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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符L型号页 > 首字符L的型号第60页 > LTC3528EDDB-TRPBF
LTC3528/LTC3528B
1A , 1MHz同步
升压型DC / DC转换器
3毫米
×
2mm DFN封装
特点
描述
此外,LTC
3528 / LTC3528B是同步的,固定的网络频率
升压型DC / DC转换器的输出断接。高
英法fi效率同步整流,阳离子,除具有700mV的
启动电压和运行下降到500mV的一次
开始,提供了更长的运行时间为单个或多个
电池供电的产品。
1MHz的开关频率最大限度地降低解决方案足迹
通过允许使用纤巧,低廓电感器和打印
陶瓷电容。电流模式PWM是内部
补偿,从而简化了设计过程。该LTC3528
进入突发模式工作在轻负载,而
LTC3528B功能在轻负载时连续开关。
抗振铃电路降低了EMI由阻尼感应器
在非连续模式。其他功能还包括一个低
关断电流,开漏电源良好输出,短期
短路保护和热过载保护。
该LTC3528 / LTC3528B提供采用8引脚3mm x
2毫米× 0.75毫米DFN封装。
, LT LTC , LTM和Burst Mode是注册和凌特公司的商标
,
公司。所有其他商标均为其各自所有者的财产。
提供3.3V从单节碱性200毫安/
从镍氢电池两种电池或3.3V ,电流可达400mA
V
IN
启动电压: 700mV的
1.6V至5.25V的V
OUT
范围
高达94%的英法fi效率
输出断接
1MHz固定频率工作
V
IN
& GT ; V
OUT
手术
集成的软启动
具有内部补偿电流模式控制
突发模式
操作12μA静态电流
(LTC3528)
低噪声PWM操作( LTC3528B )
内部同步整流器器
逻辑控制关断: <1μA
抗振铃控制
低廓(3毫米× 2毫米×高度仅0.75mm) DFN封装
应用
医疗器械
基于闪存的MP3播放器
降噪耳机
无线鼠标
蓝牙耳机
典型用途
100
4.7μH
90
SW
V
IN
1.8V至3.2V
4.7μF
V
IN
V
OUT
499k
FB
287k
3528 TA01a
EF网络效率和功率损耗
V
OUT
= 3.3V
V
IN
= 2.4V
1000
100
效率(%)
V
OUT
3.3V
400mA
10μF
80
效率
70
60
功率损耗
50
0.1
40
30
0.01
0.01
1000
3528 TA01b
损耗(毫瓦)
10
LTC3528
PGOOD
33pF
1
OFF ON
SHDN
GND
0.1
1
10
100
负载电流(mA )
3528fa
1
LTC3528/LTC3528B
绝对最大额定值
(注1 )
引脚配置
顶视图
SHDN
1
FB 2
PGOOD 3
V
OUT
4
9
8 V
IN
7 SGND
6 PGND
5 SW
V
IN
电压................................................. .. -0.3V至6V
SW电压
DC ................................................. ........... -0.3V至6V
脉冲< 100ns的........................................ -0.3V至7V
SHDN ,
FB电压........................................ -0.3V至6V
V
OUT
.................................................. ........... -0.3V至6V
PGOOD ................................................. ........ -0.3V至6V
工作温度范围
(注2,5) ............................................ .. -40 ° C至85°C
存储温度范围................... -65 ° C至125°C
DDB套餐
8引脚(3毫米× 2毫米)塑料DFN
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 76 ℃/ W(注6 )
裸露焊盘(引脚9)为GND ,必须焊接到PCB
订购信息
无铅完成
LTC3528EDDB#PBF
LTC3528BEDDB#PBF
磁带和卷轴
LTC3528EDDB#TRPBF
LTC3528BEDDB#TRPBF
最热
LCYD
LDDG
包装说明
8引脚(3毫米× 2毫米)塑料DFN
8引脚(3毫米× 2毫米)塑料DFN
温度范围
-40 ° C至85°C
-40 ° C至85°C
咨询LTC营销部分特定网络版与更广泛的工作温度范围。
咨询LTC营销非标准铅基音响光洁度部分信息。
有关无铅零件标记的更多信息,请访问:
http://www.linear.com/leadfree/
有关磁带和卷轴特定网络阳离子的更多信息,请访问:
http://www.linear.com/tapeandreel/
电气特性
参数
最低启动电压
输出电压调节范围
T
A
= 0 ° C至85°C
反馈电压
反馈输入电流
静态电流关断
静态电流活动
静态电流爆
P沟道MOSFET开关漏电流
N沟道MOSFET的导通电阻
P沟道MOSFET的导通电阻
N沟道MOSFET电流限制
限流延迟时间输出
最大占空比
最小占空比
频率
(注3)
V
FB
= 1.15V
V
FB
= 1.3V
(注7 )
V
FB
= 1.3V
条件
I
负载
= 1毫安
表示该应用在特定网络编辑工作的特定连接的阳离子
-40 ° C至85° C的温度范围内,另有规定的阳离子是在T
A
= 25°C 。 V
IN
= 1.2V, V
OUT
= 3.3V,除非另有说明。
典型值
0.70
最大
0.88
5.25
5.25
单位
V
V
V
V
nA
μA
μA
μA
μA
μA
Ω
Ω
A
ns
%
1.7
1.6
1.170
1.200
1
0.01
300
12
0.1
0.1
0.175
0.250
1.230
50
1
500
20
10
10
V
SHDN
= 0V ,不包括漏电开关,V
OUT
= 0V
测量V
OUT
,非开关(注4 )
测量V
OUT
, FB > 1.230V
V
SW
= 5V, V
OUT
= 0V
N沟道MOSFET开关漏电流V
SW
= 5V
1.0
88
0.7
1.5
60
93
0
1.0
1.3
%
兆赫
3528fa
2
LTC3528/LTC3528B
电气特性
参数
SHDN
输入高电压
SHDN
输入低电压
SHDN
输入电流
PGOOD阈值百分比
PGOOD低电压
PGOOD泄漏电流
V
SHDN
= 1.2V
参考反馈电压下降
I
PGOOD
= 1毫安
V
OUT
= 1.6V时,我
PGOOD
= 1毫安
V
PGOOD
= 5.5V
–7
0.3
–10
0.05
0.05
0.01
条件
表示该应用在特定网络编辑工作的特定连接的阳离子
-40 ° C至85° C的温度范围内,另有规定的阳离子是在T
A
= 25°C 。 V
IN
= 1.2V, V
OUT
= 3.3V,除非另有说明。
0.88
0.25
1
–13
0.1
0.2
1
典型值
最大
单位
V
V
μA
%
V
V
μA
注1 :
强调超越上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。暴露于任何绝对
最大额定值条件下工作会影响器件
可靠性和寿命。
注2 :
该LTC3528E保证,以满足特定的性能科幻阳离子
从0° C至85°C 。特定网络连接的阳离子在-40 ° C至85° C的工作
温度范围是由设计,表征和相关保障
统计过程控制。
注3 :
特定网络阳离子由设计保证,而不是100 %的测试,
生产。
注4 :
电流测量时的输出不切换制成。
注5 :
该IC具有过热保护,旨在
在瞬间过载条件下,以保护设备。连接点
温度超过125°C时,过热保护功能被激活。
上述特定网络连续运行主编最高工作结
温度可能会导致器件性能下降或发生故障。
注6 :
否则焊接封装的背面裸露到PC
板的接地平面将导致热阻大大高于
76°C/W.
注7 :
该IC是在反馈回路中进行测试,以进行测量。
典型性能特性
EF网络效率与负载电流和V
IN
对于V
OUT
= 1.8V ( LTC3528 )
100
90
80
效率(%)
70
60
50
40
30
20
10
0
0.01
0.1
V
IN
= 1V
V
IN
= 1.2V
V
IN
= 1.5V
10
100
1
负载电流(mA )
0.1
动力
损失
1
10
效率
100
损耗(毫瓦)
效率(%)
1000
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.01
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
EF网络效率与负载电流和V
IN
对于V
OUT
= 3V ( LTC3528 )
效率
1000
100
损耗(毫瓦)
10
动力
损失
1
0.01
1000
V
IN
= 1V
V
IN
= 1.5V
V
IN
= 2.4V
0.1
10
100
1
负载电流(mA )
0.1
0.01
1000
3528 G01
3528 G26
3528fa
3
LTC3528/LTC3528B
典型性能特性
EF网络效率与负载电流和V
IN
对于V
OUT
= 3.3V ( LTC3528 )
100
效率
90
100
80
效率(%)
70
60
50
40
30
0.01
V
IN
= 1.2V
V
IN
= 1.8V
V
IN
= 2.4V
V
IN
= 3V
0.1
1
10
100
负载电流(mA )
3528 G02
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
空载输入电流与V
IN
(LTC3528)
1000
130
110
100
损耗(毫瓦)
90
I
IN
(μA)
70
50
30
10
1
2
3
V
IN
(V)
4
5
3528 G04
EF网络效率与负载电流和V
IN
对于V
OUT
= 5V ( LTC3528 )
1000
100
效率
90
80
效率(%)
70
10
60
50
40
30
0.01
V
IN
= 1.2V
V
IN
= 2.4V
V
IN
= 3.6V
V
IN
= 4.2V
0.1
1
10
100
负载电流(mA )
3528 G03
损耗(毫瓦)
10
动力
损失
1
动力
损失
1
0.1
V
OUT
= 1.8V
V
OUT
= 3V
V
OUT
= 3.3V
V
OUT
= 5V
0.01
1000
0.1
1000
最大输出电流与V
IN
800
700
600
10000
最小负载电阻在
初创VS V
IN
130
120
110
1000
DELAY (微秒)
R
负载
(Ω)
100
90
80
70
启动延时时间与V
IN
I
OUT
(MA )
500
400
300
200
100
0
1
1.5
2
3
2.5
V
IN
(V)
V
OUT
= 1.8V
V
OUT
= 3.3V
V
OUT
= 5V
3.5
4
4.5
3528 G05
100
60
10
0.7
0.8
V
IN
(V)
3528 G06
50
0.9
1
1
1.5
2
3
2.5
V
IN
(V)
3.5
4
4.5
3528 G07
突发模式阈值电流
VS V
IN
40
V
OUT
= 1.8V
50
突发模式阈值电流
VS V
IN
V
OUT
= 3V
60
突发模式阈值电流
VS V
IN
V
OUT
= 3.3V
升起
30
升起
I
OUT
(MA )
I
OUT
(MA )
40
升起
落下
20
I
OUT
(MA )
30
40
20
落下
10
落下
20
10
0
1
1.1
1.3
1.2
V
IN
(V)
1.4
1.5
3528 G08
0
1
1.5
V
IN
(V)
2
2.5
3528 G09
0
1
1.5
2
V
IN
(V)
2.5
3
3528 G10
3528fa
4
LTC3528/LTC3528B
典型性能特性
突发模式阈值电流
VS V
IN
60
V
OUT
= 5V
频率变化率(% )
0.50
0.25
0
–0.25
R
DS ( ON)
(mΩ)
–0.50
–0.75
–1.00
–1.25
–1.50
–1.75
–2.00
0
1
2
V
IN
(V)
3528 G11
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
振荡器频率变化
VS V
OUT
450
归到V
OUT
= 3V
400
350
300
250
200
R
DS ( ON)
VS V
OUT
40
I
OUT
(MA )
升起
落下
20
PMOS
NMOS
150
100
1.5
–2.25
3
4
1.5
2
2.5
3.5
3
V
OUT
(V)
4
4.5
5
2
2.5
3.5
3
V
OUT
(V)
4
4.5
5
3528 G12
3528 G13
振荡器频率变化
与温度
5
4
频率变化率(% )
3
2
涨跌幅(% )
归一化到25℃的
30
R
DS ( ON)
变化与温度
1.200
V
FB
与温度
20
1.195
0
–1
–2
–3
–4
–5
–50
–30
30
–10 10
50
温度(℃)
70
90
0
1.185
–10
–20
–50
V
FB
(V)
1
10
1.190
–30
30
–10 10
50
温度(℃)
70
90
1.180
–50
–30
50
–10 10
30
温度(℃)
70
90
3528 G14
3528 G15
3528 G16
启动电压与温度
850
13.5
突发模式静态电流与
V
OUT
(LTC3528)
V
IN
= 1.2V
固定频率V
OUT
纹波和
电感电流波形
启动电压(MV )
800
电流( μA )
12.5
V
OUT
20mV/DIV
I
L
200mA/DIV
750
700
11.5
650
V
IN
= 1.2V
V
OUT
= 3.3V
C
OUT
= 22μF
C
FF
= 33pF的
I
OUT
= 100毫安
1
2
3
V
OUT
(V)
4
5
3528 G18
2μs/DIV
3528 G19
600
–50
–30
30
–10 10
50
温度(℃)
70
90
10.5
3528 G17
3528fa
5
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    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    LTC3528EDDB-TRPBF
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