LT1719
4.5ns单/双电源
3V / 5V比较与
轨到轨输出
特点
s
s
s
s
DESCRIPTIO
s
s
s
超快： 4.5ns在20mV的过载
7ns的5mV过驱动
低功耗： 4.2毫安在3V
SOT- 23封装
单独的输入和输出电源
（ SO - 8只）
输出优化的3V和5V电源
TTL / CMOS兼容的轨到轨输出
低功耗关断模式： 0.1μA
应用S
s
s
s
s
s
s
s
高速差分线路接收器
晶体振荡器电路
电平转换器
阈值检测器/鉴别器
过零检测器
高速采样电路
延迟线
在LT
1719是一个超快
TM
比较低的优化
电压操作。输入电压范围扩展
100mV的低于V
EE
以低于V 1.2V
CC
。内部迟滞
使LT1719容易，即使缓慢移动的输入使用
信号。轨到轨输出直接连接到TTL和
CMOS 。可替换地，对称输出的驱动器可以是
驾驭模拟应用或简单的翻译
其他单电源逻辑电平。关断控制允许
为降低功耗，延长电池寿命
便携式应用。
该LT1719是在SO -8和6引脚提供SOT- 23
封装。在SO- 8封装具有独立的电源其
允许操作灵活，包容不同的模拟输入
范围和输出逻辑电平。
对于双/四路比较器具有相似的性能，请参阅
该LT1720 / LT1721 。
， LTC和LT是凌特公司的注册商标。
超快是凌力尔特公司的商标。
典型用途
2.7V至6V晶体振荡器与TTL / CMOS输出
2.7V至6V
2k
220
1MHz至10MHz的
CRYSTAL （ AT -CUT ）
8
7
6
地
例
产量
上升沿
(t
PDLH
)
25°C
V
步
= 100mV的
V
+
= 5V
C
负载
= 10pF的
传播延迟VS高速
延迟（ns ）
620
5
4
3
2
下降沿
(t
PDHL
)
+
–
C1
LT1719
2k
1719 TA01
1
0
0
10
30
过载（MV ）
20
40
50
1719 TA02
0.1F
1.8k
U
U
U
1
LT1719
绝对
最大
评级
（注1 ）
封装/订购信息
顶视图
V
CC
1
+ IN 2
-IN 3
V
EE
4
+
–
电源电压
+ V
S
到GND （ LT1719S8 ） ...................................... 7V
V
CC
到V
EE
（ LT1719S8 ） ....................................... 12V
+ V
S
到V
EE
（ LT1719S8 ） ...................................... 12V
V
EE
到GND （ LT1719S8 ） ...................... - 12V至0.3V
V
+
到V
–
（ LT1719S6 ） ............................................. 7V
输入电流（ IN + ， - IN或SHDN ） .....................
±10mA
输出电流（连续） ............................
±20mA
工作温度范围
C级................................................ .. 0 ° C至70℃
I级.............................................. - 40 ° C至85°C
结温.......................................... 150℃
存储温度范围................ - 65℃ 150℃
引线温度（焊接， 10秒） ................. 300℃
订购部件
数
8
7
6
5
+ V
S
OUT
SHDN
GND
LT1719CS8
LT1719IS8
S8最热
1719
1719I
订购部件
数
S8包装
8引脚塑料SO
T
JMAX
= 150°C,
θ
JA
= 110 ° C / W
顶视图
-IN 1
V 2
+ IN 3
–
6 SHDN
5 OUT
4 V
+
LT1719CS6
LT1719IS6
S6最热
LTHW
LTJF
S6包装
6引脚塑封SOT- 23
T
JMAX
= 150°C,
θ
JA
= 230 ° C / W
与更广泛的工作温度范围，请咨询工厂的部分特定网络版。
该
q
表示该指标适用在整个工作温度
范围，否则仅指在T
A
= 25°C 。 V
CM
= 1V, V
SHDN
= 0.5V, V
OVERDRIVE
= 20mV的，C
OUT
= 10pF至为LT1719S8
V
CC
= +V
S
= 5V和V
EE
= -5V ，对于LT1719S6 V
+
= 5V, V
–
= 0V ，除非另有说明。
符号
V
CC
– V
EE
+ V
S
V
+
– V
–
V
CMR
V
TRIP +
V
旅行？
V
OS
V
HYST
V
OS
/T
I
B
I
OS
CMRR
PSRR
A
V
V
OH
参数
输入电源电压
输出电源电压
电源电压
输入电压范围
输入触发点
输入失调电压
输入电压滞后
输入失调电压漂移
输入偏置电流
输入失调电流
共模抑制比
电源抑制比
电压增益
输出高电压
（注4 ）
（注5 ）
（注6 ）
（注7 ）
（注8）
I
来源
= 4毫安，V
IN
= V
TRIP +
+ 10mV的
(LT1719S8)
(LT1719S6)
q
+ V
S
– 0.4
q
V
+
– 0.4
电气特性
条件
（ LT1719S8 ONLY）
（ LT1719S8 ONLY）
（仅LT1719CS6 ）
（注2 ）
（注3）
（注3）
q
q
q
q
q
q
q
q
民
2.7
2.7
2.7
V
EE
– 0.1
V
–
– 0.1
– 1.5
– 5.5
典型值
最大
10.5
6
6
V
CC
– 1.2
V
+
– 1.2
5.5
1.5
单位
V
V
V
V
V
mV
mV
mV
mV
mV
μV/°C
A
A
dB
dB
dB
dB
V
V
(LT1719S8)
(LT1719S6)
0.4
q
q
q
q
2.5
3.5
7
0
0.6
（注3）
2.0
–6
55
55
65
65
3.5
10
–2.5
0.2
70
65
80
80
(LT1719S8)
(LT1719S6)
(LT1719S8)
(LT1719S6)
q
q
∞
2
U
W
U
U
W W
W
LT1719
电气特性
注8 ：
因为内部滞后的，不存在小信号区域
在测量增益。内部迂曲的正确操作
通过测量V保证
OH
和V
OL
只有10mV的过载了。
注9 ：
传播延迟的测量，具有100mV的步骤进行。
高速模式是相对于V
旅
±
.
注10 ：
t
PD
不能在自动装卸设备测
带超速的低值。该LT1719是100 ％测试用
100mV的步骤和20mV的过载。相关测试表明
t
PD
限制可以用这个测试来保证的，如果额外的DC测试
执行以保证所有的内部偏置条件是正确的。
注11 ：
传播延迟歪斜德网络定义为：
t
SKEW
= |t
PDLH
– t
PDHL
|
典型性能特性
输入失调和电压跳闸
与电源电压
3
V
OS
和跳变点电压（MV ）
共模输入电压（ V）
V
OS
和跳变点电压（MV ）
V
TRIP +
2
1
V
OS
0
–1
–2
25°C
V
CM
= 1V
V
EE
或V
–
= GND
5.5
6.0
5.0
3.0
3.5 4.0 4.5
+
(V)
电源电压，V
CC
= + V
S
或V
1719 G01
V
旅行？
–3
2.5
输入电流
VS差分输入电压
2
25°C
1
电源电流（mA ）
6
4
2
0
–2
–4
I
EE
(LT1719S8)
0
25
50
75
100
125
I
CC
(LT1719S8)
+I
S
(LT1719S8)
电源电流（毫安）
0
输入偏置（ μA ）
–1
–2
–3
–4
–5
–6
–7
– 5 – 4 – 3 – 2 –1 0 1 2 3 4
差分输入电压（ V）
5
4
ü W
1719 G04
输入失调和电压跳闸
与温度
3
2
1
V
OS
0
–1
–2
V
TRIP +
4.2
4.0
3.8
0
– 0.2
– 5.0
– 5.2
输入共模限制
与温度
+V
S
= V
CC
或V
+
= 5V
V
–
= GND （ LT1719S6 ）
V
旅行？
+V
S
= V
CC
或V
+
= 5V
V
CM
= 1V
V
EE
或V
–
= GND
V
EE
= -5V （ LT1719S8 ）
50
25
75
0
温度（℃）
100
125
–3
– 60 – 40 – 20 0 20 40 60 80 100 120 140
温度（℃）
1719 G02
– 5.4
– 50 – 25
1719 G03
静态电源电流
与温度
10
V
CC
= +V
S
或V
+
= 5V
8 V
EE
= GND
6
静态电源电流
与电源电压
5
4
3
2
1
0
–1
–2
–3
0
I
EE
(LT1719S8)
1
3
4
5
6
2
电源电压，V
CC
= +V
S
或V
+
(V)
7
I
CC
(LT1719S8)
I
S
(LT1719S8)
T
A
= 25°C
V
EE
= GND
I
+
(LT1719S6)
I
+
(LT1719S6)
–6
–50 –25
温度（℃）
1339 G05
1719 G06
LT1715
为4ns ， 150MHz的
双路比较器与
独立的输入/输出电源
特点
s
s
s
s
s
s
s
s
DESCRIPTIO
s
超快：为4ns在20mV的过载
150MHz的频率切换
单独的输入和输出电源
低功耗：每个比较4.6毫安在3V
优化的引脚排列高速使用
输出优化的3V和5V电源
TTL / CMOS兼容的轨到轨输出
输入电压范围扩展为100mV
低于负轨
内部迟滞与特定网络版限制
在LT
1715是一个超快
TM
双比较器优化
用于低电压操作。独立的电源可以不知疲倦
悬垂的模拟输入范围和输出逻辑电平与
不损失性能。输入电压范围
从100mV的低于V
EE
以低于V 1.2V
CC
。内部hyster-
ESIS使得LT1715易于使用，即使有缓慢移动
输入信号。轨到轨输出直接连接到
TTL和CMOS 。对称的输出驱动的结果
这可以用于模拟类似的上升和下降时间
应用程序或轻松转换到其他单电源供电
逻辑电平。
该LT1715采用10引脚MSOP封装。该
该LT1715的引脚排列最大限度地减少了plac-寄生效应
从输出荷兰国际集团中最敏感的输入远，
由电源轨屏蔽。
对于双通道/四通道单电源比较相似
传播延迟，请参见LT1720 / LT1721 。为一个单一的
比较类似的传播延迟，请参见LT1719 。
， LTC和LT是凌特公司的注册商标。
超快是凌力尔特公司的商标。
应用S
s
s
s
s
s
s
s
高速差分线路接收机
电平转换器
窗口比较器
晶体振荡器电路
阈值检测器/鉴别器
高速采样电路
延迟线
典型应用
5V
100MHz的双通道差动线路接收器
3V
线路接收器响应100MHz的时钟，
50MHz的数据都是具有25mV的
P-P
输入
3V
+
IN A
OUT A
CLOCK OUT
–
0V
3V
+
IN B
OUT B
数据输出
0V
FET探头
5ns/DIV
1715 TA02
–
–5V
1715 TA01
U
1V/DIV
1V/DIV
U
U
1
LT1715
绝对
（注1 ）
AXI ü
RATI GS
PACKAGE / ORDER我FOR ATIO
订购部件
数
顶视图
+ IN A
-IN一
-IN B
+ IN B
V
EE
1
2
3
4
5
A
B
10
9
8
7
6
V
CC
+V
S
OUT A
OUT B
GND
电源电压
+ V
S
到GND ................................................ .......... 7V
V
CC
到V
EE
........................................................ 13.2V
+ V
S
到V
EE
....................................................... 13.2V
V
EE
到GND ....................................... - 13.2V至0.3V
输入电流（ IN + ， - IN） ...................................
±10mA
输出电流（连续） ............................
±20mA
工作温度范围................ - 40 ° C至85°C
规定温度范围（注2 ） ... - 40 ° C至85°C
结温.......................................... 150℃
存储温度范围................ - 65℃ 150℃
引线温度（焊接， 10秒） ................. 300℃
LT1715CMS
LT1715IMS
MS10封装
10引脚塑料MSOP
T
JMAX
= 150°C,
θ
JA
= 120℃/ W（注3 ）
MS10最热
LTVQ
LTVV
与更广泛的工作温度范围，请咨询工厂的部分特定网络版。
电气特性
符号
V
CC
– V
EE
+ V
S
V
CMR
V
TRIP +
V
旅行？
V
OS
V
HYST
V
OS
/T
I
B
I
OS
CMRR
PSRR
A
V
V
OH
V
OL
f
最大
t
PD20
参数
输入电源电压
输出电源电压
输入电压范围
输入触发点
输入失调电压
输入电压滞后
输入失调电压漂移
输入偏置电流
输入失调电流
共模抑制比
电源抑制比
电压增益
输出高电压
输出低电压
最大切换频率
传播延迟
该
q
表示该指标适用在整个工作温度
范围，否则仅指在T
A
= 25°C 。 V
CC
= 5V, V
EE
= –5V, +V
S
= 5V, V
CM
= 1V ，C
OUT
= 10pF的，V
OVERDRIVE
= 20mV的，
除非另有规定ED 。
条件
q
q
民
2.7
2.7
V
EE
– 0.1
– 1.5
– 5.5
典型值
最大
12
6
V
CC
– 1.2
5.5
1.5
单位
V
V
V
mV
mV
mV
mV
mV
μV/°C
A
A
dB
dB
V
（注4 ）
（注5 ）
（注5 ）
q
q
q
q
0.4
q
q
q
q
2.5
3.5
6
0
0.6
（注5 ）
2
–6
60
65
3.5
10
–2.5
0.2
70
80
（注6 ）
（注7 ）
（注8）
I
来源
= 4毫安，V
IN
= V
TRIP +
+ 20mV的
I
SINK
= 10毫安，V
IN
= V
旅行？
= 20mV的
（注9 ）
V
OVERDRIVE
= 20mV的（注10 ）
V
CC
= 5V, V
EE
= –5V
V
OVERDRIVE
= 20mV的，V
CC
= 5V, V
EE
= 0V
V
OVERDRIVE
= 20mV的，V
CC
= 3V, V
EE
= 0V
q
q
∞
q
+ V
S
– 0.4
q
0.4
150
2.8
2.8
3
3
4
4.4
4.8
6
6
7
6.5
7.5
9
12
1.5
q
q
t
PD5
t
SKEW
传播延迟
传播延迟偏斜
V
OVERDRIVE
=为5mV ，V
EE
= 0V （注10,11）
q
（注12 ） T之间
PD +
/t
PD
, V
EE
= 0V
q
0.5
2
U
V
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
W
U
U
W W
W
LT1715
电气特性
符号
t
PD
t
r
t
f
t
抖动
I
CC
I
EE
I
S
参数
差分传输延迟
输出上升时间
输出下降时间
输出时序抖动
正输入级电源电流
（每个比较器）
负输入级电源电流
（每个比较器）
正输出级电源电流
（每个比较器）
该
q
表示该指标适用在整个工作温度
范围，否则仅指在T
A
= 25°C 。 V
CC
= 5V, V
EE
= –5V, +V
S
= 5V, V
CM
= 1V ，C
OUT
= 10pF的，V
OVERDRIVE
= 20mV的，
除非另有规定ED 。
条件
（注13 ），通道间
10 ％至90％
90 ％至10％
V
IN
= 1.2V
P-P
（ 6dBm的） ，Z
IN
= 50
F = 20MHz的（注14 ）
+ V
S
= V
CC
= 5V, V
EE
= – 5V
+ V
S
= V
CC
= 3V, V
EE
= 0V
+ V
S
= V
CC
= 5V, V
EE
= – 5V
+ V
S
= V
CC
= 3V, V
EE
= 0V
+ V
S
= V
CC
= 5V, V
EE
= – 5V
V
S
= V
CC
= 3V, V
EE
= 0V
t
PD +
t
PD
q
q
q
q
q
q
q
民
典型值
0.3
2
2
15
11
1
0.9
最大
1
单位
ns
ns
ns
ps
RMS
ps
RMS
2
1.6
mA
mA
mA
mA
– 4.8
– 3.8
– 2.9
– 2.4
4.6
3.7
7.5
6
mA
mA
注1 ：
绝对最大额定值是那些价值超过其使用寿命
的装置的可能损害。
注2 ：
该LT1715C保证，以满足特定网络版的性能
0℃至70℃。该LT1715C设计，其特征在于，预计
满足-40°C规定的性能至85 ° C，但未经测试或QA
采样在这些温度。该LT1715I是保证符合
从-40 ° C到85°C的特定网络版的性能。
注3 ：
热阻的变化取决于PC板的量
金属连接到引脚5的设备。
θ
JA
被指定为一个2500毫米
2
3/32"
FR- 4电路板覆盖的2盎司铜两侧和100mm的
2
of
铜连接到引脚5热性能可以超越改进
给定的特定网络连接的阳离子通过使用一个四层电路板，或通过将多种金属
面积5脚。
注4 ：
如果一个输入是在这些共模范围，另一个输入
可以去外面的共模范围，输出将是有效的。
注5 ：
该LT1715比较器包括内部迟滞。行程
点来改变在每一个输出状态所需的输入电压
方向。偏置电压去连接定义为V的平均
TRIP +
和V
旅行？
,
而迟滞电压是这两个的差。
注6 ：
的共模抑制比的测量条件为V
CC
= 5V,
V
EE
= - 5V并且被定义为从测量的偏移电压的变化
V
CM
= - 5.1V至V
CM
= 3.8V ，以8.9V分。
注7 ：
电源抑制比是衡量V
CM
= 1V ，是
德网络定义为最严重的：在从V偏置电压的变化
CC
= + V
S
=
2.7V至V
CC
= + V
S
= 6V （带V
EE
= 0V），由3.3V或在变更划分
从V失调电压
EE
= 0V至V
EE
= - 6V （带V
CC
= +V
S
= 6V ）分
由6V 。
注8 ：
因为内部滞后的，不存在小信号区域中
其衡量收益。内部迂曲的正常运行确保了
测量V
OH
和V
OL
只有20mV的过载了。
注9 ：
最大反转率被定义为最高频率处
一个100mV的正弦输入导致错误自由来回切换输出至更大
低于4V时高且小于1V上一个5V电源输出低电平时。
注10 ：
传播延迟的测量，具有100mV的步骤进行。
高速模式是相对于V
旅
±
.
注11 ：
t
PD
不能在自动装卸设备测量
超速的低值。该LT1715是100％的测试，以100mV的步
和20mV的过载。相关测试表明，吨
PD
限制可
保证使用该测试。
注12 ：
传播延迟歪斜德网络定义为：
t
SKEW
= |t
PDLH
– t
PDHL
|
注13 ：
差分传播延迟是德音响定义为两个中较大的：
t
PDLH
= |t
PDLHA
– t
PDLHB
|
t
PDHL
= |t
PDHLA
– t
PDHLB
|
注14 ：
封装电感加上异步活动
其他信道可以增加输出抖动。见通道相互作用
在应用程序中的信息。上述特定网络连接的阳离子与一个通道的活性
只。
3
LT1715
典型PERFOR一个CE特征
输入失调和电压跳闸
与电源电压
3
V
OS
和跳变点电压（MV ）
共模输入电压（ V）
V
OS
和跳变点电压（MV ）
V
TRIP +
2
1
V
OS
0
–1
–2
T
A
= 25°C
V
CM
= 1V
V
EE
= GND
5.5
5.0
3.0
3.5 4.0 4.5
电源电压，V
CC
= + V
S
(V)
6.0
V
旅行？
–3
2.5
输入电流
VS差分输入电压
2
1
0
输入偏置（ μA ）
T
A
= 25°C
V
CC
= +V
S
= 5V
V
EE
= –5V
电源电流每个比较（毫安）
6
4
2
0
–2
V
CC
= +V
S
= 5V
V
EE
= –5V
I
S
电源电流每个比较（毫安）
–1
–2
–3
–4
–5
–6
–7
– 5 – 4 – 3 – 2 –1 0 1 2 3 4
差分输入电压（ V）
5
输出低电压
与负载电流
0.5
输出电压相对TO + V
S
(V)
0.4
V
CC
= +V
S
= 5V ，除非
125°C
另有说明
+V
S
= 2.7V
V
IN
= -10mV
125°C
–0.1
总电源电流每个比较（毫安）
输出电压（V）
0.3
– 55°C
0.2
25°C
0.1
0
0
4
12
16
8
输出灌电流（mA）
4
ü W
1715 G01
1715 G04
1715 G07
输入失调和电压跳闸
与温度
3
2
1
0
–1
V
旅行？
–2
–3
– 60 – 40 – 20 0 20 40 60 80 100 120 140
温度（℃）
1715 G02
输入共模限制
与温度
4.2
4.0
3.8
3.6
– 4.8
– 5.0
– 5.2
– 5.4
– 50 – 25
+V
S
= V
CC
= 5V
V
EE
= – 5V
+V
S
= V
CC
= 5V
V
CM
= 1V
V
EE
= –5V
V
TRIP +
V
OS
50
25
75
0
温度（℃）
100
125
1715 G03
静态电源电流
与温度
8
静态电源电流
与电源电压
6
5
4
3
2
1
0
–1
–2
–3
–4
0
I
EE
，输出低电平
I
CC
I
S
，输出低电平
T
A
= 25°C
V
EE
= GND
I
S
，产量高
I
CC
I
EE
–4
–6
– 50 – 25
I
EE
，产量高
4
3
2
5
6
1
电源电压，V
CC
= + V
S
(V)
7
1715
G06
0
75
50
25
温度（℃）
100
125
1715
G05
输出高电压
与负载电流
V
CC
= +V
S
= 5V ，除非
另有说明
V
IN
= 10mV的
– 55°C
–0.3
25°C
–0.4
125°C
–0.5
125°C
+V
S
= 2.7V
–0.6
20
0
4
12
16
8
输出源电流（mA）
20
1715 G08
电源电流
VS切换频率
30
25
C
负载
= 20pF的
20
15
C
负载
= 0pF
10
5
0
0
25
50 75 100 125 150 175 200 225
切换频率（MHz ）
1715 G09
有效
切换
残缺
输出切换
–0.2
C
负载
= 10pF的
T
A
= 25°C
V
IN
=
±50mV
正弦
+V
S
= V
CC
= 5V
V
EE
= GND
LT1715
典型PERFOR一个CE特征
传播延迟
VS高速
8
T
A
= 25°C
V
步
= 100mV的
C
负载
= 10pF的
传播延迟（ NS ）
传播延迟（ NS ）
传播延迟（ NS ）
7
V
CC
= +V
S
= 3V
V
EE
= 0V
6
5
t
PDLH
t
PDHL
t
PDLH
V
CC
= +V
S
= 5V
V
EE
= –5V
0
10
30
过载（MV ）
20
40
t
PDHL
50
1715 G10
4
3
最大转换率
VS输入幅度
180
T
A
= 25°C
160 +V
S
= V
CC
= 5V
V
EE
= GND
140 C
负载
= 10pF的
120
100
80
60
40
20
0
1
10
输入SINUSOID振幅（MV ）
100
切换频率（MHz ）
切换频率（MHz ）
切换频率（MHz ）
最大转换率
与负载电容
250
225
切换频率（MHz ）
200
175
150
125
100
75
50
0
5
传播延迟（ NS ）
T
A
= 25°C
V
IN
=
±50mV
正弦
+V
S
= V
CC
= 5V
V
EE
= GND
10 15 20 25 30 35 40 45 50
输出电容（pF ）
1715 G16
ü W
1715 G13
传播延迟
与温度
8.0
7.5
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5 OVERDRIVE = 20mV的
3.0
– 50 – 25
0
V
CC
= +V
S
= 5V
V
EE
= –5V
100
125
过载=为5mV
V
CC
= +V
S
= 3V
V
EE
= 0V
t
PDLH
C
负载
= 10pF的
V
步
= 100mV的
5.5
传播延迟
与电源电压
T
A
= 25°C
V
步
= 100mV的
过驱动= 20mV的
C
负载
= 10pF的
t
PDLH
4.5
t
PDHL
t
PDLH
4.0
t
PDHL
3.5
2.5
V
EE
= –5V
V
EE
= GND
5.0
75
50
25
温度（℃）
5.5 6.0
5.0
3.0
3.5 4.0 4.5
电源电压+ V
S
= V
CC
或V
+
(V)
1715 G12
1715
G11
最大转换率
与温度
250
T
A
= 25°C
230 V
IN
=
±50mV
正弦
+V
S
= V
CC
= 5V
210
V
EE
= –5V
190 C
负载
= 10pF的
R
负载
= 500
170
150
130
110
90
70
50
–50 –25
50
25
0
75
温度（℃）
100
125
250
225
200
175
150
125
最大转换率
与电源电压
从切换
1V至+ V
S
– 1V
从切换
20 ％到+ V 80％
S
100 T
A
= 25°C
V
IN
=
±50mV
正弦
75 V
EE
= GND
C
负载
= 10pF的
50
4
2
3
5
+V
S
= V
CC
电源电压（ V）
6
1715 G15
1715 G14
传播延迟
与负载电容
8
T
A
= 25°C
V
步
= 100mV的
过驱动= 20mV的
+V
S
= V
CC
= 5V
V
EE
= –5V
上升沿
(t
PDLH
)
5
下降沿
(t
PDHL
)
NA
25mV
P-P
5V
针对150MHz的25mV的
P-P
正弦波驱动10pF的
20mV/DIV
7
6
OUT A
1V/DIV
0V
FET探头
V
CC
= 5V
V
EE
= –5V
+V
S
= 5V
V
CM
= 0V
2.5ns/DIV
4
1715 G18
3
0
40
30
输出负载电容（pF ）
10
20
50
1715 G17
5
LT1719
4.5ns单/双电源
3V / 5V比较与
轨到轨输出
特点
s
s
s
s
s
DESCRIPTIO
s
s
超快： 4.5ns在20mV的过载
7ns的5mV过驱动
低功耗： 4.2毫安在3V
单独的输入和输出电源
输出优化的3V和5V电源
输入电压范围扩展为100mV
低于负轨
TTL / CMOS兼容的轨到轨输出
低功耗关断模式： 0.1μA
应用S
s
s
s
s
s
s
s
高速差分线路接收器
晶体振荡器电路
电平转换器
阈值检测器/鉴别器
过零检测器
高速采样电路
延迟线
在LT
1719是一个超快
TM
比较低的优化
电压操作。独立的电源允许灵活操作
以适应不同的模拟输入范围和输出逻辑
的水平。输入电压范围为100mV的下方延伸
V
EE
以低于V 1.2V
CC
。内部迟滞使得LT1719
易即使有缓慢移动的输入信号使用。该轨到
轨输出直接连接到TTL和CMOS 。另外
对称的输出驱动器可以被利用模拟
应用程序或轻松转换到其他单电源供电
逻辑电平。
该LT1719采用8引脚SO封装;关闭
控制允许降低的功率消耗和延长
电池使用寿命的便携式应用。
对于双/四路比较器具有相似的性能，请参阅
该LT1720 / LT1721 。
， LTC和LT是凌特公司的注册商标。
超快是凌力尔特公司的商标。
典型用途
2.7V至6V晶体振荡器与TTL / CMOS输出
2.7V至6V
2k
220
1MHz至10MHz的
CRYSTAL （ AT -CUT ）
8
7
6
地
例
产量
上升沿
(t
PDLH
)
25°C
V
步
= 100mV的
V
CC
= 5V
C
负载
= 10pF的
传播延迟VS高速
延迟（ns ）
620
5
4
3
2
下降沿
(t
PDHL
)
+
–
C1
LT1719
2k
1719 TA01
1
0
0
10
30
过载（MV ）
20
40
50
1719 TA02
0.01F
1.8k
U
U
U
1
LT1719
绝对
最大
评级
（注1 ）
封装/订购信息
顶视图
V
CC
1
+ IN 2
-IN 3
V
EE
4
+
–
电源电压
+ V
S
到GND ................................................ .......... 7V
V
CC
到V
EE
........................................................... 12V
+ V
S
到V
EE
.......................................................... 12V
V
EE
到GND .......................................... - 12V至0.3V
输入电流（ IN + ， - IN或SHDN ） .....................
±10mA
输出电流（连续） ............................
±20mA
工作温度范围
C级................................................ .. 0 ° C至70℃
I级.............................................. - 40 ° C至85°C
结温.......................................... 150℃
存储温度范围................ - 65℃ 150℃
引线温度（焊接， 10秒） ................. 300℃
订购部件
数
8
7
6
5
+ V
S
OUT
SHDN
GND
LT1719CS8
LT1719IS8
S8最热
1719
1719I
S8包装
8引脚塑料SO
T
JMAX
= 150°C,
θ
JA
= 200 ° C / W
咨询工厂的军工级配件。
该
q
表示该指标适用在整个工作温度
范围，否则仅指在T
A
= 25°C 。 V
CC
= 5V, V
EE
= –5V, +V
S
= 5V, V
CM
= 1V ，C
OUT
= 10pF的，V
SHDN
= 0.5V,
V
OVERDRIVE
= 20mV的，除非另有规定。
符号
V
CC
– V
EE
+ V
S
V
CMR
V
TRIP +
V
旅行？
V
OS
V
HYST
V
OS
/T
I
B
I
OS
CMRR
PSRR
A
V
V
OH
V
OL
t
PD20
参数
输入电源电压
输出电源电压
输入电压范围
输入触发点
输入失调电压
输入电压滞后
输入失调电压漂移
输入偏置电流
输入失调电流
共模抑制比
电源抑制比
电压增益
输出高电压
输出低电压
传播延迟
（注4 ）
（注5 ）
（注6 ）
I
来源
= 4毫安，V
IN
= V
TRIP +
+ 10mV的
I
SINK
= 10毫安，V
IN
= V
旅行？
= 10mV的
V
OVERDRIVE
= 20mV的（注7 ） ，V
EE
= 0V
q
q
+ V
S
– 0.4
q
电气特性
条件
q
q
民
2.7
2.7
V
EE
– 0.1
– 1.5
– 5.5
典型值
最大
10.5
6
V
CC
– 1.2
5.5
1.5
单位
V
V
V
mV
mV
mV
mV
mV
μV/°C
A
A
dB
dB
V
（注2 ）
（注3）
（注3）
q
q
q
q
0.4
q
q
q
q
q
2.5
3.5
7
0
0.6
（注3）
2.0
–6
55
65
3.5
10
–2.5
0.2
70
80
∞
0.4
4.5
4.2
7
q
6.5
8.0
10
13
1.5
V
OVERDRIVE
= 20mV的，V
EE
= – 5V
t
PD5
t
SKEW
t
r
t
f
传播延迟
传播延迟偏斜
输出上升时间
输出下降时间
V
OVERDRIVE
=为5mV （注7,8） ，V
EE
= 0V
（注9 ） T之间
PD +
/t
PD
10 ％至90％
90 ％至10％
0.5
2.5
2.2
2
U
W
U
U
W W
W
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
LT1719
该
q
表示该指标适用在整个工作温度
范围，否则仅指在T
A
= 25°C 。 V
CC
= 5V, V
EE
= –5V, +V
S
= 5V, V
CM
= 1V ，C
OUT
= 10pF的，V
SHDN
= 0.5V,
V
OVERDRIVE
= 20mV的，除非另有规定。
符号
t
抖动
f
最大
t
关闭
t
ON
I
CC
I
EE
I
S
I
CCS
I
SS
I
EES
I
CCSO
I
SSO
I
EEO
参数
输出时序抖动
最大切换频率
关断延时
WAKE -UP DELAY
正输入级电源电流
负输入级电源电流
正输出级电源电流
残疾人电源电流
条件
V
IN
= 1.2V
P-P
（ 6dBm的） ，Z
IN
= 50
F = 20MHz的
V
OVERDRIVE
= 50mV的， + V
S
= 3V
V
OVERDRIVE
= 50mV的， + V
S
= 5V
时间到Z
OUT
≥10k
时间到V
OH
或V
OL
, I
负载
= 1毫安
+ V
S
= V
CC
= 5V, V
EE
= – 5V
+ V
S
= V
CC
= 3V, V
EE
= 0V
+ V
S
= V
CC
= 5V, V
EE
= – 5V
+ V
S
= V
CC
= 3V, V
EE
= 0V
+ V
S
= V
CC
= 5V, V
EE
= – 5V
V
S
= V
CC
= 3V, V
EE
= 0V
+ V
S
= 6V, V
CC
= 5V, V
EE
= – 5V
V
SHDN
= 5.5V
+ V
S
= 6V, V
CC
= 5V, V
EE
= – 5V
关断引脚OPEN
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
电气特性
民
t
PD +
t
PD
典型值
15
11
70
62.5
75
350
1.0
0.9
最大
单位
ps
RMS
ps
RMS
兆赫
兆赫
ns
ns
2.2
1.8
mA
mA
mA
mA
– 4.8
– 3.8
– 2.6
– 2.2
4.2
3.3
0.2
7
– 0.2
0.1
0.1
0.1
8
6
30
50
20
20
mA
mA
A
A
A
A
A
A
– 30
– 20
注1 ：
绝对最大额定值是那些价值超过该
设备的寿命可能受到损害。
注2 ：
如果一个输入是在这些共模范围，另
输入可以去外面的共模范围和输出将是
有效的。
注3 ：
该LT1719比较器包括内部迟滞。行程
点来改变在每一个输出状态所需的输入电压
方向。偏置电压去连接定义为V的平均
TRIP +
和
V
旅行？
，而迟滞电压是这两者的区别。
注4 ：
的共模抑制比的测量条件为V
CC
= 5V,
V
EE
= - 5V并且被定义为从测量的偏移电压的变化
V
CM
= - 5.1V至V
CM
= 3.8V ，以8.9V分。
注5 ：
电源抑制比是衡量V
CM
= 1V
和被定义为最坏的：从在偏移电压的变化
V
EE
= - 5V到V
EE
= 0V由5V划分，或偏置电压的变化
从V
CC
= + V
S
= 2.7V至V
CC
= + V
S
= 6V （带V
EE
= 0V）除以
3.3V.
注6 ：
因为内部滞后的，不存在小信号区域
在测量增益。内部迂曲的正确操作
通过测量V保证
OH
和V
OL
只有10mV的过载了。
注7 ：
传播延迟的测量，具有100mV的步骤进行。
高速模式是相对于V
旅
±
.
注8 ：
t
PD
不能在自动装卸设备测量
超速的低值。该LT1719是100％的测试，以100mV的
步和20mV的过载。相关测试表明，吨
PD
范围
可以用这个测试来保证的，如果额外的DC测试进行
保证所有的内部偏置条件是正确的。
注9 ：
传播延迟歪斜德网络定义为：
t
SKEW
= |t
PDLH
– t
PDHL
|
引脚功能
V
CC
（引脚1 ） ：
正电源电压的输入级。
+ IN（引脚2 ） ：
比较器的同相输入。
- IN（引脚3 ） ：
反相输入比较器。
V
EE
（引脚4 ） ：
负电源电压的输入级
芯片衬底。
GND （引脚5 ） ：
地面上。
SHDN （引脚6 ） ：
关机。拉至地，使
比较器。
OUT （引脚7 ） ：
输出比较器。
+ V
S
（引脚8 ） ：
正电源电压的输出级。
U
U
U
3
LT1719
典型性能特性
输入失调和电压跳闸
与电源电压
3
V
OS
和跳变点电压（MV ）
共模输入电压（ V）
V
OS
和跳变点电压（MV ）
V
TRIP +
2
1
V
OS
0
–1
–2
25°C
V
CM
= 1V
V
EE
= GND
5.5
5.0
3.0
3.5 4.0 4.5
电源电压，V
CC
= + V
S
(V)
6.0
V
旅行？
–3
2.5
输入电流
VS差分输入电压
2
25°C
1
6
0
8
电源电流（mA ）
输入偏置（ μA ）
–1
–2
–3
–4
–5
–6
–7
– 5 – 4 – 3 – 2 –1 0 1 2 3 4
差分输入电压（ V）
5
4
2
0
–2
–4
–6
– 50 – 25
I
CC
电源电流（mA ）
传播延迟
与负载电容
9
8
传播延迟（ NS ）
传播延迟（ NS ）
7
6
5
4
3
2
1
0
0
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
传播延迟（ NS ）
25°C
V
步
= 100mV的
过驱动= 20mV的
+V
S
= V
CC
= 5V
V
EE
= 0V
上升沿
(t
PDLH
)
下降沿
(t
PDHL
)
40
30
输出负载电容（pF ）
10
20
4
ü W
1719 G01
1719 G04
1719 G07
输入失调和电压跳闸
与温度
3
2
1
V
OS
0
–1
–2
+V
S
= V
CC
= 5V
V
CM
= 1V
V
EE
= GND
V
TRIP +
4.2
4.0
3.8
3.6
– 4.8
– 5.0
– 5.2
输入共模限制
与温度
+V
S
= V
CC
= 5V
V
EE
= – 5V
V
旅行？
–3
– 60 – 40 – 20 0 20 40 60 80 100 120 140
温度（℃）
1719 G02
– 5.4
– 50 – 25
50
25
75
0
温度（℃）
100
125
1719 G03
静态电源电流
与温度
5
V
CC
= +V
S
= 5V
V
EE
= GND
I
S
4
3
2
1
0
–1
–2
–3
0
75
50
25
温度（℃）
100
125
静态电源电流
与电源电压
I
S
I
CC
I
EE
I
EE
0
4
3
2
5
6
1
电源电压，V
CC
= + V
S
(V)
7
1719
G06
1719
G05
传播延迟
与温度
8.0
7.5
C
负载
= 10pF的
t
PDLH
V
CM
= 1V
V
EE
= GND
V
步
= 100mV的
+V
S
= V
CC
= 3V
+V
S
= V
CC
= 5V
过载=为5mV
过驱动= 20mV的
+V
S
= V
CC
= 3V
+V
S
= V
CC
= 5V
50
传播延迟
与电源电压
5.5
25°C
V
步
= 100mV的
过驱动= 20mV的
C
负载
= 10pF的
V
EE
= GND
5.0
t
TPLH
t
的TPH1
4.5
t
TPLH
4.0
t
的TPH1
V
EE
= –5V
(V
CC
, +V
S
= 5.5V
最大
)
3.5
2.5
5.5
5.0
3.0
3.5 4.0 4.5
电源电压+ V
S
= V
CC
(V)
6.0
4.0
– 50 – 25
0
75
50
25
温度（℃）
100
125
1719
G08
1719 G09
LT1719
典型性能特性
输出低电压
与负载电流
0.5
输出电压相对TO + V
S
(V)
+V
S
= 5V
V
IN
= ± 10mV的
125°C
输出电压（V）
0.4
125°C
V
CC
= 2.7V
25°C
– 55°C
+V
S
电源电流（mA ）
0.3
0.2
0.1
0
4
12
16
8
输出灌电流（mA）
停机电流
VS关断电压
5.0
150
SHDN引脚电流（ μA ）
电源电流
SHUTDOWN CURRENTS （ μA ）
3.5
100
3.0
2.5
2.0
50
SHDN
引脚电流
1.5
1.0
0.5
0
(V
S
– 4V) (V
S
– 3V) (V
S
– 2V) (V
S
– 1V)
SHDN引脚电压（ V）
0
V
S
1719 G13
WAKE - UP DELAY （ NS ）
测试电路
响应时间测试电路
0V
–100mV
25
25
0.1F
脉冲
IN
130
2N3866
1N5711
V1*
50
2
+V
s
– V
CM
V
CC
– V
CM
1
0.01F
0V
–3V
ü W
1719 G10
输出高电压
与负载电流
0.0
125°C
+V
S
= 5V
V
IN
= 10mV的
9
8
7
电源电流与频率
25°C
+ V
S
= 5V
– 0.2
– 55°C
– 0.4
25°C
C
负载
= 20pF的
6
5
4
空载
3
2
C
负载
= 10pF的
– 0.6
– 0.8
25°C
V
CC
= 2.7V
–1.0
0
4
12
16
8
输出源电流（mA）
20
1719 G11
20
0
10
20
频率（MHz）
30
40
1719 G12
停机电流
与温度
700
WAKE -UP DELAY
与温度
+I
S
关闭
针
当前
4.5
4.0
10
电源电流，我
CC
+ I
S
（MA ）
SHUTDOWN = + V
S
– 0.5V
600
500
400
300
200
1
+I
S
关断引脚OPEN
V
CC
= +V
S
= 5V
V
EE
= – 5V
–50 –25
0
25 50 75 100 125 150
温度（℃）
1719 G14
0.1
100
– 50 –25
50
25
75
0
温度（℃）
100
125
1719 G15
+
–
4
8
7
6
0.01F
10
×
示波器探头
(C
IN
≈
10pF)
50k
3
DUT
LT1719
5
V
EE
– V
CM
–V
CM
* V1 = -1000 （ OVERDRIVE + V
TRIP +
)
注：上升沿测试显示。
下降沿，逆向LT1719输入量
50
400
750
–5V
1719 TC02
5
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
LT1720/LT1721
双/四路， 4.5ns ，单
供应3V / 5V比较器
具有轨至轨输出
描述
在LT
1720 / LT1721是超快
TM
双核/四compara-
器的单电源操作进行了优化，与供应
电压范围为2.7V至6V的。输入电压范围
从100mV的低于地面到低于电源电压1.2V
年龄。内部迟滞使LT1720 / LT1721容易
即使在缓慢移动的输入信号使用。轨到轨
输出直接连接到TTL和CMOS 。另外，
对称的输出驱动器可以被利用模拟
应用程序或轻松转换到其他单电源供电
逻辑电平。
该LT1720有三种8引脚封装;三个引脚
每个比较器以及电源和地。除了SO
和MSOP封装，采用3mm
×
3毫米低廓（ 0.8毫米）
双网络NE间距无引线封装（ DFN ），可用于空间
有限的应用。该LT1721是在16引脚
SSOP和S封装。
该LT1720 / LT1721的引脚减少寄生
通过将最敏感的输入效果（反相）
离输出，屏蔽由电源轨。该
LT1720 / LT1721非常适合于系统的小尺寸和
低功耗是最重要的。
L,
LT ， LTC和LTM的注册和凌特公司的商标。 UltaFast是
凌力尔特公司的商标。所有其他商标均为财产的
各自的所有者。
超快： 4.5ns在20mV的过载
7ns的5mV过驱动
低功耗： 4毫安每个比较器
优化3V和5V操作
优化的引脚排列高速易用性
输入电压范围扩展为100mV
低于负轨
TTL / CMOS兼容的轨到轨输出
内部迟滞与特定网络版限制
低动态电流消耗; 15μA / （ V-兆赫） ，
通过负载为主在大多数电路
纤巧3mm
×
3mm
×
0.75毫米DFN封装（ LT1720 ）
应用
n
n
n
n
n
n
n
高速差分线路接收器
晶体振荡器电路
窗口比较器
阈值检测器/鉴别器
脉冲担架
过零检测器
高速采样电路
典型用途
2.7V至6V晶体振荡器与TTL / CMOS输出
8
2.7V至6V
2k
220Ω
延迟（ns ）
1MHz至10MHz的
CRYSTAL （ AT -CUT ）
7
6
5
4
3
2
2k
17201 TA01
传播延迟VS高速
25°C
V
步
= 100mV的
V
CC
= 5V
C
负载
= 10pF的
上升沿
(t
PDLH
)
620Ω
+
–
地
例
产量
C1
1/2 LT1720
下降沿
(t
PDHL
)
1
0
0
10
30
过载（MV ）
20
40
50
17201 TA02
0.1μF
1.8k
17201fc
1
LT1720/LT1721
绝对最大额定值
（注1 ）
电源电压，V
CC
到GND ........................................ 7V
输入电流................................................ .......
±10mA
输出电流（连续） .............................
±20mA
结温.......................................... 150℃
（ DD包） .............................................. ...... 125°C
引线温度（焊接， 10秒） .................. 300℃
存储温度范围................... -65℃ 150℃
（ DD包） ..................................... -65 ° C至125°C
工作温度范围
C级................................................ ... 0 ° C至70℃
I级............................................... - 40 ° C至85°C
引脚配置
顶视图
+ IN A
-IN一
-IN B
+ IN B
1
2
3
4
9
8
7
6
5
V
CC
OUT A
OUT B
GND
+ IN A
-IN一
-IN B
+ IN B
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
V
CC
OUT A
OUT B
GND
DD包
8引线（3毫米3毫米）塑料DFN
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 160 ° C / W
底面金属INTERNALLY
连接到GND
MS8包装
8引脚塑料MSOP
T
JMAX
= 150°C,
θ
JA
= 230 ° C / W
顶视图
-IN一
顶视图
+ IN A 1
-IN A 2
-IN B 3
+ IN B 4
8
7
6
5
V
CC
OUT A
OUT B
GND
+ IN A
GND
OUT A
OUT B
GND
+ IN B
-IN B
1
2
3
4
5
6
7
8
16 -IN
15 + D中
14 V
CC
13输出D
12输出C
11 V
CC
10 + IN C
9
-IN
S8包装
8引脚塑料SO
T
JMAX
= 150°C,
θ
JA
= 200 ° C / W
GN包装
16引脚窄
塑料SSOP
的一揽子
16引脚塑料SO
T
JMAX
= 150°C,
θ
JA
= 135℃ / W （ GN ）
T
JMAX
= 150°C,
θ
JA
= 115℃ / W （ S）
17201fc
2
LT1720/LT1721
订购信息
无铅完成
LT1720CDD#PBF
LT1720IDD#PBF
LT1720CMS8#PBF
LT1720IMS8#PBF
LT1720CS8#PBF
LT1720IS8#PBF
LT1721CGN#PBF
LT1721IGN#PBF
LT1721CS#PBF
LT1721IS#PBF
磁带和卷轴
LT1720CDD#TRPBF
LT1720IDD#TRPBF
LT1720CMS8#TRPBF
LT1720IMS8#TRPBF
LT1720CS8#TRPBF
LT1720IS8#TRPBF
LT1721CGN#TRPBF
LT1721IGN#TRPBF
LT1721CS#TRPBF
LT1721IS#TRPBF
最热*
LAAV
LAAV
LTDS
LTACW
1720
1720I
1721
1721I
1721
1721I
包装说明
8引脚（3毫米
×
3毫米）塑料DFN
8引脚（3毫米
×
3毫米）塑料DFN
8引脚塑料MSOP
8引脚塑料MSOP
8引脚塑料SO
8引脚塑料SO
16引脚窄体SSOP塑料
16引脚窄体SSOP塑料
16引脚塑料SO
16引脚塑料SO
温度范围
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
咨询LTC营销部分特定网络版与更广泛的工作温度范围。 *温度等级为identi网络由在包装盒上的标签编。
咨询LTC营销非标准铅基音响光洁度部分信息。
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有关磁带和卷轴特定网络阳离子的更多信息，请访问：
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该
l
表示该应用在整个工作温度特定网络阳离子
范围内，另有规定的阳离子是在T
A
= 25°C 。 V
CC
= 5V, V
CM
= 1V ，C
OUT
= 10pF的V
OVERDRIVE
= 20mV的，除非另有规定ED 。
,
符号
V
CC
I
CC
V
CMR
V
TRIP +
V
旅行？
V
OS
V
HYST
ΔV
OS
/ΔT
I
B
I
OS
CMRR
PSRR
A
V
V
OH
V
OL
t
PD20
t
PD5
参数
电源电压
电源电流（每个比较器）
共模电压范围
输入触发点
输入触发点
输入失调电压
输入电压滞后
输入失调电压漂移
输入偏置电流
输入失调电流
共模抑制比
电源抑制比
电压增益
输出高电压
输出低电压
传播延迟
传播延迟
（注4 ）
（注5 ）
（注6 ）
I
来源
= 4毫安，V
IN
= V
TRIP +
+ 10mV的
I
SINK
= 10毫安，V
IN
= V
旅行？
= 10mV的
V
OVERDRIVE
= 20mV的（注7 ）
V
OVERDRIVE
=为5mV （注7,8）
l
l
l
l
电气特性
条件
l
民
2.7
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
典型值
4
3.5
最大
6
7
6
V
CC
– 1.2
5.5
6.5
2.0
3.0
单位
V
mA
mA
V
mV
mV
mV
mV
mV
mV
mV
μV/°C
μA
μA
dB
dB
V
V
CC
= 5V
V
CC
= 3V
（注2 ）
（注3）
（注3）
（注3）
（注3）
–0.1
–2.0
–3.0
–5.5
–6.5
1.0
2.0
–6
55
65
V
CC
– 0.4
70
80
∞
3.5
10
3.0
4.5
7.0
0
0.6
0.4
4.5
7
6.5
8.0
10
13
V
ns
ns
ns
ns
17201fc
3
LT1720/LT1721
电气特性
符号
Δt
PD
t
SKEW
t
r
t
f
t
抖动
f
最大
参数
差分传输延迟
传播延迟偏斜
输出上升时间
输出下降时间
输出时序抖动
最大切换频率
该
l
表示该应用在整个工作温度特定网络阳离子
,
范围内，另有规定的阳离子是在T
A
= 25°C 。 V
CC
= 5V, V
CM
= 1V ，C
OUT
= 10pF的V
OVERDRIVE
= 20mV的，除非另有规定ED 。
条件
（注9 ），通道间
（注10 ） T之间
PDLH
/t
PDHL
10 ％至90％
90 ％至10％
V
IN
= 1.2V
P-P
（ 6dBm的） ，Z
IN
= 50Ω
V
CM
= 2V ， F = 20MHz的
V
OVERDRIVE
= 50mV的，V
CC
= 3V
V
OVERDRIVE
= 50mV的，V
CC
= 5V
t
PDLH
t
PDHL
民
典型值
0.3
0.5
2.5
2.2
15
11
70.0
62.5
最大
1.0
1.5
单位
ns
ns
ns
ns
ps
RMS
ps
RMS
兆赫
兆赫
注1 ：
强调超越上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。暴露于任何绝对
最大额定值条件下工作会影响器件
可靠性和寿命。
注2 ：
如果一个输入是在这些共模范围，另一个输入
可以去外面的共模范围，输出将是有效的。
注3 ：
该LT1720 / LT1721比较器包括内部迟滞。
的跳变点，以改变输出状态所需的输入电压
每个方向。偏置电压去连接定义为V的平均
TRIP +
和
V
旅行？
，而迟滞电压是这两者的区别。
注4 ：
的共模抑制比的测量条件为V
CC
= 5V
并去连接定义为从V测量失调电压的变化
CM
= –0.1V
到V
CM
= 3.8V ， 3.9V所划分。
注5 ：
电源抑制比是衡量V
CM
= 1V和
是德网络定义为从V测量失调电压的变化
CC
= 2.7V至
V
CC
= 6V ，除以3.3V 。
注6 ：
因为内部滞后的，不存在小信号区域
在测量增益。内部迂曲的正常运行保证
通过测量V
OH
和V
OL
只有10mV的过载了。
注7 ：
传播延迟的测量，具有100mV的步骤进行。
高速模式是相对于V
旅
±
.
注8 ：
t
PD
不能在自动装卸设备测量
超速的低值。该LT1720 / LT1721都经过100％测试用
100mV的步骤和20mV的过载。相关测试表明
t
PD
限制可以用这个测试来保证的，如果额外的DC测试
执行以保证所有的内部偏置条件是正确的。
注9 ：
差分传播延迟是德音响定义为两个中较大的：
Δt
PDLH
= t
PDLH （MAX）中
– t
PDLH （ MIN ）
Δt
PDHL
= t
PDHL （MAX）中
– t
PDHL （MIN）
其中（MAX）和（MIN）表示最大值和最小值
在不同的信道比较器在给定的测量。
注10 ：
传播延迟歪斜德网络定义为：
t
SKEW
= |t
PDLH
– t
PDHL
|
典型性能特性
输入失调和电压跳闸
与电源电压
3
V
OS
和跳变点电压（MV ）
V
OS
和跳变点电压（MV ）
V
TRIP +
2
1
V
OS
0
–1
–2
–3
2.5
3
共模输入电压（ V）
2
1
V
OS
0
–1
–2
–3
–50
V
TRIP +
输入失调和电压跳闸
与温度
4.2
4.0
3.8
3.6
0.2
0
–0.2
输入共模限制
与温度
V
CC
= 5V
V
旅行？
25°C
V
CM
= 1V
3.0
5.0
3.5 4.0 4.5
电源电压（ V）
5.5
6.0
V
旅行？
–25
25
0
50
75
温度（℃）
100
125
–0.4
–50 –25
50
25
75
0
温度（℃）
100
125
17201 G01
17201 G02
17201 G03
17201fc
4
QQ：2880707522 复制
