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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符L型号页 > 首字符L的型号第792页 > LTC1156CS
LTC1156
四通道高边
微功率MOSFET驱动器
与内部电荷泵
DESCRIPTIO
该LTC1156四路高侧栅极驱动器允许使用低
成本N型沟道FET用于高侧开关应用。
内部电荷泵提升了栅极驱动电压
正供电轨之上，充分增强的N沟道MOS
开关无需外部元件。微操作
化，具有16μA的待机电流和95μA工作
目前，允许使用在几乎所有的最大的系统
EF网络效率。
包括在芯片上是独立的过电流检测到
提供的情况下的短路的自动关机功能。一
时间延迟可被添加到当前读出，以防止
高浪涌电流的负载误触发。
该LTC1156工作掀起了4.5V至18V电源供电，
非常适合电池供电的应用，特别是
当需要微“休眠”操作。
该LTC1156可在16引脚DIP和16引脚
SOL包。
特点
s
s
s
s
s
s
s
s
s
无需外部电荷泵元件
全面提升N沟道功率MOSFET
16微安待机电流
95微安电流ON
宽电源电压范围：4.5V至18V
控制开关接通和断开时间
取代P沟道高边开关
兼容标准逻辑系列
采用16引脚SOL包
APPLICATI
s
s
s
s
s
s
s
S
笔记本电脑电源开关
SCSI终端电源开关
蜂窝电话电源管理
P沟道开关更换
电池充电管理
低频H桥驱动器
步进电机和直流电机控制
典型APPLICATI
5V
笔记本电脑电源管理
100
+
10F
V
S
5V
V
S
DS1
DS2
DS3
DS4
G1
G2
G3
G4
GND GND
0.1F
100k
*30m
电源电流（ μA ）
Si9956DY
硬盘
DRIVE
软盘
DRIVE
LTC1156
IN1
控制
逻辑
OR
P
IN2
IN3
IN4
Si9956DY
显示
外设
显示的所有元件都是贴片。最小元件数
如图所示。电流限制可分别设置，并适用于
个人负载特性。
* IMS026国际制造业SERVICES，INC 。 （ 401 ） 683-9700
1156 TA01
U
UO
UO
待机电源电流
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
V
IN1
= V
IN2
= V
IN3
= V
IN4
= 0V
T
J
= 25°C
5
15
10
电源电压（ V）
20
LTC1156 G01
1
LTC1156
绝对
AXI ü
RATI GS
工作温度范围
LTC1156C ............................................. 0 ° C至70℃
存储温度范围................. - 65℃ 150℃
引线温度（焊接， 10秒） ................. 300℃
电源电压................................................ ....... 22V
输入电压..................... （V
S
+ 0.3V ）至（ GND - 0.3V ）
栅极电压....................... （V
S
+ 24V ）至（ GND - 0.3V ）
电流（任何引脚） ............................................. .... 50毫安
PACKAGE / ORDER我FOR ATIO
顶视图
GND
IN1
V
S
IN2
IN3
GND
IN4
V
S
1
2
3
4
5
6
7
8
16 G1
15 DS1
14 G2
13 DS2
12 DS3
11 G3
10 DS4
9
G4
订购部件
数
LTC1156CN
N包装
16引脚塑料DIP
T
JMAX
= 110°C,
θ
JA
= 120 ° C / W
咨询工厂的工业和军工级配件。
电气特性
符号
V
S
I
Q
I
Q
I
Q
V
INH
V
INL
I
IN
C
IN
V
SEN
I
SEN
参数
电源电压
静态电流关
静态电流
静态电流
输入高电压
输入低电压
输入电流
输入电容
漏检测阈值
电压
漏检测输入电流
（注1 ）
V
S
= 4.5V至18V ，T
A
= 25 ℃，除非另有说明。
民
q
条件
V
S
= 5V, V
IN
= 0V （注2）
V
S
= 5V, V
IN
= 5V （注3）
V
S
= 12V, V
IN
= 5V （注3）
q
q
0V ＆ LT ; V
IN
＆ LT ; V
S
0V ＆ LT ; V
SEN
＆ LT ; V
S
V
S
= 5V
V
S
= 6V
V
S
= 12V
V
S
= 5V ，C
门
= 1000pF的
时间V
门
＆ GT ; V
S
+ 2V
时间V
门
＆ GT ; V
S
+ 5V
V
S
= 12V ，C
门
= 1000pF的
时间V
门
＆ GT ; V
S
+ 5V
时间V
门
＆ GT ; V
S
+ 10V
V
门
– V
S
门电压高于电源
t
ON
开启时间
2
U
U
W
W W
U
W
顶视图
GND 1
2 IN1
V
S
3
IN2 4
IN3 5
GND 6
IN4 7
V
S
8
16 G1
15 DS1
14 G2
13 DS2
12 DS3
11 G3
10 DS4
9
的一揽子
16引脚塑料溶胶
T
JMAX
= 110°C,
θ
JA
= 130 ° C / W
订购部件
数
LTC1156CS
G4
典型值
最大
18
单位
V
A
A
A
V
4.5
16
95
180
2.0
40
125
400
0.8
±1.0
5
V
A
pF
q
q
q
q
q
q
80
75
100
100
120
125
±0.1
mV
mV
A
V
V
V
s
s
s
s
6.0
7.5
15
50
200
50
120
7.0
8.3
18
250
1100
180
450
9.0
15.0
25
750
2000
500
1200
LTC1156
电气特性
符号
t
关闭
参数
打开-O FF时间
V
S
= 4.5V至18V ，T
A
= 25 ℃，除非另有说明。
民
10
10
5
5
典型值
36
26
16
16
最大
60
60
30
30
单位
s
s
s
s
条件
V
S
= 5V ，C
门
= 1000pF的
时间V
门
＆ LT ; 1V
V
S
= 12V ，C
门
= 1000pF的
时间V
门
＆ LT ; 1V
V
S
= 5V ，C
门
= 1000pF的
时间V
门
＆ LT ; 1V
V
S
= 12V ，C
门
= 1000pF的
时间V
门
＆ LT ; 1V
t
SC
短路关断时间
该
q
表示该指标适合整个工作
温度范围。
注1 ：
双方V
S
销（ 3,8 ）必须连接在一起，并且两个
接地引脚（ 1和6）必须被连接在一起。
注2 ：
静态电流关断是在OFF状态的所有通道。
注3 ：
静态电流对每个驱动器和独立地测量。
典型PERFOR一个CE特征
待机电源电流
100
90
80
电源电流（ μA ）
V
IN1
= V
IN2
= V
IN3
= V
IN4
= 0V
T
J
= 25°C
电源电流（ μA ）
70
60
50
40
30
20
10
0
0
5
15
10
电源电压（ V）
20
LTC1156 G01
600
500
400
300
200
100
0
0
5
15
10
电源电压（ V）
20
1156 G02
V
门
– V
S
(V)
待机电源电流
100
90
80
V
IN1
= V
IN2
= V
IN3
= V
IN4
= 0V
1000
900
800
电源电流（ μA ）
70
60
50
40
30
20
10
0
–50
25
V
S
= 5V
50
25
0
75
温度（℃）
100
125
V
S
= 18V
电源电流（ μA ）
500
400
300
200
100
0
–50
25
V
S
= 5V
V
S
= 18V
V
门
(V)
ü W
1156 G04
每通道开启电源电流
1000
900
800
700
一个输入= ON
其他输入= OFF
T
J
= 25°C
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
高边栅极电压
0
5
15
10
电源电压（ V）
20
LTC1156 G03
每通道开启电源电流
30
低侧栅极电压
27
24
21
18
15
12
9
6
3
一个输入= ON
其他输入= OFF
700
600
50
25
0
75
温度（℃）
100
125
0
0
2
6
8
4
电源电压（ V）
10
1158 G06
1156 G05
3
LTC1156
典型PERFOR一个CE特征
开启时间
1000
900
800
开启时间（μs ）
C
门
= 1000pF的
700
600
500
400
300
200
100
0
0
5
15
10
电源电压（ V）
20
1156 G07
关断时间（微秒）
关断时间（微秒）
V
GS
= 5V
V
GS
= 2V
BLOCK DIAGRA
V
S
模拟部分
100mV
参考
低待机
当前
调节器
IN
TTL - TO- CMOS
变流器
GND
单操作
该LTC1156包含四个独立的功率MOSFET
栅极驱动电路和保护电路（参见方框
图中的细节） 。 LTC1156的每个部分由
以下功能块：
4
ü W
类似物
打开-O FF时间
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
5
15
10
电源电压（ V）
20
1156 G08
短路关断延迟时间
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
5
15
10
电源电压（ V）
20
1156 G09
C
门
= 1000pF的
时间V
门
＆ LT ; 1V
C
门
= 1000pF的
时间V
门
＆ LT ; 1V
V
SEN
= V
S
– 1V
NO外用延时
W
漏
SENSE
10s
延迟
COMP
数字
栅极电荷
放电
控制逻辑
R
电压
稳压器
一
镜头
输入
LATCH
S
振荡器
和电荷
泵
快/慢
栅极电荷
逻辑
门
1156 BD
U
TTL和CMOS兼容输入
各驱动器的输入已经被设计成容纳一个
多种逻辑系列。输入阈值设置在
1.3V大约100mV的滞后。
LTC1156
单操作
低待机电流电压调节器提供
连续偏置为TTL和CMOS转换器。该TTL
以CMOS转换器输出使能电路的其余部分。
在这样的功率消耗保持在最低限度
在待机模式。
内部电压调节
中的TTL的在CMOS变换器的输出驱动两个
稳压电源该电源的低电压CMOS
逻辑和模拟模块。该稳压器的输出被隔离
彼此以使由充电产生的噪声
泵逻辑不耦合到100mV的参考值或
模拟比较器。
门电荷泵
栅极驱动功率MOSFET由生产
自适应电荷泵电路，它产生一门
电压比电源基本上更高电压
年龄。电荷泵电容器是包含在芯片和
因此，没有外部元件来产生
栅极驱动。
典型APPLICATI
+
+
4节非常低压降稳压器和负载三
开关具有短路保护和20μA待机电流
5.2V至6V
4节镍镉电池
电池组
47F
V
S
REG开/关
控制
逻辑
故障
UO
U
漏电流检测
的LTC1156被配置为感测的漏极电流
功率MOSFET高侧应用。内部
100mV的基准进行比较，以跨越感降
电阻（典型值为0.002Ω至0.1Ω ）串联在漏极
导致。如果电阻两端的压降超过内部
100mV的阈值时，输入锁存器被复位和栅极是
由大的N沟道晶体管迅速地排出。一
简单的RC网络可被添加到延迟过电流
保护，使大的浪涌电流的负载，如
灯或电容器可以启动。
电源和接地引脚
的LTC1156的两个电源脚（ 3,8 ）必须
在任何时候，两个接地引脚连接在一起（ 1
和图6 ） ，必须在所有时间被连接在一起。
两
电源引脚应连接到该排水管的“顶部”
电流检测电阻/秒，以保证精确检测。
欲了解更多应用程序的信息，请参阅LTC1155
双高端微MOSFET驱动器数据手册。
S
0.1F
100k
V
S
DS1
100k
G1
0.1F
IN1
IN2
IN3
IN4
GND GND
10k
1N4148
8
7
*电容的ESR LESS THAN 0.5Ω
** RCS02 ULTRONIX （303） 242-0810
LTC1156
G2
G3
G4
200pF
DS2
DS3
DS4
**0.03
3.3A MAX
IRLR024
5V/2A
交换的
2
×
Si9956DY
1
3
LT1431
4
5V
负载
5V
负载
5V
负载
+
6
5
*470F
1156 TA02
5
查看更多LTC1156CSPDF信息
推荐型号
L4C381KC26
LTC1592AIG
LT1111-5
LDS8724
LM5111-4MY/NOPB
LF444CMX
LX8117-05CST
L6562ATDTR
LM258DRG3
L64012AJCC
LQM21NNR47K10
LS21BB-3PG
LC875924A
LT1761ES5-2.5
LM2586
LANK505W3
LP83C51RB
LX7202-15ISF
LP2982IM5X-2.8
LST2925-S4-B-FP
供货商
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    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
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    LTC1156CS
    -
    -
    -
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LT
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