LTC1154
高端微
MOSFET驱动器
特点
s
s
s
s
s
s
s
s
s
DESCRIPTIO
全面提升N沟道功率MOSFET
我8μA
Q
待机电流
85μA我
Q
在当前
无需外部电荷泵电容
4.5V至18V电源电压范围
短路保护
通过PTC热敏电阻热关断
状态输出指示关闭
采用8引脚SOIC
该LTC1154单高侧栅极驱动器允许使用低
成本N型沟道FET用于高侧开关的应用程序。
内部电荷泵提升了栅极驱动电压
正供电轨之上,充分增强的N沟道MOS
开关无需外部元件。微操作
化,有8μA待机电流85μA和操作电流
租金,允许使用在几乎所有的最大的系统
EF网络效率。
包括在芯片上是可编程的过电流检测。
时间延迟可以被添加,以防止误触发上
高的浪涌电流的负载。高电平有效关断输入
还提供了与直接接口到一个标准的PTC
热敏电阻的热关断。漏极开路输出
提供这份报告的开关状态
P.
低电平有效
使能输入被提供以控制多个开关
银行。
该LTC1154是采用8引脚DIP和8引脚SOIC封装
包。
APPLICATI
s
s
s
s
s
s
S
笔记本电脑电源开关
SCSI终端电源开关
蜂窝电话电源管理
电池充电管理
高端工业和汽车交换
步进电机和直流电机控制
典型APPLICATI
超低压降高边开关
与短路保护
5V
51k
IN
P
EN
LTC1154
状态
GND
G
SD
IRLR024
V
S
200k**
DS
电源电流( μA )
50
0.036*
0.1F**
2.7A MAX
45
40
35
30
25
20
15
10
5
5V
负载
显示的所有元件都是贴片。
* IMS026国际制造业SERVICE , INC 。 ( 401 ) 683-9700
**则无需再次负载电阻或电感。
LTC1154 TA01
0
0
5
10
15
电源电压( V)
20
LTC1153 TA02
U
待机电源电流
V
IN
= 0V
T
J
= 25°C
UO
UO
1
LTC1154
绝对
AXI ü
RATI GS
电流(任何引脚) ............................................. ..... 50毫安
工作温度
LTC1154C .............................................. 0 ℃,至70℃
存储温度范围................. - 65℃ 150℃
引线温度(焊接, 10秒) ................ 300℃
电源电压................................................ ........ 22V
输入电压..................... (V
S
+ 0.3V )至( GND - 0.3V )
使能输入电压.......... (V
S
+ 0.3V )至( GND - 0.3V )
栅极电压....................... (V
S
+ 24V )至( GND - 0.3V )
状态输出电压15V ..............................................
PACKAGE / ORDER我FOR ATIO
顶视图
IN 1
启用2
状态3
GND 4
8
7
6
5
V
S
漏感
门
关闭
订购部件
数
LTC1154CN8
N8包装
8引脚塑料DIP
LTC1154 PO01
T
JMAX
= 100°C,
θ
JA
= 130 ℃/ W( N8 )
电气特性
V
S
= 4.5V至18V ,T
A
= 25 ° C,V
EN
= 0V, V
SD
= 0V ,除非另有说明。
符号
V
S
I
Q
I
Q
I
Q
V
INH
V
INL
I
IN
C
IN
V
ENH
V
ENL
I
EN
V
SDH
V
SDL
I
SD
V
SEN
I
SEN
参数
电源电压
静态电流关
静态电流
静态电流
输入高电压
输入低电压
输入电流
输入电容
使能输入高电压
使能输入低电压
使能输入电流
关断输入高电压
关断输入低电压
关断输入电流
漏检测门限电压
q
q
q
条件
q
V
S
= 5V, V
IN
= 0V
V
S
= 5V, V
IN
= 5V
V
S
= 12V, V
IN
= 5V
q
q
0V & LT ; V
IN
& LT ; V
S
0V & LT ; V
IN
& LT ; V
S
0V & LT ; V
IN
& LT ; V
S
漏检测输入电流
0V & LT ; V
SEN
& LT ; V
S
2
U
U
W
W W
U
W
顶视图
IN 1
启用2
状态3
GND 4
8
7
6
5
V
S
漏感
门
关闭
订购部件
数
LTC1154CS8
S8包装
8引脚塑料SOIC
LTC1154 PO02
S8最热
1154
T
JMAX
= 100°C,
θ
JA
= 150 ° C / W
民
4.5
LTC1154C
典型值
8
85
180
最大
18.0
20
120
400
0.8
±1
单位
V
A
A
A
V
V
A
pF
V
2
q
5
3.5
2.6
1.0
2
0.8
±1
80
75
100
100
120
125
±0.1
0.6
±1
V
A
V
V
A
mV
mV
A
q
q
q
q
q
LTC1154
典型PERFOR一个CE特征
关断阈值电压
2.4
关断阈值电压( V)
启用阈值电压(V )
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.O
0.8
0.6
0.4
–50 –25
50
25
0
75
温度(℃)
100
125
V
S
= 5V
V
S
= 18V
栅极驱动电流( μA )
PI FU CTIO S
输入和关断引脚
该LTC1154的输入引脚为高电平有效,并激活所有的
保护和电荷泵电路,当接通电源。
关断引脚的目的是立即停用
如果二次故障状态切换(过温,
等)被检测到。该LTC1154的逻辑和关断输入
是高阻抗CMOS门电路具有ESD保护
二极管到地和电源,因此,不应该
强行超越电源轨。关断引脚
应连接到地在不使用时。
使能输入引脚
ENABLE输入可以用来使若干
LTC1154高压侧开关中的银行,或提供一
控制的辅助手段。它也可以作为一个反相
输入。使能输入为高阻抗CMOS门
与ESD钳位二极管到地,供应和there-
前不应该被强迫超出电源轨。
该引脚应接地不使用时。
栅极驱动引脚
栅极驱动销要么驱动到地时
开关关断时或电源轨时上述驱动
开关导通。该引脚是一个比较高的
当所述导轨(一个相当于上述驱动阻抗
几百千欧) 。应当小心,以尽量减少任何
装载该引脚的寄生电阻接地或
供应量。
电源引脚
该LTC1154的电源引脚提供两个重要的目的。
首先是显而易见的:它的权力输入,栅极驱动,稳压
LATION和保护电路。第二个目的是少
显而易见的:它提供了一个开尔文连接的顶部
漏检测电阻的内部100mV的参考。
的LTC1154被设计成连续地供电,因此
该MOSFET的栅极驱动为有效状态在任何时候。
如果有必要从供给针移除功率和
然后重新应用它,输入引脚(或使能引脚)应
循环几毫秒
后
电源被重新应用到
复位输入锁存器和保护电路。此外,该
输入使能引脚应隔离用10k电阻
限制通过ESD保护由于目前FL
二极管的电源引脚。
ü W
LTC1154 TPC13
启用阈值电压
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
–50 –25
启用
50
25
0
75
温度(℃)
100
125
0.1
栅极驱动电流
1000
T
A
= 25°C
100
V
S
= 18V
V
S
= 12V
10
V
S
= 12V
关闭
1
V
S
= 5V
0
4
8
12
16
栅极电压高于电源(V )
20
LTC1154 TPC14
LTC1154 TPC15
U
U
U
该LTC1154的电源引脚不应该被强迫
地面以下,因为这可能会导致永久性的损坏
该设备。
一个300Ω的电阻应串联插入
与地面的脚,如果负电源电压瞬变
预计。
5