
V
CPO
= V
IN
= 18V
V
FWD
= 0.2V, ΔV
门
= 0V, V
CPO
= 17V
V
FWD
= –0.2V, ΔV
门
= 5V
V
UV
= 0V, ΔV
门
= 2.5V
V = 18V
V = 0V
I = 1.25毫安
I = -1μA
状态
拉低，V
FWD
= 50mV的
状态
拉低，V
FWD
= 50mV的（ LTC4352H ）
故障
拉低
V
FWD
= 0.1V ，I = 0和-1μA
C
门
= 10nF电容，V
FWD
= 0.2V
C
门
= 10nF电容，V
FWD
= 0.2V
V
UV
下降，V
OV
升起
V
IN
= 0V, V
CC
= 5V, V
OUT
= 18V
V
IN
= 0V, V
CC
= 5V, V
OUT
= 18V （ LTC4352H ）
V
CC
= 5V, V
IN
= 0V
V
CC
升起
l
l
l
l
l
l
理想二极管控制
l
l
l
l
输入/输出引脚
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
60
145
±1
–12
0.4
注1 ：
强调超越上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。暴露于任何绝对
最大额定值长时间会影响器件的可靠性和
寿命。
注2 ：
所有电流为器件引脚为正;所有电流输出装置的
引脚是负的。所有电压参考GND除非另有
指定的。
注3 ：
内部卡件限制在GATE和CPO引脚到最小5V的
以上，和一个低于源极二极管。驱动这些引脚的电压超过
夹具可能会损坏设备。
4352fa
3
LTC4352
引脚功能
V
IN
（引脚1 ） ：
电压检测和电源输入。这个连接
引脚连接到MOSFET的电源输入端。低电压
电源V
CC
从V产生
IN
。电压感测
该引脚用于控制MOSFET的栅极。
V
CC
（引脚2 ） ：
低压电源。连接一个0.1μF的电容
从这个引脚到地。当V
IN
≥ 2.9V时，该引脚提供
解耦的内部稳压器产生一个4.1V
供应量。对于应用程序，其中V
IN
< 2.9V ，连接一个
在该范围2.9V外部电源电压6V至该引脚。
UV（引脚3 ） ：
欠压比较器输入。这个连接
引脚从V外部电阻分压器
IN
。如果电压
年龄在这个引脚低于0.5V ，欠压故障
检测，并且该MOSFET被关断。比较
具有为5mV一个内置的滞后。绑到V
CC
如果未使用。
OV （引脚4 ） ：
过电压比较器输入。这个连接
引脚从V外部电阻分压器
IN
。如果电压
年龄在这个引脚高于0.5V ，过压故障
检测，并且该MOSFET被关断。比较
具有为5mV一个内置的滞后。如果不用绑到GND 。
状态
（引脚5 ） ：
MOSFET状态输出。这个引脚上拉
通过低开漏输出外部MOSFET时，
是的。内部10μA电流源拉该引脚最多
以低于V二极管
CC
。它可以高于V被拉
CC
运用
一个外部上拉电阻。绑到GND或不用平仓离场。
故障
（引脚6 ） ：
故障输出。该引脚被拉低由
当故障发生时的漏极开路输出。这个故障可能
无论是欠压故障，过压故障，或
开放式MOSFET故障。外部MOSFET关闭
欠压和过压故障，而它留在
开放式MOSFET故障。内部10μA电流源
拉此引脚至低于V二极管
CC
。它可以被拉
上述V
CC
使用外部上拉电阻。绑到GND或离开
开放，如果未使用。
REV （引脚7 ） ：
反向电流使能输入。这个连接
连接到GND正常运行的二极管阻断反向
电流。上述驱动1V该引脚完全打开MOSFET
门，以允许反向电流。内部10μA电流
源拉此引脚与GND 。
OUT （引脚8 ） ：
输出电压检测输入。这个连接
引脚连接到MOSFET的输出端。电压感测
在这个引脚用来控制MOSFET的栅极。
GND （引脚9 ）
设备接地。
CPO （引脚10 ） ：
电荷泵的输出。连接一个电容
此引脚与源极引脚。该电容的值
Tor是大约10倍的栅极电容（C
国际空间站
）的
MOSFET开关。存储在该电容器上的电荷是
用来拉闸门在快速导通。离开这个
引脚开路，如果快速的开启是不需要的。
GATE （引脚11 ） ：
MOSFET栅极驱动输出。这个连接
引脚到外部的N沟道MOSFET开关的栅极。
内部钳位限制栅极电压到6.1V以上，
以下SOURCE二极管。在快速开启一个1.5A
拉费门CPO 。在快速关断一个1.5A
下拉放电门源。
SOURCE （引脚12 ） ：
MOSFET栅极驱动器返回。连
该引脚与外部N沟道MOSFET的源极
开关。
裸露焊盘（引脚13 ， DD包只） ：
裸露焊盘
可悬空或连接到设备的接地。
4352fa
5
QQ：2881677436 复制
