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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符L型号页 > 首字符L的型号第955页 > LTC4257IDD
LTC4257
IEEE 802.3af标准的PD
以太网供电
接口控制器
特点
DESCRIPTIO
完整的电源接口端口支持IEEE 802.3af标准
供电设备(PD )
板载100V , 400毫安功率MOSFET
精准输入电流限制
板载25K电阻签名
可编程分类科幻阳离子电流( 0-4级)
欠压锁定
智能热保护
电源良好信号
采用8引脚SO和薄型(3毫米
×
3mm)
DFN封装
此外,LTC
4257提供完整的签名和动力
一台设备在IEEE操作界面功能
802.3af以太网供电( PoE)的系统。该LTC4257
通过引入简化了用电设备(PD )设计
25K的特征电阻,分级电流源,
输入电流限制与热折返,欠压
闭锁和电源良好信号,在一个单一的8引脚
封装。通过将高电压功率MOSFET
板上时, LTC4257提供与系统设计者
降低了成本,同时也节省了电路板空间。
的LTC4257可以直接与各种线性的接口
技术的DC / DC转换器的产品提供了成本
IP电话有效的电源解决方案,无线接入
点和其他的PD 。凌力尔特还提供了
对供电设备( PSE )的应用解决方案
系统蒸发散与四路网络电源控制器。
该LTC4257可在8引脚SO和低调
(3mm
×
3毫米) DFN封装。
, LTC和LT是凌特公司的注册商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
应用S
IP电话电源管理
无线接入点
通信电源控制
典型应用
受电设备( PD )
从-48V
电力供应
设备
( PSE )
~
+
0.1F
SMAJ58A
LTC4257
GND
R
100k
PWRGD
V
IN
V
OUT
5F
V
IN
+
DF01SA
开关
电源
SHDN
RTN
+
3.3V
以逻辑
~
R
4257 TA01
PWRGD
50V/DIV
5ms/DIV
4225 TA02
U
LTC4257充电300μF
负载电容
V
IN
50V/DIV
V
OUT
20V/DIV
I
IN
200mA/DIV
4257fb
U
U
1
LTC4257
绝对
(注1,2 )
AXI ü
RATI GS
工作环境温度范围
LTC4257C ............................................... 0 ° C至70℃
LTC4257I ............................................. -40°C至85℃
存储温度范围
S8套餐....................................... - 65℃ 150℃
DD包..................................... - 65 ° C至125°C
引线温度(焊接, 10秒) .................. 300℃
V
IN
.............................................电压为0.3V - 100V
V
OUT
, PWRGD电压............. V
IN
+ 100V至V
IN
– 0.3V
R
电压............................ V
IN
+ 7V到V
IN
– 0.3V
PWRGD电流................................................ .. 10毫安
R
目前................................................. 。 100毫安
PACKAGE / ORDER我FOR ATIO
顶视图
NC
1
R
2
NC
3
V
IN
4
8
7
6
5
GND
NC
PWRGD
V
OUT
S8包装
8引脚塑料SO
T
JMAX
= 150°C,
θ
JA
= 150 ° C / W
订购部件号
LTC4257CS8
LTC4257IS8
S8最热
4257
4257I
订购选项
卷带式:添加#TR无铅:添加#PBF
无铅卷带式:添加#TRPBF无铅最热:
http://www.linear.com/leadfree/
咨询LTC营销部分特定网络版与更广泛的工作温度范围。 *温度等级是identi网络版通过在包装盒上的标签。
电气特性
符号
V
IN
参数
电源电压
最大工作电压
签名范围
分类科幻阳离子范围
UVLO导通电压
UVLO关断电压
IC电源电流时ON
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
温度范围,否则仅指在T
A
= 25°C 。 (注3)
条件
电压相对于GND引脚(注4, 5 , 6 )
I
IN_ON
I
IN_CLASS
I
V
IN
= - 48V,引脚5,6浮动
IC电源电流在分类V
IN
= - 17.5V , 2脚悬空, V
OUT
连接到GND
(注7 )
电流精度在分类10毫安<我
< 40毫安, - 12.5V
V
IN
– 21V,
(注8,9)
2
U
U
W
W W
U
W
顶视图
NC
R
NC
V
IN
1
2
3
4
8
7
6
5
GND
NC
PWRGD
V
OUT
DD包
8引脚(3毫米
×
3毫米)塑料DFN
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 43 ° C / W
裸露焊盘焊接到
断开状态PCB散热片
订购部件号
LTC4257CDD
LTC4257IDD
DD最热*
LACT
典型值
最大
– 57
– 9.5
– 21
– 40.2
– 31.5
3
0.65
±3.5
单位
V
V
V
V
V
mA
mA
%
– 1.5
– 12.5
– 37.7
– 29.3
0.35
–39.2
–30.5
0.50
4257fb
LTC4257
电气特性
符号
R
签名
V
PG_OUT
V
PG_THRES_FALL
V
PG_THRES_RISE
I
PG_LEAK
R
ON
I
OUT_leak
I
极限
I
LIMIT_WARM
T
过温
T
关闭
电源良好泄漏
导通电阻
V
OUT
泄漏
输入电流限制
过热输入电流限制
超温跳闸温度
热关断跳闸温度
参数
特征电阻
电源良好输出低电压
电源正常跳变点
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
温度范围,否则仅指在T
A
= 25°C 。 (注3)
条件
–1.5V
V
IN
–9.5V, V
OUT
连接至GND ,
IEEE 802.3af标准的2点测量(注4,5)
I = 1mA时, V
IN
= - 48V , PWRGD参考V
IN
V
IN
= -48V ,V之间的电压
IN
和V
OUT
(注9 )
V
OUT
落下
V
OUT
升起
V
IN
= 0V , PWRGD FET关断,V
PWRGD
= 57V
I = 300毫安,V
IN
= - 48V ,从V测
IN
到V
OUT
(注9 )
V
IN
= 0V ,功率MOSFET关闭,V
OUT
= 57V (注10 )
V
IN
= – 48V, V
OUT
= -43V (注11 )
(注11 )
(注11 )
(注11 )
23.25
典型值
最大
26.00
0.5
单位
k
V
V
V
A
A
mA
mA
°C
°C
1.3
2.7
1.5
3.0
1.0
1.7
3.3
1
1.6
2.0
150
400
300
350
188
120
140
注1 :
强调超越上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。暴露于任何绝对
最大额定值条件下工作会影响器件
可靠性和寿命。
注2 :
所有的电压是相对于GND引脚。
注3 :
的LTC4257工作在的范围内的负电源电压
-1.5V至-57V 。为了避免混淆,在此数据表电压
总是提到在绝对值方面。术语如
“最大负电压”指的是最大的负电压和一个
“上升的负电压”指的是正在变得更加的电压
消极的。
注4 :
LTC4257的设计有两个极性保护工作
在PSE和PD之间的二极管。在指定的参数范围
电气特性是相对于LTC4257引脚和
设计符合IEEE 802.3af标准的规范,当这些二极管是滴
包括在内。请参阅应用信息。
注5 :
签名阻抗是通过2点测量
ΔV / ΔI
方法
由IEEE 802.3af标准定义。 LTC4257的签名电阻偏离
25K占二极管电阻。两个串联二极管的总PD
阻力会23.75k和26.25k之间,并符合IEEE 802.3af标准
规格。最小探针电压的LTC4257测
引脚-1.5V和-2.5V 。最大探测电压为-8.5V和
–9.5V.
注6 :
该LTC4257包括滞后的UVLO电压,以排除
任何启动振荡。按照IEEE 802.3af标准的要求, LTC4257将
从一个电压源加电时具有20Ω的串联电阻上的第一
审讯。
注7 :
I
IN_CLASS
不包括在编程的分级电流
在分级模式引脚2的总电源电流为I
IN_CLASS
+ I
(见注8 ) 。
注8 :
I
被测量的电流佛罗里达州至R由于
.
I
精度是相对于定义为理想电流
I
= 1.237/R
。当前精度指标不
变化包括在研发
性。总的分级电流
部分放电也包括集成电路的静态电流(I
IN_CLASS
) 。请参阅应用程序
信息。
注9 :
对于DD的包时,该参数是有保证的设计和
晶圆级测试。
注10 :
I
OUT_leak
包括汲取的电流在V
OUT
销由功率
良好的状态电路。在为25kΩ的签名。该电流补偿
阻力,并且不影响PD的操作。
注11 :
该LTC4257包括智能热保护。中的情况下
温度过高时, LTC4257将降低输入电流
限50% ,以减少在包装中的功率耗散。如果该部件
继续加热,并到达切断温度,电流是
减少到零,直到器件冷却到低于所述超温限制。该
LTC4257还防止不正确的热损伤
分类由PSE探测。如果LTC4257超过
超温跳闸点,分级负载电流被禁用。
4257fb
3
LTC4257
典型PERFOR一个CE特征
输入电流与输入电压
25K检测范围
0.5
T
A
= 25°C
50
0.4
输入电流(mA )
输入电流(mA )
输入电流(mA )
0.3
0.2
0.1
0
0
–2
–4
–6
输入电压( V)
输入电流与输入电压
3
排除了任何负载电流
T
A
= 25°C
归一化UVLO阈值( % )
特征电阻值(kΩ )
输入电流(mA )
2
1
0
–40
–50
–45
–55
输入电压( V)
电源良好输出低电压
VS电流
4
120
T
A
= 25°C
电流限制(毫安)
V
OUT
电流( μA )
3
V
PG_OUT
(V)
2
1
0
0
2
6
4
电流(mA )
4
ü W
–8
4357 G02
4257 G04
输入电流与输入电压
T
A
= 25°C
CLASS 4
40
输入电流与输入电压
12.0
11.5
11.0
10.5
10.0
9.5
85°C
–40°C
第1类操作
30
3类
20
2级
1级
10
CLASS 0
–10
0
0
–10
–20
–30
–40
输入电压( V)
–50
–60
9.0
–12
–14
–20
–18
–16
输入电压( V)
–22
4257 G03
4257 G01
特征电阻
与输入电压
28
电阻 -
V
= V2 – V1
I
I
2
– I
1
27二极管: S1B
T
A
= 25°C
IEEE上限值
归一化UVLO阈值
与温度
2
适用于开通
和关0FF门槛值
1
26
25
24
LTC4257仅
23
22
V1: –1
V2: –2
IEEE下限
LTC4257 + 2二极管
0
–1
–60
–3
–4
–7
–5
–8
–6
输入电压( V)
–9
–10
4257 G05
–2
–40
–20
60
0
20
40
温度(℃)
80
4257 G06
V
OUT
漏电流
V
IN
= 0V
T
A
= 25°C
电流限制与输入电压
375
V
OUT
= V
IN
+ 5V
90
365
85°C
355
25°C
345
–40°C
335
60
30
0
8
10
4257 G07
0
40
V
OUT
引脚电压( V)
20
60
42571 G09
325
–40
–50
–45
–55
输入电压( V)
–60
4257 G09
4257fb
LTC4257
PI FU CTIO S
NC (引脚1 ) :
无连接。
R
(引脚2 ) :
外部类选择输入。用于设置
当前的LTC4257分类过程中保持。 CON-
NECT R的电阻
和V
IN
(见表2)。
NC (引脚3 ) :
无连接。
V
IN
(引脚4 ) :
电源输入。通过48V - 领带系
输入二极管桥。
V
OUT
(引脚5 ) :
功率输出。供应 - 48V的PD负载
通过内部功率MOSFET限制输入电流
租。 V
OUT
是高阻抗,直到输入电压上升
上面的导通UVLO门限。高于UVLO
阈值时,输出电流限制至350mA 。
PWRGD (引脚6 ) :
电源良好输出,开漏。信号
该LTC4257 MOSFET完全导通。低阻抗
指示电源良好。 PWRGD为高阻抗
在检测,分类并在一个事件
热过载。 PWRGD是参考V
IN
.
NC (引脚7 ) :
无连接
GND (引脚8 ) :
地面上。配合系统接地和电源
返回通过输入二极管电桥。
BLOCK DIAGRA
NC 1
R
2
NC 3
V
IN
4
粗线表示高电流路径
W
U
U
U
分类
电流源
1.237V
+
EN
25K签名
电阻器
8
GND
7
NC
控制
电路
电源良好
6
PWRGD
350mA
+
输入
当前
EN
极限
0.3
5 V
OUT
4257 BD
4257fb
5
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    LTC4257IDD
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LT
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