【LTC1255双路24V高侧MOSFET驱动器特点sssssssssDESCRIPTIO全面提升N沟】,IC型号LTC1255CS8,LTC1255CS8 PDF资料,LTC1255CS8经销商,ic,电子元器件-51电子网

LTC1255

双路24V高侧

MOSFET驱动器

特点

DESCRIPTIO

全面提升N沟道功率MOSFET

12μA待机电流

工作电源电压范围9V至24V

短路保护

轻松保护电源瞬态

控制开关接通和断开时间

无需外部电荷泵元件

兼容标准逻辑系列

采用8引脚SOIC

该LTC1255双高边驱动器允许使用低

成本N型沟道FET用于高侧的工业和自动

动力切换应用。内部电荷泵

增强的栅极驱动电压的正供电轨之上，

充分提高N沟道MOS开关与无

的外部元件。低功耗工作，具有12μA

待机电流，允许使用在几乎所有与系统

最高的效率。

包含在芯片上是独立的过电流检测

以提供在发生短路的自动关机功能。

时间延迟可被添加到当前感

防止在高浪涌电流负载误触发。

该LTC1255从9V工作至24V电源供电，

非常适合工业和汽车应用。

该LTC1255是两个8引脚DIP和可用

8引脚SOIC封装。

APPLICATI

螺线管驱动器

DC电机驱动器

步进电机驱动器

灯驱动器/调光器

继电器驱动器

低频率的H桥

P沟道开关更换

典型APPLICATI

双路24V高侧开关，具有过电流保护

24V

0.036

10F

DS1

IRLR024

12V

DS2

IRLR024

12V

G1 G2 LTC1255

IN1

GND

IN2

0.036

电源电流（ μA ）

24V/0.5A

电磁阀

从

1N4001

等等

从

等等

1N4001

24V/0.5A

电磁阀

LTC1255 TA01

待机电源电流

电源电压（ V）

IN1

= V

IN2

= 0V

= 25°C

LTC1255 TA02

LTC1255

绝对

AXI ü

RATI GS

工作温度范围

LTC1255C ............................................... 0 ° C至70℃

LTC1255I ........................................... - 40 ° C至85 ℃，

存储温度范围................ - 65℃ 150℃

引线温度（焊接， 10秒） ................. 300℃

电源电压......................................... - 0.3V至30V

瞬态电压（ < 10ms）的......................... 40V

输入电压..................... （V

+ 0.3V ）至（ GND - 0.3V ）

栅极电压...................... （V

+ 20V ）至（ GND - 0.3V ）

电流（任何引脚） ............................................. .... 50毫安

PACKAGE / ORDER我FOR ATIO

顶视图

DS1 1

GATE 1 2

GND 3

IN1 4

DS2

门2

IN2

订购部件

数

DS1 1

LTC1255CN8

LTC1255IN8

N8包装

8引脚塑料DIP

JMAX

= 100°C,

= 130 ° C / W

电气特性

符号

参数

静态电流关

= 9V至24V ，T

= 25 ℃，除非另有说明。

民

典型值

160

350

600

条件

= 10V, V

= 0V （注1）

= 18V, V

= 0V （注1）

= 24V, V

= 0V （注1）

= 10V, V

门

= 22V, V

= 5V （注2）

= 18V, V

门

= 30V, V

= 5V （注2）

= 24V, V

门

= 36V, V

= 5V （注2）

静态电流

INH

INL

SEN

门

– V

门

输入高电压

输入低电压

输入电流

输入电容

漏检测门限电压

漏检测输入电流

门电压高于电源

门输出驱动电流

≤

SEN

≤

= 9V

= 18V, V

门

= 30V

= 24V, V

门

= 36V

W W

顶视图

DS2

门2

IN2

订购部件

数

LTC1255CS8

LTC1255IS8

S8最热

1255

1255I

GATE 1 2

GND 3

IN1 4

S8包装

8引脚塑料SOIC

JMAX

= 100°C,

= 150 ° C / W

最大

400

800

1200

0.8

±1

单位

7.5

100

10.5

120

125

±0.1

LTC1255

电气特性

符号

参数

开启时间

= 9V至24V ，T

= 25 ℃，除非另有说明。

民

典型值

100

250

120

250

180

最大

300

750

400

750

500

单位

条件

= 10V ，C

门

= 1000pF的（注3）

时间V

门

＆ GT ; V

+ 2V

时间V

门

＆ GT ; V

+ 5V

= 18V ，C

门

= 1000pF的（注3）

时间V

门

＆ GT ; V

+ 5V

时间V

门

＆ GT ; V

+ 10V

= 24V ，C

门

= 1000pF的（注3）

时间V

门

＆ GT ; V

+ 10V

= 10V ，C

门

= 1000pF的，（注3,4）

= 18V ，C

门

= 1000pF的，（注3,4）

= 24V ，C

门

= 1000pF的，（注3,4）

= 10V ，C

门

= 1000pF的，（注3,4）

= 18V ，C

门

= 1000pF的，（注3,4）

= 24V ，C

门

= 1000pF的，（注3,4）

关闭

打开-O FF时间

短路关断时间

该

表示该指标适合整个工作

温度范围。

注1 ：

静态电流关是两个通道在关闭状态。

注2 ：

静态电流对每个驱动器和独立地测量。

栅极电压被钳位到12V导轨上面，以模拟的效果

保护夹子穿过栅极 - 源极电源的连接

MOSFET。

注3 ：

齐纳二极管钳位必须通过栅极 - 源极被连接

功率MOSFET限制的V

。 1N5242A （通孔）或

MMBZ5242A （表面贴装） 12V齐纳二极管建议。所有

导通和关断测试，用一个12V齐纳二极管钳位在执行

编了一个小信号二极管连接的V之间

与门

输出模拟12V的保护齐纳二极管钳位连接的影响

穿过栅极 - 源极功率MOSFET 。

注4 ：

时间V

门

下降到低于1V 。

典型PERFOR一个CE特征

待机电源电流

IN1

= V

IN2

= 0V

= 25°C

电源电流（mA ）

电源电流（ μA ）

电源电压（ V）

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

电源电压（ V）

门

– V

(V)

ü W

LTC1255 TPC01

每个驱动器电源电流（ ON）

2.0

1.8

1.6

1.4

一个输入= 0N

其他输入= OFF

= 25°C

门电压高于电源

钳

= 12V

电源电压（ V）

LTC1255 TPC02

LTC1255 TPC03

LTC1255

典型PERFOR一个CE特征

输入阈值电压

2.4

125

排水采样阈值电压（ V）

2.2

输入门限电压（ V）

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

电源电压（ V）

关闭

110

105

100

电源电压（ V）

GATE钳位电流（ μA ）

2.0

开启时间

1000

900

800

关断时间（微秒）

门

= 1000pF的

= 25°C

关断时间（微秒）

开启时间（μs ）

700

600

500

400

300

200

100

电源电压（ V）

= 2V

= 5V

待机电源电流

待机电流（ μA ）

–50

–25

= 18V

= 24V

= 10V

电源电流（mA ）

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

100

–50

= 18V

= 10V

–25

温度（℃）

100

= 24V

输入门限电压（ V）

温度（℃）

ü W

LTC1255 TPC04

漏检测门限电压

= 25°C

120

115

门钳形电流

电源电压（ V）

钳

= 12V

= 25°C

LTC1255 TPC05

LTC1255 TA06

打开-O FF时间

电源电压（ V）

门

= 1000pF的

时间V

门

＆ LT ; 1V

短路关断延迟时间

门

= 1000pF的

时间V

门

＆ LT ; 1V

电源电压（ V）

LTC1255 TA07

LTC1255 TA08

LTC1255 TA09

每通道电源电流（ON ）

2.0

1.8

2.4

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

输入阈值

= 10V

= 24V

0.4

–50

–25

温度（℃）

100

LTC1255 TA10

LTC1255 TA11

LTC1255 TA12

LTC1255

PI FU CTIO S

输入引脚

该LTC1255的输入引脚为高电平有效，并激活所有

切换时的保护和电荷泵电路

ON 。该LTC1255逻辑和关断输入高

阻抗CMOS门电路与ESD保护二极管

接地和电源，因此，不应该被强迫

超出电源轨。在输入端子上连接

电源的应用过程中保持低电平正确设置

输入锁存器。

栅极驱动引脚

栅极驱动销要么驱动到地时

开关关断时或电源轨上述从动

当开关被接通。该引脚是相对

当钢轨以上驱动为高阻抗（在等价

借几百千欧的）。应注意，以

最大限度地减少寄生电阻负载时这个引脚

到地或电源。

电源引脚

该LTC1255的电源引脚提供两个重要陈建

构成。第一是明显;它的权力输入，门

驱动器，调节和保护电路。第二个

目的是不太明显;它提供了Kelvin连接

到漏电感测电阻器的顶部，所述内部

100mV的参考。

的LTC1255设计为连续通电

从而使MOSFET的栅极驱动为有效状态，在所有

次。如果有必要从切断电源

电源引脚，然后重新应用它，输入引脚应

循环（从低到高）几毫秒

后

电源

被重新应用到复位输入锁存器和保护

电路。另外，输入引脚应该从分离

通过10K电阻控制逻辑，如果有可能

该输入引脚将保持较高的供给有后

被删除。

漏感脚

漏感引脚进行比较的电源引脚

电压。如果在这个引脚上的电压超过100mV的

下面的电源引脚，输入锁存器将被复位，

MOSFET栅极将被迅速排出。周期

输入到锁存器复位的短路，并打开MOSFET的

重新打开。

该引脚还具有防静电高阻抗CMOS门

保护，因此，不应该被外界强制

的电源轨。打败过流

保护，短路漏电检测引脚的电源引脚。

某些负荷，如大量供应电容器，灯或

电机需要高浪涌电流。 RC时间延迟

可以感测电阻器和漏极之间加

SENSE引脚，以保证排水检测电路不

在启动过程中没有错误触发。这个时间常数

从几微秒设定为多少秒。

然而，很长的延迟可能使MOSFET处于危险之中

由短路条件被破坏（见

应用信息部分）。

该LTC1255的电源引脚不应该被强迫

地面以下，因为这可能会导致永久性损坏

到设备。

一个100Ω的电阻应插

系列接地引脚，如果负电源电压

瞬变预期。

单操作

该LTC1255是双24V MOSFET驱动器，带内置

保护和栅极电荷泵。该LTC1255包括

：下面的功能块的

TTL和CMOS兼容输入和锁存器

的LTC1255输入已经被设计为accommo-

日期范围广逻辑系列。两个输入阈值

孩子被设定为大约1.3V ，大约为100mV的

滞后。低待机电流稳压器提供

连续偏压为TTL至CMOS转换器。

输入/保护锁后，应进行初始设置

电时，或者功率的再施用后，通过循环

输入从低到高。