LTC4370
双电源二极管，或
电流平衡控制器
特点
n
n
描述
此外，LTC
4370是一个两电源的电流分配控制器
它集成了MOSFET的理想二极管。二极管
块反向和直通启动期间的电流
和故障情况。其正向电压被调节到
交流电源之间的负载电流。不像其他
共享方法，既不是股票，也不公交修剪引脚
电源是必需的。
MOSFET的最大电压降可以用一个设置
电阻器。快速门的开启降低了负载电压
在电源切换下垂。如果输入电源出现故障
或短路，快速关断最大限度地减小反向电流
瞬变。
控制器工作与物资从2.9V到18V 。
对于下部导轨的电压，一个需要外部电源，在
在V
CC
引脚。使能输入可以用来关闭
MOSFET和控制器置于低电流状态。
状态输出指示MOSFET的是否或
关。负载分担功能可被禁用，以打开
LTC4370为一个双通道理想二极管控制器。
n
n
n
n
n
n
n
n
股份负载两个电源之间
无需进行主动控制
输入电源
没有共享总线要求
块反向电流
没有直通电流在启动过程中或故障
0V至18V高压侧工作
使能输入
MOSFET导通状态输出
双通道理想二极管模式
16引脚DFN封装（4毫米× 3毫米）和MSOP封装
应用
n
n
n
冗余电源
高可用性系统和服务器
电信和网络基础设施
L,
LT ， LTC ， LTM ，凌特和线性标识是注册商标，
PowerPath和采用ThinSOT是凌特公司的商标。所有其他商标
是其各自所有者的财产。受美国专利保护，其中包括7920013和
8022679.其他专利正在申请中。
典型用途
12V ， 10A负载共享
V
INA
12V
SUM85N03-06P
39nF*
分享ERROR （我
VINA
– I
VINB
)/I
L
(%)
20
15
10
5
0
–5
–10
–15
–20
–750
SUM85N03-06P
4370 TA01
均流误差与电源差
EN1
CPO1
V
CC
GND
范围
EN2
CPO2
39nF*
V
INB
12V
V
IN1
GATE1
OUT1
0.1F
NC
LTC4370
FETON1
FETON2
OUT2
2m
2m
OUT
12V ， 10A
V
IN2
GATE2 COMP
0.18F
–500
–250
0
250
V
INA
– V
INB
（毫伏）
500
750
4370 TA01b
*可选，用于快速开启
4370f
1
LTC4370
绝对最大额定值
（注1,2 ）
V
IN1
, V
IN2
， OUT1 ， OUT2电压...................- 2V至24V
V
CC
电压............................................... -0.3 V到6.5V
GATE1 ， GATE2电压（注3） ............... -0.3V至34V
CPO1 ， CPO2电压（注3 ） ................... -0.3V至34V
电压范围................................- 0.3V至V
CC
+ 0.3V
COMP电压.............................................. -0.3 V到3V
EN1 ， EN2 ，
FETON1 ， FETON2电压.........- 0.3V至24V
CPO1 ， CPO2平均电流................................. 10毫安
FETON1 ， FETON2电流....................................... 5毫安
工作环境温度范围
LTC4370C ................................................ 0 ° C至70℃
LTC4370I ............................................. -40°C至85℃
存储温度范围.................. -65℃ 150℃
焊接温度（焊接， 10秒）
MS套餐................................................ ...... 300℃
引脚配置
顶视图
EN2
范围
COMP
V
IN2
GATE2
CPO2
OUT2
FETON2
1
2
3
4
5
6
7
8
17
16
EN1
15 GND
14 V
CC
13 V
IN1
12 GATE1
11 CPO1
10 OUT1
9 FETON1
顶视图
EN2
范围
COMP
V
IN2
GATE2
CPO2
OUT2
FETON2
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
EN1
GND
V
CC
V
IN1
GATE1
CPO1
OUT1
FETON1
DE包装
16引脚（4毫米
×
3毫米）塑料DFN
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 43 ° C / W
裸露焊盘（引脚17 ）印刷电路板接地连接是可选的
MS包装
16引脚塑料MSOP
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 125°C / W
订购信息
无铅完成
LTC4370CDE#PBF
LTC4370IDE#PBF
LTC4370CMS#PBF
LTC4370IMS#PBF
磁带和卷轴
LTC4370CDE#TRPBF
LTC4370IDE#TRPBF
LTC4370CMS#TRPBF
LTC4370IMS#TRPBF
最热*
4370
4370
4370
4370
包装说明
16引脚（4毫米× 3毫米）塑料DFN
16引脚（4毫米× 3毫米）塑料DFN
16引脚塑料MSOP
16引脚塑料MSOP
温度范围
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
咨询LTC营销与更广泛的工作温度范围规定的部分。 *温度等级标识在包装盒上的标签。
有关无铅零件标记的更多信息，请访问：
http://www.linear.com/leadfree/
有关磁带和卷轴特定网络阳离子的更多信息，请访问：
http://www.linear.com/tapeandreel/
4370f
2
LTC4370
电气特性
符号
耗材
V
IN
V
CC （ EXT ）
V
CC （ REG ）
I
IN
V
IN1
, V
IN2
工作范围
V
CC
外部电源工作范围
V
CC
稳定电压
V
IN1
, V
IN2
当前
启用后，较高的电源
已启用，更低的电源
引体向上
残
V
CC
当前
启用
残
V
CC
欠压锁定阈值
V
CC
欠压闭锁滞后
误差放大器输入失调
误差放大器的增益（ -ΔI
COMP
/ΔV
OUT
)
最小正向调节电压
(V
IN
- OUT ）
最大正向调节电压
(V
IN
- OUT ）
RANGE上拉电流
负载范围内共享禁用阈值
MOSFET栅极驱动器（ GATE - V
IN
)
GATE1 ， GATE2导通传播延迟
GATE1 ， GATE2关断传播延迟
GATE1 ， GATE2山顶上拉电流
GATE1 ， GATE2峰值下拉电流
GATE1 ， GATE2关闭下拉电流
EN1 ， EN2
阈值电压
EN1 ， EN2
阈值迟滞
EN1 ， EN2
当前
OUT1 ， OUT2电流
启用
残
CPO1 ， CPO2上拉电流
FETON1 ， FETON2输出低电压
FETON1 ， FETON2输出高电压
在0.6V
OUTn的= 0V ， 12V;两
EN
= 0V
两
EN
= 1V
CPO = V
IN
I = 1毫安
I = 3毫安
I = -1μA ，V
FWD
= 1V
V
FWD
= 0.2V ; I = 0时， -1μA ;最高V
IN
= 12V
V
FWD
= 0.2V ; I = 0时， -1μA ;最高V
IN
= 2.9V
V
FWD
(= V
IN
- OUT ）步骤： 0.3V - 0.3V
V
FWD
步骤： 0.3V - 0.3V
V
FWD
= 0.4V, ΔV
门
= 0V ， CPO = 17V
V
FWD
= 2V, ΔV
门
= 5V
相应
EN
= 1V, ΔV
门
= 2.5V
EN
落下
V
IN
= 1.2V, V
CC
= 5V
V
IN
= 12V
R
范围
= 4.99K ，V
IN
= 1.2V, V
CC
= 5V
R
范围
= 4.99K ，V
IN
= 12V
R
范围
= 49.9k ，V
IN
= 1.2V, V
CC
= 5V
R
范围
= 49.9k ，V
IN
= 12V
RANGE = 0.2V
l
l
l
l
l
l
l
l
该
l
表示该应用在整个工作的规范
温度范围，否则仅指在T
A
= 25°C 。 V
IN1
= V
IN2
= 12V ， OUT = V
IN
, V
CC
开，除非另有说明。
参数
条件
l
l
l
l
民
2.9
0
2.9
4.5
典型值
最大
18
V
CC
6
单位
V
V
V
V
mA
A
A
A
mA
A
V
mV
mV
S
mV
mV
mV
mV
mV
mV
A
V
V
V
s
s
A
A
A
mV
mV
A
A
A
A
V
V
V
与外部V
CC
供应
V
IN1
, V
IN2
≤ V
CC
5
2.1
320
–110
80
2
105
5.5
3
450
–180
180
2.8
220
2.7
300
±2
25
50
82
100
575
590
–11.2
其它V
IN
= 11.7V ，这两个
EN
= 0V
其它V
IN
= 12.3V ，这两个
EN
= 0V
双方V
IN
= 0V, V
CC
= 5V ，这两种
EN
= 0V
两
EN
= 1V
V
CC
= 5V ，这两种V
IN
= 1.2V ，这两个
EN
= 0V
V
CC
= 5V ，这两种V
IN
= 1.2V ，这两个
EN
= 1V
V
CC
升起
l
l
l
l
l
l
l
l
I
CC
V
CC （ UVLO ）
ΔV
CC （ HYST ）
负载共享
V
EA （OS）的
g
M（ EA ）
V
帧中继（MIN）
V
帧中继（MAX）中
2.3
40
2.55
120
0
150
l
2
2
40
45
425
440
–8.8
12
25
62
75
511
524
–10
I
范围
V
RANGE （ TH ）
栅极驱动器
ΔV
门
t
ON （ GATE ）
t
OFF （ GATE ）
I
GATE （ PK ）
I
门（OFF）的
V
EN（ TH）的
ΔV
EN（ TH）的
I
EN
I
OUT
I
CPO （ UP ）
V
OL
V
OH
V
CC
– 0.5 V
CC
– 0.3 V
CC
– 0.1
10
4.5
12
7
0.4
0.4
–0.9
0.9
65
580
2
–1.4
1.4
110
600
8
0
–70
–40
14
9
1
1
–1.9
1.9
160
620
20
±1
260
40
–115
0.4
1.2
l
l
l
l
l
l
l
输入/输出引脚
l
l
l
l
l
l
l
l
l
16
–70
0.12
0.36
V
CC
– 1.4 V
CC
– 0.9 V
CC
– 0.5
4370f
3
LTC4353
双路低电压
理想二极管控制器
特点
n
n
n
n
n
n
n
描述
此外，LTC
4353控制外部N沟道MOSFET，以
实现一个理想二极管的功能。它取代了两个高
功率肖特基二极管及其相关的散热片，
节省了功耗和电路板面积。理想二极管功能
允许低损耗电源的ORing和供应滞留
应用程序。
该LTC4353规定在整个正向压降
在MOSFET以确保顺利电流传输的二极管或
应用程序。快速接通减小了负载电压
在电源切换下垂。如果输入电源出现故障
或短路，一个快速关断最大限度地降低反向电流
瞬变。
控制器工作与物资从2.9V到18V 。如果
两个电源都低于2.9V ，外部电源是必要的
在V
CC
引脚。使能输入可以用来关闭
MOSFET和控制器置于低电流状态。
状态输出指示MOSFET的是否打开或关闭。
低损耗替代的功率二极管
控制N沟道MOSFET
0V至18V电源的ORing或持枪抢劫
1μs的栅极导通和关断时间
使能输入
MOSFET的导通状态输出
16引脚MSOP和DFN封装（4毫米× 3毫米）封装
应用
n
n
n
n
冗余电源
供应持枪抢劫
高可用性系统和服务器
电信和网络基础设施
L,
LT ， LTC ， LTM ，凌特和线性标识是注册商标，
热插拔， PowerPath和采用ThinSOT是凌特公司的商标。所有其他
商标是其各自所有者的财产。受美国专利保护，其中包括
7920013和8022679 。
典型用途
2.9V至18V ， 10A理想二极管-OR
2.9V至18V
Si4126DY
56nF*
V
IN1
CPO1
EN1
0.1F
V
CC
GND
EN2
CPO2
V
IN2
GATE2
OUT2
56nF*
2.9V至18V
*可选的快速开启
V
IN1
= 5.2V
V
IN2
= 5V
I
L
= 8A
C
L
= 100F
4353 TA01a
产量保持未有输入电源
LTC4353
ONST1
ONST2
MOSFET
导通状态
输出
电压2V / DIV
V
IN1
GATE1
OUT1
V
OUT
10A
V
IN2
V
OUT
Si4126DY
5s/DIV
4353 TA01b
4353f
1
LTC4353
绝对最大额定值
（注1,2 ）
V
IN1
, V
IN2
， OUT1 ， OUT2电压...................- 2V至24V
V
CC
电压............................................... -0.3 V到6.5V
GATE1 ， GATE2电压（注3） ............... -0.3V至34V
CPO1 ， CPO2电压（注3 ） ................... -0.3V至34V
EN1 ， EN2 ， ONST1 ， ONST2
电压.............- 0.3V至24V
CPO1 ， CPO2平均电流................................. 10毫安
ONST1 ， ONST2
电流........................................... 5毫安
工作环境温度范围
LTC4353C ................................................ 0 ° C至70℃
LTC4353I ............................................. -40°C至85℃
存储温度范围.................. -65℃ 150℃
焊接温度（焊接， 10秒）
MS套餐................................................ ...... 300℃
引脚配置
顶视图
EN2
NC
NC
V
IN2
GATE2
CPO2
OUT2
ONST2
1
2
3
4
5
6
7
8
17
16
EN1
15 GND
14 V
CC
13 V
IN1
12 GATE1
11 CPO1
10 OUT1
9
ONST1
EN2
NC
NC
V
IN2
GATE2
CPO2
OUT2
ONST2
1
2
3
4
5
6
7
8
顶视图
16
15
14
13
12
11
10
9
EN1
GND
V
CC
V
IN1
GATE1
CPO1
OUT1
ONST1
MS包装
16引脚塑料MSOP
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 125°C / W
DE包装
16引脚（4毫米
×
3毫米）塑料DFN
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 43 ° C / W
裸露焊盘（引脚17 ）印刷电路板接地连接可选
订购信息
无铅完成
LTC4353CDE#PBF
LTC4353IDE#PBF
LTC4353CMS#PBF
LTC4353IMS#PBF
磁带和卷轴
LTC4353CDE#TRPBF
LTC4353IDE#TRPBF
LTC4353CMS#TRPBF
LTC4353IMS#TRPBF
最热*
4353
4353
4353
4353
包装说明
16引脚（4mm
×
3毫米）塑料DFN
16引脚（4mm
×
3毫米）塑料DFN
16引脚塑料MSOP
16引脚塑料MSOP
温度范围
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
咨询LTC营销与更广泛的工作温度范围规定的部分。 *温度等级标识在包装盒上的标签。
有关无铅零件标记的更多信息，请访问：
http://www.linear.com/leadfree/
有关磁带和卷轴特定网络阳离子的更多信息，请访问：
http://www.linear.com/tapeandreel/
4353f
2
LTC4353
该
l
表示该应用在整个工作的规范
温度范围，否则仅指在T
A
= 25°C 。 V
IN1
= V
IN2
= 12V ， OUT = V
IN
, V
CC
开，除非另有说明。
符号
耗材
V
IN
V
CC （ EXT ）
V
CC （ REG ）
I
IN
V
IN1
, V
IN2
工作范围
V
CC
外部电源工作范围
V
CC
稳定电压
V
IN1
, V
IN2
当前
启用后，较高的电源
已启用，更低的电源
引体向上
残
V
CC
当前
启用
残
V
CC
欠压锁定阈值
V
CC
欠压闭锁滞后
正向调节电压（V
IN
- OUT ）
MOSFET栅极驱动器（ GATE - V
IN
)
GATE1 ， GATE2导通传播延迟
GATE1 ， GATE2关断传播延迟
GATE1 ， GATE2快速上拉电流
GATE1 ， GATE2快速下拉电流
GATE1 ， GATE2关闭下拉电流
EN1 ， EN2
阈值电压
EN1 ， EN2
阈值迟滞
EN1 ， EN2
当前
OUT1 ， OUT2电流
启用
残
CPO1 ， CPO2上拉电流
ONST1 ， ONST2
输出低电压
ONST1 ， ONST2
输出高电压
ONST1 ， ONST2
漏电流
MOSFET的导通检测阈值（ GATE - V
IN
)
在0.6V
OUTn的= 0V ， 12V;两
EN
= 0V
两
EN
= 1V
CPO = V
IN
I = 1毫安
I = 3毫安
I = -1μA
在12V
ONST
拉低
V
IN
= 1.2V, V
CC
= 5V
V
IN
= 12V
V
FWD
= 0.2V ; I = 0时， -1μA ;最高V
IN
=12V
V
FWD
= 0.2V ; I = 0时， -1μA ;最高V
IN
=2.9V
V
FWD
(= V
IN
- OUT ）步骤： -0.3V至0.3V
V
FWD
步骤： 0.3V至-0.3V
V
FWD
= 0.4V, ΔV
门
= 0V ， CPO = 17V
V
FWD
= 0.8V, ΔV
门
= 5V
相应
EN
= 1V, ΔV
门
= 2.5V
EN
落下
其它V
IN
= 11.7V ，这两个
EN
= 0V
其它V
IN
= 12.3V ，这两个
EN
= 0V
双方V
IN
= 0V, V
CC
= 5V ，这两种
EN
= 0V
两
EN
= 1V
V
CC
= 5V ，这两种V
IN
= 1.2V ，这两个
EN
= 0V
V
CC
= 5V ，这两种V
IN
= 1.2V ，这两个
EN
= 1V
V
CC
升起
与外部V
CC
供应
V
IN1
, V
IN2
≤ V
CC
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
电气特性
参数
条件
民
2.9
0
2.9
4.5
典型值
最大
18
V
CC
6
单位
V
V
V
V
mA
A
A
A
mA
A
V
mV
mV
mV
V
V
s
s
A
A
A
mV
mV
A
A
A
A
V
V
V
A
V
5
1.5
200
–45
75
1.5
88
5.5
2.5
300
–80
160
2.2
190
2.7
300
25
50
14
9
1
1
–1.9
1.9
160
620
20
±1
160
16
–115
0.4
1.2
±1
1.1
I
CC
V
CC （ UVLO ）
ΔV
CC （ HYST ）
V
FR
ΔV
门
t
ON （ GATE ）
t
OFF （ GATE ）
I
门
2.3
40
2
2
10
4.5
2.55
120
12
25
12
7
0.4
0.3
理想二极管控制
l
l
l
l
l
l
l
l
l
–0.9
0.9
65
580
2
–1.4
1.4
110
600
8
0
输入/输出引脚
V
EN（ TH）的
ΔV
EN（ TH）的
I
EN
I
OUT
I
CPO （ UP ）
V
OL
V
OH
I
ONST
ΔV
门（ON）的
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
–4
–40
8
–70
0.14
0.42
0
V
CC
– 1.4 V
CC
– 0.9 V
CC
– 0.5
0.28
0.7
注1 ：
强调超越上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。暴露于任何绝对
最大额定值条件下工作会影响器件
可靠性和寿命。
注2 ：
所有电流为器件引脚为正;所有电流输出装置的
引脚是负的。所有电压参考GND除非另有
指定的。
注3 ：
内部卡件限制在GATE和CPO引脚到最小10V的
以上，以及在对应的V低于二极管
IN
引脚。驱动这些引脚
超过钳位电压可能会损坏设备。
4353f
3
LTC1479
的PowerPath控制器
对于双电池系统
特点
s
s
描述
此外，LTC
1479是一个总的电源管理的“心脏”
适用于单，双电池的笔记本电脑解决方案
和其它便携式设备。该LTC1479电源指示
从多达两个电池组和一个直流电源向
主系统的开关稳压器的输入端。它工作在
演唱会相关的LTC电源管理产品
（如LTC1435 ， LT
1511等），以创建整个系统
解决方案;从所述电池和所述直流电源开始
源，并终止于每个计算机的输入
复杂的负载。系统提供电源管理
P
监测并积极引导LTC1479 。
的LTC1479采用低损耗N沟道MOSFET开关
从三个主要来源直接动力。自适应
限流方案降低了电容和电池
浪涌电流通过控制MOSFET的栅极
在转换过程中的交换机。该LTC1479的接口迪
接连到LT1510 ， LT1511和LT1620 / LTC1435 BAT-
tery充电电路。
， LTC和LT是凌特公司的注册商标。
PowerPath的是凌力尔特公司的商标。
s
s
s
s
s
s
为两个完整的电源路径管理
电池，直流电源，充电器和备用
兼容锂离子电池，镍镉电池，镍氢电池和铅酸
电池化学
“ 3二极管”模式确保权力是可用
在“冷启动”的条件
所有N沟道开关，降低了功耗
电容器和电池浪涌电流限制
“无缝”切换之间的权力来源
独立充电和两个监测
电池组
新建，占地面积小， 36引脚SSOP封装
应用
s
s
s
s
s
笔记本电脑电源管理
便携式仪器
手持终端
便携式医疗设备
便携式工业控制设备
典型用途
双电池的PowerPath
TM
控制系统框图
DCIN
SW A / B
SW C / D
SW E / F
SW摹
BAT2
电池充电器
(LT1510/LT1511/
LT1620/LTC1435)
BACKUP
调节器
(LT1304)
动力
管理
P
SW
高效率
DC / DC开关
调节器
(LTC1435/LTC1438
等）
AC
适配器
R
SENSE
BAT1
LTC1479
的PowerPath控制器
状态&
控制
U
U
U
+
C
IN
5V
1479 TA01
1
LTC1479
绝对
最大
评级
DCIN ， BAT1 ， BAT2电源电压.......... - 0.3V至32V
SENSE
+
， SENSE
–
, V
BAT
, V
+
..................... - 0.3V至32V
GA ， GB， GC ， GD ， GE， GF， GG ， GH .............. - 0.3V至42V
SAB ， SCD ，海基会， SG ， SH ............................ - 0.3V至32V
SW ，V
GG
.................................................. - 0.3V至42V
DCDIV ， BDIV ............................................ - 0.3V至5.5V
所有逻辑输入（注1 ） .......................... - 0.3V至7.5V
所有的逻辑输出（注1 ） ....................... - 0.3V至7.5V
V
CC
稳压器输出电流................................ 1毫安
V
CCP
稳压器输出电流.............................. 1毫安
V
+
输出电流................................................ .. 1毫安
V
GG
稳压器输出电流100μA ............................
工作温度
LTC1479CG ............................................. 0 ° C至70℃
LTC1479IG ........................................ - 40 ° C至85°C
结温........................................... 125°C
存储温度范围................. - 65℃ 150℃
引线温度（焊接， 10秒） .................. 300℃
封装/订购信息
顶视图
DCIN
DCDIV
LOBAT
GA
SAB
GB
GC
SCD
GD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
36 V
BKUP
35 BAT1
34 BAT2
33 BDIV
32 V
BAT
31 CHGMON
30 BATSEL
29 GG
28 SG
27 GH
26 SH
25 DCINGOOD
24 DCIN / BAT
23 BATDIS
22 3DM
21 CHGSEL
20 V
CCP
19 GND
订购部件
数
LTC1479CG
LTC1479IG
GE 10
海基会11
GF 12
SENSE
+
13
SENSE
–
14
V
CC
15
V
GG
16
V
+
17
SW 18
G封装（ 209密耳）
36引脚塑封SSOP
T
JMAX
= 100°C,
θ
JA
= 95 ° C / W
咨询工厂的军工级配件。
DC电气特性
V
DCIN
= 25V, V
BAT1
= 16V, V
BAT2
= 12V ，T
A
= 25℃，除非另有说明。 （注2 ）
符号
V
DCIN
V
BAT1
V
BAT2
V
BKUP
I
DCIN
I
VBAT1
I
VBAT2
I
VBKUP
V
CCP
V
CC
V
GG
V
UVLO
V
UVLOHYS
参数
DCIN工作范围
1电池工作范围
电池2工作范围
备份工作范围
DCIN工作电流
1电池工作电流
2电池工作电流
备份工作电流
V
CCP
稳压器输出电压
V
CC
稳压器输出电压
V
GG
门电源电压
UV锁定阈值
UV锁定迟滞
条件
（模式1 ）选择DCIN
（模式5 ）电池1选择
（模式6 ）电池2选择
（模式8 ）备份操作
（模式1 ）选择DCIN
（模式5 ）电池1选择
（模式6 ）电池2选择
（模式8 ）备份操作（V
BKUP
= 6V)
（模式1 ， 5 ， 6 ） DCIN ，电池1或电池2选择
（模式1 ， 5 ， 6 ） DCIN ，电池1或电池2选择
（模式1 ， 5 ， 6 ） DCIN ，电池1或电池2选择
（模式9 ）无电源，V
BATx
从12V下降
（模式9 ）无电源，V
BATx
从1V上升
q
q
q
民
6
6
6
6
典型值
最大
28
28
28
28
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
V
V
V
V
V
电源
175
150
150
40
4.0
3.3
34.0
4.0
0.2
4.8
3.6
36.3
4.5
0.5
500
500
500
100
6.0
3.9
40.0
5.0
1.0
2
U
W
U
U
W W
W
LTC1479
DC电气特性
V
DCIN
= 25V, V
BAT1
= 16V, V
BAT2
= 12V ，T
A
= 25℃，除非另有说明。 （注2 ）
符号
V
THDCDIV
参数
DCDIV阈值电压
条件
（模式1 ）V
DCDIV
瑞星从1V到1.5V
（模式1 ）V
DCDIV
从1.5V降至1V
（模式1 ）V
DCDIV
= 1.5V
（模式1 ）V
DCDIV
= 1V ，我
DCINGOOD
= 100A
（模式1 ）V
DCDIV
= 1.5V, V
DCINGOOD
= 0V
（模式1 ）V
DCDIV
= 1.5V, V
DCINGOOD
= 7V
（模式5,6 ）V
BDIV
从1.5V降至1V
（模式5,6 ）V
BDIV
瑞星从1V到1.5V
（模式5,6 ）V
BDIV
= 1.5V
（模式5,6 ）V
BDIV
= 1V ，我
LOBAT
= 100A
（模式5,6 ）V
BDIV
= 1.5V, V
LOBAT
= 7V
（模式5,6）每个开关独立测试
（模式5,6）每个开关独立测试
5.0
4.5
5
5
q
q
q
民
1.190
10
0
1
典型值
1.215
35
20
0.1
2
最大
1.240
50
0.4
6
±1
单位
V
mV
nA
V
A
A
V
mV
nA
V
A
A
V
V
V
A
A
V
A
A
A
mA
mA
DCIN好班长
V
HYSDCDIV
DCDIV滞后电压
I
BIASDCDIV
DCDIV输入偏置电流
V
LODCGD
I
PUDCGD
I
LKGDCGD
V
THLOBAT
I
BIASBDIV
V
LOLOBAT
I
LKGLOBAT
DCINGOOD输出低电压
DCINGOOD上拉电流
DCINGOOD漏电流
低电池电压阈值电压
BDIV输入偏置电流
LOBAT输出低电压
LOBAT输出漏电流
电池监视器
1.190
10
0
200
1.215
35
20
0.1
400
0.4
±1
800
±1
5.5
5.2
0
15
15
0.20
100
100
100
3
3
50
150
250
±1
q
q
1.240
50
V
HYSLOBAT
低电池电压滞后
R
ONBATSW
电池开关导通电阻
I
LKGBATSW
电池开关关断漏
栅极驱动器
V
GS （ ON）
V
GS （ OFF ）
I
BSENSE
+
I
BSENSE
–
V
SENSE
I
PDSAB
I
PDSCD
I
PDSEF
I
PDSG
I
PDSH
R
ONCMON
I
LKGCMON
V
HIDIGIN
V
LODIGIN
I
HIDIGIN
I
LODIGIN
I
PUDIGIN
栅 - 源电压ON （ GA到GF） （模式1 ， 2 ， 4 ， 5 ， 6 ）I
GS
= –1A
栅 - 源电压ON （ GG ， GH ） （模式2 ， 4 ）I
GS
= –1A
栅 - 源电压OFF
SENSE
+
输入偏置电流
SENSE
–
输入偏置电流
浪涌电流限制检测电压
SAB下拉电流
SCD下拉电流
海基会下拉电流
SG下拉电流
SH下拉电流
CHGMON开关导通电阻
CHGMON开关OFF泄漏
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输入漏电流
输入上拉电流
（模式1 ，2，4 ，5，6 ），我
GS
= 100A
（模式1 ，图5， 6）
（模式1 ，图5， 6）
（模式1 ，图5， 6）
（模式5,6 ）V
SAB
= 10V
（模式1 ）V
SCD
= 10V
（模式1 ）V
海基会
= 10V
（模式1 ）V
SG
= 10V
（模式1 ）V
SH
= 10V
（模式5,6）每个开关独立测试
（模式5,6）每个开关独立测试
（模式1 ）所有数字输入
（模式1 ）所有数字输入
（模式1 ）所有数字输入，V
DIGINX
= 7V
（模式1 ）V
DIGINX
= 0V （注3）
（模式1 ）V
DIGINX
= 0V （注4）
7.0
7.0
0.4
30
30
0.25
300
300
300
0.15
30
30
30
负责监控
A
V
0.8
±1
±1
1
2
6
V
A
A
A
数字输入
2
3
LTC1479
AC电气特性
V
DCIN
= 25V, V
BAT1
= 16V, V
BAT2
= 12V ，T
A
= 25℃，除非另有说明。 （注2 ）
符号
t
ONGA / GB
t
印度石油天然气公司/ GD
t
昂格/ GF
t
OFFGA / GB
t
OFFGC / GD
t
OFFGE / GF
t
ONGG / GH
t
OFFGG / GH
f
OVGG
t
dLOBAT
t
dDCINGOOD
参数
门A / B开启时间
门C / D导通时间
门E / F开启时间
门A / B打开，关闭时间
门C / D关闭时间
门E / F打开，关闭时间
栅极G / H开启时间
栅极G / H打开，关闭时间
V
GG
注册工作频率
LOBAT延迟时间
DCINGOOD延迟时间
条件
V
GS
> 3V （注5）
V
GS
> 3V （注5）
V
GS
> 3V （注5）
V
GS
< 1V （注5 ）
V
GS
< 1V （注5 ）
V
GS
< 1V （注5 ）
V
GS
> 3V （注5）
V
GS
< 1V （注5 ）
V
BDIV
=
±100mV,
R
上拉
= 51k
V
DCDIV
=
±100mV,
R
上拉
= 51k
民
典型值
30
30
30
3
3
3
300
5
30
5
5
最大
单位
s
s
s
s
s
s
s
s
千赫
s
s
该
q
表示该指标适合整个工作
温度范围。
注1 ：
逻辑输入为高阻抗CMOS门电路与ESD
保护二极管到地，因此，不应将以下被迫
地面上。这些输入可以。但是上面的V驱动
CCP
或V
CC
供应
导轨因为有连接的输入引脚无钳位二极管
和供电轨。这便于在混合5V / 3V系统的操作。
注2 ：
选择的操作模式真值表，它定义了
操作条件和各“正常”相关联的逻辑状态
操作模式中，应配合使用的电气
特性表建立的测试条件。实际生产测试
条件可能更严格。
注3 ：
下面输入是高阻抗CMOS输入：
3DM和DCIN / BAT ，没有内部上拉电流。
注4 ：
下面的输入都内置了2μA上拉电流源
（通过串联二极管通过） ： BATSEL ， BATDIS和CHGSEL 。
注5 ：
栅极导通和关断时间的测量，无涌流
限流，我。例如，V
SENSE
= 0V ，使用的MOSFET Si4936DY ，在典型
应用电路。
真值表
SELECTED模式
（选择的操作模式）
逻辑输入
SW
A / B
On
On
开关状态
SW SW SW
C / D E / F
G
关关关
关关开
关闭
关闭
关闭
On
关闭
关闭
关闭
关闭
关闭
关闭
关闭
关闭
关闭
关闭
输出
SW
H
关闭
关闭
关闭
On
关闭
关闭
关闭
关闭
关闭
关闭
关闭
CHGMON
高阻
BAT1
高阻
BAT2
高阻
高阻
高阻
高阻
高阻
高阻
高阻
V
BAT
LOBAT
BAT1
H
BAT1
H
BAT2
BAT2
BAT1
BAT2
BAT1
BAT1
BAT2
BAT1
BAT1
H
H
H
H
L
L
L
L
L
DCINGOOD
H
H
H
H
L
L
L
L
L
H
H
NO 。 MODE
3DM DCIN / BAT BATSEL BATDIS CHGSEL
1直流操作
H
H
H
L
H
2直流操作和
H
H
H
H
H
BAT1 CHARGING
3 DC操作和
H
H
L
L
L
On
关闭
BAT2 DISCONNECTED
4直流操作和
H
H
L
H
L
On
关闭
BAT2 CHARGING
5 BAT1操作
H
L
H
H
H
关闭
On
6 BAT2操作
H
L
L
H
H
关闭
关闭
7 BAT1和低
H
L
H
L
H
关闭
关闭
断开的
8备份操作
H
L
H
L
H
关闭
关闭
9无电源
L
L
L
L
L
关闭
关闭
（没有备份）
10重新连接DC
L
L
H
L
H
3DM * 3DM *
11 DC连接
H
H
H
L
H
On
关闭
和RESET
*
3DM =三个二极管模式。当调用此模式下，只有第一
MOSFET开关在每个备份到后端开关对，我。即， SW A， SW C和
SW E被打开。目前仍然可以通过固有的身体
在闲置的交换机，即SW B， SW D和瑞士法郎的二极管，帮助重启
3DM *关闭
关关
后异常操作条件下，系统已经遇到。
请参见时序图和应用信息章节
进一步的细节。
4
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
专门设计用于驱动大和小Q
G
PFET的
非常低损耗替代电源
或运算二极管
宽工作电压范围： 3.6V至36V
-40 ° C至125°C的工作温度范围
反向电池保护
DC电源之间自动切换
低静态电流： 35μA每通道
负载电流共享
MOSFET栅极钳位保护
精准输入控制比较器的设置
切换阈值点
开漏点反馈的客户指定
滞环控制
极少的外部元件
节省空间的10引脚MSOP封装
此外，LTC
4416 / LTC4416-1控制两套外部
P沟道MOSFET ，以创建两个接近理想的二极管功能
电源切换电路。这使得高效
或所得的多个电源，以延长电池寿命
低自热。当导通时，电压降
MOSFET两端通常为25mV 。对于应用程序
交流适配器或其它辅助电源，负载
从电池将自动断开连接时， AUX-
iliary源连接。
该LTC4416集成了两个相互关联的PowerPath
TM
控制器具有软切换控制。在“软关机”
切换允许用户提供了两种显示之间进行传输
类似的无电压的过电压过冲（或
V
垂
）中的输出供给。该LTC4416 / LTC4416-1还
包含一个“快上”的功能，极大地提高了门
驱动电流时的正向输入端的电压超过25mV的。
该LTC4416 “快客”功能时从事的意义
电压超过输入电压为25mV 。该LTC4416-1
使在相同条件下的快速关闭，当
其他的外部P沟道器件是利用所选择的
ENABLE引脚。
宽工作电压范围支持从一个操作
八锂离子电池串联。低静态电流（ 35μA
每信道）是独立的负载电流。栅极驱动器
包括一个内部电压钳位为MOSFET保护。
该LTC4416 / LTC4416-1可在低调的10引脚
MSOP封装。
应用S
■
■
■
■
■
■
大电流开关PowerPath的
工业和汽车应用
不间断电源
逻辑控制电源开关
电池备份系统
应急系统的备用电池
， LT ， LTC和LTM是凌力尔特公司的注册商标。
PowerPath的是凌力尔特公司的商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
自动切换的PowerPath
V1
V1 = 12V （ FAIL）
V1 = 13.5V （ RESTORE ）主电源
221k
LTC4416
187k
GND
24.9k
E1
GND
E2
H2
H1
V2
V2 = 10.8V
备用电源SUP75P03_07
V1
G1
V
S
G2
V2
4416 TA01
SUP75P03_07
电流（A ）
3.6
LTc4416
U
典型应用
LTC4416 VS肖特基二极管
正向电压降
8.0
不变
R
ON
在和过压关断操作
V
IN
221k
V
TH2
同
迟滞
肖特基
二极管
24.9k
GND
V
TH1
同
迟滞
187k 24.3k
75k
182k
LTC4416-1
H1
G1
E1
GND
E2
H2
0.02
正向电压（ V）
0.5
4416 TA01b
不变
电压
V
S
0
UV启用了5V ，V
IN
恢复到Load当V
IN
上升到5.5V
OV启用了13.5V ，V
IN
恢复到Load当V
IN
下降到12V
U
特点
LTC4416/LTC4416-1
36V ，低损耗双
的PowerPath控制器的
大PFET的
DESCRIPTIO
U
V1
V
S
V2
G2
V
OUT
TO
负载
4416 TA01c
4416fa
LTC4416/LTC4416-1
（注1 ）
电源电压（ V1 ， V2） .............................. -14V至40V
电压V1或V2到V
S
....................... -40V至40V
输入电压
E1 ， E2 ............................................... ..... -0.3V至40V
V
S
.................................................. ......... -14V至40V
输出电压
G1 ....... -0.3V到V1 + 0.3V或V的更高
S
+ 0.3V
G2 ....... -0.3V到V2 + 0.3V或V的更高
S
+ 0.3V
H1 ， H2 ............................................... ...... -0.3V至7V
工作环境温度范围（注2 ）
LTC4416E ............................................ -40 ° C至85°C
LTC4416I ........................................... -40 ° C至125 ℃，
工作结
温度范围................................ -40 ° C至125°C
存储温度范围................... -65℃ 150℃
引线温度（焊接， 10秒） .................. 300℃
顶视图
H1
E1
GND
E2
H2
1
2
3
4
5
10
9
8
7
6
G1
V1
V
S
V2
G2
MS包装
10引脚塑料MSOP
T
JMAX
= 130°C,
θ
JA
= 120 ° C / W
订购部件号
LTC4416EMS
LTC4416IMS
LTC4416EMS-1
LTC4416IMS-1
MS最热*
LTCFC
LTCFC
LTCPS
LTCPS
订购选项
卷带式：添加#TR
无铅：添加#PBF无铅卷带式：添加#TRPBF
无铅最热： http://www.linear.com/leadfree/
咨询LTC营销部分特定网络版与更广泛的工作温度范围。
*温度等级为identi网络由在包装盒上的标签编。
电气特性
符号
V
V1
, V
V2
,
V
VS
I
QFL
I
QFH
I
QRL
I
QRH
I
QCL
I
QCH
I
泄漏
参数
工作电压范围
静态电源电流在低电源
而在正向调节
静态电源电流的高电源
而在正向调节
静态电源电流在低电源
而在反向关关
静态电源电流的高电源
而在反向关关
静态电源电流在低电源
用E1和E2的活性
静态电源电流的高电源
用E1和E2的活性
V 1， V 2和V
S
引脚泄漏电流
当其他引脚提供电源（注4 ）
该
●
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
温度范围，否则仅指在T
A
= 25°C 。 V1 = V2 = 12V ，E1 = 2V ，E2 = GND ，GND = 0V 。电流转换成销是
正和当前出销的是负的。所有电压都以GND为参考，除非另有说明。
条件
V1，V2和/或V的
S
必须在这个范围内进行适当的
手术
V
V1
= 3.6V, V
V2
= 3.6V 。测量电流组合
在V1，V2和V
S
销场均采用V
VS
= 3.560V
和V
VS
= 3.6V （注3）
V
V1
= 36V, V
V2
= 36V 。测量电流组合
在V1，V2和V
S
销场均采用V
VS
= 35.960V
和V
VS
= 36V （注3）
V
V1
= 3.6V, V
V2
= 3.6V 。测量电流组合
在V1，V2和V
S
引脚V
VS
= 3.7V
V
V1
= 35.9V, V
V2
= 35.9V 。测量组合
目前在V1 ， V2和V
S
引脚V
VS
= 36V
V
V1
= 3.6V, V
V2
= 3.6V, V
V1
– V
VS
= 0.9V,
V
E1
= 0V, V
E2
= 2V ， V1和V2分别测量
V
V1
= 36V, V
V2
= 36V, V
V1
– V
VS
= 0.9V,
V
E1
= 0V, V
E2
= 2V ， V1和V2分别测量
V
V1
= V
V2
= 28V, V
VS
= 0V 。衡量我
VS
V
V1
= V
V2
= 14V, V
VS
= -14V 。衡量我
VS
V
V1
= V
V2
= 36V, V
VS
= 8V 。衡量我
VS
的PowerPath控制器
V
FR
V
RTO
V
FO
开关PowerPath的正向调节
电压
开关PowerPath的反向关断
阈值电压
PowerPath的开关向前快速上
电压比较器阈值
V
V1
, V
V2
– V
VS
, 3.6V ≤ V
V1
, V
V2
≤ 36V,
C
G1
= C
G2
= 3nF的
V
V1
, V
V2
– V
VS
, 3.6V ≤ V
V1
, V
V2
≤ 36V,
C
G1
= C
G2
= 3nF的
V
V1
, V
V2
– V
VS
, 6V ≤ V
V1
, V
V2
≤ 36V,
C
G1
= C
G2
= 3nF的，我
G1
, I
G2
> 500μA
●
●
●
●
●
民
3.6
典型值
最大
36
70
130
70
130
30
65
单位
V
A
A
A
A
A
A
A
A
A
mV
mV
mV
4416fa
●
●
●
●
●
–10
–10
–10
10
–40
50
–1
–1
–1
1
1
1
40
–10
125
U
W
U
U
W W
W
绝对
AXI ü RATI GS
PACKAGE / ORDER我FOR ATIO
LTC4416/LTC4416-1
电气特性
符号
参数
GATE积极正向调控
源出电流
灌电流
灌电流在快速上
源电流在快客
G1和G2钳位电压
G1和G2电压关
G1和G2的导通时间
G1和G2关闭时间
使能比较器关闭延迟
H1和H2关机电流
H1和H2在电压
H1和H2开启时间
H1和H2关闭时间
E1和E2的输入阈值电压
E1和E2输入漏电流
源电流当其他频道
启用（注13 ）
LTC4416
LTC4416-1
G1，G2控制器
I
G（ SRC ）
I
G（ SNK ）
I
G（ FO ）
I
G（ OFF）
V
G（ ON）的
V
G（ OFF）
t
G（ ON）的
t
G（ OFF）
t
E（ OFF）
I
H（关闭）
V
H（ ON）的
t
H（ ON）的
t
H（关闭）
V
REF
I
E
I
G（ ENOFF ）
（注5 ）
（注6 ）
（注7 ）
（注12 ）
我申请
G1
= I
G2
= 2μA ，V
V1
= V
V2
= 12V,
V
VS
= 11.8V ，测量V
V1
– V
G1
或V
V2
– V
G2
我申请
G1
= I
G2
= -30μA ，V
V1
= V
V2
= 12V,
V
VS
= 12.2V ，测量V
V1
– V
G1
或V
V2
– V
G2
V
GS
< -6V ，C
G
= 17nF （注8 ）
V
GS
> -1.5V ，C
G
= 17nF （注9 ）
（注14 ） LTC4416-1仅
3.6V ≤ V
V1
, V
V2
≤ 36V （注10 ）
3.6V ≤ V
V1
, V
V2
≤ 36V （注10 ）
（注11 ）
（注11 ）
3.6V ≤ V
V1
, V
V2
≤ 36V ， -40 ° C至85°C
4V ≤ V
V1
, V
V2
≤ 36V ， -40 ° C至125°C
0V ≤ V
E1
, V
E2
≤ 1.5V
1.180
1.180
–100
1.215
1.215
–9
15
500
●
●
●
●
●
该
●
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
温度范围，否则仅指在T
A
= 25°C 。 V1 = V2 = 12V ，E1 = 2V ，E2 = GND ，GND = 0V 。电流转换成销是
正和当前出销的是负的。所有电压都以GND为参考，除非另有说明。
条件
民
典型值
最大
单位
–2
200
8.25
0.350
–500
9.1
0.920
60
30
6
7.4
A
A
A
A
V
V
s
s
s
A
mV
s
s
V
V
nA
H1和H2漏极开路驱动器
●
●
–1
1
100
5
10
1.240
1.240
100
E1和E2使能输入比较器
●
–9
–500
–3
A
A
注1 ：
强调超越上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。暴露于任何绝对
最大额定值条件下工作会影响器件
可靠性和寿命。
注2 ：
该LTC4416E是保证符合性能规格
从0° C至85°C 。特定网络连接的阳离子在-40° C至85° C的工作
温度范围是由设计，表征和相关保障
统计过程控制。该LTC4416I保证和测试
在-40° C至125 ° C的工作温度范围。
注3 ：
这导致在相同的电源电流将与被观察
外部P沟道MOSFET连接到LTC4416和在操作
向前调节。
注4 ：
只有9 3的排列说明。本规范是一样的
当电源通过V提供
S
或V2 。该规范仅适用
当V 1， V 2和V
S
在彼此的28V 。
注5 ：
V1和V2保持在12V和G1和G2被强制9V 。 V
S
is
设定在12V ，以测量或者G1或G2的源电流。
注6 ：
V1和V2保持在12V和G1和G2被强制9V 。 V
S
is
设置为11.96V ，测量吸收电流在任G1或G2 。
注7 ：
V1和V2保持在12V和G1和G2被强制9V 。 V
S
is
设置为11.875V测量吸收电流在任G1或G2 。
注8 ：
V1和V2保持在12V和V
S
从12.2V走到11.8V
触发事件。 G1和G2电压是初始V
G（ OFF）
.
注9 ：
V1和V2保持在12V和V
S
从11.8V走到12.2V
触发事件。 G1和G2电压是初始V
G（ ON）的
.
注10 ：
H1和H2被迫2V 。 E1和E2被迫1.5V至
测量H1和H2的关断电流。 H1和H2被强制与1mA至
测量在H1和H2的电压。
注11 ：
H1和H2被迫2V 。 E1和E2是从1.3V台阶
到1.1V来衡量吨
秒（上）
。 E1和E2是从1.1V走到1.3V至
测量牛逼
S（ OFF）
.
注12 ：
V1和V2保持在12V和G1和G2被强制9V 。 V
S
is
设置为12.05V ，以测量或者G1或G2的源电流。
注13 ：
V1和V2保持在12V和G1和G2被强制9V 。 V
S
被设定为12V ，测量在任G1或G2时，电源电流
通道被取消。
注14 ：
V1和V2保持在12V ，V
S
= 11.96V和G1和G2拥有4K
电阻器每次到9V 。测量延迟后的通道被禁止，直到
门信号开始拉大。
4416fa
LTC4416/LTC4416-1
PI FU CTIO S
H1 （引脚1 ） ：
漏极开路比较器的E1引脚的输出。
如果E1 > V
REF
中， H1引脚将变高阻抗，否则
该引脚接地。的最大电压允许
在此引脚为7V 。该引脚提供用于建立支持
滞后于外部电阻网络。
E1 （引脚2 ） ：
LTC4416比较使能输入。高
信号大于V
REF
将使V1的路径。理想
二极管的动作，然后将确定V1路径应该打开
上，通过控制连接到所述的G1销任何PFET （多个） 。
如果E1信号为低电平时， V1的路径将执行
“软关机”提供的PFET （S ）的配置是否正确
用于阻断直流电流。内部电流吸收会拉
在E1牵制，当E1输入超过1.5V 。
E1 （引脚2 ） ：
LTC4416-1比较使能输入。高
信号大于V
REF
将使V1的路径。理想
二极管的动作，然后将确定V1路径应该打开
上，通过控制连接到所述的G1销任何PFET （多个） 。
如果E1信号为低电平时， V1的路径将迅速
通过启用“快客”功能，拉动G1禁用
门高。一个内部电流吸收器将拉动E1牵制
当E1输入超过1.5V 。
GND （引脚3 ） ：
地面上。该引脚提供电源的回报
路径的所有内部电路。
E2 （引脚4 ） ：
LTC4416比较使能输入。低
信号小于V
REF
将使V2的路径。理想
二极管的动作，然后将确定V2路径应该打开
上，通过控制连接到G2的管脚任意PFET的（多个） 。
如果E2信号被驱动为高电平，使V2路径将执行
“软关机”提供的PFET （S ）的配置是否正确
用于阻断直流电流。内部电流吸收会拉
在E2牵制，当E2输入超过1.5V 。
E2 （引脚4 ） ：
LTC4416-1比较使能输入。低
信号小于V
REF
将使V2的路径。理想
二极管的动作，然后将确定V2路径应该打开
上，通过控制连接到G2的管脚任意PFET的（多个） 。
如果E2信号被驱动为高电平，使V2的路径将迅速
通过启用“快客”功能，拉动G2禁用
门高。一个内部电流吸收器将拉动E2牵制
当E2输入超过1.5V 。
H2 （引脚5 ） ：
漏极开路比较器的E2引脚的输出。
如果E2 > V
REF
， H2的引脚将变为高阻抗，否则
U
U
U
该引脚接地。的最大电压允许
在此引脚为7V 。该引脚提供用于建立支持
滞后于外部电阻网络。
G2 （引脚6 ） ：
第二个P沟道MOSFET电源开关
栅极驱动引脚。该脚由第二功率指示
控制器以保持正向调节电压（V
FR
)
在V2和V之间的25mV的
S
当引脚V2较大
比V
S
。当V2小于V
S
， G2的引脚将拉涨
于V
S
端子电压，关断第二P沟道
电源开关。
V2 （引脚7 ） ：
第二个输入电源电压。供电
到所述第二功率控制器和带隙参考
ENCE 。 V2是两个电压检测输入到所述一个
第二内部功率控制器（另一输入到
第二个内部电源控制器是V
S
针） 。该输入
通常供应的电力从第二或备份，
动力源。该引脚可旁路至地与
在0.1μF至10μF的范围中的电容器，如果需要
抑制负载瞬变。
V
S
（引脚8 ） ：
电源检测输入引脚。提供电源
第一和第二电源的内部电路
控制器和带隙基准。该引脚也是一个
电压检测输入到内部模拟控制器
（其他的输入到第一控制器是V1的销和
另一个输入到第二控制器的引脚V2 ）。
该输入也可以从辅助供给的电力
源，它也提供电流给负载。
V1 （ 9针） ：
首先输入电源电压。提供电源
第一功率控制器和带隙基准。 V1
是两个电压检测输入端1的第一内部
功率控制器（另一输入到第一内部电源
控制器是V
S
针） 。此输入通常是供给
动力从第一或主电源。该引脚
可以被旁路到地，在所述范围内的电容器
0.1μF至10μF的，如果需要抑制负载瞬变。
G1 （引脚10 ） ：
第一个P沟道MOSFET电源开关门
驱动销。该脚由所述第一电源控制器针对
保持正向调节电压（V
FR
）为25mV的
在V1和V之间
S
销时V1大于V
S
.
当V1小于V
S
， G1的引脚将拉至V
S
针
电压时，关断第一P-沟道功率开关。
4416fa
QQ：2881677436 复制
