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LTC3526-2/LTC3526B-2
500毫安2MHz的同步
升压型DC / DC转换器
采用2mm
×
2mm DFN封装
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
描述
此外,LTC
3526-2 / LTC3526B -2是同步的,固定的网络
频率升压型DC / DC转换器的输出断开
NECT 。同步整流,阳离子可实现高英法fi效率
在低廓2毫米
×
2mm DFN封装。电池寿命
在单节AA / AAA供电的产品进一步延伸
有850mV的启动电压和操作向下
500mV的启动一次。
为2MHz的开关频率最大限度地降低解决方案足迹
通过允许使用纤巧,低廓电感打印
和陶瓷电容。电流模式PWM设计
在内部进行补偿,从而减少了外部元件数。
该LTC3526-2特性突发模式工作在轻负载
条件,而LTC3526B -2设有连续
切换。抗振铃电路可以消除EMI问题了
阻尼在非连续模式电感。另外
功能包括1μA下和低关断电流
热关断。
该LTC3526-2 / LTC3526B -2被收容在一个6针
2mm
×
2mm
×
0.75毫米DFN封装。
L,
LT , LTC和LTM的注册和凌特公司的商标。突发模式
是凌力尔特公司的商标。所有其他商标均为财产的
各自的所有者。专利正在申请中。
提供3.3V从单节碱性百毫安/
从镍氢电池两种电池或3.3V的200毫安
V
IN
启动电压: 850mV
V
IN
经营范围: 0.5V至5V
1.6V至5.25V的V
OUT
范围
高达94%的英法fi效率
输出断接
为2MHz固定频率工作
V
IN
& GT ; V
OUT
手术
集成的软启动
具有内部补偿电流模式控制
突发模式
操作9μA静态电流
(LTC3526-2)
低噪声PWM操作( LTC3526B - 2 )
内部同步整流器器
逻辑控制关断(I
Q
< 1μA )
抗振铃控制
低廓(2毫米
×
2mm
×
高度仅0.75mm) DFN -6封装
应用
n
n
n
n
n
医疗器械
基于闪存的MP3播放器
降噪耳机
无线鼠标
蓝牙耳机
典型用途
2.2μH
SW
V
IN
1.6V至3.2V
1μF
OFF ON
V
IN
V
OUT
1.78M
4.7μF
1M
35262b2fA01a
LTC3526-2英法fi效率和功率损耗与负载电流
100
90
80
效率(%)
V
IN
= 2.4V
效率
100
损耗(毫瓦)
1000
V
OUT
3.3V
200mA
70
60
50
40
30
20
10
0
0.01
0.1
1
10
100
0.01
1000
35262b2f TA01b
10
功率损耗
LTC3526-2
SHDN
GND
FB
1
0.1
负载电流(mA )
35262b2fa
1
LTC3526-2/LTC3526B-2
绝对最大额定值
(注1 )
引脚配置
顶视图
SW 1
GND 2
V
IN
3
7
6 V
OUT
5 FB
4
SHDN
V
IN
电压................................................. .. -0.3V至6V
SW电压
DC ................................................. ........... -0.3V至6V
脉冲<100ns ......................................... -0.3V至7V
SHDN ,
FB电压........................................ -0.3V至6V
V
OUT
.................................................. ........... -0.3V至6V
工作温度范围(注2 ) .... -40 ° C至85°C
存储温度范围................... -65℃ 150℃
DC包
6引线(2毫米× 2毫米)塑料DFN
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 60 ℃/ W(注6 )
裸露焊盘(引脚7)为GND ,必须焊接到PC板
订购信息
无铅完成
LTC3526EDC-2#PBF
LTC3526BEDC-2#PBF
磁带和卷轴
LTC3526EDC-2#TRPBF
LTC3526BEDC-2#TRPBF
最热
LCNM
LCNP
包装说明
6引线(2毫米
×
2毫米)塑料DFN
6引线(2毫米
×
2毫米)塑料DFN
温度范围
-40 ° C至85°C
-40 ° C至85°C
咨询LTC营销部分特定网络版与更广泛的工作温度范围。
咨询LTC营销非标准铅基音响光洁度部分信息。
有关无铅零件标记的更多信息,请访问:
http://www.linear.com/leadfree/
有关磁带和卷轴特定网络阳离子的更多信息,请访问:
http://www.linear.com/tapeandreel/
l
表示该应用在特定网络编辑工作的特定连接的阳离子
-40 ° C至85° C的温度范围内,另有规定的阳离子是在T
A
= 25°C 。 V
IN
= 1.2V, V
OUT
= 3.3V ,除非另有说明。
参数
最低启动电压输入
输出电压调节范围
0 ° C至85°C
反馈引脚电压
反馈引脚输入电流
静态电流关断
静态电流活动
静态电流爆
N沟道MOSFET开关漏电流
P沟道MOSFET开关漏电流
N沟道MOSFET的导通电阻
P沟道MOSFET的导通电阻
N沟道MOSFET电流限制
限流延迟到输出
最大占空比
最小占空比
开关频率
SHDN引脚输入高电压
SHDN
引脚输入低电压
SHDN
端子输入电流
V
SHDN
= 1.2V
V
SHDN
= 3.3V
0.3
1
(注3)
V
FB
= 1.15V, V
OUT
= 5V
V
FB
= 1.3V
l
l
l
l
电气特性
I
负载
= 1毫安
条件
l
1.7
1.6
1.165
典型值
0.85
最大
1
5.25
5.25
单位
V
V
V
V
nA
μA
μA
μA
μA
μA
Ω
Ω
mA
ns
%
1.195
1
0.01
250
9
0.1
0.1
0.4
0.6
1.225
50
1
500
18
5
10
V
FB
= 1.30V
V
SHDN
= 0V ,不包括漏电开关,V
OUT
= 0V
测量V
OUT
,非开关
测量V
OUT
, FB > 1.230V ( LTC3526-2仅)
V
SW
= 5V
V
SW
= 5V, V
OUT
= 0V
V
OUT
= 3.3V
V
OUT
= 3.3V
l
500
85
1.8
0.9
700
60
90
0
2
2.4
0.3
1
2
%
兆赫
V
V
μA
μA
35262b2fa
2
LTC3526-2/LTC3526B-2
电气特性
注1 :
强调超越上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。暴露于任何绝对
最大额定值条件下工作会影响器件
可靠性和寿命。
注2 :
该LTC3526E - 2是保证满足性能特定网络阳离子
从0° C至85°C 。特定网络连接的阳离子在-40 ° C至85° C的工作
温度范围是由设计,表征和相关保障
统计过程控制。
注3 :
特定网络阳离子由设计保证,而不是100 %的测试,
生产。
注4 :
电流测量时的输出不切换制成。
注5 :
该IC具有过热保护,旨在
在瞬间过载条件下,以保护设备。连接点
温度超过125°C时,过热保护功能被激活。
上述特定网络连续运行主编最高工作结
温度可能会导致器件性能下降或发生故障。
注6 :
否则焊接封装的背面裸露到PC
板的接地平面将导致热阻大大高于
60°C/W.
典型性能特性
EF网络效率与负载电流和V
IN
对于V
OUT
= 1.8V ( LTC3526-2 )
100
90
80
效率(%)
70
60
50
40
30
20
10
0
0.01
0.1
PLOSS在V
IN
= 1.0V
PLOSS在V
IN
= 1.2V
PLOSS在V
IN
= 1.5V
1
10
100
负载电流(mA )
0.1
1
V
IN
= 1.0V
V
IN
= 1.2V
V
IN
= 1.5V
100
损耗(毫瓦)
效率(%)
1000
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.01
0.1
PLOSS在V
IN
= 1.2V
0.1
PLOSS在V
IN
= 2.4V
PLOSS在V
IN
= 3.0V
1
10
100
负载电流(mA )
0.01
1000
1
V
IN
= 1.2V
V
IN
= 2.4V
V
IN
= 3.0V
100
损耗(毫瓦)
EF网络效率与负载电流和V
IN
对于V
OUT
= 3.3V ( LTC3526-2 )
1000
100
90
80
70
I
IN
(μA)
60
50
40
30
20
空载输入电流与V
IN
V
OUT
= 5V
V
OUT
= 3.3V
V
OUT
= 2.5V
V
OUT
= 1.8V
10
10
0.01
1000
10
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
IN
(V)
3.0
3.5
4.0
4.5
35262b2f G01
35262b2f G02
35262b2f G04
EF网络效率与负载电流和V
IN
对于V
OUT
= 5V ( LTC3526-2 )
100
90
80
效率(%)
70
60
50
40
30
20
10
0
0.01
10
V
IN
= 1.2V
V
IN
= 2.4V
V
IN
= 3.6V 1
V
IN
= 4.2V
100
300
I
OUT
(MA )
250
200
损耗(毫瓦)
1000
400
350
最大输出电流与V
IN
V
OUT
= 3.3V
V
OUT
= 2.5V
V
OUT
= 1.8V
负荷( Ω )
1000
最小负载电阻
在启动过程中VS V
IN
100
V
OUT
= 5V
150
100
50
0
0.5
L = 2.2μH
1.0
1.5
2.0
2.5
V
IN
(V)
35262b2f G05
PLOSS在V
IN
= 1.2V
0.1
PLOSS在V
IN
= 2.4V
PLOSS在V
IN
= 3.6V
PLOSS在V
IN
= 4.2V
0.01
0.1
1
10
100
1000
负载电流(mA )
35262b2f
3.0
3.5
4.0
4.5
10
0.85
0.95
1.05
V
IN
(V)
1.15
1.25
35262b2f
35262b2fa
3
LTC3526-2/LTC3526B-2
典型性能特性
启动延时时间与V
IN
100
90
80
70
DELAY (微秒)
60
50
40
30
20
10
0
1.0
1.5
2.0
0
2.5 3.0
V
IN
(V)
3.5
4.0
4.5
1
1.25
V
IN
(V)
1.5
35262b2f G08a
突发模式阈值电流
VS V
IN
30
25
负载电流(mA )
20
LEAVE BURST
15
进入爆
10
5
V
OUT
= 1.8V
C
OUT
= 10μF
L = 2.2μH
负载电流(mA )
40
突发模式阈值电流
VS V
IN
V
OUT
= 2.5V
35 C
OUT
= 10μF
L = 2.2μH
30
25
LEAVE BURST
20
15
进入爆
10
5
0
1
1.25
V
IN
(V)
35262b2f
1.5
1.75
35262b2f
突发模式阈值电流
VS V
IN
50
V
OUT
= 3.3V
45 C
OUT
= 10μF
L = 2.2μH
40
负载电流(mA )
35
30
25
20
15
10
5
0
1.0
1.5
2.0
V
IN
(V)
2.5
3.0
35262b2f
突发模式阈值电流
VS V
IN
60
50
负载电流(mA )
40
LEAVE BURST
30
20
进入爆
10
0
1.0
V
OUT
= 5V
C
OUT
= 10μF
L = 2.2μH
频率变化率(% )
2
1
0
–1
–2
–3
–4
–5
1.5
2.0
2.5 3.0
V
IN
(V)
3.5
4.0
4.5
振荡器频率变化
VS V
OUT
标准化为3.3V
LEAVE BURST
进入爆
–6
1.5
2.0
2.5
3.0 3.5
V
OUT
(V)
4.0
4.5
5.0
35262b2f G08d
35262b2f
R
DS ( ON)
VS V
OUT
0.90
0.85
0.80
0.75
0.70
R
DS ( ON)
(Ω)
0.65
0.60
0.55
0.50
0.45
0.40
0.35
0.30
1.5
2.0
2.5
3.0 3.5
V
OUT
(V)
4.0
4.5
5.0
NMOS
PMOS
频率变化率(% )
10
8
6
4
2
0
–2
–4
–6
–8
振荡器频率变化
与温度
1.3
归一化到25℃的
1.2
归一化
DS ( ON)
1.1
1.0
0.9
0.8
R
DS ( ON)
变化与温度
归一化到25℃的
–10
–50
–30
–10 10
30
50
温度(℃)
70
90
0.7
–50
–30
–10 10
30
50
温度(℃)
70
90
35262b2f
35262b2f G11
35262b2f G12
35262b2fa
4
LTC3526-2/LTC3526B-2
典型性能特性
V
FB
与温度
0.50
0.25
改变V
FB
(%)
0
V
IN
(V)
–0.25
–0.50
–0.75
–1.00
20 40 60
–60 –40 –20 0
温度(℃)
1.00
归一化到25℃的
0.95
0.90
I
Q
(μA)
0.85
0.80
0.75
0.70
–50
启动电压与温度
负载= 1毫安
10.0
9.5
9.0
8.5
8.0
7.5
7.0
1.5
突发模式静态电流
VS V
OUT
80
100
–30
–10 10
30 –50
温度(℃)
70
90
2.0
2.5
3.0 3.5
V
OUT
(V)
4.0
4.5
5.0
35262b2f
35262b2f G14
35262b2f
固定频率开关
波形和V
OUT
纹波
突发模式波形
V
OUT
1V/DIV
输入
当前
0.2A/DIV
SHDN引脚
1V/DIV
20μs/DIV
V
IN
= 1.2V
V
OUT
= 3.3V时为5mA
C
OUT
= 10μF
35262b2
V
OUT
IN
在软启动
SW引脚
2V/DIV
V
OUT
10mV/DIV
AC耦合
200ns/DIV
35262b2f
SW引脚
2V/DIV
V
OUT
50mV/DIV
AC耦合
V
IN
= 1.2V
V
OUT
= 3.3V AT 50毫安
C
OUT
= 4.7μF
V
OUT
= 3.3V
C
OUT
= 10μF
200μs/DIV
35262b2f
负载阶跃响应(从突发
模式操作)
V
OUT
100mV/DIV
AC耦合
负载
当前
50mA/DIV
V
IN
= 3.6V
100μs/DIV
V
OUT
= 5V
20mA至170毫安STEP
C
OUT
= 10μF
35262b2f
负载阶跃响应
(固定频率)
V
OUT
100mV/DIV
AC耦合
负载
当前
50mA/DIV
V
IN
= 3.6V
100μs/DIV
V
OUT
= 5V
50毫安150mA的步骤
C
OUT
= 10μF
35262b2f
35262b2fa
5
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    LTC3526-2
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
LTC3526-2
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