LTC3413
3A ， 2MHz的单片
同步调节器
DDR / QDR存储器终端
特点
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
DESCRIPTIO
高英法fi效率：高达90 ％
±3A
输出电流
对称的源库输出电流限制
低R
DS （ ON）
内部开关： 85mΩ
无需肖特基二极管
2.25V至5.5V的输入电压范围
V
OUT
= V
REF
/2
±1%
输出电压精度
可编程开关频率：高达2MHz
电源良好输出电压监视器
过热保护
采用16引脚TSSOP裸露焊盘封装
此外，LTC
3413是一种高英法fi效率单片同步的
理性的降压型DC / DC转换器利用恒定
频率，电流模式架构。它的工作从
2.25V的输入电压范围为5.5V ，并提供了一个
调节的输出电压等于（0.5 ）V
REF
而采购
或吸收高达3A的输出电流。的内部电压
分减少了元件数量和省去
外部电阻通过将基准电压中
半数。与85mΩ内部同步电源开关
导通电阻的增加英法fi效率，并且无需
一个外部肖特基二极管。开关频率高达
至2MHz是由一个外部电阻器来设定。
强制连续操作中的LTC3413降低
噪声和RF干扰。故障保护是由设置
过流比较器，限制输出电流能很好地协同
荷兰国际集团既采购和下沉的操作。可调整的
补偿允许瞬态响应得到优化
而得到优化在宽范围的负载和输出电容器。
， LTC和LT是凌特公司的注册商标。
QDR RAM和四倍数据速率RAM中包含的产品赛普拉斯开发一个新的家庭
半导体，日立， IDT ，美光科技公司和三星。
应用S
s
s
s
总线终端： DDR和QDR
TM
内存方面，
SSTL ， HSTL ， ...
笔记本电脑
分布式电源系统
典型应用
V
IN
2.5V
100
22F
SV
IN
V
REF
4.7M
330pF
LTC3413
RUN / SS
5.11k
I
TH
2200pF
R
T
309k
V
FB
3413 F01A
90
80
V
IN
= 2.5V
F = 1MHz的
PV
IN
PGOOD
SW
保护地
SGND
C
OUT
100F
×2
V
OUT
1.25V
±3A
效率（％）
L1
0.47H
70
60
50
40
30
20
10
0
0.01
0.1
1
负载电流（A ）
10
3413 F01B
L1 ： VISHAY DALE IHLP - 2525CZ -01 0.47
C
OUT
： TDK C4532X5R0J107M
图1a。高英法fi效率总线端接电源
图1b。效率与负载电流
sn3413 3413fs
U
U
U
1
LTC3413
绝对
（注1 ）
AXI ü
RATI GS
PACKAGE / ORDER我FOR ATIO
顶视图
SV
IN
PGOOD
I
TH
V
FB
R
T
V
REF
RUN / SS
SGND
1
2
3
4
5
6
7
8
17
16 PV
IN
15 SW
14 SW
13 PGND
12 PGND
11 SW
10 SW
9
PV
IN
SV
IN
， PV
IN
电源电压........................ - 0.3V至6V
I
TH
， RUN / SS ，V
FB
， PGOOD电压........... - 0.3V至V
IN
V
REF
电压.............................................. - 0.3V到V
IN
SW电压............................. - 0.3V至（V
IN
+ 0.3V)
峰值SW接收器和源电流........................ 7.2A
工作环境温度范围
（注2 ） .............................................. - 40 ° C至85°C
结温（注5,8） ...................... 125°C
存储温度范围................ - 65℃ 150℃
引线温度（焊接， 10秒） ................. 300℃
订购部件
数
LTC3413EFE
FE PART
记号
3413EFE
FE套餐
16引脚塑封TSSOP
裸露焊盘（引脚17 ）
必须焊接到SGND
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 38 ° C / W ，
θ
JC
= 10℃ / W的
咨询LTC营销部分特定网络版与更广泛的工作温度范围。
电气特性
符号
V
IN
V
FB
I
FB
I
RUN
V
FB
V
LOADREG
V
PGOOD
R
PGOOD
I
Q
参数
输入电压范围
反馈电压准确度
电压反馈漏电流
RUN / SS漏电流
反馈电压线路调整
反馈电压负载调整
电源正常范围
电源良好下拉电阻
输入直流偏置电流
工作电流
关闭
开关频率
开关频率范围
R
DS （ ON）
P沟道FET
R
DS （ ON）
n沟道FET
峰值电流限制
欠压锁定阈值
SW漏电流
RUN门槛
该
q
表示该指标适合整个工作
温度范围，否则仅指在T
A
= 25°C 。 V
IN
= 3.3V，除非另有说明。
条件
（注3）
q
民
2.25
典型值
最大
5.5
±1
0.4
1
单位
V
%
A
A
%/V
%
%
%
A
A
兆赫
兆赫
m
m
A
V
A
V
V
IN
= 2.7V至5.5V （注3 ）
测量伺服回路，V
第i个
= 0.36V
测量伺服回路，V
第i个
= 0.84V
q
q
q
0.04
0.02
– 0.02
±10
120
0.2
0.2
– 0.2
±12
200
330
1
1.12
2.00
110
90
2.25
1
0.8
（注4 ）
V
FB
= 1.5V, V
第i个
= 1.4V, V
REF
= 2.5V
V
RUN
= 0V （注7 ）
R
OSC
= 309k
（注6 ）
I
SW
= 300毫安
I
SW
= 300毫安
3.8
1.75
V
RUN
= 0V, V
IN
= 5.5V （注7 ）
0.5
0.88
0.30
250
0.02
1.00
85
65
5.4
2
0.1
0.65
f
OSC
R
PFET
R
NFET
I
极限
V
UVLO
I
LSW
V
RUN
注1 ：
绝对最大额定值是那些价值超过其使用寿命
的装置的可能损害。
注2 ：
该LTC3413E保证，以满足特定的性能科幻阳离子
从0℃至70℃。特定网络连接的阳离子在-40° C至85° C的工作
温度范围是由设计，表征和相关保障
统计过程控制。
注3 ：
该LTC3413E是在反馈回路中用于调节V测试
FB
to
实现一个特定的编辑错误扩增fi er输出电压（I
TH
).
注4 ：
动态电源电流较高，由于内部栅极电荷
被输送的开关频率。
注5 ：
T
J
从周围温度T计算出的
A
和权力
耗散P
D
如下： LTC3413E ：T已
J
= T
A
+ (P
D
38 ° C / W）
注6 ：
2MHz的操作是通过设计，而不是生产测试保证。
注7 ：
关断电流和SW漏电流过程中只测试
晶圆排序。
注8 ：
该IC具有过热保护，旨在
在瞬间过载条件下保护器件。连接点
温度超过125°C时，过热保护功能被激活。
上述特定网络连续运行主编最高工作结
温度可能会影响器件的可靠性。
sn3413 3413fs
2
U
W
U
U
W W
W
LTC3413
典型PERFOR一个CE特征
EF网络效率与负载电流
100
V
OUT
= 1.25V
90 T
A
= 25°C
80
效率（％）
100
效率（％）
60
50
40
30
20
10
0
0.01
V
IN
= 3.3V
70
负载= 100毫安
60
50
40
30
V
OUT
/V
OUT
(%)
70
V
IN
= 2.5V
0.1
1
负载电流（A ）
开关导通电阻
与温度
120
100
V
IN
= 3.3V
PFET
导通电阻
80
60
40
20
0
–40 –20
NFET
导通电阻
80
60
NFET导通电阻
40
20
0
漏电流（ NA）
导通电阻（ MΩ）
导通电阻（ MΩ）
0
20 40 60 80
温度（℃）
频率与
OSC
4500
4000
3500
V
IN
= 3.3V
T
A
= 25°C
频率（kHz ）
频率（kHz ）
3000
2500
2000
1500
1000
1030
1020
1010
1000
频率（kHz ）
500
0
54 154 254 354 454 554 654 754 854 954
R
OSC
(k)
3413 G07
ü W
3413 G01
3413 G04
效率与输入电压
V
OUT
= 1.25V
T
A
= 25°C
90
80
负载调整率
0
T
A
= 25°C
负载= 1A
–0.05
LOAD = 3A
–0.10
–0.15
–0.20
–0.25
–0.30
10
20
2.5
3.0
4.5
4.0
输入电压（ V）
3.5
5.0
5.5
3413 G02
0
0.5
1.0
1.5
2.0
负载电流（A ）
2.5
3.0
3413 G03
开关导通电阻
与输入电压
120
100
PFET导通电阻
T
A
= 25°C
2.5
漏电开关与输入电压
T
A
= 25°C
2.0
1.5
PFET
1.0
NFET
0.5
0
100 120
2.5
3
3.5
4
4.5
输入电压（ V）
5
3413 G05
2.5
3
3.5
4
4.5
输入电压（ V）
5
5.5
3413 G06
频率与输入电压
1050
1040
T
A
= 25°C
1010
1008
1006
1004
1002
1000
998
996
994
992
频率与温度
V
IN
= 3.3V
990
2.5
3
3.5
4
4.5
输入电压（ V）
5
5.5
3213 G08
990
–40 –20
0
20 40 60 80
温度（℃）
100 120
3413 G09
sn3413 3413fs
3
LTC3413
PI FU CTIO S
SV
IN
（引脚1 ） ：
信号输入电源。去耦将此引脚
SGND与电容器。 SV
IN
必须大于或等于
PV
IN
然而， SV之间的差
IN
和PV
IN
必须
低于0.5V 。
PGOOD （引脚2 ） ：
电源良好输出。开漏逻辑
该被拉输出到地时，输出电压为
不属于
±10%
调节点。
I
TH
（引脚3 ） ：
误差放大器呃补偿点。该
电流比较器的阈值增加了与此对照
电压。额定电压范围是该引脚为0.2V至
1.4V与0.6V对应的零检测电压
（零电流）。
V
FB
（引脚4 ） ：
反馈引脚。接收反馈电压
从输出。
R
T
（引脚5 ） ：
振荡电阻输入。连接一个电阻
从这个引脚到地设置开关频率。
V
REF
（引脚6 ） ：
参考电压输入。的正输入端
内部误差放大器检测的二分之一的
电压在这个引脚通过一个电阻分压器。
RUN / SS （引脚7 ） ：
运行控制和软启动输入。强制
这个引脚低于0.5V关断LTC3413 。在关断模式
所有的功能都被禁用绘图< 1μA的电源电流。
一个电容到地，从这个引脚设置斜坡时间
全部的输出电流。
SGND （引脚8 ） ：
信号地。所有小信号康波
堂费和补偿元件应连接到
这个理由，这反过来又连接到PGND在一个点上。
PV
IN
（引脚9 ， 16 ） ：
电源输入电源。去耦该引脚
至PGND一个电容。
SW（引脚10，11 ，14，15 ） ：
开关节点连接到
电感器。该引脚连接到内部的排水渠
主同步功率MOSFET开关。
PGND （引脚12 ，13） ：
电源地。连接该引脚
紧密的（ - ）C端
IN
和C
OUT
.
裸露焊盘（引脚17 ） ：
应连接到SGND 。
FU CTIO AL DIAGRA
SV
IN
1
V
REF
6
SV
IN
SGND
8
V
FB
4
坡
赔偿金
恢复
PGOOD
2
–
1.1V
REF
2
+
0.9V
REF
2
W
+
+
–
–
U
U
U
U
U
I
TH
3
PV
IN
PV
IN
9
16
PMOS电流
比较
+
–
坡
赔偿金
错误
扩音器
振荡器
10 SW
11 SW
逻辑
–
+
14 SW
15 SW
RUN
NMOS电流
比较
12 PGND
13 PGND
3413 BD
5
R
T
7
RUN / SS
sn3413 3413fs
5
LTC3413
3A ， 2MHz的单片
同步调节器
DDR / QDR存储器终端
特点
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
DESCRIPTIO
高英法fi效率：高达90 ％
±3A
输出电流
对称的源库输出电流限制
低R
DS （ ON）
内部开关： 85mΩ
无需肖特基二极管
2.25V至5.5V的输入电压范围
V
OUT
= V
REF
/2
±1%
输出电压精度
可编程开关频率：高达2MHz
电源良好输出电压监视器
过热保护
采用16引脚TSSOP裸露焊盘封装
此外，LTC
3413是一种高英法fi效率单片同步的
理性的降压型DC / DC转换器利用恒定
频率，电流模式架构。它的工作从
2.25V的输入电压范围为5.5V ，并提供了一个
调节的输出电压等于（0.5 ）V
REF
而采购
或吸收高达3A的输出电流。的内部电压
分减少了元件数量和省去
外部电阻通过将基准电压中
半数。与85mΩ内部同步电源开关
导通电阻的增加英法fi效率，并且无需
一个外部肖特基二极管。开关频率高达
至2MHz是由一个外部电阻器来设定。
强制连续操作中的LTC3413降低
噪声和RF干扰。故障保护是由设置
过流比较器，限制输出电流能很好地协同
荷兰国际集团既采购和下沉的操作。可调整的
补偿允许瞬态响应得到优化
而得到优化在宽范围的负载和输出电容器。
， LTC和LT是凌特公司的注册商标。
QDR RAM和四倍数据速率RAM中包含的产品赛普拉斯开发一个新的家庭
半导体，日立， IDT ，美光科技公司和三星。
应用S
s
s
s
总线终端： DDR和QDR
TM
内存方面，
SSTL ， HSTL ， ...
笔记本电脑
分布式电源系统
典型应用
V
IN
2.5V
100
22F
SV
IN
V
REF
4.7M
330pF
LTC3413
RUN / SS
5.11k
I
TH
2200pF
R
T
309k
V
FB
3413 F01A
90
80
V
IN
= 2.5V
F = 1MHz的
PV
IN
PGOOD
SW
保护地
SGND
C
OUT
100F
×2
V
OUT
1.25V
±3A
效率（％）
L1
0.47H
70
60
50
40
30
20
10
0
0.01
0.1
1
负载电流（A ）
10
3413 F01B
L1 ： VISHAY DALE IHLP - 2525CZ -01 0.47
C
OUT
： TDK C4532X5R0J107M
图1a。高英法fi效率总线端接电源
图1b。效率与负载电流
sn3413 3413fs
U
U
U
1
LTC3413
绝对
（注1 ）
AXI ü
RATI GS
PACKAGE / ORDER我FOR ATIO
顶视图
SV
IN
PGOOD
I
TH
V
FB
R
T
V
REF
RUN / SS
SGND
1
2
3
4
5
6
7
8
17
16 PV
IN
15 SW
14 SW
13 PGND
12 PGND
11 SW
10 SW
9
PV
IN
SV
IN
， PV
IN
电源电压........................ - 0.3V至6V
I
TH
， RUN / SS ，V
FB
， PGOOD电压........... - 0.3V至V
IN
V
REF
电压.............................................. - 0.3V到V
IN
SW电压............................. - 0.3V至（V
IN
+ 0.3V)
峰值SW接收器和源电流........................ 7.2A
工作环境温度范围
（注2 ） .............................................. - 40 ° C至85°C
结温（注5,8） ...................... 125°C
存储温度范围................ - 65℃ 150℃
引线温度（焊接， 10秒） ................. 300℃
订购部件
数
LTC3413EFE
FE PART
记号
3413EFE
FE套餐
16引脚塑封TSSOP
裸露焊盘（引脚17 ）
必须焊接到SGND
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 38 ° C / W ，
θ
JC
= 10℃ / W的
咨询LTC营销部分特定网络版与更广泛的工作温度范围。
电气特性
符号
V
IN
V
FB
I
FB
I
RUN
V
FB
V
LOADREG
V
PGOOD
R
PGOOD
I
Q
参数
输入电压范围
反馈电压准确度
电压反馈漏电流
RUN / SS漏电流
反馈电压线路调整
反馈电压负载调整
电源正常范围
电源良好下拉电阻
输入直流偏置电流
工作电流
关闭
开关频率
开关频率范围
R
DS （ ON）
P沟道FET
R
DS （ ON）
n沟道FET
峰值电流限制
欠压锁定阈值
SW漏电流
RUN门槛
该
q
表示该指标适合整个工作
温度范围，否则仅指在T
A
= 25°C 。 V
IN
= 3.3V，除非另有说明。
条件
（注3）
q
民
2.25
典型值
最大
5.5
±1
0.4
1
单位
V
%
A
A
%/V
%
%
%
A
A
兆赫
兆赫
m
m
A
V
A
V
V
IN
= 2.7V至5.5V （注3 ）
测量伺服回路，V
第i个
= 0.36V
测量伺服回路，V
第i个
= 0.84V
q
q
q
0.04
0.02
– 0.02
±10
120
0.2
0.2
– 0.2
±12
200
330
1
1.12
2.00
110
90
2.25
1
0.8
（注4 ）
V
FB
= 1.5V, V
第i个
= 1.4V, V
REF
= 2.5V
V
RUN
= 0V （注7 ）
R
OSC
= 309k
（注6 ）
I
SW
= 300毫安
I
SW
= 300毫安
3.8
1.75
V
RUN
= 0V, V
IN
= 5.5V （注7 ）
0.5
0.88
0.30
250
0.02
1.00
85
65
5.4
2
0.1
0.65
f
OSC
R
PFET
R
NFET
I
极限
V
UVLO
I
LSW
V
RUN
注1 ：
绝对最大额定值是那些价值超过其使用寿命
的装置的可能损害。
注2 ：
该LTC3413E保证，以满足特定的性能科幻阳离子
从0℃至70℃。特定网络连接的阳离子在-40° C至85° C的工作
温度范围是由设计，表征和相关保障
统计过程控制。
注3 ：
该LTC3413E是在反馈回路中用于调节V测试
FB
to
实现一个特定的编辑错误扩增fi er输出电压（I
TH
).
注4 ：
动态电源电流较高，由于内部栅极电荷
被输送的开关频率。
注5 ：
T
J
从周围温度T计算出的
A
和权力
耗散P
D
如下： LTC3413E ：T已
J
= T
A
+ (P
D
38 ° C / W）
注6 ：
2MHz的操作是通过设计，而不是生产测试保证。
注7 ：
关断电流和SW漏电流过程中只测试
晶圆排序。
注8 ：
该IC具有过热保护，旨在
在瞬间过载条件下保护器件。连接点
温度超过125°C时，过热保护功能被激活。
上述特定网络连续运行主编最高工作结
温度可能会影响器件的可靠性。
sn3413 3413fs
2
U
W
U
U
W W
W
LTC3413
典型PERFOR一个CE特征
EF网络效率与负载电流
100
V
OUT
= 1.25V
90 T
A
= 25°C
80
效率（％）
100
效率（％）
60
50
40
30
20
10
0
0.01
V
IN
= 3.3V
70
负载= 100毫安
60
50
40
30
V
OUT
/V
OUT
(%)
70
V
IN
= 2.5V
0.1
1
负载电流（A ）
开关导通电阻
与温度
120
100
V
IN
= 3.3V
PFET
导通电阻
80
60
40
20
0
–40 –20
NFET
导通电阻
80
60
NFET导通电阻
40
20
0
漏电流（ NA）
导通电阻（ MΩ）
导通电阻（ MΩ）
0
20 40 60 80
温度（℃）
频率与
OSC
4500
4000
3500
V
IN
= 3.3V
T
A
= 25°C
频率（kHz ）
频率（kHz ）
3000
2500
2000
1500
1000
1030
1020
1010
1000
频率（kHz ）
500
0
54 154 254 354 454 554 654 754 854 954
R
OSC
(k)
3413 G07
ü W
3413 G01
3413 G04
效率与输入电压
V
OUT
= 1.25V
T
A
= 25°C
90
80
负载调整率
0
T
A
= 25°C
负载= 1A
–0.05
LOAD = 3A
–0.10
–0.15
–0.20
–0.25
–0.30
10
20
2.5
3.0
4.5
4.0
输入电压（ V）
3.5
5.0
5.5
3413 G02
0
0.5
1.0
1.5
2.0
负载电流（A ）
2.5
3.0
3413 G03
开关导通电阻
与输入电压
120
100
PFET导通电阻
T
A
= 25°C
2.5
漏电开关与输入电压
T
A
= 25°C
2.0
1.5
PFET
1.0
NFET
0.5
0
100 120
2.5
3
3.5
4
4.5
输入电压（ V）
5
3413 G05
2.5
3
3.5
4
4.5
输入电压（ V）
5
5.5
3413 G06
频率与输入电压
1050
1040
T
A
= 25°C
1010
1008
1006
1004
1002
1000
998
996
994
992
频率与温度
V
IN
= 3.3V
990
2.5
3
3.5
4
4.5
输入电压（ V）
5
5.5
3213 G08
990
–40 –20
0
20 40 60 80
温度（℃）
100 120
3413 G09
sn3413 3413fs
3
LTC3413
PI FU CTIO S
SV
IN
（引脚1 ） ：
信号输入电源。去耦将此引脚
SGND与电容器。 SV
IN
必须大于或等于
PV
IN
然而， SV之间的差
IN
和PV
IN
必须
低于0.5V 。
PGOOD （引脚2 ） ：
电源良好输出。开漏逻辑
该被拉输出到地时，输出电压为
不属于
±10%
调节点。
I
TH
（引脚3 ） ：
误差放大器呃补偿点。该
电流比较器的阈值增加了与此对照
电压。额定电压范围是该引脚为0.2V至
1.4V与0.6V对应的零检测电压
（零电流）。
V
FB
（引脚4 ） ：
反馈引脚。接收反馈电压
从输出。
R
T
（引脚5 ） ：
振荡电阻输入。连接一个电阻
从这个引脚到地设置开关频率。
V
REF
（引脚6 ） ：
参考电压输入。的正输入端
内部误差放大器检测的二分之一的
电压在这个引脚通过一个电阻分压器。
RUN / SS （引脚7 ） ：
运行控制和软启动输入。强制
这个引脚低于0.5V关断LTC3413 。在关断模式
所有的功能都被禁用绘图< 1μA的电源电流。
一个电容到地，从这个引脚设置斜坡时间
全部的输出电流。
SGND （引脚8 ） ：
信号地。所有小信号康波
堂费和补偿元件应连接到
这个理由，这反过来又连接到PGND在一个点上。
PV
IN
（引脚9 ， 16 ） ：
电源输入电源。去耦该引脚
至PGND一个电容。
SW（引脚10，11 ，14，15 ） ：
开关节点连接到
电感器。该引脚连接到内部的排水渠
主同步功率MOSFET开关。
PGND （引脚12 ，13） ：
电源地。连接该引脚
紧密的（ - ）C端
IN
和C
OUT
.
裸露焊盘（引脚17 ） ：
应连接到SGND 。
FU CTIO AL DIAGRA
SV
IN
1
V
REF
6
SV
IN
SGND
8
V
FB
4
坡
赔偿金
恢复
PGOOD
2
–
1.1V
REF
2
+
0.9V
REF
2
W
+
+
–
–
U
U
U
U
U
I
TH
3
PV
IN
PV
IN
9
16
PMOS电流
比较
+
–
坡
赔偿金
错误
扩音器
振荡器
10 SW
11 SW
逻辑
–
+
14 SW
15 SW
RUN
NMOS电流
比较
12 PGND
13 PGND
3413 BD
5
R
T
7
RUN / SS
sn3413 3413fs
5
QQ：2880707522 复制
