LTC4008
绝对
最大
评级
从DCIN ，电， CLN到GND .......电压+ 32V / 0.3 V
保护地相对于GND ..................................
±0.3V
CSP ， BAT到GND ........................................ + 28V / -0.3 V
V
FB
, R
T
到GND ............................................. + 7V / -0.3V
NTC ................................................. ............ + 10V / -0.3V
ACP / SHDN ， FLAG ，故障，我
CL
.................... +32V/–0.3V
封装/订购信息
顶视图
DCIN
I
CL
ACP / SHDN
R
T
故障
GND
V
FB
NTC
I
TH
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 INFET
19 BGATE
18 PGND
17 TGATE
16中电
15 CLN
14 FLAG
13 BATMON
12 BAT
11 CSP
订购部件
数
LTC4008EGN
PROG 10
GN包装
20引脚窄体SSOP塑料
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 90C / W
订购选项
卷带式：添加#TR
无铅：添加#PBF无铅卷带式：添加#TRPBF无铅最热：
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电气特性
符号
I
Q
V
托尔
参数
DCIN工作范围
工作电流
电压精度
BATMON错误（注5 ）
I
托尔
关闭
电池漏电流
UVLO
欠压锁定阈值
关断阈值在ACP / SHDN
工作电流关断
充电电流准确度（注3 ）
该
●
表示该指标适合整个工作
温度范围（注4 ） ，否则规格在T
A
= 25°C 。 V
DCIN
= 20V, V
BAT
= 12V ，除非另有说明。
条件
充电电流之和中电， CLN ， DCIN
（注2,5）
●
从测得的BAT到BATMON ，
R
负载
= 100k
V
CSP
– V
BAT
目标= 100mV的
●
DCIN = 0V （仅限LTC4008 ）
ACP / SHDN = 0V
DCIN上升，V
BAT
= 0V
V
SHDN
= 0V ，从目前的CLP总和，
CLN ， DCIN
2
U
U
W
W W
U
W
（注1 ）
中电CLN ............................................... ............ + 0.5V
工作环境温度范围
（注4 ） .............................................. 。 - 40 ° C至85°C
工作结温...........- 40 ° C至125°C
存储温度范围................. - 65℃ 150℃
引线温度（焊接， 10秒） .................. 300℃
顶视图
DCIN
I
CL
SHDN
R
T
故障
GND
V
FB
NTC
I
TH
1
2
3
4
5
6
7
8
9
20 NC
19 BGATE
18 PGND
17 TGATE
16中电
15 CLN
14 FLAG
13 BATMON
12 BAT
11 CSP
订购部件
数
LTC4008EGN-1
PROG 10
THE LTC4008EGN - 1
没有
FET输入功能
GN包装
20引脚窄体SSOP塑料
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 90C / W
民
6
典型值
3
最大
28
5
0.8
1.0
单位
V
mA
%
%
mV
%
%
A
A
V
V
mA
–0.8
–1.0
0
–4
–5
20
–10
4.2
1
4.7
1.6
2
35
80
4
5
35
10
5.5
2.5
3
●
●
●
●
4008fa
LTC4008
电气特性
符号
参数
输入偏置电流转换成BAT引脚
CMSL
CMSH
V
OS
I
TMAX
I
TREV
CA1/I
1
输入共模低
CA1/I
1
输入共模电压高
输入电压偏移
最大电流检测门限（V
CSP
– V
BAT
)
反向电流阈值（V
CSP
– V
BAT
)
跨
源出电流
灌电流
限流放大器
跨
V
电
I
CLn的
电流限制阈值
CLN输入偏置电流
跨
V
REF
I
BEA
OVSD
参考电压用于计算V
FL燕麦
输入偏置电流
灌电流
过压关断阈值的百分比
的编程电压充电器
DCIN检测阈值（V
DCIN
– V
电
)
正向调节电压（V
DCIN
– V
电
)
反向电压关断电压（V
DCIN
– V
电
)
INFET “开”钳位电压（V
电
– V
INFET
)
INFET “关”钳位电压（V
电
– V
INFET
)
热敏电阻
NTCVR
参考电压在采样时间
高门槛
低门槛
热敏电阻器禁用电流
产出指标（ ACP / SHDN ， FLAG ，我
CL
，故障
C10TOL
V
OL
V
OH
I
关闭
I
PO
FLAG （ C / 10 ）精度
I
CL
门限精度
ACP / SHDN低逻辑电平， FLAG ，我
CL
，故障
ACP / SHDN的高逻辑电平，我
CL
关船旗国漏电电流，故障
上拉电流对ACP / SHDN ，我
CL
电流检测放大器， CA1
该
●
表示该指标适合整个工作
温度范围（注4 ） ，否则规格在T
A
= 25°C 。 V
DCIN
= 20V, V
BAT
= 12V ，除非另有说明。
条件
民
典型值
11.66
●
最大
单位
A
V
0
V
CLn的
– 0.2
–3.5
3.5
165
– 30
1
200
V
DCIN
≤
28V
●
V
mV
mV
mV
mmho
A
A
mmho
目前我比较
CMP
我
转
V
第i个
= 2.5V
●
140
电流检测放大器， CA2
测量我
TH
, V
第i个
= 1.4V
测量我
TH
, V
第i个
= 1.4V
– 40
40
1.4
●
93
100
100
1
1.19
±4
107
mV
nA
mmho
V
电压误差放大器， EA
±25
110
nA
A
%
测量我
TH
, V
第i个
= 1.4V
●
36
102
107
输入P沟道FET驱动器（ INFET ） （仅限LTC4008 ）
DCIN电压斜坡向上
从V
电
– 0.1V
DCIN电压斜坡下降
I
INFET
= 1A
I
INFET
= – 25A
4.5
V
NTC
升起
V
NTC
落下
V
NTC
≤
10V
电压降在PROG
V
电
– V
CLn的
I
OL
= 100A
I
OH
= –1A
V
OH
= 3V
V = 0V
●
●
●
●
●
●
●
●
0
0.17
25
0.25
50
6.5
0.25
V
mV
mV
V
V
V
– 60
5
– 25
5.8
NTCVR
0.48
NTCVR
0.115
NTCVR
0.5
NTCVR
0.125
NTCVR
0.52
NTCVR
0.135
10
V
V
A
V
mV
V
V
A
A
4008fa
0.375
83
2.7
–1
0.397
93
0.420
105
0.5
1
–10
3
LTC4008
电气特性
符号
振荡器
f
OSC
f
民
DC
最大
稳压器的开关频率
稳压器的开关频率，就辍学
稳压器最大占空比
V
TGATE
高（V
电
– V
TGATE
)
V
BGATE
高
V
TGATE
LOW （V
电
– V
TGATE
)
V
BGATE
低
TGTR
TGTF
BGTR
BGTF
TGATE过渡时间
TGATE上升时间
TGATE下降时间
BGATE过渡时间
BGATE上升时间
BGATE下降时间
V
TGATE
在关断（V
电
– V
TGATE
)
V
BGATE
在关机
参数
该
●
表示该指标适合整个工作
温度范围（注4 ） ，否则规格在T
A
= 25°C 。 V
DCIN
= 20V, V
BAT
= 12V ，除非另有说明。
条件
民
255
占空比
≥
98%
V
CSP
= V
BAT
I
TGATE
= -1mA
C
负载
= 3000pF的
C
负载
= 3000pF的
I
BGATE
= 1毫安
C
负载
= 3000pF的，10％至90％的
C
负载
= 3000pF的，10％至90％的
C
负载
= 3000pF的，10％至90％的
C
负载
= 3000pF的，10％至90％的
I
TGATE
= -1μA ， DCIN = 0V ， CLP = 12V
I
BGATE
= 1μA ， DCIN = 0V ， CLP = 12V
50
50
40
40
5.6
5.6
20
98
典型值
300
25
99
50
10
10
50
110
100
90
80
100
100
最大
345
单位
千赫
千赫
%
mV
V
V
mV
ns
ns
ns
ns
mV
mV
栅极驱动器（ TGATE ， BGATE ）
注1 ：
绝对最大额定值是那些价值超过其使用寿命
的装置的可能损害。
注2 ：
见测试电路。
注3 ：
不包括电流检测电阻或电流的耐受性
编程电阻。
注4 ：
该LTC4008E是保证符合性能规格
从0℃至70℃。特定网络连接的阳离子在-40° C至85° C的工作
温度范围是由设计，表征和相关保障
统计过程控制。
注5 ：
电压精度包括BATMON误差和基准电压源
错误。不包括外部电阻分压器误差。
典型PERFOR一个CE特征
INFET响应时间来
反向电流
0.05
V
gs
PFET （ 2V / DIV ）的
V
gs
= 0
0
V
电池
- V
BATMON
(V)
V
s
PFET （ 5V / DIV ）的
V
FB
(%)
V
s
= 0V
I
d
（反转）的
PFET （ 5A / DIV ）
I
d
= 0A
1.25s/DIV
检验进行ON DEMOBOARD
V
收费
= 12.6V
V
IN
= 15VDC
充电器= ON
INFET = 1/2 Si4925DY
I
收费
= <10毫安
4008 G01
4
ü W
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
V
FB
VS DCIN
0.02
0
–0.02
–0.04
–0.06
–0.08
–0.10
6
11
16
21
DCIN （ V）
26
4008 G02
BATMON偏移
BATMON LOAD = 100kΩ的
–0.05
–0.10
–0.15
–0.20
DCIN = 15V
DCIN = 20V
DCIN = 24V
3
8
13
18
电池电压（ V）
23
4008 G03
4008fa
LTC4008
典型PERFOR一个CE特征
V
OUT
VS我
OUT
0
–0.5
输出电压误差（％）
–1.0
PWM频率（kHz ）
–1.5
–2.0
–2.5
–3.0
–3.5
–4.0
-4.5 DCIN = 20V
V
BAT
= 12.6V
–5.0
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5
输出电流（A ）
4008 G04
电池漏电流与
电池电压
40
VDCIN = 0V
100
电池漏电流（ μA ）
35
95
30
25
20
15
10
5
0
0
5
10
15
20
电池电压（ V）
25
30
4008 G07
效率（％）
效率在12.6V与15VDC V
IN
100
0.150
0.125
0.100
0.075
0.050
0.025
0
–0.025
–0.050
–0.075
–0.100
–0.125
–0.150
95
效率（％）
输出电压误差（V）的
90
85
80
75
0.50
1.00
1.50
2.00
2.50
充电电流（ A）
3.00
4008 G10
ü W
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
断开/重新连接电池
（抛负载）
3A STEP
1A STEP
V
FL燕麦
1V/(DIV)
PWM频率与占空比
350
300
250
200
150
编程的电流= 10 ％
100
50
0
0
DCIN = 15V
DCIN = 20V
DCIN = 24V
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
占空比（ V
OUT
/V
IN
)
4008 G05
1A STEP
负载
状态
3A STEP
断开
重新连接
负载电流= 1A ， 2A ， 3A
DCIN = 20V
V
FL燕麦
= 12.6V
4008 G06
效率19VDC V
IN
16.8V
12.6V
90
85
80
75
0.50
1.00
1.50
2.00
2.50
充电电流（ A）
3.00
4008 G09
充电电压误差
TEMP = 27 ° C，I
负载
= 0.120A
DCIN = 20V
DCIN = 15V
0
2
4
6 8 10 12 14 16 18 20 22
充电电压（V）
4008 G11
4008fa
5
QQ：2880707522 复制
