LT4250L/LT4250H
负48V
热插拔控制器
特点
s
s
DESCRIPTIO
s
s
s
s
s
s
s
允许安全局插拔
从现场 - 48V背板
断路器抗扰度电压阶跃和
电流尖峰
可编程浪涌和
短路电流限制
引脚兼容LT1640L / LT1640H
从-20V到工作 - 80V
可编程过压保护
可编程欠压闭锁
电源良好输出控制
钟睿兼容ON / OFF门槛
应用S
s
s
s
在LT
4250L / LT4250H是8针，负48V热插拔
TM
控制器，允许安全地插入电路板和
从带电背板移除。浪涌电流限制在
通过控制的栅极电压的可编程值
外部N沟道MOSFET 。通晶体管
截止，如果输入电压小于编程
序的欠压阈值或大于该过
电压阈值。可编程电流限制保护
在系统免受短路。经过500微秒的超时
电流限制激活电子电路断路器。该
PWRGD （ LT4250L ）或PWRGD （ LT4250H ）信号可以是
用于直接使功率模块。该LT4250L是
对于模块设计为具有低的使能输入端和所述
LT4250H为具有高使能输入模块。
该LT4250L / LT4250H采用8引脚PDIP和SO可用
包。
， LTC和LT是凌特公司的注册商标。
热插拔是凌特公司的商标。
中心局交换
- 48V分布式电源系统
负电源控制
典型应用
-48V RTN
（短脚）
-48V RTN
R4
549k
1%
3
R5
6.49k
1%
R6
10k
1%
UV
8
V
DD
1
UV =
38.5V
UV
发布
AT 43V
OV ...
71V
LT4250L
2
OV
V
EE
4
SENSE
5
门
6
R3
1k, 5%
PWRGD
漏
7
V
EE
和
漏
20V/DIV
*
–48V
输入1
0.1F
10V
R1
0.02
5%
C1
470nF
25V
R2
10
5%
C2
15nF
100V
2
开/关
9
V
OUT +
8
SENSE
+
7
TRIM
6
SENSE
–
4
5
V
OUT-
V
IN-
1
V
IN +
朗讯
JW050A1-E
I
D
(Q1)
5A/DIV
Q1
IRF530
–48V
输入2
* DIODES INC 。 SMAT70A
这些组件的应用
具体的，必须选择是基于
UPON工作条件和所需
性能。请参阅应用程序
信息。
C3
0.1F
100V
5V
+
C4
100F
100V
+
C5
100F
16V
4250 TA01
U
电压阶跃输入电源
500s/DIV
4250lhf
U
U
1
LT4250L/LT4250H
绝对
最大
评级
U
W W
U
W
（注1 ） ，所有电压简称V
EE
电源电压（V
DD
– V
EE
） .................... - 0.3V至100V
PWRGD ， PWRGD引脚........................... - 0.3V至100V
某种意义上说， GATE引脚.................................... - 0.3V至20V
UV，OV引脚.............................................. - 0.3V至60V
漏针................................................ .. -2V至100V
最高结温......................... 125°C
工作温度范围
LT4250LC / LT4250HC ............................. 0 ° C至70℃
LT4250LI / LT4250HI .......................... - 40 ° C至85°C
存储温度范围................ - 65℃ 150℃
引线温度（焊接， 10秒） ................. 300℃
PACKAGE / ORDER我FOR ATIO
顶视图
PWRGD 1
OV 2
UV 3
V
EE
4
N8包装
8引脚PDIP
8
7
6
5
V
DD
漏
门
SENSE
订购部件
数
LT4250LCN8
LT4250LCS8
LT4250LIN8
LT4250LIS8
S8最热
4250L
4250LI
PWRGD 1
OV 2
UV 3
V
EE
4
N8包装
8引脚PDIP
S8包装
8引脚塑料SO
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 120 ℃/ W（ N8 ）
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 150℃ / W （S8）
咨询LTC营销部分特定网络版与更广泛的工作温度范围。
该
q
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
温度范围，否则仅指在T
A
= 25°C 。 （注2 ） ，V
DD
= 48V, V
EE
= 0V ，除非另有说明。
符号
DC
V
DD
I
DD
V
UVL
V
CL
I
PU
I
PD
I
SENSE
V
门
V
UVH
V
UVL
V
UVHY
I
INUV
V
OVH
V
OVL
电源电压工作范围
电源电流
欠压锁定
电流限制电压跳闸
GATE引脚上拉电流
GATE引脚下拉电流
SENSE引脚电流
外置栅极驱动器
UV引脚高阈值电压
UV引脚低阈值电压
UV引脚迟滞
UV引脚输入电流
OV引脚高阈值电压
OV引脚低阈值电压
V
UV
= V
EE
OV增加
OV降低
q
q
q
q
电气特性
参数
条件
UV = 3V ， OV = V
EE
， SENSE = V
EE
V
CL
= (V
SENSE
– V
EE
)
栅极驱动上，V
门
= V
EE
栅极驱动关
V
SENSE
= 50mV的
(V
门
– V
EE
), 20V
≤
V
DD
≤
80V
紫外线增加
UV减少
2
U
顶视图
8
7
6
5
V
DD
漏
门
SENSE
W
订购部件
数
LT4250HCN8
LT4250HCS8
LT4250HIN8
LT4250HIS8
S8最热
4250H
4250HI
S8包装
8引脚塑料SO
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 120 ℃/ W（ N8 ）
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 150℃ / W （S8）
民
20
典型值
最大
80
单位
V
mA
V
mV
A
mA
A
V
V
V
mV
A
V
V
q
q
q
q
1.6
15.4
40
– 30
24
50
– 45
50
– 20
13.5
1.255
1.125
130
– 0.02
1.235
1.210
1.255
1.235
5
60
– 60
70
18
1.270
1.145
– 0.5
1.275
1.255
q
q
q
10
1.240
1.105
4250lhf
LT4250L/LT4250H
该
q
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
温度范围，否则仅指在T
A
= 25°C 。 （注2 ） ，V
DD
= 48V, V
EE
= 0V ，除非另有说明。
符号
V
OVHY
I
INOV
V
DL
V
GH
I
漏
V
OL
参数
OV引脚迟滞
OV引脚输入电流
漏低阈值
门高门槛
漏输入偏置电流
PWRGD输出低电压
V
OV
= V
EE
V
漏
– V
EE
，沥干减少
V
门
– V
门
减少
V
漏
= 48V
PWRGD （ LT4250L ） ， （V
漏
– V
EE
） ＆ LT ; V
DL
I
OUT
= 1毫安
I
OUT
= 5毫安
PWRGD （ LT4250H ） ，V
漏
= 5V
I
OUT
= 1毫安
PWRGD （ LT4250L ） ，V
漏
= 48V, V
PWRGD
= 80V
PWRGD （ LT4250H ） ，V
漏
= 0V, V
PWRGD
= 80V
图1a ， 2
图1a ， 3
图1a ， 2
图1a ， 3
图1a ，图4a
图1b ，图4b
q
q
q
q
q
q
q
电气特性
条件
民
典型值
20
– 0 .03
最大
– 0.5
2.3
500
0.8
3.0
1.0
10
10
单位
mV
A
V
V
A
V
V
V
A
A
s
s
s
s
1.1
10
1.6
1.3
80
0.48
1.2
0.75
0.05
0.05
1.7
1.5
5.5
6.5
1
500
1
1
1.5
1.5
PWRGD输出低电压
（ PWRGD - 漏极）
I
OH
AC
t
PHLOV
t
PHLUV
t
PLHOV
t
PLHUV
t
PHLSENSE
t
PHLCB
t
PHLDL
t
PHLGH
OV高到低栅
UV低到低栅
OV低到高栅
UV高到门高
SENSE高至低栅
电流限制到栅极低
输出漏
3
s
s
s
s
s
s
DRAIN低到PWRGD低
（ LT4250L ）图1a ，图5a
漏极低（ PWRGD - 漏极）高（ LT4250H ）图1A， 5A
门高至低PWRGD
门高为（ PWRGD - 漏极）高
（ LT4250L ）图1a ，图5b
（ LT4250H ）图1a ，图5b
注1 ：
绝对最大额定值是那些价值超过其使用寿命
的装置的可能损害。
注2 ：
所有电流为器件引脚为正;所有电流输出装置的
引脚是负的。所有电压都参考V
EE
除非另有
指定的。
典型PERFOR一个CE特征
电源电流与电源电压
1.8
1.7
T
A
= 25°C
电源电流（mA ）
电源电流（mA ）
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
0
0
20
80
60
电源电压（ V）
40
100
1640 G01
栅极电压（ V）
ü W
电源电流与温度
1.6
V
DD
= 48V
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
栅极电压与电源电压
15
14
13
12
11
10
9
8
7
T
A
= 25°C
1.0
– 50
– 25
0
25
50
温度（℃）
75
100
1640 G02
6
0
20
80
60
40
电源电压（ V）
100
1640 G03
4250lhf
3
LT4250L/LT4250H
引脚功能
OV （引脚2 ） ：
模拟量输入过压。当OV拉
上面的1.255V阈值，过压条件
检测和GATE引脚将立即拉低。
GATE引脚将保持低电平，直到OV低于
1.235V阈值。
UV（引脚3 ） ：
模拟量输入欠压。当紫外线
拉到下面的1.125V阈值，欠压
检测条件和GATE引脚将被立即
ately拉低。 GATE引脚将保持低电平，直到UV
上升到高于1.255的阈值。
紫外线引脚也用于复位电子电路
断路器。如果UV引脚循环低温和高温下的
断路器跳闸时，断路器复位，并
将出现一个正常的上电顺序。响应
时间这个引脚为1.5μs 。添加一个外部电容来这
引脚额外的滤波。
V
EE
（引脚4 ） ：
负电源电压输入。连接
电源的低电位。
SENSE （引脚5 ） ：
断路器检测引脚。与感
电阻器放置在V的电源路径
EE
和
从某种意义上说，过流条件会拉下
GATE引脚和调节电阻两端的电压
是为50mV 。如果过电流状况存在更
超过500μs的电子电路断路器跳闸和转
关闭外部MOSFET 。
如果电流限制值被设定为两倍于正常
工作电流，仅在25mV跨过下降
在正常操作期间感测电阻器。要禁用
电流限制功能，V
EE
和SENSE可短
在一起。
GATE （引脚6 ） ：
栅极驱动输出的外部
N沟道MOSFET 。 GATE引脚变高时，
以下启动条件：在UV引脚为高电平，
在OV引脚为低电平， （V
SENSE
– V
EE
） <为50mV和V
DD
针
大于V
UVLOH
。 GATE引脚拉高一
45μA电流源拉低用在50mA电流
源。在电流限制GATE引脚被拉低
使用100毫安电流源。
漏极（引脚7 ） ：
模拟漏检测输入。这个连接
引脚到外部的N沟道MOSFET和漏极
V
–
销电源模块。当漏极引脚
低于V
DL
时，PWRGD / PWRGD引脚将锁定指示
该开关已打开。
V
DD
（引脚8 ） ：
正电源电压输入。这个连接
引脚到电源输入的高潜力，
在V
+
销电源模块。欠压锁定
电路将禁用芯片，直到V
DD
销大于
在16V V
UVLOH
门槛。
BLOCK DIAGRA
UV
REF
逻辑
OV
–+
V
EE
SENSE
+
–
W
+
+
–
–
U
U
U
V
DD
UVLO
V
CC
和
参考
发电机
V
CC
REF
产量
DRIVE
PWRGD / PWRGD
50mV
500s
延迟
门
司机
+
+
–
V
EE
V
DL
–
+
–
–
+
V
GH
V
门
4250 BD
门
漏
4250lhf
5
QQ：2881677436 复制
