LTC1163/LTC1165
三重1.8V至6V高端
MOSFET驱动器
特点
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
DESCRIPTIO
工作在1.8V至6V
0.01μA待机电流
每通道95μA工作电流在3.3V
全面提升N沟道开关
无需外部电荷泵元件
内置栅极电压钳位
轻松保护电源瞬态
控制开关接通和断开时间
兼容5V ， 3V和子3V逻辑系列
采用8引脚SOIC
该LTC1163 / LTC1165三低电压MOSFET驱动器
使得能够切换电源或接地参考的
通过廉价的，低R负荷
DS （ ON）
N沟道开关
从低至1.8V电源。该LTC1165已反转
输入和能够直接代替P型沟道
MOSFET开关，同时保持系统驱动器polar-
性。该LTC1163具有同相输入端。
微功耗运行，具有0.01μA待机电流和
95μA的工作电流，再加上电源
1.8V至6V的范围内，使LTC1163 / LTC1165理想
适合2 4节电池供电的应用。该
LTC1163 / LTC1165也非常适合用于子3V， 3.3V
和标称5V电源应用。
该LTC1163 / LTC1165的内部充电泵提振
栅极电压8V高于3.3V电压轨，全面提升经济价廉
西伯的N-通道高或低侧开关的应用。
该LTC1163 / LTC1165在两个8引脚DIP
和8引脚SOIC封装。
APPLICATI
s
s
s
s
s
s
s
s
S
PCMCIA卡3.3V / 5V开关
2节高端负载开关
升压型稳压器关机零待机电流
更换P沟道开关
笔记本电脑电源管理
掌上电脑电源管理
便携式医疗设备
混合3.3V和5V电源开关
典型APPLICATI
（ 1.8V到3V ）
2节三高边开关
18
+
2-CELL
电池
PACK
+
10F
16
GATE输出电压（ V）
RFD14N05LSM
RFD14N05LSM
RFD14N05LSM
14
12
10
8
6
4
2
IN1
控制
逻辑
OR
P
V
S
OUT1
IN2 LTC1163 OUT2
LTC1165
IN3
OUT3
GND
2-CELL
负载
2-CELL
负载
2-CELL
负载
LTC1163 HAS同相输入端
LTC1165 HAS反相输入
LTC1163 / 65 TA01
0
0
1
2
3
4
电源电压（ V）
5
6
U
MOSFET开关栅极电压
LTC1163 / 65 TA02
UO
UO
1
LTC1163/LTC1165
绝对
AXI ü
RATI GS
工作温度范围
LTC1163C / LTC1165C ........................... 0 ° C至70℃
存储温度范围................ - 65℃ 150℃
引线温度（焊接， 10秒） ................. 300℃
电源电压................................................ ......... 7V
任何输入电压.......................... 7V至（ GND - 0.3V ）
任何输出电压....................... 20V至（ GND - 0.3V ）
电流（任何引脚） ............................................. .... 50毫安
PACKAGE / ORDER我FOR ATIO
顶视图
IN1 1
IN2 2
IN3 3
GND 4
8
7
6
5
V
S
OUT1
OUT2
OUT3
订购部件
数
LTC1163CN8
LTC1165CN8
N8包装
8引脚塑料DIP
T
JMAX
= 100°C,
θ
JA
= 130 ° C / W
电气特性
符号
I
Q
参数
静态电流关
条件
V
S
= 1.8V至6V ，T
A
= 25 ℃，除非另有说明。
LTC1163C/LTC1165C
民
典型值
最大
0.01
0.01
0.01
60
95
180
q
q
q
q
V
S
= 1.8V, V
IN1
= V
IN2
= V
IN3
= V
关闭
（注1,2 ）
V
S
= 3.3V, V
IN1
= V
IN2
= V
IN3
= V
关闭
（注1,2 ）
V
S
= 5V, V
IN1
= V
IN2
= V
IN3
= V
关闭
（注1,2 ）
V
S
= 1.8V, V
IN
= V
ON
（注2,3 ）
V
S
= 3.3V, V
IN
= V
ON
（注2,3 ）
V
S
= 5V, V
IN
= V
ON
（注2,3 ）
1.8V ＆ LT ; V
S
＆ LT ; 2.7V
2.7V < V
S
＆ LT ; 6V
1.8V ＆ LT ; V
S
＆ LT ; 6V
0V
≤
V
IN
≤
V
S
V
S
= 1.8V, V
IN
= V
ON
（注2 ）
V
S
= 2V, V
IN
= V
ON
（注2 ）
V
S
= 2.2V, V
IN
= V
ON
（注2 ）
V
S
= 3.3V, V
IN
= V
ON
（注2 ）
V
S
= 5V, V
IN
= V
ON
（注2 ）
V
S
= 3.3V ，C
门
= 1000pF的
时间V
门
＆ GT ; V
S
+ 1V
时间V
门
＆ GT ; V
S
+ 2V
V
S
= 5V ，C
门
= 1000pF的
时间V
门
＆ GT ; V
S
+ 1V
时间V
门
＆ GT ; V
S
+ 2V
80%
×
V
S
70%
×
V
S
静态电流
V
INH
V
INL
I
IN
C
IN
V
门
– V
S
输入高电压
输入低电压
输入电流
输入电容
门电压高于电源
t
ON
开启时间
2
U
U
W
W W
U
W
顶视图
IN1 1
IN2 2
IN3 3
GND 4
8 V
S
7 OUT1
6 OUT2
5 OUT3
订购部件
数
LTC1163CS8
LTC1165CS8
S8最热
1163
1165
S8包装
8引脚塑料SOIC
T
JMAX
= 100°C,
θ
JA
= 150 ° C / W
单位
A
A
A
A
A
A
V
V
1
1
1
120
200
400
15%
×
V
S
±1
5
3.5
4.0
4.5
6.0
5.0
40
60
30
40
4.1
4.6
5.2
8.0
9.0
120
180
95
130
6.0
7.0
8.0
9.5
13.0
400
600
300
400
V
A
pF
V
V
V
V
V
s
s
s
s
q
q
q
q
q
LTC1163/LTC1165
典型PERFOR一个CE特征
待机电源电流
5
4
电源电流（ μA ）
栅极驱动电流（ μA ）
3
2
1
0
–1
电源电流（ μA ）
0
10
50
20
30
40
温度（℃）
LTC1163 / 65 TPC07
PI FU CTIO S
输入引脚
该LTC1163是同相;即， MOSFET的栅极是
上面的电源来驱动，当输入引脚为高电平。
该LTC1165是反相驱动器和MOSFET栅极高
当输入引脚保持低电平。的反相输入端
LTC1165允许P沟道开关由被替换
较低的电阻/低成本的N沟道开关，同时可维护性
荷兰国际集团系统驱动器的极性。
该LTC1163 / LTC1165逻辑输入为高阻抗
CMOS门电路与ESD保护二极管接地，
因此，不应该强迫地下。输入
但是，可以在电源轨如上述被驱动
有连接的输入端之间无钳位二极管
引脚和电源引脚。这有利于在混业经营
5V / 3V系统。
输出引脚
输出引脚驱动或者接地开关时，
被关断或电源轨上方驱动时
开关导通。的输出被钳位到大约14V
地上由一个内置的齐纳钳位电路。该引脚具有
当钢轨以上从动相对高的阻抗（在
几百kΩ的等效） 。应注意，以
由寄生电阻减少这种针的任何负载
接地或电源。
电源引脚
一个150Ω的电阻应串联接入的
接地引脚或电源引脚，如果负电源电压的转录
sients预期。这将限制流过的电流
从电源到LTC1163 / LTC1165到几十
在电池反向条件毫安。
单操作
该LTC1163 / LTC1165是三微MOSFET
在1.8V至6V电源设计用于驱动
的范围内，并且包括以下功能块：
3V逻辑兼容输入
的LTC1163 / LTC1165输入已经被设计为
适应广泛的3V和5V逻辑系列。
4
ü W
60
70
每个司机电源电流
300
250
MOSFET栅极驱动电流
1000
T
A
= 25°C
100
V
S
= 5V
10
V
S
= 3.3V
1
V
S
= 1.8V
V
S
= 2.2V
10
200
V
S
= 5V
150
100
50
0
V
S
= 3.3V
V
S
= 1.8V
0
10
20
30
40
50
温度（℃）
60
70
0.1
0
2
4
6
8
栅极电压高于电源（V ）
LTC1163 / 65 TPC08
LTC1163 / 65 TPC09
U
U
U
U
输入阈值电压被设定在的大致50％的
电源电压和大约200mV的输入的hyster-
提供物质信息，以确保干净的切换。
输入使所有下面的电路块组成：
偏压发生器，高频振荡器和栅
电荷泵。因此，当输入断开时，所述
整个电路关断，电源电流下降
1μA以下。
LTC1163/LTC1165
单操作
门电荷泵
栅极驱动功率MOSFET由生产
内部的电荷泵电路，它产生一个栅极电压
年龄比电源电压高得多。
电荷泵电容器是包含在芯片和
因此，没有外部元件来产生
栅极驱动。
BLOCK DIAGRA
应用S我FOR ATIO
逻辑电平MOSFET开关
该LTC1163 / LTC1165的设计与操作
逻辑电平的N沟道MOSFET开关。虽然有
是制造商之间的一些差异，逻辑电平
MOSFET开关通常是额定与V
GS
= 4V与
最大连续V
GS
评级
±10V.
R
DS （ ON）
和
最大V
DS
收视率是类似于标准的MOSFET
而且一般的小的价格差。逻辑电平
MOSFET是经常指定由一个“L” ，并
通常是在表面贴装封装。一些
逻辑电平MOSFET的额定与V
GS
最多
±15V
和
可以在要求工作在使用
整个1.8V至6V之间。
供电大容性负载
在电池供电的便携式分析装备电气分系统
换货通常绕过使用大滤波电容
减少供应瞬态和电源引起的毛刺。如果
然而，无法正常供电时，这些电容可以
自己成为供应毛刺的来源。
U
W
W
U U
U
控制门上升和下降时间
当输入切换到ON和OFF时，在栅极是
由内部电荷泵充电和放电
控制的方式。的充电和放电速率具有
被设定为减小RFI和EMI辐射。
（ 1频道）
LTC1165
高
频率
振荡器
收费
泵
门
LTC1163
输入
BIAS
发电机
门
放电
逻辑
14V
LTC1163 / 65 BD
例如，如果一个100μF的电容通过一个电
在起动开关， 0.1V / μs的转换速率，目前
起来是：
I
开始
= C （ ΔV / ΔT）
= (100
×
10
– 6
)(1
×
10
5
)
= 10A
显然，这是太多的电流调节器（或
输出电容器）提供和的输出毛刺被作为
高达几伏。
启动电流可以通过LIMIT-大幅减少
荷兰国际集团的压摆率，在一个N沟道的栅极，如图
图1. LTC1163 / LTC1165的栅极驱动输出
通过一个简单的RC网络， R1和C1 ，通过这
大幅减缓MOSFET栅极压摆率
约1.5
×
10
– 4
V / μs的。由于MOSFET导通时
操作作为一个源极跟随器，该转换速率在源
在本质上是相同的栅极，从而降低了
启动电流到大约15毫安这是很容易
5
QQ：2880707522 复制
