LT4351
MOSFET二极管或控制器
特点
s
s
DESCRIPTIO
s
s
s
s
s
s
s
低损耗替代的ORing二极管在多
采购电源
外部N沟道MOSFET的大电流
能力
内部升压型稳压电源的MOSFET
栅极驱动器
宽输入范围： 1.2V至18V
快速开关MOSFET栅极控制
在输入和过压检测
状态和故障输出进行监控
内置MOSFET栅极钳位
采用10引脚MSOP封装
该LT4351创建使用外部一个接近理想的二极管
单或背到背N沟道MOSFET 。这种理想
二极管功能允许多个电源的低损耗的ORing
源。电源可以很容易地一起向相或
增加总系统功耗和可靠性以最小
在电源电压或效率的影响。不同的电源
电源可以有效地进行或运算。
该IC可以监视输入电源相对于所述负载
并接通MOSFET （多个） ，当输入电源是
高。如果MOSFET的
DS （ ON）
足够小，则
LT4351将调节MOSFET两端（S）以所述电压
15mV的。一个状态引脚指示状态的MOSFET。
一个内部升压调节器产生的MOSFET栅极
驱动电压。低工作电压允许的或运算
耗材低至1.2V 。
该LT4351将在欠压关闭电源通道
年龄或过压条件。这些电压是由设置
电阻分压器上的UV和OV引脚。欠压
阈值具有用户可编程迟滞。过压
年龄检测被过滤，以减少错误触发。
该LT4351可在一个10引脚MSOP封装。
应用S
s
s
s
s
并联电源
不间断供应
高可用性系统
N + 1冗余电源
， LTC和LT是凌特公司的注册商标。
典型应用
5V双路冗余电源
Si4862DY
5V
10F
动力
供应
1
1F
MBR0530
SW
4.7H
UV
状态
故障
OV
1.47k
1%
GND
状态
故障
GND
OV
1.47k
1%
4351 TA01
Si4862DY
5V COMMON
10F
动力
供应
2
门
V
IN
V
DD
1F
MBR0530
SW
UV
4.7H
5V
C
负载
R
负载
V
IN
V
DD
门
OUT
OUT
24.9k
1%
232
1%
LT4351
LT4351
U
24.9k
1%
232
1%
sn4351 4351fs
U
U
1
LT4351
绝对
（注1 ）
AXI ü
RATI GS
PACKAGE / ORDER我FOR ATIO
顶视图
门
V
DD
V
IN
SW
GND
1
2
3
4
5
10
9
8
7
6
OUT
状态
故障
UV
OV
V
IN
电压............................................... - 0.3 V至19V
输出电压............................................ - 0.3V至19V
V
DD
.............................................电压 - 0.3V至30V
FAULT ，状态电压........................ - 0.3V至30V
故障，状态当前........................................ 8毫安
UV，OV电压........................................ - 0.3V至9V
SW电压.............................................. - 0.3 V至32V
工作温度范围
LT4351C ................................................. 0° C至70℃
LT4351I .............................................. - 40 ° C至85°C
结温（注2 ） ............................ 125°C
存储温度范围................ - 65℃ 150℃
引线温度（焊接， 10秒） .................. 300℃
订购部件
数
LT4351CMS
LT4351IMS
MS最热
LTZZ
LTA1
MS包装
10引脚塑料MSOP
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 120 ° C / W
咨询LTC营销部分特定网络版与更广泛的工作温度范围。
电气特性
符号
V
IN
I
VIN
V
UV（日）
I
UV（ HYST ）
I
UV
V
OV （ TH ）
I
OV
V
F（上）
I
F（关闭）
增加供应
V
BR
t
关闭
I
SWLIM
栅极驱动器
V
IOR
V
GL
V
克（最大）
V
高夫
I
GSO
I
葛兰素史克
输入至输出电压调节
门限电压
最大栅极电压
门关闭电压
门源电流
门的灌电流
升压调节电压跳闸
升压电源关闭时间
升压电源开关电流限制
参数
工作范围
V
IN
电源电流
供应与保护
该
q
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
温度范围，否则仅指在T
A
= 25°C 。 V
IN
= V
OUT
= 5V, V
DD
= 16.1V, V
UV
= 0.4V, V
OV
= 0.2V ，门打开，
除非另有规定ED 。
条件
q
民
1.2
典型值
最大
18
单位
V
mA
mA
mV
A
nA
mV
nA
V
A
V
ns
mA
mV
V
V
V
A
A
sn4351 4351fs
V
IN
= 1.2V, V
OUT
= 1.1V, V
DD
= 12.3V
V
IN
= 18V, V
OUT
= 17.9V, V
DD
= 29.1V
我的区别
UV
在V
UV（日）
+ 10mV的
和V
UV（日）
= 10mV的
V
UV
= V
UV（日）
+ 10mV的
OV上升
V
OV
= V
OV （ TH ）
= 10mV的
I
F
= 5mA，在故障条件
V
F
= 30V, V
IN
= 4.9V
测量V
DD
到V
IN
，上升沿
q
q
q
q
q
q
q
q
q
1.41
1.71
290
7
300
10
–100
290
300
–100
0.14
0.04
10.2
350
4
10.7
600
450
15
–2.3
7
7.4
0.16
0.670
0.670
2.0
2.1
310
13
–400
310
–400
0.25
1
11.1
650
25
–3
7.8
0.30
欠压关断电压阈值下降UV
I
UV
迟滞
UV输入偏置电流
过电压阈值
OV输入偏置电流
FAULT引脚上的电压
FAULT引脚漏电流
q
q
q
V
IN
= 5V, V
OUT
= 4.9V, V
DD
= 13V与测量
对于V
DD
V
IN
= 5V, V
OUT
= 4.9V, V
DD
= 16.1V与测量
对于V
OUT
V
OUT
= 5.1V
V
OUT
= 4.9V, V
门
= 9V
V
OUT
= 4.9V, V
门
= 9V
q
q
q
2
U
W
U
U
W W
W
LT4351
典型PERFOR一个CE特征
特定网络阳离子是在T
A
= 25 ° C除非另有规定ED 。
SW引脚波形，在最大
升压型稳压器输出
典型的SW引脚波形
V
SW
5V/DIV
V
IN
= 5V
4.7μH电感器
PI FU CTIO S
GATE （引脚1 ） ：
MOSFET栅极驱动引脚。该引脚连接到
外部N沟道MOSFET （多个）的栅极（多个） 。该
GATE引脚为高时，紫外线高于V
UV（日）
阈值， OV为低于V
OV （ TH ）
阈值和V
IN
is
不是由15mV的更大。如果没有驱动为高电平， GATE
积极拉至GND 。 GATE可以吸收或源达
600mA.
V
DD
（引脚2 ） ：
栅极驱动电源引脚。这是电源引脚
为栅极驱动放大器。它要么是由所生成的
板载升压稳压器或外部提供。当
接通MOSFET （多个） ，一个大的高电流脉冲流
通过这个引脚。旁路引脚与1μF电容
放置在接近的部分。这个电压
脚也反馈了升压稳压器。如果在V
DD
电压超过V
IN
电压由10.7V ，升压开关
保持关断。
V
IN
（引脚3 ） ：
输入电源引脚。该引脚是电源引脚
所述控制电路和升压调节器。它也是1
输入连同输出用于控制该
MOSFET的（多个） 。旁路应包括低ESR / ESL
电容器放置在紧靠着的部分。
SW （引脚4 ） ：
升压型稳压器开关引脚。该引脚为
升压稳压器的开关量输出。它被连接到升压
电感器和升压二极管。峰值开关电流为
内部限制450毫安。如果外部V
DD
供应
使用，离开这个引脚开路。
GND （引脚5 ） ：
设备的接地引脚。该引脚接地的
升压开关，栅极驱动器，以及控制电路。
领带的V
IN
和V
DD
旁路电容和接地平面
靠近这个引脚，以尽量减少切换的效果
电流的部分性能。
ü W
V
SW
5V/DIV
10s/DIV
3451 G12
V
IN
= 5V
4.7μH电感器
10s/DIV
3451 G13
U
U
U
sn4351 4351fs
5
LT4351
MOSFET二极管或控制器
特点
s
s
DESCRIPTIO
s
s
s
s
s
s
s
低损耗替代的ORing二极管在多
采购电源
外部N沟道MOSFET的大电流
能力
内部升压型稳压电源的MOSFET
栅极驱动器
宽输入范围： 1.2V至18V
快速开关MOSFET栅极控制
在输入和过压检测
状态和故障输出进行监控
内置MOSFET栅极钳位
采用10引脚MSOP封装
该LT4351创建使用外部一个接近理想的二极管
单或背到背N沟道MOSFET 。这种理想
二极管功能允许多个电源的低损耗的ORing
源。电源可以很容易地一起向相或
增加总系统功耗和可靠性以最小
在电源电压或效率的影响。不同的电源
电源可以有效地进行或运算。
该IC可以监视输入电源相对于所述负载
并接通MOSFET （多个） ，当输入电源是
高。如果MOSFET的
DS （ ON）
足够小，则
LT4351将调节MOSFET两端（S）以所述电压
15mV的。一个状态引脚指示状态的MOSFET。
一个内部升压调节器产生的MOSFET栅极
驱动电压。低工作电压允许的或运算
耗材低至1.2V 。
该LT4351将在欠压关闭电源通道
年龄或过压条件。这些电压是由设置
电阻分压器上的UV和OV引脚。欠压
阈值具有用户可编程迟滞。过压
年龄检测被过滤，以减少错误触发。
该LT4351可在一个10引脚MSOP封装。
应用S
s
s
s
s
并联电源
不间断供应
高可用性系统
N + 1冗余电源
， LTC和LT是凌特公司的注册商标。
典型应用
5V双路冗余电源
Si4862DY
5V
10F
动力
供应
1
1F
MBR0530
SW
4.7H
UV
状态
故障
OV
1.47k
1%
GND
状态
故障
GND
OV
1.47k
1%
4351 TA01
Si4862DY
5V COMMON
10F
动力
供应
2
门
V
IN
V
DD
1F
MBR0530
SW
UV
4.7H
5V
C
负载
R
负载
V
IN
V
DD
门
OUT
OUT
24.9k
1%
232
1%
LT4351
LT4351
U
24.9k
1%
232
1%
sn4351 4351fs
U
U
1
LT4351
绝对
（注1 ）
AXI ü
RATI GS
PACKAGE / ORDER我FOR ATIO
顶视图
门
V
DD
V
IN
SW
GND
1
2
3
4
5
10
9
8
7
6
OUT
状态
故障
UV
OV
V
IN
电压............................................... - 0.3 V至19V
输出电压............................................ - 0.3V至19V
V
DD
.............................................电压 - 0.3V至30V
FAULT ，状态电压........................ - 0.3V至30V
故障，状态当前........................................ 8毫安
UV，OV电压........................................ - 0.3V至9V
SW电压.............................................. - 0.3 V至32V
工作温度范围
LT4351C ................................................. 0° C至70℃
LT4351I .............................................. - 40 ° C至85°C
结温（注2 ） ............................ 125°C
存储温度范围................ - 65℃ 150℃
引线温度（焊接， 10秒） .................. 300℃
订购部件
数
LT4351CMS
LT4351IMS
MS最热
LTZZ
LTA1
MS包装
10引脚塑料MSOP
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 120 ° C / W
咨询LTC营销部分特定网络版与更广泛的工作温度范围。
电气特性
符号
V
IN
I
VIN
V
UV（日）
I
UV（ HYST ）
I
UV
V
OV （ TH ）
I
OV
V
F（上）
I
F（关闭）
增加供应
V
BR
t
关闭
I
SWLIM
栅极驱动器
V
IOR
V
GL
V
克（最大）
V
高夫
I
GSO
I
葛兰素史克
输入至输出电压调节
门限电压
最大栅极电压
门关闭电压
门源电流
门的灌电流
升压调节电压跳闸
升压电源关闭时间
升压电源开关电流限制
参数
工作范围
V
IN
电源电流
供应与保护
该
q
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
温度范围，否则仅指在T
A
= 25°C 。 V
IN
= V
OUT
= 5V, V
DD
= 16.1V, V
UV
= 0.4V, V
OV
= 0.2V ，门打开，
除非另有规定ED 。
条件
q
民
1.2
典型值
最大
18
单位
V
mA
mA
mV
A
nA
mV
nA
V
A
V
ns
mA
mV
V
V
V
A
A
sn4351 4351fs
V
IN
= 1.2V, V
OUT
= 1.1V, V
DD
= 12.3V
V
IN
= 18V, V
OUT
= 17.9V, V
DD
= 29.1V
我的区别
UV
在V
UV（日）
+ 10mV的
和V
UV（日）
= 10mV的
V
UV
= V
UV（日）
+ 10mV的
OV上升
V
OV
= V
OV （ TH ）
= 10mV的
I
F
= 5mA，在故障条件
V
F
= 30V, V
IN
= 4.9V
测量V
DD
到V
IN
，上升沿
q
q
q
q
q
q
q
q
q
1.41
1.71
290
7
300
10
–100
290
300
–100
0.14
0.04
10.2
350
4
10.7
600
450
15
–2.3
7
7.4
0.16
0.670
0.670
2.0
2.1
310
13
–400
310
–400
0.25
1
11.1
650
25
–3
7.8
0.30
欠压关断电压阈值下降UV
I
UV
迟滞
UV输入偏置电流
过电压阈值
OV输入偏置电流
FAULT引脚上的电压
FAULT引脚漏电流
q
q
q
V
IN
= 5V, V
OUT
= 4.9V, V
DD
= 13V与测量
对于V
DD
V
IN
= 5V, V
OUT
= 4.9V, V
DD
= 16.1V与测量
对于V
OUT
V
OUT
= 5.1V
V
OUT
= 4.9V, V
门
= 9V
V
OUT
= 4.9V, V
门
= 9V
q
q
q
2
U
W
U
U
W W
W
LT4351
典型PERFOR一个CE特征
特定网络阳离子是在T
A
= 25 ° C除非另有规定ED 。
SW引脚波形，在最大
升压型稳压器输出
典型的SW引脚波形
V
SW
5V/DIV
V
IN
= 5V
4.7μH电感器
PI FU CTIO S
GATE （引脚1 ） ：
MOSFET栅极驱动引脚。该引脚连接到
外部N沟道MOSFET （多个）的栅极（多个） 。该
GATE引脚为高时，紫外线高于V
UV（日）
阈值， OV为低于V
OV （ TH ）
阈值和V
IN
is
不是由15mV的更大。如果没有驱动为高电平， GATE
积极拉至GND 。 GATE可以吸收或源达
600mA.
V
DD
（引脚2 ） ：
栅极驱动电源引脚。这是电源引脚
为栅极驱动放大器。它要么是由所生成的
板载升压稳压器或外部提供。当
接通MOSFET （多个） ，一个大的高电流脉冲流
通过这个引脚。旁路引脚与1μF电容
放置在接近的部分。这个电压
脚也反馈了升压稳压器。如果在V
DD
电压超过V
IN
电压由10.7V ，升压开关
保持关断。
V
IN
（引脚3 ） ：
输入电源引脚。该引脚是电源引脚
所述控制电路和升压调节器。它也是1
输入连同输出用于控制该
MOSFET的（多个） 。旁路应包括低ESR / ESL
电容器放置在紧靠着的部分。
SW （引脚4 ） ：
升压型稳压器开关引脚。该引脚为
升压稳压器的开关量输出。它被连接到升压
电感器和升压二极管。峰值开关电流为
内部限制450毫安。如果外部V
DD
供应
使用，离开这个引脚开路。
GND （引脚5 ） ：
设备的接地引脚。该引脚接地的
升压开关，栅极驱动器，以及控制电路。
领带的V
IN
和V
DD
旁路电容和接地平面
靠近这个引脚，以尽量减少切换的效果
电流的部分性能。
ü W
V
SW
5V/DIV
10s/DIV
3451 G12
V
IN
= 5V
4.7μH电感器
10s/DIV
3451 G13
U
U
U
sn4351 4351fs
5
QQ：2880707522 复制
