LTC3560
2.25MHz的， 800毫安
同步降压型
稳压器采用ThinSOT
特点
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DESCRIPTIO
高效率：高达95％
低输出纹波（ <20mV
P-P
） ：突发模式
操作：我
Q
= 16
A
2.5V至5.5V输入电压范围
2.25MHz恒定频率工作
同步至外部时钟
无需肖特基二极管
稳定与陶瓷电容器
低压差操作： 100 ％占空比
0.6V基准允许低输出电压
停机模式吸收< 1μA电源电流
±2%
输出电压精度
优秀线路电流模式操作和
负载瞬态响应
过热保护
低扁平（1mm ） ThinSOT封装
TM
包
此外，LTC
3560是一种高效单片同步的
采用恒定频率，电流理性降压稳压器
模式架构。操作过程中电源电流
只有16μA ，下降到<1μA在关断。 2.5V至
5.5V的输入电压范围使LTC3560非常适合
用于单节锂离子/锂聚合物电池供电的应用。
100 ％占空比实现了低压差工作，扩及
荷兰国际集团的电池寿命的便携式系统。
开关频率在内部设定为2.25MHz ，从而使
使用小型表面贴装电感器和电容器。
就噪声敏感型应用的LTC3560可
外部从1MHz至3MHz同步。突发模式
在同步过程中的操作被禁止或当
SYNC / MODE引脚拉高，防止低频
从与音频电路的干扰纹波。
内部同步开关提高了效率，
省去了外部肖特基二极管。低
输出电压被容易地与0.6V支持馈
回到基准电压。的LTC3560处于低可用
扁平（1mm ） ThinSOT封装。
， LTC ， LT和Burst Mode是注册和凌特公司的商标。
采用ThinSOT是凌力尔特公司的商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
受美国专利保护，其中包括6580258 ， 5481178 ， 5994885 ，
6304066, 6498466, 6611131
应用S
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移动电话
无线和DSL调制解调器
数码相机
媒体播放器
便携式仪器
典型应用
100
90
80
70
效率（％）
V
IN
2.7V
至5.5V
2.2H
C
IN
10F
CER
V
IN
LTC3560
RUN
SYNC / MODE V
FB
GND
806k
255k
3405A F01A
60
50
40
30
20
10
0
0.1
1
V
IN
= 3.6V
V
IN
= 4.2V
V
IN
= 5.5V
10
100
负载电流（mA ）
0.01
SW
10pF
V
OUT
2.5V
C
OUT
10F
CER
图1a。高效率降压转换器
图1b。效率与负载电流
3560f
U
1
0.1
功率损耗（ W）
U
U
0.001
0.0001
1000
3560 F01B
1
LTC3560
绝对
（注1 ）
AXI ü
RATI GS
PACKAGE / ORDER我FOR ATIO
顶视图
RUN 1
GND 2
SW 3
6 SYNC / MODE
5 V
FB
4 V
IN
输入电源电压................................. - 0.3V至6V
SYNC / MODE ， RUN ，V
FB
电压............... - 0.3V至V
IN
SW电压（ DC ） ......................... - 0.3V至（V
IN
+ 0.3V)
P沟道开关源极电流（DC ） （注6 ） 1.2A ...
N沟道开关灌电流（ DC ） （注6 ） ....... 1.2A
峰值SW接收器和源电流（注6 ） ........... 2.1A
工作温度范围（注2 ） 。 - 40 ° C至85°C
结温（注3 ） ............................ 125°C
存储温度范围................ - 65℃ 150℃
引线温度（焊接， 10秒） ................. 300℃
S6包装
6引脚塑封TSOT -23
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 250 ° C / W
订购部件号
LTC3560ES6
S6最热
LTCFY
订购选项
卷带式：添加#TR
无铅：添加#PBF无铅卷带式：添加#TRPBF
无铅最热：
http://www.linear.com/leadfree/
咨询LTC营销部分特定网络版与更广泛的工作温度范围。
电气特性
该
●
表示该指标适合整个工作温度范围内，否则，规格有T
A
= 25°C.
V
IN
= 3.6V ，除非另有规定ED 。
符号
I
VFB
I
PK
V
FB
V
FB
V
LOADREG
V
IN
I
S
参数
反馈电流
峰值电感电流
监管的反馈电压
参考电压线路调整
输出电压负载调整
输入电压范围
输入直流偏置电流
脉冲跳跃模式
突发模式
手术
关闭
振荡器频率
同步频率范围
R
DS （ ON）
P沟道FET
R
DS （ ON）
n沟道FET
SW泄漏
RUN门槛
RUN漏电流
SYNC / MODE漏电流
软启动时间
V
FB
从10％到90％的满刻度
I
SW
= 100毫安
I
SW
= -100mA
V
RUN
= 0V, V
SW
= 0V或5.5V ，V
IN
= 5.5V
●
●
●
●
●
条件
●
民
1.0
●
●
典型值
1.5
0.6
0.04
0.5
最大
±30
2.0
0.612
0.4
5.5
单位
nA
A
V
%/V
%
V
A
A
A
兆赫
兆赫
A
V
A
V
A
ms
V
IN
= 3V, V
FB
= 0.5V ，占空比< 35 ％
（注4 ）
V
IN
= 2.5V至5.5V （注4 ）
0.588
2.5
200
16
0.1
（注5 ）
V
FB
= 0.63V ，模式=高，我
负载
= 0A
V
FB
= 0.63V ，模式=低，我
负载
= 0A
V
RUN
= 0V, V
IN
= 5.5V
V
FB
= 0.6V
●
●
300
30
1
2.7
3
0.35
0.35
±1
1.5
±1
1.5
±1
1.2
f
OSC
f
SYNC
R
PFET
R
NFET
I
LSW
V
RUN
I
RUN
I
SYNC / MODE
t
软启动
1.8
1
2.25
0.23
0.21
±0.01
0.3
0.3
0.6
1
±0.01
1.0
±0.01
0.9
V
SYNC / MODE
SYNC / MODE阈值
注1 ：
强调超越上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。暴露于任何绝对
最大额定值条件下工作会影响器件
可靠性和寿命。
注2 ：
该LTC3560E是保证符合性能规格
从0° C至85°C 。特定网络连接的阳离子在-40° C至85° C的工作
温度范围是由设计，表征和相关保障
统计过程控制。
2
U
3560f
W
U
U
W W
W
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