LT4256-1/LT4256-2
正高电压
热插拔控制器
特点
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
DESCRIPTIO
允许安全局插拔从
现场背板
控制电源电压从10.8V到80V
折返电流限制
过电流故障检测
驱动一个外部N沟道MOSFET
可编程电源电压上电速率
欠压保护
闭锁操作模式（ LT4256-1 ）
自动重试（ LT4256-2 ）
采用8引脚SO封装
在LT
4256-1 / LT4256-2高电压热插拔
控制器，允许安全地插入电路板和
从带电背板移除。内部驱动器驱动一个
外部N沟道MOSFET开关来控制电源
电压范围为10.8V至80V 。
该LT4256-1 / LT4256-2具有可调模拟
折返式限流。如果供应仍然处于电流限制
超过一个可编程的时间，将N沟道
MOSFET关断和PWRGD输出置为低电平。该
LT4256-2经过一个超时延迟自动重启。
该LT4256-1闭锁，直到UV引脚循环低点。
PWRGD输出指示输出电压时，
上升超过设定水平。外部电阻
从V串
CC
提供可编程欠压
保护。
的LT4256可以用作升级到LT1641的设计。
请参阅第14页的表1升级规格。
该LT4256-1和LT4256-2可在8引脚SO
封装，引脚与LT1641兼容。
， LTC和LT是凌特公司的注册商标。
热插拔是凌特公司的商标。
应用S
s
s
s
s
s
s
热板插入
电子电路断路器/电源布辛
工业高压侧开关/断路器
24V / 48V工业/报警系统
非常适用于12V ， 24V和48V分布式
动力系统
48V电信系统
典型应用
V
IN
48V
0.02
SMAT70A
（短脚）
8
64.9k
1
0.1F
UV
V
CC
7
SENSE
48V ， 2A热插拔控制器
IRF530
CMPZ5241B
11V
10
6
100
10nF
36.5k
27k
C
L
V
OUT
48V
2A
V
IN
50V/DIV
V
OUT
50V/DIV
门
LT4256-1/
LT4256-2
FB
8.06k
2
4.02k
侵入
当前
500mA/DIV
PWRGD
4256 TA01
PWRGD
5
GND
33nF
定时器
GND
4
3
UV = 36V
PWRGD = 40V
PWRGD
50V/DIV
2.5ms/DIV
4256 TA02
U
TM
U
U
LT4256启动行为
425612f
1
LT4256-1/LT4256-2
绝对
（注1 ）
AXI ü RATI GS
PACKAGE / ORDER我FOR ATIO
订购部件
数
顶视图
UV 1
FB 2
PWRGD 3
GND 4
8
7
6
5
V
CC
SENSE
门
定时器
电源电压（V
CC
） ................................ - 0.3 100V
输入电压（ SENSE ， PWRGD ） ............... - 0.3 100V
输入电压（门） （注2 ） ........ - 0.3V至V
CC
+ 10V
最大输入电流（ GATE ） ......................... 200μA
输入电压（ FB ， UV） ................................ - 0.3 44V
输入电压（ TIMER ） ............................. - 0.3V至4.3V
最大输入电流（ TIMER ） ....................... 100μA
工作温度
LT4256C ................................................. 0 ° C至70℃
LT4256I ............................................. - 40°C至85℃
存储温度范围................ - 65℃ 150℃
引线温度（焊接， 10秒） ................. 300℃
LT4256-1CS8
LT4256-1IS8
LT4256-2CS8
LT4256-2IS8
S8最热
42561
42561I
42562
42562I
S8包装
8引脚塑料SO
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 110 ° C / W
咨询LTC营销部分特定网络版与更广泛的工作温度范围。
该
q
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
温度范围，否则仅指在T
A
= 25°C 。 V
CC
= 48V ，除非另有说明。
符号
V
CC
I
CC
V
UVLH
V
UVHYS
I
INUV
V
SENSETRIP
I
的insn
I
PU
I
PD
V
门
V
FB
V
FBHYS
V
OLPGD
I
PWRGD
I
INFB
I
TIMERPU
I
TIMERPD
V
THTIMER
D
定时器
参数
工作电压
工作电流
欠压阈值
迟滞
UV输入电流
SENSE引脚跳闸电压（V
CC
– V
SENSE
)
SENSE引脚输入电流
门上拉电流
GATE下拉电流
外部N沟道栅极驱动（注2 ）
FB电压阈值
FB电压滞后
PWRGD输出低电压
PWRGD引脚漏电流
FB输入电流
计时器上拉电流
定时器下拉电流
TIMER关机阈值
占空比（重试模式）
C
定时器
= 10nF的
I
O
= 1.6毫安
I
O
= 5毫安
V
PWRGD
= 80V
FB = 4.5V
q
q
q
q
电气特性
条件
q
民
10.8
典型值
1.8
最大
80
3.9
4.04
0.55
–1
–3
22
65
70
– 55
80
12.5
12.8
4.03
4.65
0.6
0.4
1
1
–1
–145
5
5
4.5
单位
V
mA
V
V
A
A
mV
mV
A
A
mA
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
V
%
V
CC
低到高的转变
UV
≥
1.2V
UV = 0V
FB = 0V
FB
≥
2V
V
SENSE
= V
CC
电荷泵上，
V
门
= 7V
任何故障，V
门
= 3V
V
门
– V
CC
, 10.8V
≤
V
CC
≤
20V
20V
≤
V
CC
≤
80V
FB高向低转换
FB低到高的转变
q
3.96
0.25
4
0.4
–0.1
–1.5
q
q
5.5
45
–16
40
4.5
10
3.95
4.2
0.3
14
55
40
– 30
62
8.8
11.6
3.99
4.45
0.45
0.25
0.6
0.1
–0.1
q
q
q
q
q
– 85
1.5
4.3
1.5
– 115
3
4.65
3
425612f
2
U
W
U
U
W W
W
LTC4359
理想二极管控制器
反向输入保护
特点
n
n
n
n
n
n
n
描述
此外，LTC
4359是一个正高电压理想二极管控制 -
LER驱动一个外部N沟道MOSFET取代
肖特基二极管。它控制的正向压降
MOSFET两端，以确保顺利交货电流
无振动，即使在轻负载条件下。如果电源
发生故障或短路，快速关断最大限度地减小反向电流
租瞬变。关断模式，可降低
以9μA静态电流。
当在高电流的二极管的应用中使用的LTC4359
降低了功耗，散热，电压损失
和PC板面积。凭借其工作电压范围宽，
承受反向输入电压的能力，以及高
额定温度时， LTC4359满足了苛刻
汽车与电信应用的要求。
在系统中， LTC4359还容易手术室电源
带有冗余电源。
L,
LT ， LTC ， LTM ，凌特和线性标识是注册商标，
热插拔是凌特公司的商标。所有其他商标均为
其各自所有者的财产。
降低功耗通过更换电源
肖特基二极管
宽工作电压范围： 4V至80V
反向输入保护至 - 40V
9μA低关断电流
低150μA工作电流
流畅的切换无振荡
提供6引脚（2毫米
×
3毫米） DFN和8引线
MSOP封装
应用
n
n
n
n
n
汽车电池保护
冗余电源
电信基础设施
计算机系统/服务器
太阳能系统
典型用途
12V ， 20A汽车电池反接保护
V
IN
12V
BSC028N06NS
SMAT70A
70V
SMAJ24A
24V
IN
SHDN
来源
LTC4359
V
SS
4359 TA01
功耗与负载电流
10
V
OUT
加载
功耗（ W）
8
肖特基二极管（ SBG2040CT ）
门
OUT
47nF
6
动力
保存
4
1k
2
MOSFET （ BSC028N06NS ）
0
0
5
10
电流（A ）
15
20
4359 TA01a
4359f
1
LTC4359
绝对最大额定值
（注1,2 ）
IN ，来源，
SHDN
................................... -40V至100V
OUT （注3 ） ............................................. ...- 2V到100V
IN - OUT ............................................... ...- 100V至100V
IN - 源............................................... ..- 1V至80V
GATE （注4 ） .............. V
来源
-0.3V到V
来源
+10V
工作环境温度范围
LTC4359C ................................................. ... 0 70℃
LTC4359I ................................................. -40到85°C
LTC4359H .............................................. -40 125°C
存储温度范围...................... -65 ℃150℃
焊接温度（焊接， 10秒）
MS套餐................................................ ...... 300℃
引脚配置
顶视图
出1
门2
来源3
7
6 V
SS
5
SHDN
4 IN
顶视图
门
来源
NC
IN
1
2
3
4
8
7
6
5
OUT
NC
V
SS
SHDN
DCB套餐
6引线（2毫米
×
3毫米）塑料DFN
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 64 ° C / W
裸露焊盘（引脚7） PCB V
SS
连接可选
MS8包装
8引脚塑料MSOP
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 160 ° C / W
订购信息
无铅完成
卷带式（ MINI ）
LTC4359CDCB#TRMPBF
LTC4359IDCB#TRMPBF
LTC4359HDCB#TRMPBF
无铅完成
LTC4359CMS8#PBF
LTC4359IMS8#PBF
磁带和卷轴
LTC4359CDCB#TRPBF
LTC4359IDCB#TRPBF
LTC4359HDCB#TRPBF
磁带和卷轴
LTC4359CMS8#TRPBF
LTC4359IMS8#TRPBF
最热*
LFKF
LFKF
LFKF
最热*
LTFKD
LTFKD
包装说明
6引线（2毫米
×
3毫米）塑料DFN
6引线（2毫米
×
3毫米）塑料DFN
6引线（2毫米
×
3毫米）塑料DFN
包装说明
8引脚塑料MSOP
8引脚塑料MSOP
温度范围
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
-40_C到125_C
温度范围
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
LTC4359HMS8#PBF
LTC4359HMS8#TRPBF
LTFKD
8引脚塑料MSOP
-40_C到125_C
咨询LTC营销与更广泛的工作温度范围规定的部分。 *温度等级标识在包装盒上的标签。
有关无铅零件标记的更多信息，请访问：
http://www.linear.com/leadfree/
有关磁带和卷轴特定网络阳离子的更多信息，请访问：
http://www.linear.com/tapeandreel/
4359f
2
LTC4359
电气特性
符号
V
IN
I
IN
参数
工作电压范围
在当前
IN = 12V
IN = OUT = 12V，
SHDN
= 0V
IN = OUT = 24V ，
SHDN
= 0V
IN = -40V
IN = 12V ，在第
IN = 12V， ΔV
SD
= 1V
IN = OUT = 12V，
SHDN
= 0V
IN = OUT = 24V ，
SHDN
= 0V
OUT = 12V， IN =
SHDN
= 0V
IN = 12V， ΔV
SD
= 1V
IN =源= 12V ，
SHDN
= 0V
SOURCE = -40V
IN = 4V ，我
门
= 0, 1A
IN = 8V至80V ;我
门
= 0, –1A
V
门
= 2.5V
GATE = IN， ΔV
SD
= 0.1V
故障情况下， ΔV
门
=5V, V
SD
= 1V
关断模式， ΔV
门
= 5V, V
SD
= 0.7V
V
SD
= 0.1V至-1V ， ΔV
门
＆ LT ; 2V ，
C
门
= 0pF
IN = 4V至80V
IN = 4V至80V
SHDN
= 0.5V ， LTC4359I ， LTC4359C
SHDN
= 0.5V ， LTC4359H
SHDN
= 40V
最大允许泄漏，V
IN
= 4V
GATE = 0V ，我
GATE （下）
= 1毫安
该
l
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
温度范围，否则仅指在T
A
= 25℃ ，IN = 12V， SOURCE =中，除非另有说明。
条件
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
民
4
典型值
150
9
15
–15
5
120
0.8
0.8
6
150
4
–0.8
5.5
12
30
–10
130
0.3
最大
80
200
20
30
–40
7.5
200
3
3
12
200
15
–1.5
15
15
45
–14
180
0.5
2
2.5
–5
–5
–1.5
–2.7
单位
V
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
mA
V
V
mV
A
mA
mA
s
V
V
A
A
mA
nA
V
0
3
I
OUT
输出电流
I
来源
V
门
V
SD
I
GATE （ UP ）
源出电流
1
–0.4
4.5
10
20
–6
70
0.6
栅极驱动（栅极 - 源极）
源极 - 漏极电压调节（IN -OUT ）
门上拉电流
I
GATE （下）
GATE下拉电流
t
关闭
V
SHDN （ TH ）
V
SHDN （ FLT ）
I
SHDN
栅极关断延迟时间
SHDN
引脚输入门限
SHDN
引脚浮置电压
SHDN
引脚电流
0.6
0.6
–1
–0.5
–0.4
–0.9
1.2
1.75
–2.6
–2.6
–0.8
100
–1.8
V
SOURCE （ TH ）
反向源阈值GATE关闭
注1 ：
强调超越上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。暴露于任何绝对
最大额定值条件下工作会影响器件
可靠性和寿命。
注2 。
所有流进针是积极的，所有的电压参考
V
SS
除非另有规定ED 。
注3 。
内部钳位限制OUT引脚到高于最低100V的
V
SS
。将该引脚驱动比1 mA的电流的电流可能会损坏设备。
注4 。
内部钳位限制GATE引脚高于最低10V的
在100V或高于V
SS
。驱动这个引脚的电压超过钳位可
损坏设备。
4359f
3
LTC4359
典型性能特性
栅极关断时间
VS初步铁马
200
V
IN
= 12V
V
SD
= V
初始
–1V
1500
栅极关断时间
VS决赛高速
V
IN
= 12V
V
SD
= 45mV
10
V
最终科幻
8
电流（A ）
1000
负载电流
VS正向电压降
FDMS86101
FDB3632
6
150
t
PD
（纳秒）
t
PD
（纳秒）
100
500
50
4
FDS3732
2
0
0
0.25
0.5
V
初始
(V)
0.75
1
4359 G10
0
0
–0.25
–0.5
V
最终科幻
(V)
–0.75
–1
4359 G11
0
0
25
50
V
SD
(V)
75
100
4359 G12
引脚功能
裸露焊盘（ DCB封装） ：
裸露焊盘可
悬空或连接到V
SS
.
门：
栅极驱动输出。 GATE引脚拉高， enhanc-
荷兰国际集团的N沟道MOSFET ，当负载电流产生
以上为30mV的MOSFET两端的电压降。
当负载电流小的栅极驱动为有效状态
保持30mV的MOSFET两端。如果反向电流
流，快速下拉电路的门连接到
0.3μs内源极引脚，关断MOSFET 。
IN：
电压检测和电源电压。 IN是阳极
理想二极管。感觉到在这个引脚上的电压来
控制MOSFET栅极。
NC （ MS封装） ：
无连接。内部不
连接。
OUT ：
漏极电压检测。 OUT是理想的正极
二极管和共用输出当多个LTC4359s
被配置为一个理想二极管或。它连接或者二
rectly或通过一个2K的电阻N型沟道的漏极
MOSFET。感觉到在这个引脚上的电压来控制
MOSFET栅极。
SHDN ：
关断控制输入。的LTC4359可以关闭
下降到低电流模式通过拉
SHDN
下面的脚
0.6V 。拉2V以上该引脚或断开它允许
内部2μA电流源接通的一部分。维护
董事会泄漏小于100nA的正常运行。
该
SHDN
销可拉至100V或向下 - 40V
相到V
SS
而不损坏。如果关机功能
不使用时，连接
SHDN
至IN 。
资料来源：
源连接。源是返回路径
的栅极快速下拉。连接该引脚尽量靠近
可以将外部N沟道MOSFET的源极。
V
SS
:
电源电压返回和设备接地。
4359f
5
QQ：2881677436 复制
