特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
LTC3775
高频
同步降压型
电压模式的DC / DC
调节器
描述
此外，LTC
3775是一种高英法fi效率同步降压型
开关型DC / DC控制器，用于驱动全N沟道
从一个4.5V至38V的输入电源功率MOSFET级
电压。获得专利的电压前馈补偿电路
和高带宽误差放大器呃提供非常快线
和负载瞬态响应。
高降压比用低为30ns成为可能
最小导通时间，从而允许非常低的占空比
MOSFET
DS （ ON）
电流检测最大化EF网络效率。
可替换地，感测电阻器，可用于较高的电流
租限流精度。连续监视的电压的
在顶部和底部的MOSFET允许逐周期
电感器电流的控制， CON组fi可配置由外部
电阻器。
软启动功能，控制占空比时
启动时，提供一个平滑的输出电压斜坡上升。该
工作频率从250kHz可编程用户
到1MHz ，并可同步至外部时钟。
L,
LT ， LTC和LTM的注册和凌特公司的商标。所有其他
商标是其各自所有者的财产。受美国专利保护，其中包括
5408150, 5481178, 5705919, 6580258, 5847554, 5055767.
宽V
IN
范围： 4.5V至38V
电压前馈补偿
低的最短接通时间：吨
开（分钟）
<为30ns
强大的内置MOSFET驱动器
前沿调制电压模式控制
± 0.75 ％ ， 0.6V基准电压准确度
温度
V
OUT
范围： 0.6V至0.8V
IN
可编程，逐周期峰值电流限制
检测电阻器或R
DS （ ON）
电流检测
可编程软启动
同步固定频率从250kHz至1MHz的
可选择的脉冲跳跃或强制连续
操作模式
低关断电流： 14μA典型
耐热增强型3mm
×
3mm QFN封装
应用
n
n
n
汽车系统
电信和工业电源
负载点应用
典型用途
330μF
35V
3.16k
57.6k
4.7μF
0.01μF
39.2k
I
LIMT
I
肢
V
IN
TG
0.1μF
0.36μH
V
OUT
1.2V
470μF 15A
2.5V
2
V
IN
5V至28V
EF网络效率和功率损耗与负载电流
100
90
80
效率（％）
70
60
50
40
30
20
功率损耗
1
效率
2
3
V
IN
= 12V
V
OUT
= 1.2V
连续模式
SW FREQ = 500kHz的
5
4
功率损耗（ W）
SENSE
LTC3775
INTV
CC
BOOST
SW
SS
频率
FB
BG
保护地
MODE / SYNC
COMP RUN / SHDN
SGND
330pF
3.9nF
10
0
0.01
3775 TA01a
10k
10k
4.7k
0.1
1
10
负载电流（A ）
0
100
3775 TA01b
3775f
1
LTC3775
绝对最大额定值
（注1 ）
引脚配置
顶视图
MODE / SYNC
RUN / SHDN
BOOST
电源电压
V
IN
.................................................. ....... -0.3V至40V
BOOST ................................................. .. -0.3V至46V
升压SW ............................................... -0.3V至6V
SW ................................................. ........... -5V至40V
I
LIMT
.................................................. ...........- 0.3V至V
IN
SENSE ................................................. ............- 5V到V
IN
INTV
CC
.................................................. ....... -0.3V至6V
RUN / SHDN ............................................... .... -0.3V至6V
FB ， MODE / SYNC ................................... -0.3V到INTV
CC
FREQ ，我
肢
， SS ..................................... -0.3V到INTV
CC
INTV
CC
RMS电流... ......................................... 50毫安
工作结温范围
（注2 ） .............................................. .... -40 ° C至125°C
存储温度范围................... -65℃ 150℃
16 15 14 13
I
LIMT
1
I
肢
2
FB 3
COMP 4
5
SS
6
频率
7
SGND
8
BG
17
保护地
12 SW
11 V
IN
10感
9 INTV
CC
UD套餐
16引脚（3毫米3毫米）塑料QFN
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 68 ° C / W ，
θ
JC
= 4.2 ℃/ W（注3 ）
裸露焊盘（引脚17 ）为地线，必须焊接到PCB
订购信息
无铅完成
LTC3775EUD#PBF
LTC3775IUD#PBF
磁带和卷轴
LTC3775EUD#TRPBF
LTC3775IUD#TRPBF
最热*
LDJK
LDJK
包装说明
16引脚（3毫米
×
3毫米）塑料QFN
16引脚（3毫米
×
3毫米）塑料QFN
温度范围
-40 ° C至85°C
-40_C到125_C
咨询LTC营销部分特定网络版与更广泛的工作温度范围。 *温度等级为identi网络由在包装盒上的标签编。
咨询LTC营销非标准铅基音响光洁度部分信息。
有关无铅零件标记的更多信息，请访问：
http://www.linear.com/leadfree/
有关磁带和卷轴特定网络阳离子的更多信息，请访问：
http://www.linear.com/tapeandreel/
TG
3775f
2
LTC3775
电气特性
符号
振荡器
f
OSC
f
高
f
低
f
SYNC
t
开（分钟）
t
关（ MIN）的
DC
最大
V
模式
V
MODE （ HYST ）
R
MODE / SYNC
司机
BG
UP
TG
UP
BG
下
TG
下
BG ， TG吨
2D
TG ， BG吨
1D
底栅（ BG ）上拉导通电阻
顶栅（ TG ）上拉导通电阻
底栅（ BG ）的下拉导通电阻
顶栅（ TG ）的下拉导通电阻
底部门关到门顶开延时
顶部开关延迟时间
顶门关至底栅接通延时
同步开关延迟时间
C
L
= 3300pF （注7 ）
C
L
= 3300pF （注7 ）
2.5
2.5
1.0
1.5
15
15
Ω
Ω
Ω
Ω
ns
ns
振荡器频率
最大振荡频率
最低振荡器频率
外部同步频率范围
TG最小导通时间
TG最小关断时间
TG最大占空比
MODE / SYNC阈值
MODE / SYNC滞后
MODE / SYNC输入电阻为SGND
参照自由运行
（注6,8 ）V
MODE / SYNC
= 0V
（注6 ）
f
OSC
= 500kHz的
MODE / SYNC上升
l
该
l
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
结温范围内，另有规定的阳离子是在T
A
= 25°C 。 V
IN
= 12V, V
RUN
= 5V ，除非另有规定ED 。
参数
条件
R
频率
= 39.2k
l
l
l
民
425
1000
典型值
500
最大
575
250
单位
千赫
千赫
千赫
%
ns
ns
%
V
mV
kΩ
–20
30
300
90
1.2
430
50
20
注1 ：
强调超越上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。暴露于任何绝对
最大额定值条件下工作会影响器件
可靠性和寿命。
注2 ：
该LTC3775E保证，以满足特定的性能科幻阳离子
从0° C至85°C 。特定网络连接的阳离子在-40° C至85° C的工作
结温范围是由设计，表征和放心
相关性statisitical过程控制。该LTC3775I保证
在-40 ° C至125 ° C的工作结温范围内。该
结温，T
J
中，从环境温度T计算出的
A
,
和功耗，磷
D
，根据：
T
J
= T
A
+ (P
D
θ
JA
)
注3 ：
否则焊接UD封装的裸露焊盘到PC
板将导致热阻小于68℃ / W的高得多。
注4 ：
所有电流为器件引脚为正;所有电流输出装置的
引脚是负的。所有电压以地为参考，除非另有
特定网络版。
注5 ：
在正常操作中供给的电流由电流占主导地位
需要充电和放电的外部MOSFET栅极。该电流
将与电源电压和所使用的外部MOSFET而变化。
注6 ：
通过设计保证，不受测试。
注7 ：
上升和下降时间是使用10 ％和90％水平的测定。延迟
和非重叠时间，用50 ％的含量测定。
注8 ：
该LTC3775前沿调制架构不具备
最小TG脉冲宽度要求。 TG的最小脉冲宽度为
受限于SW节点的上升和下降时间。
3775f
4
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