LTC1779
250mA的大电流模式
降压型DC / DC转换器
采用ThinSOT
特点
s
s
s
s
s
s
s
s
s
DESCRIPTIO
s
s
s
高效率：高达94 ％
250mA输出电流
宽V
IN
范围： 2.5V至9.8V
的550kHz恒定频率工作
突发模式
TM
操作在轻负载
低压差100 ％占空比
0.8V基准允许低输出电压
±2.5%
参考精度
对卓越的电压和负载电流模式操作
瞬态响应
低静态电流： 135μA
关断模式绘制只有8μA电源电流
低扁平（1mm ） ThinSOT封装
TM
包
此外，LTC
1779是一个恒定频率电流模式步进
下来在6引脚ThinSOT封装的DC / DC转换器。该
部分具有2.5V至9.8V的输入，并且可以提供高达
的输出电流250毫安。电流模式控制亲
国际志愿组织卓越的AC和DC负载和线路调整。该
器件集成了一个精确的欠压锁定为特色的
TURE用于关闭LTC1779当输入电压
低于2V 。
该LTC1779拥有
±2.5%
输出电压精度和
消耗的静态电流仅为135μA 。对于应用程序
系统蒸发散，其中效率是首要考虑， LTC1779
配置为突发模式工作，从而提高
效率在低输出电流。
为了进一步延长电池电源的使用寿命，该
内部P沟道MOSFET连续接通的
降（ 100％占空比）。在停机模式中，该器件消耗
只有8μA 。 550kHz的高恒定工作频率
允许使用小的外部电感器。
该LTC1779可在一个较低的扁平（1mm ） ThinSOT封装
封装。
， LTC和LT是凌特公司的注册商标。
突发模式和采用ThinSOT是凌特公司的商标。
应用S
s
s
s
s
s
s
1或2节锂离子电池供电的应用
移动电话
无线调制解调器
手提电脑
分布式3.3V ， 2.5V或1.8V电源系统
扫描仪
典型应用
C3
0.1F
1
20k
100pF
3
V
FB
SENSE
–
4
I
TH
/ RUN
LTC1779
GND
V
IN
SW
6
D1
R1
10
L1
22H
C1
10F
16V
V
IN
2.5V
TO 9.8V
V
OUT
2.5V
100mA
100
90
V
IN
= 3.3V
80
效率（％）
+
5
2
C2
47F
6V
169k
70
V
IN
= 9.8V
60
50
40
30
0.1
V
OUT
= 2.5V
R
SENSE
= 10
1
10
100
负载电流（mA ）
1000
1779 F01B
78.7k
1779 F01A
C1 ：太阳诱电陶瓷EMK325BJ106MNT
C2 ： SANYO POSCAP 6TPA47M
D1 ： IR10BQ015
L1 ： COILTRONICS UP1B220
图1： LTC1779高效率2.5V /百毫安降压转换器
U
EF网络效率与负载电流
V
IN
= 6V
U
U
1
LTC1779
绝对
（注1 ）
AXI ü
RATI GS
PACKAGE / ORDER我FOR ATIO
顶视图
I
TH
/ RUN 1
GND 2
V
FB
3
6 SW
5 V
IN
4 SENSE
–
输入电源电压（V
IN
） .........................- 0.3V至10V
SENSE
–
， SW电压.................. - 0.3V至（V
IN
+ 0.3V)
V
FB
, I
TH
/运行电压..............................- 0.3V至2.4V
SW峰值输出电流（ <为10μs ） .......................... 0.5A
储存环境温度范围... - 65 ° C至150℃
工作温度范围（注2 ） ...- 40 ° C至85°C
结温（注3 ） ............................. 150℃
引线温度（焊接， 10秒） .................. 300℃
订购部件
数
LTC1779ES6
S6最热
LTLP
S6包装
6引脚塑封SOT- 23
T
JMAX
= 150°C,
θ
JA
= 230 ° C / W
咨询LTC营销部分特定网络版有更宽的工作温度
范围。
该
q
表示该指标适用在整个工作温度
范围，否则仅指在T
A
= 25°C 。 V
IN
= 4.2V ，除非另有规定。 （注2 ）
参数
输入直流电源电流
正常工作
关闭
UVLO
欠压锁定阈值
关断阈值（在我
TH
/ RUN ）
启动电流源
监管的反馈电压
输出电压线路调整
输出电压负载调整
V
FB
输入电流
过电压保护阈值
过电压保护滞后
过温保护阈值
过温保护迟滞
振荡器频率
R
DS （ ON）
内部P沟道FET
峰值电流检测电压
V
FB
= 0.8V
V
FB
= 0V
V
IN
= 4.2V ，我
SW
= 100毫安
（注6 ）
500
V
第i个
/ RUN = 0V
（注5 ） 0 ° C至70℃
（注5 ） - 40 ° C至85°C
2.5V
≤
V
IN
≤
9.8V （注5 ）
I
TH
/ RUN下沉5μA （注5 ）
I
TH
/ RUN采购5μA （注5 ）
（注5 ）
测量V
FB
0.820
q
q
电气特性
条件
标准结构在V
IN
= 4.2V （注4 ）
2.5V
≤
V
IN
≤
9.8V
2.5V
≤
V
IN
≤
9.8V, V
第i个
/ RUN = 0V
V
IN
< UVLO阈值
V
IN
落下
V
IN
升起
q
q
民
典型值
135
8
7
最大
240
22
13
2.5
0.5
0.85
0.820
0.830
3
单位
A
A
A
V
V
V
A
V
V
mV / V的
毫伏/ μA
毫伏/ μA
1.60
0.15
0.25
0.780
0.770
–3
2.0
2.1
0.325
0.5
0.800
0.800
0
2.5
2.5
5
0.860
30
170
15
550
100
0.85
120
25
0.895
650
1.4
注1 ：
绝对最大额定值是那些价值超过其使用寿命
的装置的可能损害。
注2 ：
该LTC1779E是保证符合性能规格
从0℃至70℃。规格在 - 40 ° C至85° C的工作
温度范围是由设计，表征和相关保障
统计过程控制。
注3 ：
T
J
从周围温度T计算出的
A
和权力
耗散P
D
根据下列公式计算：
T
J
= T
A
+ (P
D
θ
J
° C / W）
注4 ：
动态电源电流较高，由于栅极电荷的存在
在开关频率传递。
注5 ：
的LTC1779是在反馈环路中该伺服V测试
FB
对
输出误差放大器洱。
注6 ：
峰值电流检测电压减小取决于占空比
到的值的百分比在图2中给出。
2
U
nA
V
mV
°C
°C
千赫
千赫
mV
W
U
U
W W
W
LTC1779
典型PERFOR一个CE特征
参考电压
与温度
825
820
815
V
IN
= 4.2V
15
12
归一化频率（％）
V
FB
电压（毫伏）
805
800
795
790
785
780
775
–55 –35 –15
5 25 45 65 85 105 125
温度（℃）
1779 G01
触发电压（ V）
810
关断阈值
与温度
600
560
520
V
IN
= 4.2V
1.85
1.70
1.55
1.40
I
TH
/运行电压（毫伏）
480
440
400
360
320
280
240
200
–55 –35 –15
5 25 45 65 85 105 125
温度（℃）
1779 G04
R
DS （ ON）
()
1.25
1.10
0.95
0.80
0.65
0.50
T
A
= 125°C
R
DS （ ON）
()
PI FU CTIO S
I
TH
/ RUN （引脚1 ） ：
该引脚执行两个功能。它
用作误差放大器的补偿点以及
运行控制输入。目前比较器门限
增加了与该控制电压。额定电压范围
该引脚为0.7V至1.9V 。强制该引脚低于0.325V
导致要关闭的装置。在关断所有
功能被禁止，内部P沟道MOSFET
是关闭的。 SW引脚将是高阻抗。
GND （引脚2 ） ：
接地引脚。
V
FB
（引脚3 ） ：
接收来自一个外部反馈电压
在输出最终电阻分压器。
SENSE
–
（引脚4 ） ：
负输入到当前的COM
parator 。可以连接到V
IN
对于默认的最小
为250mA峰值电流。连接端之间的电阻
SENSE
–
和V
IN
指定一个低峰值电流。 （见
应用信息指定的电阻值。 ）
V
IN
（引脚5 ） ：
电源引脚。必须紧密耦至GND
第2脚。
SW （引脚6 ） ：
开关节点内部和排水
P沟道功率MOSFET 。连接外接电感
器和续流二极管。
ü W
归一化的振荡器频率
与温度
V
IN
= 4.2V
2.20
2.16
2.12
2.08
2.04
2.00
1.96
1.92
1.88
1.84
5 25 45 65 85 105 125
温度（℃）
1779 G02
欠压锁定之旅
电压与温度
V
IN
落下
9
6
3
0
–3
–6
–9
–12
–15
–55 –35 –15
1.80
–55 –35 –15
5 25 45 65 85 105 125
温度（℃）
1779 G03
R
DS （ ON）
内部P沟道FET
与输入电压
1.85
I
SW
= 100毫安
SENSE
–
= V
IN
R
DS （ ON）
内部P沟道FET
与温度
I
SW
= 100毫安
1.70 SENSE
–
= V
IN
1.55
1.40
1.25
1.10
0.95
0.80
0.65
0.50
V
IN
= 9.8V
V
IN
= 8.4V
V
IN
= 6V
V
IN
= 2.4V
V
IN
= 4.2V
T
A
= 25°C
T
A
= –55°C
0.35
2
3
4
5
7
8
6
输入电压（ V）
9
10
0.35
–55 –35 –15
5 25 45 65 85 105 125
温度（℃）
1779 G06
1779 G05
U
U
U
3
LTC1779
单操作
后，对应的输出电流跳闸水平以下，
允许正常操作。
比较OVP防瞬态过冲
通过关闭内部的P-沟道功率> 7.5％
MOSFET和保持它关闭，直到故障被排除。
突发模式工作
该LTC1779进入突发模式工作在低负荷
电流。在这种模式下，电感器的峰值电流是
设置为若V
第i个
/ RUN = 1V （在低占空比），即使
在我的电压
TH
/ RUN端是在一个较低的值。如果
电感器的平均电流大于负载要求一
换货，在我的电压
TH
/ RUN引脚将下降。当
I
TH
/运行电压低于0.85V时，睡眠信号变
高，关闭内部MOSFET 。睡眠信号
变低时，我
TH
/运行电压高于0.925V
与LTC1779恢复正常运行。下一个
振荡周期会变成内部MOSFET上的
开关周期重复。
差操作
当输入电源电压对降低
输出电压，电感器电流的变化率
在ON周期降低。本次减持意味着，
内部P沟道MOSFET仍将以了解更多
不止一个振荡周期，因为电感电流还没有
上升到所述阈值由EAMP设置。另外reduc-
化的输入电源电压最终将导致
P沟道MOSFET导通的100％ ，即，直流。该
输出电压会由输入电压来确定
负MOSFET两端的电压降时，感
电阻器和电感器。
欠压锁定
为了防止以下安全的P沟道MOSFET的操作
输入电压电平，欠压锁定是其纳入
额定进LTC1779 。当输入电源电压
下降到低于大约2.0V时，P沟道MOSFET
和所有的电路除欠压关闭
块，其中仅消耗几微安。
SF = I
OUT
/I
输出（最大）
(%)
U
（参见原理图）
短路保护
时的输出被短路到地，的频率
振荡器将被减少到大约为100kHz 。这种较低的
频率允许电感电流放电安全，
从而防止电流失控。该振荡器的频
昆西将逐渐加大到其设计速度时，
反馈电压再次接近0.8V。
过压保护
作为进一步的保护，过电压比较器中的
LTC1779将关闭内部MOSFET关断时
反馈电压已上升7.5％以上的基准
电压为0.8V 。该比较器的典型迟滞
的为30mV 。
斜率补偿和电感的峰值电流
电感的峰值电流由下式确定：
I
PK
=
M（ V
ITH / RUN
– 0.7)
10 R
SENSE
+
2
(
)
当LTC1779是工作在低于40 ％的占空比。
然而，一旦占空比超过40％时，斜坡的COM
补偿开始，有效地降低了峰值电感
器的电流。减少的量由曲线定
在图2中。
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
占空比（ ％ ）
1779 F02
I
纹波
= 0.4I
PK
在5％的占空比
I
纹波
= 0.2I
PK
在5％的占空比
V
IN
= 4.2V
图2.最大输出电流与占空比
5
LTC1779
250mA的大电流模式
降压型DC / DC转换器
采用ThinSOT
特点
s
s
s
s
s
s
s
s
s
DESCRIPTIO
s
s
s
高效率：高达94 ％
250mA输出电流
宽V
IN
范围： 2.5V至9.8V
的550kHz恒定频率工作
突发模式
TM
操作在轻负载
低压差100 ％占空比
0.8V基准允许低输出电压
±2.5%
参考精度
对卓越的电压和负载电流模式操作
瞬态响应
低静态电流： 135μA
关断模式绘制只有8μA电源电流
低扁平（1mm ） ThinSOT封装
TM
包
此外，LTC
1779是一个恒定频率电流模式步进
下来在6引脚ThinSOT封装的DC / DC转换器。该
部分具有2.5V至9.8V的输入，并且可以提供高达
的输出电流250毫安。电流模式控制亲
国际志愿组织卓越的AC和DC负载和线路调整。该
器件集成了一个精确的欠压锁定为特色的
TURE用于关闭LTC1779当输入电压
低于2V 。
该LTC1779拥有
±2.5%
输出电压精度和
消耗的静态电流仅为135μA 。对于应用程序
系统蒸发散，其中效率是首要考虑， LTC1779
配置为突发模式工作，从而提高
效率在低输出电流。
为了进一步延长电池电源的使用寿命，该
内部P沟道MOSFET连续接通的
降（ 100％占空比）。在停机模式中，该器件消耗
只有8μA 。 550kHz的高恒定工作频率
允许使用小的外部电感器。
该LTC1779可在一个较低的扁平（1mm ） ThinSOT封装
封装。
， LTC和LT是凌特公司的注册商标。
突发模式和采用ThinSOT是凌特公司的商标。
应用S
s
s
s
s
s
s
1或2节锂离子电池供电的应用
移动电话
无线调制解调器
手提电脑
分布式3.3V ， 2.5V或1.8V电源系统
扫描仪
典型应用
C3
0.1F
1
20k
100pF
3
V
FB
SENSE
–
4
I
TH
/ RUN
LTC1779
GND
V
IN
SW
6
D1
R1
10
L1
22H
C1
10F
16V
V
IN
2.5V
TO 9.8V
V
OUT
2.5V
100mA
100
90
V
IN
= 3.3V
80
效率（％）
+
5
2
C2
47F
6V
169k
70
V
IN
= 9.8V
60
50
40
30
0.1
V
OUT
= 2.5V
R
SENSE
= 10
1
10
100
负载电流（mA ）
1000
1779 F01B
78.7k
1779 F01A
C1 ：太阳诱电陶瓷EMK325BJ106MNT
C2 ： SANYO POSCAP 6TPA47M
D1 ： IR10BQ015
L1 ： COILTRONICS UP1B220
图1： LTC1779高效率2.5V /百毫安降压转换器
U
EF网络效率与负载电流
V
IN
= 6V
U
U
1
LTC1779
绝对
（注1 ）
AXI ü
RATI GS
PACKAGE / ORDER我FOR ATIO
顶视图
I
TH
/ RUN 1
GND 2
V
FB
3
6 SW
5 V
IN
4 SENSE
–
输入电源电压（V
IN
） .........................- 0.3V至10V
SENSE
–
， SW电压.................. - 0.3V至（V
IN
+ 0.3V)
V
FB
, I
TH
/运行电压..............................- 0.3V至2.4V
SW峰值输出电流（ <为10μs ） .......................... 0.5A
储存环境温度范围... - 65 ° C至150℃
工作温度范围（注2 ） ...- 40 ° C至85°C
结温（注3 ） ............................. 150℃
引线温度（焊接， 10秒） .................. 300℃
订购部件
数
LTC1779ES6
S6最热
LTLP
S6包装
6引脚塑封SOT- 23
T
JMAX
= 150°C,
θ
JA
= 230 ° C / W
咨询LTC营销部分特定网络版有更宽的工作温度
范围。
该
q
表示该指标适用在整个工作温度
范围，否则仅指在T
A
= 25°C 。 V
IN
= 4.2V ，除非另有规定。 （注2 ）
参数
输入直流电源电流
正常工作
关闭
UVLO
欠压锁定阈值
关断阈值（在我
TH
/ RUN ）
启动电流源
监管的反馈电压
输出电压线路调整
输出电压负载调整
V
FB
输入电流
过电压保护阈值
过电压保护滞后
过温保护阈值
过温保护迟滞
振荡器频率
R
DS （ ON）
内部P沟道FET
峰值电流检测电压
V
FB
= 0.8V
V
FB
= 0V
V
IN
= 4.2V ，我
SW
= 100毫安
（注6 ）
500
V
第i个
/ RUN = 0V
（注5 ） 0 ° C至70℃
（注5 ） - 40 ° C至85°C
2.5V
≤
V
IN
≤
9.8V （注5 ）
I
TH
/ RUN下沉5μA （注5 ）
I
TH
/ RUN采购5μA （注5 ）
（注5 ）
测量V
FB
0.820
q
q
电气特性
条件
标准结构在V
IN
= 4.2V （注4 ）
2.5V
≤
V
IN
≤
9.8V
2.5V
≤
V
IN
≤
9.8V, V
第i个
/ RUN = 0V
V
IN
< UVLO阈值
V
IN
落下
V
IN
升起
q
q
民
典型值
135
8
7
最大
240
22
13
2.5
0.5
0.85
0.820
0.830
3
单位
A
A
A
V
V
V
A
V
V
mV / V的
毫伏/ μA
毫伏/ μA
1.60
0.15
0.25
0.780
0.770
–3
2.0
2.1
0.325
0.5
0.800
0.800
0
2.5
2.5
5
0.860
30
170
15
550
100
0.85
120
25
0.895
650
1.4
注1 ：
绝对最大额定值是那些价值超过其使用寿命
的装置的可能损害。
注2 ：
该LTC1779E是保证符合性能规格
从0℃至70℃。规格在 - 40 ° C至85° C的工作
温度范围是由设计，表征和相关保障
统计过程控制。
注3 ：
T
J
从周围温度T计算出的
A
和权力
耗散P
D
根据下列公式计算：
T
J
= T
A
+ (P
D
θ
J
° C / W）
注4 ：
动态电源电流较高，由于栅极电荷的存在
在开关频率传递。
注5 ：
的LTC1779是在反馈环路中该伺服V测试
FB
对
输出误差放大器洱。
注6 ：
峰值电流检测电压减小取决于占空比
到的值的百分比在图2中给出。
2
U
nA
V
mV
°C
°C
千赫
千赫
mV
W
U
U
W W
W
LTC1779
典型PERFOR一个CE特征
参考电压
与温度
825
820
815
V
IN
= 4.2V
15
12
归一化频率（％）
V
FB
电压（毫伏）
805
800
795
790
785
780
775
–55 –35 –15
5 25 45 65 85 105 125
温度（℃）
1779 G01
触发电压（ V）
810
关断阈值
与温度
600
560
520
V
IN
= 4.2V
1.85
1.70
1.55
1.40
I
TH
/运行电压（毫伏）
480
440
400
360
320
280
240
200
–55 –35 –15
5 25 45 65 85 105 125
温度（℃）
1779 G04
R
DS （ ON）
()
1.25
1.10
0.95
0.80
0.65
0.50
T
A
= 125°C
R
DS （ ON）
()
PI FU CTIO S
I
TH
/ RUN （引脚1 ） ：
该引脚执行两个功能。它
用作误差放大器的补偿点以及
运行控制输入。目前比较器门限
增加了与该控制电压。额定电压范围
该引脚为0.7V至1.9V 。强制该引脚低于0.325V
导致要关闭的装置。在关断所有
功能被禁止，内部P沟道MOSFET
是关闭的。 SW引脚将是高阻抗。
GND （引脚2 ） ：
接地引脚。
V
FB
（引脚3 ） ：
接收来自一个外部反馈电压
在输出最终电阻分压器。
SENSE
–
（引脚4 ） ：
负输入到当前的COM
parator 。可以连接到V
IN
对于默认的最小
为250mA峰值电流。连接端之间的电阻
SENSE
–
和V
IN
指定一个低峰值电流。 （见
应用信息指定的电阻值。 ）
V
IN
（引脚5 ） ：
电源引脚。必须紧密耦至GND
第2脚。
SW （引脚6 ） ：
开关节点内部和排水
P沟道功率MOSFET 。连接外接电感
器和续流二极管。
ü W
归一化的振荡器频率
与温度
V
IN
= 4.2V
2.20
2.16
2.12
2.08
2.04
2.00
1.96
1.92
1.88
1.84
5 25 45 65 85 105 125
温度（℃）
1779 G02
欠压锁定之旅
电压与温度
V
IN
落下
9
6
3
0
–3
–6
–9
–12
–15
–55 –35 –15
1.80
–55 –35 –15
5 25 45 65 85 105 125
温度（℃）
1779 G03
R
DS （ ON）
内部P沟道FET
与输入电压
1.85
I
SW
= 100毫安
SENSE
–
= V
IN
R
DS （ ON）
内部P沟道FET
与温度
I
SW
= 100毫安
1.70 SENSE
–
= V
IN
1.55
1.40
1.25
1.10
0.95
0.80
0.65
0.50
V
IN
= 9.8V
V
IN
= 8.4V
V
IN
= 6V
V
IN
= 2.4V
V
IN
= 4.2V
T
A
= 25°C
T
A
= –55°C
0.35
2
3
4
5
7
8
6
输入电压（ V）
9
10
0.35
–55 –35 –15
5 25 45 65 85 105 125
温度（℃）
1779 G06
1779 G05
U
U
U
3
LTC1779
单操作
后，对应的输出电流跳闸水平以下，
允许正常操作。
比较OVP防瞬态过冲
通过关闭内部的P-沟道功率> 7.5％
MOSFET和保持它关闭，直到故障被排除。
突发模式工作
该LTC1779进入突发模式工作在低负荷
电流。在这种模式下，电感器的峰值电流是
设置为若V
第i个
/ RUN = 1V （在低占空比），即使
在我的电压
TH
/ RUN端是在一个较低的值。如果
电感器的平均电流大于负载要求一
换货，在我的电压
TH
/ RUN引脚将下降。当
I
TH
/运行电压低于0.85V时，睡眠信号变
高，关闭内部MOSFET 。睡眠信号
变低时，我
TH
/运行电压高于0.925V
与LTC1779恢复正常运行。下一个
振荡周期会变成内部MOSFET上的
开关周期重复。
差操作
当输入电源电压对降低
输出电压，电感器电流的变化率
在ON周期降低。本次减持意味着，
内部P沟道MOSFET仍将以了解更多
不止一个振荡周期，因为电感电流还没有
上升到所述阈值由EAMP设置。另外reduc-
化的输入电源电压最终将导致
P沟道MOSFET导通的100％ ，即，直流。该
输出电压会由输入电压来确定
负MOSFET两端的电压降时，感
电阻器和电感器。
欠压锁定
为了防止以下安全的P沟道MOSFET的操作
输入电压电平，欠压锁定是其纳入
额定进LTC1779 。当输入电源电压
下降到低于大约2.0V时，P沟道MOSFET
和所有的电路除欠压关闭
块，其中仅消耗几微安。
SF = I
OUT
/I
输出（最大）
(%)
U
（参见原理图）
短路保护
时的输出被短路到地，的频率
振荡器将被减少到大约为100kHz 。这种较低的
频率允许电感电流放电安全，
从而防止电流失控。该振荡器的频
昆西将逐渐加大到其设计速度时，
反馈电压再次接近0.8V。
过压保护
作为进一步的保护，过电压比较器中的
LTC1779将关闭内部MOSFET关断时
反馈电压已上升7.5％以上的基准
电压为0.8V 。该比较器的典型迟滞
的为30mV 。
斜率补偿和电感的峰值电流
电感的峰值电流由下式确定：
I
PK
=
M（ V
ITH / RUN
– 0.7)
10 R
SENSE
+
2
(
)
当LTC1779是工作在低于40 ％的占空比。
然而，一旦占空比超过40％时，斜坡的COM
补偿开始，有效地降低了峰值电感
器的电流。减少的量由曲线定
在图2中。
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
占空比（ ％ ）
1779 F02
I
纹波
= 0.4I
PK
在5％的占空比
I
纹波
= 0.2I
PK
在5％的占空比
V
IN
= 4.2V
图2.最大输出电流与占空比
5
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