LTC4257-1
IEEE 802.3af标准的PD
以太网供电接口
控制器与双电流限制
特点
s
s
s
s
s
s
s
s
s
DESCRIPTIO
完整的电源接口端口的IEEE 802
.3af
供电设备（PD ）
板载100V ， 400毫安功率MOSFET
精密的双级限流
板载25K签名电阻器具有禁用
可编程分类科幻阳离子电流（ 0-4级）
欠压锁定
热过载保护
电源良好信号
采用8引脚SO和薄型（3毫米
×
3mm)
DFN封装
应用S
s
s
s
IP电话电源管理
无线接入点
通信电源控制
此外，LTC
4257-1提供了完整的签名和力量
一台设备在IEEE操作界面功能
802.3af以太网供电（ PoE）的系统。该LTC4257-1
通过引入简化了用电设备（PD ）设计
25K的特征电阻，分级电流源，
输入电流限制，欠压锁定，热过
负载保护，禁止标志和电源良好信号 -
林志玲，在一个单一的8引脚封装。该LTC4257-1包括
精密，双级电流限制电路。这使得它能够
充电大负载电容和接口与传统
以太网供电系统，同时保持相容
ibility与当前的IEEE 802.3af标准规范。通过
安装了高电压功率MOSFET板载的
LTC4257-1提供了降低了系统设计者
成本的同时，还节省了电路板空间。
该LTC4257-1可以直接与各种Lin-时的界面
耳技术的DC / DC转换器的产品提供了成本
IP电话有效的电源解决方案，无线接入
点和其他的PD 。凌力尔特还提供了
网络电源控制器供电设备
（ PSE）的应用程序。
该LTC4257-1可在8引脚SO和低调
(3mm
×
3毫米） DFN封装。
， LTC和LT是凌特公司的注册商标。
802是电气学会电子工程师，Inc。的注册商标。
典型应用
受电设备（ PD ）
~
从-48V
电力供应
设备
（ PSE ）
+
0.1F
SMAJ58A
LTC4257-1
GND
R
类
SIGDISA
5F
民
100k
+
DF01SA
开关
电源
SHDN
RTN
~
–
R
类
V
IN
PWRGD
V
OUT
U
V
IN
U
U
+
3.3V
以逻辑
42571 TA01
–
42571fa
1
LTC4257-1
绝对
（注1,2 ）
AXI ü
RATI GS
工作环境温度范围
LTC4257C - 1 ............................................ 0 ℃，至70℃
LTC4257I - 1 ......................................... -40 ° C至85 ℃，
存储温度范围
S8套餐....................................... - 65℃ 150℃
DD包..................................... - 65 ° C至125°C
引线温度（焊接， 10秒） .................. 300℃
V
IN
.............................................电压为0.3V - 100V
V
OUT
， SIGDISA ，
PWRGD电压...................... V
IN
+ 100V至V
IN
– 0.3V
R
类
电压............................ V
IN
+ 7V到V
IN
– 0.3V
PWRGD电流................................................ .. 10毫安
R
类
目前................................................. 。 100毫安
PACKAGE / ORDER我FOR ATIO
顶视图
NC 1
R
类
2
NC 3
V
IN
4
8
7
6
5
GND
SIGDISA
PWRGD
V
OUT
订购部件
数
LTC4257CS8-1
LTC4257IS8-1
S8最热
42571
4257I1
S8包装
8引脚塑料SO
T
JMAX
= 150°C,
θ
JA
= 150 ° C / W
咨询LTC营销部分特定网络版与更广泛的工作温度范围。
电气特性
符号
V
IN
参数
电源电压
最大工作电压
签名范围
分类科幻阳离子范围
UVLO导通电压
UVLO关断电压
IC电源电流时ON
该
q
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
温度范围，否则仅指在T
A
= 25°C 。 （注3）
条件
电压相对于GND引脚（注4， 5 ， 6 ）
q
q
q
q
q
I
IN_ON
I
IN_CLASS
I
类
R
签名
R
无效
V
IN
= - 48V，销5 ，6，7浮
IC电源电流在分类V
IN
= - 17.5V ，引脚2,7浮动，V
OUT
连接到GND
（注7 ）
电流精度在分类10毫安<我
类
< 40毫安， - 12.5V
≤
V
IN
≤
– 21V,
（注8,9）
特征电阻
无效的签名电阻
–1.5V
≤
V
IN
≤
–9.5V, V
OUT
连接至GND ，
IEEE 802.3af标准的2点测量（注4,5）
– 1.5V
≤
V
IN
≤
- 9.5V ， SIGDISA和V
OUT
连接到GND ， IEEE 802.3af标准的2点测量
（注4,5）
相到V
IN
,
高级别无效签名（注10 ）
相到V
IN
,
低电平使能签名
V
IH
V
IL
签名DISABLE
高电平输入电压
签名DISABLE
低电平输入电压
2
U
U
W
W W
U
W
顶视图
NC
R
类
NC
V
IN
1
2
3
4
8
7
6
5
GND
SIGDISA
PWRGD
V
OUT
订购部件
数
LTC4257CDD-1
LTC4257IDD-1
DD最热
DD包
8引脚（3毫米
×
3毫米）塑料DFN
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 43 ° C / W
裸露焊盘焊接到
断开状态PCB散热片
LBFZ
民
典型值
最大
– 57
– 9.5
– 21
– 37.2
– 31.5
3
0.65
±3.5
单位
V
V
V
V
V
mA
mA
%
k
k
– 1.5
– 12.5
– 34.8
– 29.3
0.35
–36.0
–30.5
0.50
q
q
q
q
q
23.25
9
26.00
11.8
q
q
3
57
0.45
V
V
42571fa
LTC4257-1
电气特性
符号
R
输入
V
PG_OUT
V
PG_THRES_FALL
V
PG_THRES_RISE
I
PG_LEAK
R
ON
I
OUT_leak
I
LIMIT_HIGH
电源良好泄漏
导通电阻
V
OUT
泄漏
输入电流限制，高层
参数
签名DISABLE
输入阻抗
电源良好输出低电压
电源正常跳变点
该
q
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
温度范围，否则仅指在T
A
= 25°C 。 （注3）
条件
相到V
IN
q
民
100
典型值
最大
单位
k
I = 1mA时， V
IN
= - 48V ， PWRGD参考V
IN
V
IN
= -48V ，V之间的电压
IN
和V
OUT
V
OUT
落下
V
OUT
升起
V
IN
= 0V ， PWRGD FET关断，V
PWRGD
= 57V
I = 350mA，可V
IN
= - 48V ，从V测
IN
到V
OUT
（注9 ）
V
IN
= 0V ，功率MOSFET关闭，V
OUT
= 57V （注11 ）
V
IN
= – 48V, V
OUT
= -43V （注12,13）
0°C
≤
T
A
≤
70°C
–40°C
≤
T
A
≤
85°C
V
IN
= – 48V, V
OUT
= -43V （注12,13）
（备注12 ， 14）
q
q
q
q
0.5
1.3
2.7
1.5
3.0
1.0
1.7
3.3
1
1.6
2.0
150
350
340
100
375
375
140
140
400
400
180
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
°C
q
q
q
q
q
I
LIMIT_LOW
T
关闭
输入电流限制，低等级
热关断跳闸温度
注1 ：
绝对最大额定值是那些价值超过其使用寿命
的装置的可能损害。
注2 ：
所有的电压都是相对于GND引脚，除非另有说明。
注3 ：
该LTC4257-1操作与在负电源电压
-1.5V范围为-57V 。为了避免混淆，在此数据表电压
总是提到在绝对值方面。术语如
“最大负电压”指的是最大的负电压和一个
“上升的负电压”指的是正在变得更加的电压
消极的。
注4 ：
该LTC4257-1则设计有两个极性保护工作
在PSE和PD之间二极管压降。取值范围在特定网络版
电气特性是相对于LTC4257-1引脚和
设计符合IEEE 802.3af标准的规范，当这些二极管是滴
包括在内。请参阅应用信息。
注5 ：
签名阻抗是通过2点测量
ΔV / ΔI
方法
由IEEE 802.3af标准定义。该LTC4257-1签名电阻偏置
从25K占二极管电阻。两个串联二极管的总
PD阻力将是23.75kΩ和26.25kΩ ，符合IEEE之间
802.3af标准规格。最小探针电压的测量
LTC4257-1引脚为-1.5V和-2.5V 。最大探测电压
-8.5V和-9.5V 。
注6 ：
该LTC4257-1包括滞后的UVLO电压为
排除任何启动振荡。根据IEEE 802.3af标准的要求，在
LTC4257-1会从一个电压源与20Ω串联通电
电阻上的第一次审判。
注7 ：
I
IN_CLASS
不包括在编程的分级电流
在分级模式引脚2的总电源电流为I
IN_CLASS
+ I
类
（见注8 ） 。
注8 ：
I
类
被测量的电流佛罗里达州至R由于
类
.
I
类
精度是相对于定义为理想电流
I
类
= 1.237/R
类
。当前精度指标不
变化包括在研发
类
性。总的分级电流
部分放电也包括集成电路的静态电流（I
IN_CLASS
） 。请参阅应用程序
信息。
注9 ：
对于DD的包时，该参数是有保证的设计和
晶圆级测试。
注10 ：
要禁用25K签名，领带SIGDISA至GND （ ± 0.1V ）或持有
SIGDISA高相对于V
IN
。请参阅应用信息。
注11 ：
I
OUT_leak
包括汲取的电流在V
OUT
销由功率
良好的状态电路。在为25kΩ的签名。该电流补偿
阻力，并且不影响PD的操作。
注12 ：
该LTC4257-1包括热保护。中的一个的情况下
温度过高时， LTC4257-1将关闭功率MOSFET
直到器件冷却下超温限制。该LTC4257-1是
也防止不正确的分级热损伤
探索由PSE 。如果LTC4257-1超过超温跳闸
点，分类负载电流被禁用。
注13 ：
该LTC4257-1包括双电平输入电流限制。在导通时，
前C1被充电，所述LTC4257-1电流电平设置为低电平。
经过C1充电和V
OUT
– V
IN
电压差值低于
电源良好阈值时， LTC4257-1切换到高层次的电流限制。
该LTC4257-1停留在高电平电流限制，直到输入电压
低于UVLO关断阈值。
注14 ：
该IC具有过热保护，旨在
在瞬间过载条件下保护器件。连接点
温度超过125°C时，过热保护功能被激活。
上述特定网络连续运行主编最高工作结
温度可能会影响器件的可靠性。
42571fa
3
LTC4257-1
PI FU CTIO S
NC （引脚1 ） ：
无内部连接。
R
类
（引脚2 ） ：
类选择输入。用于设置当前
值分类在LTC4257-1保持。 CON-
NECT R的电阻
类
和V
IN
（见表2）。
NC （引脚3 ） ：
无内部连接。
V
IN
（引脚4 ） ：
电源输入。通过48V - 领带系
输入二极管桥。
V
OUT
（引脚5 ） ：
功率输出。供应 - 48V的PD负载
通过内部功率MOSFET限制输入电流
租。 V
OUT
是高阻抗，直到输入电压上升
上面的导通UVLO门限。输出然后
电流限制。请参阅应用信息。
PWRGD （引脚6 ） ：
电源良好输出，开漏。信号
向PD负载的LTC4257-1 MOSFET导通和
PD的DC / DC变换器可以开始操作。低阻抗
ANCE指示电源良好。 PWRGD为高阻抗
在检测，分类并在一个事件
热过载。 PWRGD是参考V
IN
.
SIGDISA （引脚7 ） ：
签名禁止输入。允许PD
指挥LTC4257-1提出了无效的拍号
TURE阻力，仍然无效。连接SIGDISA
到GND降低到一个无效的值的特征性。
如果悬空， SIGDISA在内部上拉至V
IN
。如果
未使用的，配合SIGDISA到V
IN
.
GND （引脚8 ） ：
地面上。连接到系统的接地和电源
返回通过输入二极管电桥。
BLOCK DIAGRA
NC 1
R
类
2
NC 3
V
IN
4
粗线表示高电流路径
W
U
U
U
分类
电流负载
1.237V
+
–
9k
EN
25K签名
电阻器
16k
签名DISABLE
8
GND
7
SIGDISA
电源良好
控制
电路
6
PWRGD
375mA
140mA
+
–
EN
输入
当前
极限
0.3
5 V
OUT
42571 BD
42571fa
5
LTC4257-1
IEEE 802.3af标准的PD
以太网供电接口
控制器与双电流限制
特点
s
s
s
s
s
s
s
s
s
DESCRIPTIO
完整的电源接口端口的IEEE 802
.3af
供电设备（PD ）
板载100V ， 400毫安功率MOSFET
精密的双级限流
板载25K签名电阻器具有禁用
可编程分类科幻阳离子电流（ 0-4级）
欠压锁定
热过载保护
电源良好信号
采用8引脚SO和薄型（3毫米
×
3mm)
DFN封装
应用S
s
s
s
IP电话电源管理
无线接入点
通信电源控制
此外，LTC
4257-1提供了完整的签名和力量
一台设备在IEEE操作界面功能
802.3af以太网供电（ PoE）的系统。该LTC4257-1
通过引入简化了用电设备（PD ）设计
25K的特征电阻，分级电流源，
输入电流限制，欠压锁定，热过
负载保护，禁止标志和电源良好信号 -
林志玲，在一个单一的8引脚封装。该LTC4257-1包括
精密，双级电流限制电路。这使得它能够
充电大负载电容和接口与传统
以太网供电系统，同时保持相容
ibility与当前的IEEE 802.3af标准规范。通过
安装了高电压功率MOSFET板载的
LTC4257-1提供了降低了系统设计者
成本的同时，还节省了电路板空间。
该LTC4257-1可以直接与各种Lin-时的界面
耳技术的DC / DC转换器的产品提供了成本
IP电话有效的电源解决方案，无线接入
点和其他的PD 。凌力尔特还提供了
网络电源控制器供电设备
（ PSE）的应用程序。
该LTC4257-1可在8引脚SO和低调
(3mm
×
3毫米） DFN封装。
， LTC和LT是凌特公司的注册商标。
802是电气学会电子工程师，Inc。的注册商标。
典型应用
受电设备（ PD ）
~
从-48V
电力供应
设备
（ PSE ）
+
0.1F
SMAJ58A
LTC4257-1
GND
R
类
SIGDISA
5F
民
100k
+
DF01SA
开关
电源
SHDN
RTN
~
–
R
类
V
IN
PWRGD
V
OUT
U
V
IN
U
U
+
3.3V
以逻辑
42571 TA01
–
42571fa
1
LTC4257-1
绝对
（注1,2 ）
AXI ü
RATI GS
工作环境温度范围
LTC4257C - 1 ............................................ 0 ℃，至70℃
LTC4257I - 1 ......................................... -40 ° C至85 ℃，
存储温度范围
S8套餐....................................... - 65℃ 150℃
DD包..................................... - 65 ° C至125°C
引线温度（焊接， 10秒） .................. 300℃
V
IN
.............................................电压为0.3V - 100V
V
OUT
， SIGDISA ，
PWRGD电压...................... V
IN
+ 100V至V
IN
– 0.3V
R
类
电压............................ V
IN
+ 7V到V
IN
– 0.3V
PWRGD电流................................................ .. 10毫安
R
类
目前................................................. 。 100毫安
PACKAGE / ORDER我FOR ATIO
顶视图
NC 1
R
类
2
NC 3
V
IN
4
8
7
6
5
GND
SIGDISA
PWRGD
V
OUT
订购部件
数
LTC4257CS8-1
LTC4257IS8-1
S8最热
42571
4257I1
S8包装
8引脚塑料SO
T
JMAX
= 150°C,
θ
JA
= 150 ° C / W
咨询LTC营销部分特定网络版与更广泛的工作温度范围。
电气特性
符号
V
IN
参数
电源电压
最大工作电压
签名范围
分类科幻阳离子范围
UVLO导通电压
UVLO关断电压
IC电源电流时ON
该
q
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
温度范围，否则仅指在T
A
= 25°C 。 （注3）
条件
电压相对于GND引脚（注4， 5 ， 6 ）
q
q
q
q
q
I
IN_ON
I
IN_CLASS
I
类
R
签名
R
无效
V
IN
= - 48V，销5 ，6，7浮
IC电源电流在分类V
IN
= - 17.5V ，引脚2,7浮动，V
OUT
连接到GND
（注7 ）
电流精度在分类10毫安<我
类
< 40毫安， - 12.5V
≤
V
IN
≤
– 21V,
（注8,9）
特征电阻
无效的签名电阻
–1.5V
≤
V
IN
≤
–9.5V, V
OUT
连接至GND ，
IEEE 802.3af标准的2点测量（注4,5）
– 1.5V
≤
V
IN
≤
- 9.5V ， SIGDISA和V
OUT
连接到GND ， IEEE 802.3af标准的2点测量
（注4,5）
相到V
IN
,
高级别无效签名（注10 ）
相到V
IN
,
低电平使能签名
V
IH
V
IL
签名DISABLE
高电平输入电压
签名DISABLE
低电平输入电压
2
U
U
W
W W
U
W
顶视图
NC
R
类
NC
V
IN
1
2
3
4
8
7
6
5
GND
SIGDISA
PWRGD
V
OUT
订购部件
数
LTC4257CDD-1
LTC4257IDD-1
DD最热
DD包
8引脚（3毫米
×
3毫米）塑料DFN
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 43 ° C / W
裸露焊盘焊接到
断开状态PCB散热片
LBFZ
民
典型值
最大
– 57
– 9.5
– 21
– 37.2
– 31.5
3
0.65
±3.5
单位
V
V
V
V
V
mA
mA
%
k
k
– 1.5
– 12.5
– 34.8
– 29.3
0.35
–36.0
–30.5
0.50
q
q
q
q
q
23.25
9
26.00
11.8
q
q
3
57
0.45
V
V
42571fa
LTC4257-1
电气特性
符号
R
输入
V
PG_OUT
V
PG_THRES_FALL
V
PG_THRES_RISE
I
PG_LEAK
R
ON
I
OUT_leak
I
LIMIT_HIGH
电源良好泄漏
导通电阻
V
OUT
泄漏
输入电流限制，高层
参数
签名DISABLE
输入阻抗
电源良好输出低电压
电源正常跳变点
该
q
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
温度范围，否则仅指在T
A
= 25°C 。 （注3）
条件
相到V
IN
q
民
100
典型值
最大
单位
k
I = 1mA时， V
IN
= - 48V ， PWRGD参考V
IN
V
IN
= -48V ，V之间的电压
IN
和V
OUT
V
OUT
落下
V
OUT
升起
V
IN
= 0V ， PWRGD FET关断，V
PWRGD
= 57V
I = 350mA，可V
IN
= - 48V ，从V测
IN
到V
OUT
（注9 ）
V
IN
= 0V ，功率MOSFET关闭，V
OUT
= 57V （注11 ）
V
IN
= – 48V, V
OUT
= -43V （注12,13）
0°C
≤
T
A
≤
70°C
–40°C
≤
T
A
≤
85°C
V
IN
= – 48V, V
OUT
= -43V （注12,13）
（备注12 ， 14）
q
q
q
q
0.5
1.3
2.7
1.5
3.0
1.0
1.7
3.3
1
1.6
2.0
150
350
340
100
375
375
140
140
400
400
180
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
°C
q
q
q
q
q
I
LIMIT_LOW
T
关闭
输入电流限制，低等级
热关断跳闸温度
注1 ：
绝对最大额定值是那些价值超过其使用寿命
的装置的可能损害。
注2 ：
所有的电压都是相对于GND引脚，除非另有说明。
注3 ：
该LTC4257-1操作与在负电源电压
-1.5V范围为-57V 。为了避免混淆，在此数据表电压
总是提到在绝对值方面。术语如
“最大负电压”指的是最大的负电压和一个
“上升的负电压”指的是正在变得更加的电压
消极的。
注4 ：
该LTC4257-1则设计有两个极性保护工作
在PSE和PD之间二极管压降。取值范围在特定网络版
电气特性是相对于LTC4257-1引脚和
设计符合IEEE 802.3af标准的规范，当这些二极管是滴
包括在内。请参阅应用信息。
注5 ：
签名阻抗是通过2点测量
ΔV / ΔI
方法
由IEEE 802.3af标准定义。该LTC4257-1签名电阻偏置
从25K占二极管电阻。两个串联二极管的总
PD阻力将是23.75kΩ和26.25kΩ ，符合IEEE之间
802.3af标准规格。最小探针电压的测量
LTC4257-1引脚为-1.5V和-2.5V 。最大探测电压
-8.5V和-9.5V 。
注6 ：
该LTC4257-1包括滞后的UVLO电压为
排除任何启动振荡。根据IEEE 802.3af标准的要求，在
LTC4257-1会从一个电压源与20Ω串联通电
电阻上的第一次审判。
注7 ：
I
IN_CLASS
不包括在编程的分级电流
在分级模式引脚2的总电源电流为I
IN_CLASS
+ I
类
（见注8 ） 。
注8 ：
I
类
被测量的电流佛罗里达州至R由于
类
.
I
类
精度是相对于定义为理想电流
I
类
= 1.237/R
类
。当前精度指标不
变化包括在研发
类
性。总的分级电流
部分放电也包括集成电路的静态电流（I
IN_CLASS
） 。请参阅应用程序
信息。
注9 ：
对于DD的包时，该参数是有保证的设计和
晶圆级测试。
注10 ：
要禁用25K签名，领带SIGDISA至GND （ ± 0.1V ）或持有
SIGDISA高相对于V
IN
。请参阅应用信息。
注11 ：
I
OUT_leak
包括汲取的电流在V
OUT
销由功率
良好的状态电路。在为25kΩ的签名。该电流补偿
阻力，并且不影响PD的操作。
注12 ：
该LTC4257-1包括热保护。中的一个的情况下
温度过高时， LTC4257-1将关闭功率MOSFET
直到器件冷却下超温限制。该LTC4257-1是
也防止不正确的分级热损伤
探索由PSE 。如果LTC4257-1超过超温跳闸
点，分类负载电流被禁用。
注13 ：
该LTC4257-1包括双电平输入电流限制。在导通时，
前C1被充电，所述LTC4257-1电流电平设置为低电平。
经过C1充电和V
OUT
– V
IN
电压差值低于
电源良好阈值时， LTC4257-1切换到高层次的电流限制。
该LTC4257-1停留在高电平电流限制，直到输入电压
低于UVLO关断阈值。
注14 ：
该IC具有过热保护，旨在
在瞬间过载条件下保护器件。连接点
温度超过125°C时，过热保护功能被激活。
上述特定网络连续运行主编最高工作结
温度可能会影响器件的可靠性。
42571fa
3
LTC4257-1
PI FU CTIO S
NC （引脚1 ） ：
无内部连接。
R
类
（引脚2 ） ：
类选择输入。用于设置当前
值分类在LTC4257-1保持。 CON-
NECT R的电阻
类
和V
IN
（见表2）。
NC （引脚3 ） ：
无内部连接。
V
IN
（引脚4 ） ：
电源输入。通过48V - 领带系
输入二极管桥。
V
OUT
（引脚5 ） ：
功率输出。供应 - 48V的PD负载
通过内部功率MOSFET限制输入电流
租。 V
OUT
是高阻抗，直到输入电压上升
上面的导通UVLO门限。输出然后
电流限制。请参阅应用信息。
PWRGD （引脚6 ） ：
电源良好输出，开漏。信号
向PD负载的LTC4257-1 MOSFET导通和
PD的DC / DC变换器可以开始操作。低阻抗
ANCE指示电源良好。 PWRGD为高阻抗
在检测，分类并在一个事件
热过载。 PWRGD是参考V
IN
.
SIGDISA （引脚7 ） ：
签名禁止输入。允许PD
指挥LTC4257-1提出了无效的拍号
TURE阻力，仍然无效。连接SIGDISA
到GND降低到一个无效的值的特征性。
如果悬空， SIGDISA在内部上拉至V
IN
。如果
未使用的，配合SIGDISA到V
IN
.
GND （引脚8 ） ：
地面上。连接到系统的接地和电源
返回通过输入二极管电桥。
BLOCK DIAGRA
NC 1
R
类
2
NC 3
V
IN
4
粗线表示高电流路径
W
U
U
U
分类
电流负载
1.237V
+
–
9k
EN
25K签名
电阻器
16k
签名DISABLE
8
GND
7
SIGDISA
电源良好
控制
电路
6
PWRGD
375mA
140mA
+
–
EN
输入
当前
极限
0.3
5 V
OUT
42571 BD
42571fa
5
QQ：2881677436 复制
