LTC1155
双高端
微功率MOSFET驱动器
特点
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
DESCRIPTIO
全面提升N沟道功率MOSFET
8μA待机电流
85μA电流ON
短路保护
宽电源电压范围： 4.5V至18V
控制开关接通和断开时间
无需外部电荷泵元件
取代P沟道高边MOSFET
兼容标准逻辑系列
采用8引脚SO封装
此外，LTC
1155双高侧栅极驱动器允许使用低
成本N型沟道FET用于高侧开关应用。
内部电荷泵提升该位置上方的门
略去轨，充分提高N沟道MOSFET，具有无
的外部元件。微功耗运行，具有8μA
待机电流和85μA的工作电流，允许使用
几乎所有的系统以最高的效率。
包括片上过电流检测，可提供自动
万一短路马蒂奇关机。一时间延迟
在系列中添加与电流感测，以防止假
触发高浪涌负载，如电容器和
白炽灯。
该LTC1155关闭工作在4.5V至18V的输入电源
而安全地驾驶几乎所有的FET的栅极。该
LTC1155非常适合于低电压（电池供电）
应用中，特别是在微功率“睡眠” OP-
关合作是必需的。
该LTC1155是采用8引脚PDIP和8引脚SO可用
包。
， LTC和LT是凌特公司的注册商标。
APPLICATI
s
s
s
s
s
s
s
S
笔记本电脑电源总线开关
SCSI终端电源开关
蜂窝电话电源管理
P沟道开关更换
继电器和螺线管驱动器
低频半H桥
电机速度和转矩控制
典型APPLICATI
笔记本电脑电源总线开关具有短路保护
V
S
= 4.5V至5.5V
R
SEN
0.02
R
DLY
100k
C
DLY
0.1F
+
10F
C
DLY
0.1F
R
DLY
100k
R
SEN
0.02
DS1
*IRLR034
5A
最大
TTL ， CMOS输入
动力公交车
V
S
DS2
*IRLR034
5A
最大
TTL ， CMOS输入
电压降（V）的
G1
LTC1155
G2
IN1
GND
IN2
P
系统
GND
DISK
DRIVE
显示
打印机
等等
*表面贴装
1155 TA01
U
开关管的电压降
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
0
1
2
输出电流（A ）
3
1155 TA02
UO
UO
1
LTC1155
绝对
AXI ü
RATI GS
U
W W
U
W
（注1 ）
电源电压................................................ ........ 22V
输入电压...................... （V
S
+ 0.3V ）至（ GND - 0.3V ）
栅极电压......................... （V
S
+ 24V ）至（ GND - 0.3V ）
电流（任何引脚） ............................................. ..... 50毫安
存储温度范围................. - 65℃ 150℃
工作温度范围
LTC1155C ................................................ 0 ° C至70℃
LTC1155I ........................................... - 40 ° C至85 ℃，
LTC1155M ........................................ - 55 ° C至125°C
铅温度范围（焊接， 10秒） ...... 300℃
PACKAGE / ORDER我FOR ATIO
顶视图
DS1 1
G1 2
GND 3
IN1 4
J8套餐
8引脚CERDIP
8 DS2
7 G2
6 V
S
5 IN2
N8包装
8引脚PDIP
订购部件
数
DS1 1
LTC1155CN8
LTC1155CJ8
LTC1155IN8
LTC1155MJ8
T
JMAX
= 150°C,
θ
JA
= 100 ℃/ W（ J8 ）
T
JMAX
= 100°C,
θ
JA
= 130 ℃/ W（ N8 ）
电气特性
该
q
表示该应用在整个工作温度范围内的特定连接的阳离子，另有规定的阳离子是在T
A
= 25°C.
V
S
= 4.5V至18V ，除非另有说明。
符号
V
S
I
Q
参数
电源电压
静态电流关
静态电流
静态电流
V
INH
V
INL
I
IN
C
IN
V
SEN
I
SEN
V
门
-V
S
输入高电压
输入低电压
输入电流
输入电容
漏检测门限电压
q
条件
q
V
IN
= 0V, V
S
= 5V （注2）
V
S
= 5V, V
IN
= 5V （注3）
V
S
= 12V, V
IN
= 5V （注3）
q
q
0V ＆ LT ; V
IN
＆ LT ; V
S
漏检测输入电流
门电压高于电源
0V ＆ LT ; V
SEN
＆ LT ; V
S
V
S
= 5V
V
S
= 6V
V
S
= 12V
V
S
= 5V ，C
门
= 1000pF的
时间V
门
＆ GT ; V
S
+ 2V
时间V
门
＆ GT ; V
S
+ 5V
V
S
= 12V ，C
门
= 1000pF的
时间V
门
＆ GT ; V
S
+ 5V
时间V
门
＆ GT ; V
S
+ 10V
q
q
q
t
ON
启动时间
2
U
顶视图
8
7
6
5
DS2
G2
V
S
IN2
W
订购部件
数
LTC1155CS8
LTC1155IS8
S8最热
1155
1155I
G1 2
GND 3
IN1 4
S8包装
8引脚塑料SO
T
JMAX
= 100°C,
θ
JA
= 150 ° C / W
LTC1155M
民
典型值
最大
4.5
8
85
180
2.0
0.8
±1.0
5
80
75
6.0
7.5
15
50
200
50
120
100
100
6.8
8.5
18
250
1100
180
450
120
125
±0.1
9.0
15
25
750
2000
500
1200
18
20
120
400
LTC1155C/LTC1155I
民
典型值
最大
4.5
8
85
180
2.0
0.8
±1.0
5
80
75
6.0
7.5
15
50
200
50
120
100
100
6.8
8.5
18
250
1100
180
450
120
125
±0.1
9.0
15
25
750
2000
500
1200
18
20
120
400
单位
V
A
A
A
V
V
A
pF
mV
mV
A
V
V
V
s
s
s
s
q
LTC1155
电气特性
该
q
表示该应用在整个工作温度范围内的特定连接的阳离子，另有规定的阳离子是在T
A
= 25°C.
V
S
= 4.5V至18V ，除非另有说明。
符号
t
关闭
参数
关闭时间
条件
V
S
= 5V ，C
门
= 1000pF的
时间V
门
＆ LT ; 1V
V
S
= 12V ，C
门
= 1000pF的
时间V
门
＆ LT ; 1V
t
SC
短路关闭时间
V
S
= 5V ，C
门
= 1000pF的
时间V
门
＆ LT ; 1V
V
S
= 12V ，C
门
= 1000pF的
时间V
门
＆ LT ; 1V
注1 ：
绝对最大额定值是那些价值超过其使用寿命
的装置的可能损害。
LTC1155M
民
典型值
最大
10
10
5
5
36
26
16
16
60
60
30
30
LTC1155C/LTC1155I
民
典型值
最大
10
10
5
5
36
26
16
16
60
60
30
30
单位
s
s
s
s
注2 ：
静态电流关是两个通道在关闭状态。
注3 ：
静态电流对每个驱动器和独立地测量。
典型PERFOR一个CE特征
待机电源电流
50
45
40
电源电流（
A)
电源电流（
A)
V
IN1
= V
IN2
= 0V
T
J
= 25°C
35
30
25
20
15
10
5
0
0
15
5
10
电源电压（ V）
20
1155 G01
600
500
400
300
200
100
0
0
15
5
10
电源电压（ V）
20
1155 G02
V
门
– V
S
(V)
输入阈值电压
2.4
2.2
输入门限电压（ V）
排水采样阈值电压（ V）
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0
15
5
10
电源电压（ V）
20
1155 G04
V
ON
V
关闭
100
90
80
70
60
50
0
15
5
10
电源电压（ V）
20
1155 G05
V
门
(V)
ü W
电源电流/侧（ ）
1000
900
800
700
V
IN1
或V
IN2
= 2V
T
J
= 25°C
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
高边栅极电压
0
15
5
10
电源电压（ V）
20
1155 TPC03
漏检测门限电压
150
140
130
120
110
30
27
24
21
18
15
12
9
6
3
0
低侧栅极电压
0
2
8
6
4
电源电压（ V）
10
1155 G06
3
QQ：2881677436 复制
