特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
LTC3670
单片400毫安巴克
稳压器与双150毫安
3毫米的LDO
×
2mm DFN封装
描述
此外,LTC
3670是一个由三电源
400毫安同步降压型稳压器和两个150毫安低
低压差线性稳压器(LDO ) 。输入电压范围
2.5V到5.5V的是特别适合用于单细胞
锂离子和锂离子/聚合物电池应用,以及
从3V , 3.3V供电的低电压ASIC和系统级芯片
或5V轨。稳压输出电压进行编程
通过外部电阻。每路输出都有自己的使能引脚
最大的灵活性。
该400毫安降压型稳压器具有固定频率
2.25MHz的操作,允许小型表面贴装电感
要使用器和电容器。突发模式工作
保持高英法fi效率在轻载和空载CON-
ditions 。内部控制环路补偿简化网络连接的ES
应用程序设计。
该LTC3670是一个0.75毫米廓,采用3mm
×
2毫米12引线DFN封装。
L,
LT , LTC , LTM和Burst Mode是注册和凌特公司的商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。专利正在申请中。
三路输出电源从单一2.5V至5.5V输入
400毫安降压型DC / DC加双150毫安的LDO在一个IC
输出调节低至0.8V
±2.5 %基准准确度
恒定频率2.25MHz的操作
突发模式
操作高英法fi效率在轻
负载;我
Q
= 70μA ,所有输出启用
独立的使能引脚每路输出
对卓越的电压和负载电流模式操作
瞬态响应
内部软启动每路输出
纤巧12引线3mm
×
2mm
×
0.75毫米DFN封装
应用
n
n
n
n
n
手持式产品
便携式仪器
单节锂离子/锂聚合物供电设备
DMB / DVB -H多媒体手机
多电压电源的数字逻辑, I / O , FPGA中,
CPLD器件,专用集成电路,系统级芯片, CPU和RF芯片组
典型用途
三重电源,带独立启用
V
IN
3.3V至5.5V
演示板
2.2μF
GND
V
IN
SW
4.7μH
232k
BUCKFB
464k
10pF
4.7μF
V
OUT1
1.2V
400mA
LTC3670
数字
控制
ENBUCK
ENLDO1
ENLDO2
PGOOD
LDO1
806k
LDO1_FB
324k
LDO2
1.02M
LDO2_FB
324k
3670 TA01a
9.3mm
V
OUT2
2.8V
150mA
1μF
9.4mm
活动区域
1μF
V
OUT3
3.3V
150mA
3670 TA01b
3670f
1
LTC3670
绝对最大额定值
(注1 ,2,3 )
引脚配置
顶视图
SW 1
GND 2
ENLD01 3
ENLD02 4
ENBUCK 5
BUCKFB 6
13
12 V
IN
11 LDO2
10 LDO1
9 LDO1_FB
8 LDO2_FB
7 PGOOD
V
IN
, ENBUCK , ENLDO1 , ENLDO2 ,
PGOOD ................................................. ...... -0.3V至6V
SW , BUCKFB , LDO1_FB , LDO2_FB ,
LDO1 , LDO2 ...............................- 0.3V至(V
IN
+ 0.3V)
I
SW
.......................................................................600mA
I
LDO1
, I
LDO2
..........................................................250mA
I
PGOOD
....................................................................40mA
结温........................................... 125°C
工作温度范围.................. -40 ° C至85°C
存储温度范围................... -65 ° C至125°C
DDB套餐
12 - LEAD (3毫米× 2毫米)塑料DFN
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 76 ° C / W ,
θ
JC
= 13.5 ° C / W
裸露焊盘(引脚13 )为GND ,必须焊接到PCB
订购信息
无铅完成
LTC3670EDDB#PBF
磁带和卷轴
LTC3670EDDB#TRPBF
最热
LDBY
包装说明
12 - LEAD (3毫米
×
2毫米)塑料DFN
温度范围
-40 ° C至85°C
咨询LTC营销部分特定网络版与更广泛的工作温度范围。
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有关无铅零件标记的更多信息,请访问:
http://www.linear.com/leadfree/
有关磁带和卷轴特定网络阳离子的更多信息,请访问:
http://www.linear.com/tapeandreel/
电气特性
符号
V
IN
V
UVLO
I
Q
参数
输入电压范围
欠压锁定阈值
欠压闭锁滞后
V
IN
静态电流,空载
所有输出启用
巴克才启用
巴克才启用,在降
一个LDO才启用
关闭
ENBUCK , ENLDO1 , ENLDO2引脚门限
逻辑低电压
逻辑高电压
ENBUCK , ENLDO1 , ENLDO2引脚下拉
阻力
R
PGOOD
PGOOD引脚逻辑低输出阻抗
PGOOD引脚高阻泄漏
对反馈电压PGOOD阈值
使稳压器
该
l
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
温度范围内,另有规定的阳离子是在T
A
= 25°C 。 V
IN
= 3.6V ,除非另有说明。
条件
l
民
2.5
典型值
2.2
18
最大
5.5
2.3
100
110
60
1100
35
1
0.4
单位
V
V
mV
μA
μA
μA
μA
μA
V
V
MΩ
Ω
V
IN
升起
(注4 )
V
BUCKFB
= 0.9V
V
BUCKFB
= 0.9V
V
BUCKFB
= 0V
V
ENBUCK
= V
ENLDO1
= V
ENLDO2
= 0V
l
l
70
38
700
22
V
IL
V
IH
1.2
4
30
V
PGOOD
= 6V
(注5 )
92
1
μA
%
3670f
2
LTC3670
电气特性
符号
f
OSC
V
BUCKFB
I
BUCKFB
I
MAXP
R
P( BUCK )
R
N( BUCK )
R
PD ( BUCK )
t
SS ( BUCK )
V
LDO
参数
振荡器频率
降压稳压反馈电压
反馈引脚输入偏置电流
PMOS开关最大峰值电流(注6 )
PMOS开关导通电阻
NMOS开关导通电阻
SW引脚下拉电阻在关断
软启动时间
LDO稳压反馈电压
LDO电压调整率(注7 )
LDO的负载调整率(注7 )
I
LDO_FB
V
降
反馈引脚输入偏置电流
输出短路电流(注6 )
输入输出电压差(注8)
I
LDO
= 150毫安
V
IN
= 3.6V
V
IN
= 2.5V
LDO输出,我
LDO
= 1mA至150毫安
I
LDO
= 1mA时, V
IN
= 2.5V至5.5V
I
LDO
= 1mA至150毫安
l
l
l
l
该
l
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
温度范围内,另有规定的阳离子是在T
A
= 25°C 。 V
IN
= 3.6V ,除非另有说明。
条件
民
1.91
0.78
600
典型值
2.25
0.8
800
0.6
0.7
10
0.6
0.78
0.8
0.25
–5
±20
420
150
200
0.1
10
200
300
0.82
最大
2.59
0.82
±20
1100
单位
兆赫
V
nA
mA
Ω
Ω
kΩ
ms
V
mV / V的
μV / MA
nA
mA
mV
mV
ms
kΩ
同步降压稳压器
每个LDO稳压器
t
SS ( LDO )
R
PD ( LDO )
软启动时间
输出下拉电阻在关断
注1 :
强调超越上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。暴露于任何绝对
最大额定值条件下工作会影响器件
可靠性和寿命。
注2 :
该IC具有过热保护,旨在
在瞬间过载条件下,以保护设备。连接点
气温将超过125°C时,过热保护
活跃的。在特定网络版最高运行上面的连续运行
结温度,可能导致设备降低或发生故障。
注3 :
该LTC3670是保证满足性能特定网络阳离子
从0° C至85°C 。特定网络连接的阳离子在-40° C至85° C的工作
温度范围是由设计,表征和相关保障
统计过程控制。
注4 :
动态电源电流较高,由于交付的栅极电荷
该降压型稳压器的内部MOSFET开关在开关
频率。
注5 :
PGOOD阈值被表示为反馈的百分比
调节电压。该阈值测量反馈引脚电压
不断攀升。
注6 :
电流限制功能是用来保护IC免受
短期或间歇性故障情况。长时间运行以上
在特定网络版绝对最大引脚电流额定值可能会导致器件
降低或发生故障。
注7 :
测量与LDO运行的单位增益,输出与绑
反馈引脚。
注8 :
电压差最小输入输出电压差
保持在规定一个特定的ED输出电流所需的LDO 。
当LDO处于辍学,其输出电压将等于:
V
IN
– V
降
3670f
3
LTC3670
典型性能特性
V
IN
电源电流与V
IN
120
100
V
IN
电源电流( μA )
80
60
40
20
0
90°C
25°C
–45°C
820
稳压BUCKFB引脚电压(MV )
三个输出使能,
空载
130°C
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
LDO稳压反馈引脚
电压与温度
LDO稳压反馈引脚电压(MV )
820
单位增益,V
(下)
= V
( LDO_FB )
815 I
(下)
= 0.1毫安
810
805
800
795
790
785
V
IN
= 2.5V
V
IN
= 3.6V
V
IN
= 4.2V
V
IN
= 5.5V
降压稳压反馈电压
与温度
单位增益,V
(下)
= V
( BUCKFB )
815 I
(下)
= 100毫安
810
805
800
V
IN
= 2.5V
795
790
785
780
–50 –30 –10 10 30 50 70 90 110 130
温度(℃)
3670 G02
V
IN
= 5.5V
V
IN
= 4.2V
V
IN
= 3.6V
2.5
3
3.5
4
V
IN
(V)
4.5
5
5.5
3670 G01
780
–50 –30 –10 10 30 50 70 90 110 130
温度(℃)
3670 G03
降压负载调节
820
815
BUCKFB引脚电压(MV )
810
805
800
795
790
785
780
0
50
100 150 200 250 300 350 400
负载电流(mA )
3670 G04
LDO的负载调整率
820
LDO反馈引脚电压(MV )
815
810
805
800
795
790
785
780
0
25
50
75
100
负载电流(mA )
125
150
漏失电压(MV )
V
IN
= 3.6V
300
250
200
150
LDO低压差与负载电流
在V
IN
= 2.5V
V
IN
= 2.5V
130°C
V
IN
= 3.6V
90°C
– 45°C
100
50
0
25°C
0
25
50
75
100
负载电流(mA )
125
150
3670 G05
3670 G06
LDO低压差与负载电流
在V
IN
= 3.6V
300
250
漏失电压(MV )
200
150
100
50
0
90°C
– 45°C
130°C
V
IN
= 3.6V
短路电流(mA)
500
450
400
350
300
250
200
150
100
50
125
150
0
LDO短路电流与V
IN
2.35
2.30
振荡器频率(MHz)
2.25
2.20
2.15
2.10
2.05
2.00
1.95
5.5
3670 G08
巴克振荡器频率
与温度
V
IN
= 5.5V
V
IN
= 4.2V
V
IN
= 3.6V
V
IN
= 2.5V
25°C
0
25
50
75
100
负载电流(mA )
– 45°C
25°C
90°C
2.5
3
3.5
4
V
IN
(V)
4.5
5
1.90
–50 –30 –10 10 30 50 70 90 110 130
温度(℃)
3670 G09
3670 G07
3670f
4
LTC3670
典型性能特性
PMOS开关最大峰值
电流与温度
900
PMOS最大峰值电流(毫安)
800
PMOS导通电阻(mΩ )
700
600
500
400
300
200
100
0
–50 –30 –10 10 30 50 70 90 110 130
温度(℃)
3670 G1O
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
PGOOD阈值,在任何
反馈引脚
100
分数调节点( % )
99
98
97
96
95
94
93
92
91
90
2.5
3
3.5
25°C
4
V
IN
(V)
4.5
–45°C
5
5.5
3670 G12
巴克PMOS导通电阻
1000
900
130°C
25°C
–45°C
90°C
V
IN
= 5.5V
V
IN
= 4.2V
V
IN
= 3.6V
V
IN
= 2.5V
800
700
600
500
400
300
200
100
0
2.5
3
90°C
130°C
3.5
4
V
IN
(V)
4.5
5
5.5
3670 G11
PGOOD引脚下拉电阻
80
PGOOD引脚下拉电阻( Ω )
70
60
50
40
30
20
10
0
2.5
3
3.5
4
V
IN
(V)
4.5
5
5.5
3670 G13
头版申请英法fi效率
100
95
90
头版应用电路
只有降压启用。
电感: COILCRAFT EPL2014-472ML
V
OUT
= 1.2V
V
IN
= 2.5V
V
IN
= 3.6V
PGOOD引脚SINKING 2毫安
130°C
90°C
25°C
效率(%)
85
80
75
70
65
60
1
–45°C
V
IN
= 5.5V
100
10
负载电流(mA )
1000
3670 G14
3670f
5