特点
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■
LTC4264
高功率PD接口
控制器750毫安
电流限制
描述
此外，LTC
4264是一个综合的受电设备（ PD ） IN-
terface控制器适用于IEEE 802.3af标准的供电
以太网供电（PoE ）和高功率PoE应用提供高达35W 。
由包括精密的双电流限制， LTC4264
保持如下的IEEE802.3af标准电流限制水平冲击
以确保互操作性的成功，同时允许高
功率PD操作。该LTC4264包括一个连接的场验证
功率MOSFET提供高达750mA的PD负载，同时
保持符合IEEE802.3af标准。
互补的电源良好输出允许LTC4264以
直接与一台主机的DC / DC变换器的产品相连。
该LTC4264提供了一个完整的签名和力量
通过将25K的PD设计的接口解决方案
签名电阻器，分类音响阳离子电路，输入电流
限制，欠压锁定，过热保护，
签名禁用和电源良好信号。
的LTC4264 PD接口控制器可以与用于沿
各种各样的凌力尔特DC / DC转换器产品
以提供一个完整的，成本有效的电源解决方案
高功率PD应用。
该LTC4264是在节省空间的低廓可用
(4mm
×
3毫米） DFN封装。
， LT ， LTC和LTM是凌力尔特公司的注册商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
完整的高功率PD接口控制器
IEEE 802.3af标准
柔顺
板载750毫安功率MOSFET
互补的电源良好输出
灵活的辅助电源选项
精密双电流与禁用限
可编程分类科幻阳离子电流为75毫安
板载25K签名电阻器具有禁用
欠压锁定
完整的热过载保护
可在低廓（4毫米
×
3毫米） DFN封装
应用
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802.11n接入点
高功率的VoIP视频电话
RFID阅读器系统
PTZ安全摄像机和监控设备
典型用途
打开VS时间
V
IN
50V/DIV
C
负载
= 100F
从-54V
数据对
~
~
~
+
0.1F
SMAJ58A
DF1501S
–
+
–
LTC4264
SHDN
GND
R
类
PWRGD
R
类
I
LIM_EN
V
IN
V
OUT
PWRGD
5F
民
+
从-54V
对备用
DF1501S
V
IN
开关
动力
供应
RUN
RTN
V
OUT
50V/DIV
+
3.3V
以逻辑
PWRGD - V
OUT
50V/DIV
I
IN
200mA/DIV
时间（毫秒/ DIV ）
4264 TA01b
~
4264 TA01a
–
4264f
1
LTC4264
绝对最大额定值
（注1,2 ）
封装/订购信息
顶视图
SHDN
NC
R
类
I
LIM_EN
V
IN
V
IN
1
2
3
4
5
6
13
12 GND
11 NC
10 PWRGD
9
8
7
PWRGD
V
OUT
V
OUT
V
IN
电压................................................. 0.3V至-90V
V
OUT
电压......... V
IN
+ 90V （ ≤和GND）到V
IN
– 0.3V
SHDN电压............................ V
IN
+ 90V至V
IN
– 0.3V
R
类
, I
LIM_EN
电压............... V
IN
+ 7V到V
IN
– 0.3V
PWRGD电压（注3）
低阻抗源.... V
OUT
+ 11V至V
OUT
– 0.3V
目前美联储................................................ .......... 5毫安
PWRGD电压......................... V
IN
+ 80V至V
IN
– 0.3V
PWRGD电流................................................ ..... 10毫安
R
类
Current.....................................................100mA
工作环境温度范围
LTC4264C ................................................ 0 ° C至70℃
LTC4264I ............................................. -40°C至85℃
结温........................................... 150℃
存储温度范围................... -65℃ 150℃
DE12包装
12 - LEAD （4毫米
×
3毫米）塑料DFN
T
JMAX
= 150°C,
θ
JA
= 43 ° C / W ，
θ
JC
= 4.3 ° C / W
裸露焊盘（引脚13）必须焊接到
电气隔离HEAT SINK
订购部件号
LTC4264CDE
LTC4264IDE
DE最热*
4264
4264
订购选项
卷带式：添加#TR
无铅：添加#PBF无铅卷带式：添加#TRPBF
无铅最热：
http://www.linear.com/leadfree/
咨询LTC营销部分特定网络版与更广泛的工作温度范围。
*温度等级为identi网络由在包装盒上的标签编。
电气特性
符号
V
IN
参数
电源电压
IEEE 802.3af标准体系
签名范围
分类科幻阳离子范围
UVLO导通电压
UVLO关断电压
IC电源电流时ON
IC电源电流在分类网络阳离子
电流精度在分类网络阳离子
分类科幻阳离子稳定时间
特征电阻
无效的签名电阻
SHDN高电平输入电压
SHDN低电平输入电压
SHDN输入电阻
I
LIM_EN
高电平输入电压
该
●
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
温度范围内，另有规定的阳离子是在T
A
= 25°C 。 （注4 ）
条件
电压相对于GND引脚
（注5 ，6，7 ，8）
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
民
典型值
最大
–57
–10.1
–21
–40.2
–31.5
3
0.70
±3.5
1
单位
V
V
V
V
V
mA
mA
%
ms
kΩ
kΩ
V
V
k
V
4264f
–1.5
–12.5
–37.7
–29.8
0.55
–38.9
–30.6
0.62
I
IN_ON
I
IN_CLASS
ΔI
类
t
CLASSRDY
R
签名
R
无效
V
IH_SHDN
V
IL_SHDN
R
INPUT_SHDN
V
IH_ILIM
V
IN
= –54V
V
IN
= -17.5V （注9 ）
10毫安<我
类
< 75毫安， -12.5V ≤ V
IN
≤ –21V
（注10,11 ）
V
IN
阶梯0V至-17.5V ，我
IN_CLASS
对≤3.5 ％
理想， 10毫安<我
类
< 75毫安（注10 ， 11 ）
–1.5V ≤ V
IN
≤ -10.1V ， IEEE 802.3af标准的2点
测量时， SHDN连接到V
IN
（注6,7）
–1.5V ≤ V
IN
≤ -10.1V ， IEEE 802.3af标准的2点
测量时， SHDN接GND （注6,7）
相到V
IN
，高级=关闭
（注12 ）
相到V
IN
相到V
IN
与Repect到V
IN
，高层允许电流
限制（注13 ）
23.25
10
3
26.00
11.8
57
0.45
100
4
2
LTC4264
电气特性
符号
V
IL_ILIM
V
PWRGD_OUT
I
PWRGD_LEAK
V
PWRGD_OUT
参数
I
LIM_EN
低电平输入电压
低电平电源良好
输出低电压
低电平电源良好泄漏
有源大功率良好
输出低电压
该
●
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
温度范围内，另有规定的阳离子是在T
A
= 25°C 。 （注4 ）
条件
相到V
IN
（注13 ）
I
PWRGD
= 1mA时， V
IN
= –54V,
P
W
R
G
D
参考V
IN
V
IN
= 0V, V
PWRGD
= 57V
I
PWRGD
= 0.5毫安，V
IN
= –52V, V
OUT
= –4V,
PWRGD参考V
OUT
（注14 ）
I
PWRGD
= 2毫安，V
OUT
= 0V,
相到V
OUT
（注3）
V
PWRGD
= 11V ，以尊重到V
OUT
,
V
OUT
= V
IN
= –54V
I = 700毫安，V
IN
= –54V
从V测
IN
到V
OUT
（注11 ）
V
IN
= -57V ， GND = SHDN = V
OUT
= 0V
V
IN
= –54V, V
OUT
= -53V ，我
LIM_EN
漂浮的
（注15 ， 16 ）
V
IN
= –54V, V
OUT
= -53V （注15 ， 16 ）
V
IN
= –54V, V
OUT
= -52.5V ，我
LIM_EN
连接到V
IN
（注15 ， 16 ， 17 ）
●
●
●
●
●
●
民
典型值
最大
1
0.5
1
0.35
单位
V
V
A
V
V
A
Ω
Ω
A
mA
mA
A
V
PWRGD_VCLAMP
有源大功率良好
限压钳
I
PWRGD_LEAK
R
ON
I
OUT_leak
I
LIMIT_HIGH
I
LIMIT_LOW
I
LIMIT_DISA
有源大功率良好泄漏
抗性
V
OUT
泄漏
输入电流限制在正常
手术
浪涌电流限制
保护电流限制时，
I
LIMIT_HIGH
残
12.0
14.0
16.5
1
●
●
●
●
0.5
0.6
0.8
1
800
350
1.65
700
250
1.20
750
300
1.45
注1 ：
强调超越上述绝对最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。暴露于任何绝对最大
评级条件长时间可能会影响器件的可靠性和
寿命。
注2 ：
所有的电压都是相对于GND引脚，除非另有说明。
注3 ：
高电平有效PWRGD引脚的内部钳位电路的自我调节至14V
相到V
OUT
.
注4 ：
的LTC4264操作与在范围内的负电源电压
-1.5V至-57V 。为了避免混淆，在此数据表的电压被称为
在绝对值方面。
注5 ：
在IEEE 802.3af标准系统中，在PD插座的最大电压是
德网络定义为-57V 。请参阅应用信息。
注6 ：
LTC4264的设计有两个极性保护工作
二极管串联在输入。取值范围在电气特定网络版
特征是相对于LTC4264引脚并设计成满足
IEEE 802.3af标准的特定网络连接的阳离子时，从两个二极管的压降是包括在内。
请参阅应用信息。
注7 ：
签名阻抗是通过两点测量
ΔV / ΔI
法
作为德由IEEE 802.3af标准定义网络。该LTC4264签名电阻偏置
从25K占二极管电阻。两个串联二极管的总
PD阻力会23.75k和26.25k之间，并符合IEEE 802.3af标准
特定连接的阳离子。最小探针电压的LTC4264引脚测
是 - 1.5V和 - 2.5V 。最大探测电压为-9.1V和-10.1V 。
注8 ：
该LTC4264包括滞后的UVLO电压，以排除
任何启动振荡。按照IEEE 802.3af标准的要求， LTC4264将
电时从一个电压源上的网络连接第一个试验的20Ω的串联电阻。
注9 ：
I
IN_CLASS
不包括编程分类网络阳离子电流
在分类网络阳离子模式引脚3的总电源电流为I
IN_CLASS
+ I
类
（见注10 ） 。
注10 ：
I
类
被测量的电流佛罗里达州至R由于
类
.
ΔI
类
精度是相对于理想电流降科幻定义为余
类
= 1.237/R
类
.
t
CLASSRDY
是时候让我
类
定居于理想范围内为± 3.5 ％ 。趋势/涌流
精度特定网络阳离子不包括变化在研发
类
性。该
总分类音响阳离子电流的PD也包括集成电路的静态电流
(I
IN_CLASS
） 。请参阅应用信息。
注11 ：
这个参数是有保证的设计和晶圆级测试。
注12 ：
要禁用25K签名，领带SHDN接GND （ ± 0.1V ）或持有SHDN
高引脚相对于V
IN
。请参阅应用信息。
Note13 ：
I
LIM_EN
引脚拉高内部和正常操作
留浮动。要禁用高层次电流限制，配合我
LIM_EN
到V
IN
。看
应用信息。
注14 ：
高电平有效的电源良好的参考V
OUT
并且是有效的
GND -V
OUT
≥ 4V 。在测量-52V由于测试硬件的限制。
注15 ：
该LTC4264包括一个双电流限制。在接通时，前C1是
充电时， LTC4264电流电平被设置为余
LIMIT_LOW
。 C1充电后
并与我
LIM_EN
浮动时， LTC4264切换到我
LIMIT_HIGH
。随着我
LIM_EN
引脚接低电平时， LTC4264切换到我
LIMIT_DISA
。该LTC4264停留在
I
LIMIT_HIGH
还是我
LIMIT_DISA
直到输入电压降至低于UVLO开启
断阈值或热过载发生。
注16 ：
该LTC4264具有热过载保护。中的情况下
温度过高时， LTC4264将关闭功率MOSFET ，
禁用分类音响阳离子负载电流并提出了无效的电源良好
信号。一旦LTC4264冷却到低于所述过温限制，则
LTC4264电流限制切换到我
LIMIT_LOW
恢复正常工作。
热过载保护的目的是在以保护设备
瞬时故障状态和连续运转过热
应避免使用，因为它可能会影响器件的可靠性。
注17 ：
I
LIMIT_DISA
是激活的一种保障电流限制时
正常输入电流限制（我
LIMIT_HIGH
）被使用I败
LIM_EN
引脚。
电流达到或接近我
LIMIT_DISA
会导致显着的包暖气和可
需要减小最大环境工作温度，以避免
脱扣热过载保护。请参阅应用信息。
4264f
3
QQ：2881677436 复制
