LTC3544
四路同步
降压型稳压器： 2.25MHz的，
300毫安型，200mA型，200mA ，百毫安
特点
■
■
描述
此外，LTC
3544是一款四通道，高效率，单片
同步降压型稳压器采用恒定频率，
电流模式架构。 4个稳压操作
独立与独立运行的引脚。在2.25V至5.5V
输入电压范围使得LTC3544非常适合于
单节锂离子/聚合物电池供电的应用。
100 ％占空比实现了低压差工作，前
趋向于便携式系统的电池使用时间。低纹波
突发模式
操作增加外汇基金fi效率在轻负载时，
与通常仅为20mV进一步延长了电池运行时间
纹波。
开关频率在内部设定为2.25MHz的，允许
使用小型表面贴装电感器和电容器。
内部同步开关提高EF网络效率
并省去了外部肖特基二极管。低
输出电压很容易支持与0.8V反馈
参考电压。
该LTC3544是低廓（高度仅0.75mm） （3毫米可用
×
3毫米） QFN封装。
， LT ， LTC和LTM是凌力尔特公司的注册商标。
突发模式是凌特公司的注册商标。所有其他
商标是其各自所有者的财产。受美国专利保护，
其中包括5481178 ， 6580258 ， 6304066 ， 6127815 ， 6498466 ， 6611131 ， 5994885 。
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■
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■
■
■
■
■
高英法fi效率：高达95 ％
四个独立的稳压器提供高达300mA的电流，
的200mA， 200mA至100mA输出电流
2.25V至5.5V的输入电压范围
2.25MHz恒定频率工作
无需肖特基二极管
极低的通道至通道瞬态
相声
低纹波（ 20mV的
P-P
）突发模式工作：
I
Q
= 70μA （所有通道开启）
0.8V基准允许低输出电压
停机模式吸收<1μA电源电流
对卓越的电压和负载电流模式操作
瞬态响应
过热保护
低廓（3毫米
×
3毫米） 16引脚QFN封装
应用
■
■
■
■
■
■
移动电话
个人信息设备
无线和DSL调制解调器
数码相机
媒体播放器
便携式仪器
典型用途
高英法fi四路效率降压转换器
V
IN
2.25V至5.5V
V
OUT2
1.5V
200mA
4.7μF
CER
4.7μF
CER
4.7μH
93.1k
107k
LTC3544
3.3μH
133k
107k
RUN300
SW300
V
FB300
GNDA
保护地
RUN100
SW100
V
FB100
118k
10μH
59k
V
OUT1
1.2V
100mA
4.7μF
CER
V
CC
PV
IN
EF网络效率与负载电流， 300毫安
通道，其他通道关闭
100
90
效率
0.1
功率损耗（ W）
损失
V
OUT
= 2.5V
T
A
= 25°C
0.01
1
RUN200B
SW200B
V
FB200B
RUN200A
SW200A
V
FB200A
3.3μH
效率（％）
V
OUT3
0.8V
200mA
4.7μF
CER
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.0001
100k
V
OUT4
1.8V
300mA
4.7μF
CER
0.001
V
IN
= 2.7V
V
IN
= 3.6V
V
IN
= 4.2V
0.001
0.01
0.1
负载电流（A ）
1
3544 TA01b
0.0001
3544B TA01a
3544fa
1
LTC3544
绝对最大额定值
（注1 ）
引脚配置
顶视图
RUN200B
SW100
12 RUN100
17
11 V
FB100
10 V
FB300
9
5
SW200A
6
保护地
7
PV
IN
8
SW300
RUN300
GNDA
V
CC
输入电源电压.....................................- 0.3V至6V
RUNX ............................................. -0.3V到（V
IN
+ 0.3V)
V
FBX
................................................ -0.3 V到（V
IN
+ 0.3V)
SWX ............................................... -0.3 V到（V
IN
+ 0.3V)
300毫安P沟道源电流（ DC ） （注8） ..450mA
300毫安N沟道漏电流（DC ） （注8） ...... 450毫安
200毫安P沟道源电流（ DC ） （注8） ..300mA
200毫安N沟道漏电流（DC ） （注8） ...... 300毫安
百毫安P沟道源电流（ DC ） （注8） ..200mA
百毫安N沟道漏电流（DC ） （注8） ...... 200毫安
山顶300毫安SW库和源电流
（注8） .............................................. .................. 600毫安
山顶200毫安SW库和源电流
（注8） .............................................. .................. 400毫安
山顶100毫安SW库和源电流
（注8） .............................................. .................. 200毫安
工作温度范围...................- 40 ° C至85°C
结温（注3,4） ........................ 125°C
存储温度范围....................- 65 ° C至125°C
16 15 14 13
V
FB200B
1
V
FB200A
2
RUN200A 3
SW200B 4
UD套餐
16引脚（3毫米
×
3毫米）塑料QFN
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 68 ° C / W
裸露焊盘（引脚17）为GND ，必须焊接到PCB
订购信息
无铅完成
LTC3544EUD#PBF
含铅涂层
LTC3544EUD
磁带和卷轴
LTC3544EUD#TRPBF
磁带和卷轴
LTC3544EUD#TR
最热
LCXM
最热
LCXM
包装说明
16引脚（3毫米
×
3毫米）塑料QFN
包装说明
16引脚（3毫米
×
3毫米）塑料QFN
温度范围
-40 ° C至85°C
温度范围
-40 ° C至85°C
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有关无铅零件标记的更多信息，请访问：
http://www.linear.com/leadfree/
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http://www.linear.com/tapeandreel/
电气特性
符号
V
IN
V
FBREGx
ΔV
FBREGx
V
LOADREG
参数
输入电压范围
监管的反馈电压（注5 ）
一般特性
该
●
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
温度范围内，另有规定的阳离子是在T
A
= 25°C 。 V
IN
= 3.6V ，除非另有说明。
条件
●
●
民
2.25
0.792
0.784
典型值
最大
5.5
单位
V
V
V
%/V
%
0.8
0.8
0.05
0.5
0.808
0.816
0.25
参考电压线路调整（注5 ）
输出电压负载调整率（注6 ）
V
IN
= 2.25V至5.5V
3544fa
2
LTC3544
电气特性
符号
I
S
参数
输入直流偏置电流工作模式下
（四稳压器启用）
睡眠模式
（四稳压器启用）
关闭
f
OSC
V
RUN （ HIGH ）
V
RUN （ LOW ）
I
SWX
I
RUNX
I
VFBx
t
SS
V
UVLO
振荡器频率
RUNX输入高电压
RUNX输入低电压
SWX泄漏
RUN漏电流
V
FBX
漏电流
软启动时间
欠压锁定
V
FB
= 7.5 ％至92.5 ％满量程
●
该
●
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
温度范围内，另有规定的阳离子是在T
A
= 25°C 。 V
IN
= 3.6V ，除非另有说明。
条件
V
FB
= 0.7V ，我
负载
= 0A ， 2.25MHz的
V
FB
= 0.9V ，我
负载
= 0A ， 2.25MHz的
民
典型值
825
70
0.1
V
IN
= 3V
V
IN
= 2.5V至5.5V
2.25
●
●
●
最大
1100
80
2
2.7
0.3
单位
μA
μA
μA
兆赫
兆赫
V
V
μA
μA
nA
μs
V
1.8
1.0
±0.1
V
RUN
= 0V, V
SW
= 0V或5.5V ，V
IN
= 5.5V
V
IN
= 5.5V
●
±1
±1
80
1200
2.25
±0.1
650
875
1.9
个人稳压特性
稳压器SW300 - 300毫安
I
PK
I
S300
R
PFET
R
NFET
I
PK
I
S200
R
PFET
R
NFET
I
PK
I
S200
R
PFET
R
NFET
I
PK
I
S100
R
PFET
R
NFET
峰值开关电流限制
输入直流偏置电流，注册SW300仅
突发模式工作（休眠）
R
DS （ ON）
P沟道FET的（注7 ）
R
DS （ ON）
N沟道FET的（注7 ）
峰值开关电流限制
输入直流偏置电流，注册SW200A仅
突发模式工作（休眠）
R
DS （ ON）
P沟道FET的（注7 ）
R
DS （ ON）
N沟道FET的（注7 ）
峰值开关电流限制
输入直流偏置电流，注册SW200B仅
突发模式工作（休眠）
R
DS （ ON）
P沟道FET的（注7 ）
R
DS （ ON）
N沟道FET的（注7 ）
峰值开关电流限制
输入直流偏置电流，注册SW100B仅
突发模式工作（休眠）
R
DS （ ON）
P沟道FET的（注7 ）
R
DS （ ON）
N沟道FET的（注7 ）
V
FB
＆ LT ; V
FBREG
，占空比< 35 ％
V
FB
= 0.9V ，我
负载
= 0A ， 2.25MHz的
I
SW
= 100毫安
I
SW
= -100mA
V
FB
＆ LT ; V
FBREG
，占空比< 35 ％
V
FB
= 0.9V ，我
负载
= 0A ， 2.25MHz的
I
SW
= 100毫安
I
SW
= -100mA
V
FB
＆ LT ; V
FBREG
，占空比< 35 ％
V
FB
= 0.9V ，我
负载
= 0A ， 2.25MHz的
I
SW
= 100毫安
I
SW
= -100mA
V
FB
＆ LT ; V
FBREG
，占空比< 35 ％
V
FB
= 0.9V ，我
负载
= 0A ， 2.25MHz的
I
SW
= 100毫安
I
SW
= -100mA
200
300
300
400
600
32
0.55
0.50
400
32
0.65
0.60
400
32
0.65
0.60
300
32
0.80
0.75
400
500
500
800
mA
μA
Ω
Ω
mA
μA
Ω
Ω
mA
μA
Ω
Ω
mA
μA
Ω
Ω
调节SW200A - 200毫安
稳压器SW200B - 200毫安
稳压器SW100 - 100毫安
注1 ：
强调超越上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。暴露于任何绝对
最大额定值条件下工作会影响器件
可靠性和寿命。
注2 ：
该LTC3544E保证，以满足特定的性能科幻阳离子
从0° C至85°C 。特定网络连接的阳离子在-40° C至85° C的工作
温度范围是由设计，表征和相关保障
统计过程控制。
3544fa
3
QQ：2880707522 复制
