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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符L型号页 > 首字符L的型号第542页 > LT1389
LT1389
纳安级精度
并联型电压基准
特点
s
s
s
s
s
DESCRIPTIO
初始电压准确度： 0.05 ％
低工作电流： 800nA
低漂移： 10ppm的/
°
C（最大值）
小于1Ω的动态阻抗
可在1.25V ， 2.5V ， 4.096V和
5V SO -8封装
应用S
s
s
s
s
在LT
1389是一个纳安级功耗，精密分流器电压
参考。带隙基准采用修剪精密度
锡安薄膜电阻和改进的曲率改正
技术，以实现0.05 ％的初始电压精度
保证为10ppm / ° C（最大值）温度漂移。电压
年龄规定是维持超低800nA操作
电流。在设计，加工和包装的研究进展
实现低温循环滞后。
的LT1389不需要输出补偿
电容，但是是稳定的容性负载。低镝
动力学阻抗使得LT1389参考易
从非稳压电源用。
的LT1389基准可以用作一个高性能
升级到LM185 / LM385 ， LT1004 ， LT1034和
LT1634在那里最低的功耗和温度保证
TURE漂移是必需的。
， LTC和LT是凌特公司的注册商标。
便携式仪表
精密稳压器
A / D和D / A转换器
校准器
典型应用
2.0
参考电压变化（毫伏）
1.5
1.0
0.5
0
– 0.5
–1.0
–1.5
– 2.0
0
I
R
= 0.8A
V
OUT
= 1.25V
5V
4.7M
V
OUT
1.25V
LT1389-1.25
1389 TA01
10
U
温度漂移
20
40
50
30
温度（℃）
60
70
1389 TA02
U
U
1
LT1389
绝对
（注1 ）
AXI ü
RATI GS
PACKAGE / ORDER我FOR ATIO
订购部件
数
顶视图
DNC * 1
DNC * 2
DNC * 3
GND 4
8 DNC *
7 DNC *
6 V
OUT
5 GND
工作电流
1.25V ................................................ ............... 20毫安
2.5V ................................................ ................. 20毫安
4.096V ................................................ ............. 10毫安
5V ................................................. ................... 10毫安
正向电流................................................ .. 20毫安
工作温度范围..................... 0 ° C至70℃
存储温度范围（注2 ） ... - 65℃ 150℃
引线温度（焊接， 10秒） .................. 300℃
LT1389ACS8-1.25
LT1389BCS8-1.25
LT1389BCS8-2.5
LT1389BCS8-4.096
LT1389BCS8-5
S8最热
389A12
389B12
389B25
1389B4
1389B5
S8包装
8引脚塑料SO
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 190 ° C / W
*内部连接。请勿将外部电路，这些引脚。
咨询工厂的工业和军工级配件。
可用OPTIO S
温度
0 ° C至70℃
产量
电压
1.250
1.250
2.500
4.096
5.000
精度（ ％ ）
0.05
0.05
0.05
0.075
0.075
温度COEF网络cient
（ PPM / ° C）
10
20
20
50
50
部件类型
LT1389ACS8-1.25
LT1389BCS8-1.25
LT1389BCS8-2.5
LT1389BCS8-4.096
LT1389BCS8-5
最热
389A12
389B12
389B25
1389B4
1389B5
1.25V电气特性
参数
反向击穿电压
条件
该
q
表示该指标适合整个工作
温度范围，否则仅指在T
A
= 25°C 。 （注3）
民
1.24937
– 0.05
q
q
典型值
1.250
1.250
1.250
0.20
0.20
0.3
0.3
4
4
0.25
0.25
25
最大
1.25062
0.05
1.25149
0.12
1.25237
0.19
0.4
1.0
1.0
2.0
0.6
10
20
0.7
1.5
单位
V
%
V
%
V
%
mV
mV
mV
mV
A
PPM /°C的
PPM /°C的
V
P-P
LT1389ACS8 / LT1389BCS8 （我
R
= 0.8A)
LT1389ACS8 （我
R
= 0.8A)
LT1389BCS8 （我
R
= 0.8A)
1.24849
– 0.12
1.24762
– 0.19
反向击穿变化
与电流（注4 ）
0.8A
≤
I
R
≤
200A
q
200A
≤
I
R
≤
2mA
q
最小工作电流
温度COEF网络cient
反向动态阻抗（注5 ）
低频噪声（注6 ）
LT1389ACS8 （我
R
= 0.8A)
LT1389BCS8 （我
R
= 0.8A)
0.8A
≤
I
R
≤
2mA
q
q
q
q
I
R
= 0.8μA ，为0.1Hz
≤
f
≤
10Hz
2
U
W
U
U
W W
U
W
LT1389
2.5V电气特性
参数
反向击穿电压
条件
LT1389BCS8 （我
R
= 0.9A)
LT1389BCS8 （我
R
= 0.9A)
反向击穿变化
与电流（注4 ）
0.9A
≤
I
R
≤
200A
该
q
表示该指标适合整个工作
温度范围，否则仅指在T
A
= 25°C 。 （注3）
民
2.49875
– 0.05
q
典型值
2.500
2.500
0.2
0.2
0.3
0.3
8
0.25
0.25
50
最大
2.50125
0.05
2.50475
0.19
0.5
1.5
1.0
2.5
0.7
20
0.75
2
单位
V
%
V
%
mV
mV
mV
mV
A
PPM /°C的
V
P-P
2.49525
– 0.19
q
200A
≤
I
R
≤
2mA
q
最小工作电流
温度COEF网络cient
反向动态阻抗（注5 ）
低频噪声（注6 ）
I
R
= 0.9A
0.9A
≤
I
R
≤
2mA
q
q
q
I
R
= 0.9μA ，为0.1Hz
≤
f
≤
10Hz
该
q
表示该指标适合整个
操作温度范围，否则仅指在T
A
= 25°C 。 （注3）
参数
反向击穿电压
条件
LT1389BCS8 （我
R
= 1.5A)
LT1389BCS8 （我
R
= 1.5A)
反向击穿变化
与电流（注4 ）
1.5A
≤
I
R
≤
200A
q
q
4.096V电气特性
民
4.09293
– 0.075
4.0788
– 0.42
典型值
4.096
4.096
0.2
0.2
0.3
0.3
12
0.75
0.75
80
最大
4.09907
0.075
4.1132
0.42
1.5
3
4
6
1
50
2
3
单位
V
%
V
%
mV
mV
mV
mV
A
PPM /°C的
V
P-P
200A
≤
I
R
≤
2mA
q
最小工作电流
温度COEF网络cient
反向动态阻抗（注5 ）
低频噪声（注6 ）
I
R
= 1.5A
1.5A
≤
I
R
≤
2mA
q
q
q
I
R
= 1.5μA ，为0.1Hz
≤
f
≤
10Hz
3
LT1389
该
q
表示该指标适合整个工作
温度范围，否则仅指在T
A
= 25°C 。 （注3）
参数
反向击穿电压
条件
LT1389BCS8 （我
R
= 1.5A)
LT1389BCS8 （我
R
= 1.5A)
反向击穿变化
与电流（注4 ）
1.5A
≤
I
R
≤
200A
q
q
5V电气特性
民
4.99625
– 0.075
4.979
– 0.42
典型值
5.000
5.000
0.2
0.2
0.3
0.3
12
0.75
0.75
100
最大
5.00375
0.075
5.021
0.42
1.5
3
4
6
1
50
2
3
单位
V
%
V
%
mV
mV
mV
mV
A
PPM /°C的
V
P-P
200A
≤
I
R
≤
2mA
q
最小工作电流
温度COEF网络cient
反向动态阻抗（注5 ）
低频噪声（注6 ）
I
R
= 1.5A
1.5A
≤
I
R
≤
2mA
q
q
q
I
R
= 1.5μA ，为0.1Hz
≤
f
≤
10Hz
注1 ：
绝对最大额定值是那些价值超过其使用寿命
的装置的可能损害。
注2 ：
如果该部分被存储的特定操作温度外
范围内时，输出可能是由于转向迟滞。
注3 ：
ESD （静电放电）敏感器件。使用适当的ESD
操作注意事项。
注4 ：
输出需要0.1μF操作大于1 mA的电流更大。
注5 ：
这个参数由“反向击穿变化有保证
目前“测试。
注6 ：
峰峰值噪声是衡量一个高通滤波器的
为0.1Hz和10Hz的2极的低通滤波器。
4
LT1389
1.25V典型PERFOR一个CE特征
反向特性
1.0
2.0
T
A
= - 40 ° C至85°C
参考电压变化（毫伏）
反向电压变化（毫伏）
1.5
1.0
0.5
0
I
R
= 250A
– 0.5
–1.0
I
R
= 0.8A
–1.5
– 2.0
– 40
–20
40
20
温度（℃）
0
60
80
1.0
0.8
– 40°C
0.6
0.4
0.2
0
0.001
25°C
反向电流（ μA ）
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
0.8
0.4
1.2
反向电压（ V）
1.6
1389-1.25 G01
反向动态阻抗
1000
T
A
= 25°C
F = 25Hz的
100
动态阻抗（ kΩ的）
动态阻抗（ Ω ）
正向电压（ V）
10
1
0.1
0.001
0.01
0.1
1
反向电流（mA ）
10
1389-1.25 G04
0.1Hz至10Hz的噪音
25
20
I
R
= 0.8A
噪声电压（ μV / DIV ）
15
10
5
0
–5
–10
–15
– 20
– 25
0
10
20
30
40
50
时间（秒）
60
70
1389-1.25 G07
ü W
100
10
1
0.1
1.5V
1V
0.5V
0V
5V
0V
温度漂移
1.2
反向电压变化
VS电流
85°C
0.1
1
0.01
反向电流（mA ）
10
1389-1.25 G03
1389-1.25 G02
动态阻抗与频率
T
A
= 25°C
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
正向特性
T
A
= 25°C
I
R
= 0.8A
C
OUT
= 0F
I
R
= 0.8A
C
OUT
= 0.047F
I
R
= 10A
C
OUT
= 0.1F
I
R
= 10A
C
OUT
= 0F
0.01
0.01
0.1
1
频率（kHz ）
10
1389-1.25 G05
0
0.001
0.01
0.1
1
10
正向电流（mA ）
100
1389-1.25 G06
响应时间
1.5V
1V
0.5V
0V
5V
0V
I
R
= 0.8A
C
OUT
= 0F
1ms/DIV
1389-1.25 G08
响应时间
I
R
= 0.8A
C
OUT
= 0.1F
200ms/DIV
1389-1.25 G09
5
LTZ1000/LTZ1000A
超精密基准
特点
n
n
n
n
n
n
描述
该LTZ1000和LTZ1000A是超稳定的温度
可控引用。他们的目的是提供7V
与0.05PPM的温度漂移输出/ ° C，约
1.2V
P-P
的2μV / √kHr的噪声和长期稳定性。
包括在芯片上是一个地下稳压基准，
加热电阻器对温度稳定，和一个温
perature感应晶体管。外部电路是用于
设置工作电流和温度稳定
参考。这允许最大的灵活性和最佳的长期
长期稳定性和噪声。
该LTZ1000和LTZ1000A引用可以提供苏
perior性能较旧的设备，如LM199 ，
前提是用户实现了加热器控制和
妥善管理的热布局。为了简化热
绝缘性， LTZ1000A采用了专有的芯片连接
方法是提供显著较高的耐热性
比LTZ1000 。
L,
线性LT ， LTC ， LTM ，凌特和线性标识是注册商标
技术公司。所有其他商标均为其各自所有者的财产。
n
n
1.2V
P-P
噪音
2μV / √kHr长期稳定性
非常低滞后
0.05PPM /°C的漂移
温度稳定
400 ° C / W热阻LTZ1000A减少
绝缘要求
特定网络版为-55 ° C至125°C温度范围
采用TO -99封装
应用
n
n
n
n
n
电压表
校准器
标准单元
秤
低噪声RF振荡器
典型用途
低噪声基准
LTZ1000
V
IN
≥ 10V
产量
30k
3
7
6
1N4148
（ PPM ）
0
2
长期稳定性
+
–
LT
1006
2
4
120
0.02F
–2
1000 TA01
0
10
天
20
30
的典型器件不时= 0长期稳定性
WITH NO预处理或老化
1000 TA01b
1000afd
1
LTZ1000/LTZ1000A
绝对最大额定值
（注1 ）
引脚配置
底部视图
8
7
Q2
6
Q1
5
4
H8包
TO-5金属的CAN
T
JMAX
= 150°C,
LTZ1000CH ：
θ
JA
= 80 ° C / W
LTZ1000ACH ：
θ
JA
= 400 ° C / W
7V
3
1
加热器基板............................................... 35V ....
集电极发射极击穿Q1 ............................... 15V
集电极发射极击穿Q2 ............................... 35V
发射基地反向偏置.......................................... 2V
工作温度范围.........- 55℃ ≤牛逼
A
≤ 125°C
存储温度范围............- 65℃ ≤牛逼
A
≤ 150°C
基板正向偏压0.1V ............................................
2
订购信息
无铅完成
LTZ1000ACH#PBF
LTZ1000CH#PBF
含铅涂层
LTZ1000ACH
LTZ1000CH
最热
LTZ1000ACH
LTZ1000CH
最热
LTZ1000ACH
LTZ1000CH
包装说明
8引脚TO- 5金属罐（ 0.200英寸PCD ）
8引脚TO- 5金属罐（ 0.200英寸PCD ）
包装说明
8引脚TO- 5金属罐（ 0.200英寸PCD ）
8引脚TO- 5金属罐（ 0.200英寸PCD ）
特定网络版温度范围
-55 ° C至125°C
-55 ° C至125°C
特定网络版温度范围
-55 ° C至125°C
-55 ° C至125°C
咨询LTC营销部分特定网络版与更广泛的工作温度范围。
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http://www.linear.com/leadfree/
此产品只在托盘提供。欲了解更多信息，请访问：
http://www.linear.com/packaging/
电气特性
参数
齐纳电压
齐纳变化与电流
齐纳二极管的泄漏电流
齐纳噪声
加热器电阻
加热器击穿电压
晶体管Q1击穿
晶体管Q2击穿
Q1 ， Q2电流增益
热阻
长期稳定性
条件
（注2 ）
民
7.0
6.9
典型值
7.2
7.15
80
20
1.2
200
35
15
35
80
时间= 5分钟
时间= 5分钟
300
20
50
200
80
400
2
450
° C / W
° C / W
μV√kHr
最大
7.5
7.45
240
200
2
420
单位
V
V
mV
A
V
P-P
Ω
V
V
V
l
Z
= 5毫安， （V
Z
+ VBE
Q1
) I
Q1
= 100A
l
Z
= 1mA时， （V
Z
+ VBE
Q1
) I
Q1
= 100A
1毫安 - 我
Z
< 5毫安
V
Z
= 5V
l
Z
= 5毫安，为0.1Hz < F <为10Hz
1
Q1
= 100A
I
L
≤ 100A
I
C
= 10μA ， LVCEO
I
C
= 10μA ， LVCEO
I
C
= 100A
LTZ1000
LTZ1000A
中T = 65℃
注1 ：
强调超越上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。暴露于任何绝对
最大额定值条件下工作会影响器件
可靠性和寿命。
注2 ：
所有的测试是在25 ℃。脉冲测试用于LTZ1000A来
最大限度地减少测试过程中温度上升。 LTZ1000和LTZ1000A设备
在-55°C至125 ° C的QA测试。
1000afd
2
LTZ1000/LTZ1000A
典型性能特性
齐纳电压随电流
100
90
齐纳电压噪声（NV / √Hz的）
齐纳电压的变化（毫伏）
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
齐纳开尔文
感觉到Q1
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
齐纳电流（毫安）
1000 G01
齐纳电压噪声谱
500
450
齐纳噪声
I
Z
= 4毫安
齐纳ALONE
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0.1
齐纳电流= 4毫安
1
10
频率（Hz）
100
齐纳电流= 0.5毫安
齐纳电压噪声（ 2μV / D）
I
Z
- 0.5毫安
0
10
20
30
40
时间（秒）
50
60
1000 G02
1000 G03
模具温度上升
VS加热器电源
0.8
0.7
加热器功率（ W）
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
25 35 45 55 65 75 85 95 105 115 125
芯片温度高于环境温度（ ° C）
1000 G04
模具温度对时间
125
LTZ1000A
片芯温升（ ° C）
加热器功率= 0.3W
125
模具温度上升对时间
LTZ1000
LTZ1000
片芯温升（ ° C）
100
100
75
加热器功率= 0.2W
75
加热器功率= 0.7W
加热器功率= 0.5W
50
50
LTZ1000A
25
加热器功率= 0.1W
25
加热器功率= 0.3W
0
0.1
1
10
100
时间（秒）
1000
0
0.1
1
10
100
时间（秒）
1000 G06
1000
1000 G05
引脚功能
引脚1 ：
加热器阳性。必须有较高的正值
比2脚和4脚。
引脚2 ：
加热器负。必须有较高的正值
比针脚4.必须具有相同或更低的电势比针脚1 。
3脚：
齐纳阳性。必须有较高的正值
比4脚。
引脚4 ：
基板和稳压负。必须有一个更高的
比针脚7.正值如果Q1是Zenered （约7V ）一
在公测的永久退化将导致。
5脚：
温度补偿晶体管集电极。
引脚6 ：
温度传感晶体管的基极。如果基
发射结Zenered （约7V ） ，晶体管会
遭受永久性的测试版降级。
引脚7 ：
发射器的感应和补偿晶体管。
引脚8 ：
集电极感应晶体管。
1000afd
3
LTZ1000/LTZ1000A
框图
1
8
3
5
*
Q2
Q1
*
*
2
6
4
7
1000 TA07
*衬底器件，不要正向偏压
应用信息
LTZ1000和LTZ1000A能够提供终极的
电压基准的表现。更好的温度漂移
大于0.03ppm / °的量级C和长期稳定性
每月1μV可以实现。约0.15ppm噪声
也可以得到。这样的表现是在牺牲
电路的复杂性，由于外部影响可以很容易地
导致超过1ppm的输出电压的变化。
热电偶的影响是最严重的问题之一，
可以给很多ppm的表观漂移/°C，以及事业
低频噪声。在TO- 5的可伐输入导线
当连接到铜包形式的热电偶
PC板。这些热电偶产生的输出
35μV / ℃。它是强制性的，以保持齐纳和晶体管
导致在相同的温度，否则1ppm的至5ppm的
在输出电压中的变化可以容易地从预期
这些热电偶。
气流穿过引线吹也可以引起小
温度的变化，特别是因为包是
加热。这看起来就像1ppm的低频5ppm的
发生过若干分钟内的噪声。为了获得最好的
结果，该装置应位于一个封闭的区域
并且还有来自气流屏蔽。
当然，任何温度梯度外部产生，
从电源说，横跨不应出现
关键电路。引线的晶体管和齐纳
应连接到相同大小的PC轨迹均衡
的热损失，并维持在类似的温度。
PC板的底部应采用屏蔽
对气流为好。
电阻器，以及具有电阻温度coef-
科幻cients ，可以产生热电偶效应。某些类型的
电阻器可以产生数百热电偶的毫伏
情侣电压。在这些电阻热电偶效应
也会干扰的输出电压。线绕
电阻器通常具有最低的热电偶电压
而锡氧化物型电阻具有极高的热电偶
电压。薄膜电阻，特别是威世精密液膜
电阻器，可以具有较低的热电偶电压。
普通的电路试验板的技术还不够好
以得到稳定的输出电压与LTZ1000家族
设备。为模拟板试验，因此建议小
印刷电路板可以由使用该参考文献中，
扩增fi er和线绕电阻。必须小心，以
确保加热器电流不溢流通过相同的
接地线为基准的负侧（发射极
Q1的） 。加热器电流的变化可能会增加，或
由，参考电压引起的错误与减
温度。采用低电阻单点接地
布线建议。
1000afd
4
LTZ1000/LTZ1000A
应用信息
设定控制温度
控制晶体管的发射极 - 基极电压设置
稳定温度为LTZ1000 。随着价值观
在应用中给定的，温度通常为60℃。
这提供了裕量的15℃以上的最高环境
为45℃ ，例如。在发射极 - 基极产生的变化
电压通常会造成大约± 10℃的变化。自
大约为2mV / ℃，是在发射极 - 基极电压的变化
很容易预测，其他温度容易设置。
因为较高的温度加速老化，降低
长期稳定性，具有一致的最低温度
的操作环境应该被使用。该LTZ1000A
应设置约10℃高于LTZ1000 。这
是因为在正常工作的功率耗散
LTZ1000A导致约10 ℃的温度上升。的
当然两种类型的设备应该从绝缘
环境。热身几分钟是平常。
如果不需要极端的精度或
在LTZ1000的低噪声，线性技术使得
宽线的电压基准。像LT1021器件
可以提供漂移低至为2ppm / ℃，例如设备
该LM399A提供1PPM /的漂移℃。只有应用
需要非常低噪声，低漂移与时间系统蒸发散
在LTZ1000应该使用这个设备。请参阅应用笔记
AN- 82和AN- 86的进一步信息。咨询直线
技术应用部门更多的帮助。
典型应用
负参考电压
齐纳+ SENSE
V
+
15V
GND
0.1F
1
2N3904
1k
7
LT1013
R4
13k
R3
70k
3
6
10k
1M
2
1N4148
0.1F
400k*
R1
120
4
7
2
8
LT1013
1
R2
70k
+
–
5
8
5
–
+
3
R5
1k
4
1N4148
齐纳 - FORCE
齐纳 - SENSE
0.022F
*提供温度补偿，删除LTZ1000A
近似变化对参考电压一个100ppm的变化对电阻值：
R1
R2
R3
R4 / R5比
为100ppm =
R(
)
0.012
7
7
R
= 0.01%
V
Z
1ppm
0.3ppm
0.2ppm
1ppm
V
–
≥ 10V
A1和A2贡献较比输出漂移在50° C温度范围内2μV
1000 TA02
1000afd
5
特点
n
n
n
n
n
LTC3588-2
压电能量
收集电源
用14V最小V
IN
描述
此外，LTC
3588-2集成了一个低损耗全波桥式
整流器器具有高英法fi效率降压转换器形成
高优化的完整能量收集解决方案
输出阻抗能源如压电
换能器。
超低静态电流欠压锁定（ UVLO ）
用16V上升阈值模式使高效节能
从压电换能器高开的提取
电路的电压。这个能量从输入传输
经由一个高效率同步电容器向输出
降压稳压器。在16V UVLO门限也允许
输入到输出的电流倍增通过降压
调节器。降压功能，最大限度地减少睡眠状态
输入和输出静态电流，而在监管。
的3.45V ， 4.1V ， 4.5V和5.0V四种输出电压
引脚可选择多达连续输出100mA的
目前，西装和锂离子电池和磷酸铁锂
4
电池以及
超级电容器。输入保护性分流设定在20V
提供过压保护。
L,
LT ， LTC ， LTM ，凌力尔特，线性标识和Burst Mode是注册商标。
凌力尔特公司的。所有其他商标均为其各自的属性
业主。
n
n
n
n
n
1500nA输入静态电流（输出在
调控 - 无负载，V
IN
= 18V)
830nA输入静态电流在UVLO ，V
IN
= 12V
14V至20V输入工作范围
集成低损耗全波桥式整流器
16V UVLO提高高功率利用率
电压电流限制输入
高达100mA的输出电流
高效率集成迟滞降压型DC / DC
可选的输出电压： 3.45V ， 4.1V ， 4.5V ， 5.0V
输入保护分流 - 高达25mA的下拉在
V
IN
≥ 20V
可提供10引脚MSE和3mm
×
3mm DFN封装
套餐
应用
n
n
n
n
n
n
n
压电能量收集
机电能量收集
低功耗的电池充电
无线HVAC传感器
移动资产跟踪
轮胎压力传感器
电池更换为工业传感器
典型用途
高压压电能量收集电源
LTC3588-2 5.0V稳压器入门简介
20
C
IN
= 10μF
存储
= 47F
,
18空载，我
VIN
= 2A
MIDE V25W
电压（V）的
PZ1
1F
6V
10F
25V
4.7F
6V
V
IN
帽
V
IN2
GND
35882 TA01
V
IN
16
PZ2
22H
V
OUT
C
存储
6V
2
产量
电压
SELECT
14
12
10
8
6
4
2
0
0
200
时间（秒）
35882 TA01b
LTC3588-2
SW
V
OUT
PGOOD
D0, D1
V
OUT
PGOOD =逻辑1
400
600
35882fa
1
LTC3588-2
绝对最大额定值
（注1 ）
V
IN
低阻抗源....................... -0.3V至18V *
目前美联储，我
SW
= 0A ...................................... 25毫安
PZ1 ， PZ2 ............................................... ............ 0V至V
IN
D0 ， D1 ..............- 0.3V至[小（V
IN2
+ 0.3V ）或6V ]
CAP ...................... [中-0.3V或更高版本（V
IN
- 6V ） ]到V
IN
V
IN2
................... -0.3V至[小（V
IN
+ 0.3V ）或6V ]
* V
IN
有一个内部20V钳位
对于T <毫秒和占空比< 1 ％ ，
绝对最大连续电流= 5毫安
V
OUT
.................. -0.3V至[小（V
IN
+ 0.3V ）或6V ]
PGOOD ............- 0.3V至[小（V
OUT
+ 0.3V ）或6V ]
I
PZ1
, I
PZ2
.................................................. ........... ± 50毫安
I
SW
.................................................. .................... 350毫安
工作结温范围
（注2，注3 ） ............................................ .... -40至125°C
存储温度范围...................... -65 125°C
焊接温度（焊接， 10秒）
MSE只有................................................ .......... 300℃
引脚配置
顶视图
PZ1
PZ2
帽
V
IN
SW
1
2
3
4
5
11
GND
10 PGOOD
9 D0
8 D1
7 V
IN2
6 V
OUT
顶视图
PZ1
PZ2
帽
V
IN
SW
1
2
3
4
5
11
GND
10
9
8
7
6
PGOOD
D0
D1
V
IN2
V
OUT
DD包
10引脚（3毫米
×
3毫米）塑料DFN
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 43 ° C / W ，
θ
JC
= 7.5 ° C / W
裸露焊盘（引脚11 ）为GND ，必须焊接到PCB
MSE包
10引脚塑料MSOP
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 45 ° C / W ，
θ
JC
= 10℃ / W的
裸露焊盘（引脚11 ）为GND ，必须焊接到PCB
订购信息
无铅完成
LTC3588EDD-2#PBF
LTC3588IDD-2#PBF
LTC3588EMSE-2#PBF
LTC3588IMSE-2#PBF
磁带和卷轴
LTC3588EDD-2#TRPBF
LTC3588IDD-2#TRPBF
LTC3588EMSE-2#TRPBF
LTC3588IMSE-2#TRPBF
最热*
LFYK
LFYK
LTFYM
LTFYM
包装说明
10引脚（3毫米
×
3毫米）塑料DFN
10引脚（3毫米
×
3毫米）塑料DFN
10引脚塑料MSOP
10引脚塑料MSOP
温度范围
-40_C到125_C
-40_C到125_C
-40_C到125_C
-40_C到125_C
咨询LTC营销与更广泛的工作温度范围规定的部分。 *温度等级标识在包装盒上的标签。
有关无铅零件标记的更多信息，请访问：
http://www.linear.com/leadfree/
此产品只在托盘提供。欲了解更多信息，请访问：
http://www.linear.com/packaging/
35882fa
2
LTC3588-2
电气特性
符号
V
IN
I
Q
参数
输入电压范围
V
IN
静态电流
UVLO
巴克启用，睡觉
巴克启用，不睡觉
V
IN
欠压锁定阈值
V
IN
并联稳压器
最大保护电流分流
内桥整流器器损耗
(|V
PZ1
– V
PZ2
| – V
IN
)
内桥整流器反向器
漏电流
内桥整流器反向器
击穿电压
V
OUT
稳压输出电压
该
l
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
结温范围内，另有规定的阳离子为T
A
= 25 ℃（注2） 。 V
IN
= 18V ，除非另有规定。
条件
在V低阻抗源
IN
V
IN
= 12V ，不PGOOD
V
IN
= 18V
I
SW
= 0A （注4 ）
V
IN
升起
V
IN
落下
V
分流
I
分流
I
VIN
= 1毫安
1ms的时间
I
桥
= 10A
V
反向
= 18V
I
反向
= 1A
3.45V输出选择
睡眠阈值
唤醒阈值
4.1V输出选择
睡眠阈值
唤醒阈值
4.5V输出选择
睡眠阈值
唤醒阈值
5.0V输出选择
睡眠阈值
唤醒阈值
作为选定V的百分比
OUT
V
OUT
= 5.0V
200
100
1.1
1.3
l
l
l
l
l
l
民
典型值
最大
18.0
单位
V
nA
nA
A
V
V
V
mA
mV
nA
V
830
1500
150
16.0
13.0
18.8
25
350
400
14.0
20.0
1400
2500
250
17.0
21.2
450
20
V
UVLO
V
分流
30
l
l
l
l
l
l
l
l
3.346
3.979
4.354
4.825
83
3.466
3.434
4.116
4.084
4.516
4.484
5.016
4.984
92
125
260
3.554
4.221
4.646
5.175
V
V
V
V
V
V
V
V
%
nA
mA
mA
%
V
PGOOD下降阈值
I
VOUT
I
PEAK
I
巴克
R
P
R
N
V
IH（ D0，D1 ）
V
白细胞介素（D0，D1 ）
I
IH（ D0，D1 ）
I
白细胞介素（D0，D1 ）
输出静态电流
降压峰值开关电流
可降压输出电流
巴克PMOS开关导通电阻
巴克NMOS开关导通电阻
巴克最大占空比
D0 / D1输入高电压
D0 / D1输入低电压
D0 / D1输入高电流
D0 / D1输入低电平电流
250
350
100
1.2
0.4
10
10
V
nA
nA
注1 ：
强调超越上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。暴露于任何绝对
最大额定值条件下工作会影响器件
可靠性和寿命。
注2 ：
该LTC3588E -2脉冲负载条件例如下测试
那件T
J
≈ T
A
。该LTC3588E - 2是保证符合规格
从0° C至85° C的结温。特定网络连接的阳离子在-40°C
至125 ° C的工作结温范围内由设计保证，
鉴定和相关的统计过程控制。该
LTC3588I - 2可保证在-40 ° C至125 ° C的工作结
温度范围。注意，最大环境温度
这些规范是一致通过具体的操作来确定
在电路板布局，额定封装的热条件结合
阻抗和其他环境因素。
注3 ：
结温度（T
J
，单位为℃ ） ，从室温计算
温度（T
A
，单位为℃ ）和功耗（P
D
在瓦特）根据
下式：T已
J
= T
A
+ (P
D
θ
JA
），其中
θ
JA
（单位为℃ / W）是包
热阻抗。
注4 ：
动态电源电流较高，由于栅极电荷的存在
在开关频率传递。
35882fa
3
LTC3588-2
典型性能特性
1800
1600
1400
输入I
Q
（ nA的）
输入I
Q
（ nA的）
1200
1000
800
600
400
200
0
0
2
4
6
8
10
V
IN
(V)
12
14
16
85°C
25°C
–40°C
输入I
Q
在UVLO VS V
IN
125°C
3600
3200
2800
2400
2000
1600
1200
800
输入I
Q
在休眠VS V
IN
125°C
UVLO上升与温度
16.4
16.2
UVLO上升（ V）
18
35882 G02
85°C
25°C
–40°C
14
15
16
V
IN
(V)
17
16.0
15.8
15.6
–50
–25
50
0
25
75
温度（℃）
100
125
35882 G01
35882 G03
UVLO下降与温度
14.4
21.2
21.0
20.8
14.2
UVLO的下降（ V）
V
分流
(V)
20.6
20.2
20.0
19.8
19.6
13.8
19.4
19.2
19.0
13.6
–50
–25
50
0
25
75
温度（℃）
100
125
20.4
V
分流
与温度
共有桥整流器呃滴
VS桥电流
1800
1600
1400
V
桥
（毫伏）
1200
1000
800
600
400
200
85°C
25°C
|V
PZ1
– V
PZ2
| – V
IN
–40°C
I
分流
= 25毫安
I
分流
= 1毫安
14.0
18.8
–50
–25
35882 G04
0
25
75
50
温度（℃）
100
125
0
1
10
100
1m
桥电流（ A）
10m
35882 G06
35882 G05
大桥泄漏与温度
20
18
16
BRIDGE泄漏（ NA）
14
V
IN
(V)
12
10
8
6
4
2
0
–55
–10
35
80
125
温度（℃）
170
35882 G07
大桥频率响应
2.0
4V
P-P
适用于PZ1 / PZ2 INPUT
1.8
测量UVLO
1.6
1.4
V
OUT
(V)
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
10
100
1k
10K 100K 1M
频率（Hz）
10M 100M
35882 G08
3.45V输出与温度
3.55
3.50
3.45
3.40
3.35
3.30
3.25
3.20
3.15
3.10
–50
–25
0
25
75
50
温度（℃）
100
125
PGOOD FALLING
唤醒阈值
睡眠阈值
V
IN
= 18V ，泄漏PZ1或PZ2
35882 G09
35882fa
4
LTC3588-2
典型性能特性
4.1V输出与温度
4.20
睡眠阈值
4.10
唤醒阈值
V
OUT
(V)
V
OUT
(V)
4.00
4.40
4.50
唤醒阈值
V
OUT
(V)
4.60
睡眠阈值
4.5V输出与温度
5.10
5.00
5.0V输出与温度
睡眠阈值
唤醒阈值
4.90
4.80
4.70
3.90
4.30
3.80
PGOOD FALLING
4.20
PGOOD FALLING
100
125
4.10
–50
–25
0
25
75
50
温度（℃）
100
125
4.60
4.50
–50
PGOOD FALLING
3.70
–50
–25
0
25
75
50
温度（℃）
–25
35882 G10
50
0
25
75
温度（℃）
100
125
35882 G11
35882 G12
V
OUT
负载调整率
4.20
V
IN
= 18V ，C
OUT
= 100μF D 1 = 0， D 0 = 1
,
4.15
V
OUT
线路调整
C
OUT
= 100μF我
负载
= 60毫安，
,
4.14 D1 = 0, D0 = 1
4.13
4.12
I
VOUT
（ nA的）
V
OUT
(V)
4.11
4.10
4.09
4.08
4.07
4.06
160
140
120
100
80
I
VOUT
与温度
V
OUT
= 5.0V
V
OUT
= 4.5V
4.15
V
OUT
(V)
4.10
V
OUT
= 3.45V
V
OUT
= 4.1V
4.05
60
40
–50
4.00
1
10
100
1m
10m
负载电流（A ）
100m
35882 G13
4.05
14
15
16
V
IN
(V)
17
18
35882 G14
–25
0
75
25
50
温度（℃）
100
125
35882 G15
300
290
280
270
I
PEAK
与温度
R
DS （ ON）
PMOS / NMOS的
与温度
2.0
1.8
1.6
R
DS （ ON）
()
1.4
PMOS
1.2
1.0
0.8
–55 –35 –15
NMOS
产量
电压
50mV/DIV
AC耦合
开关
电压
10V/DIV
0V
感应器
当前
200mA/DIV
0mA
5 25 45 65 85 105 125
温度（℃）
35882 G17
工作波形
I
PEAK
（MA ）
260
250
240
230
220
210
200
–50
–25
0
75
25
50
温度（℃）
100
125
35882 G16
2.5s/DIV
V
IN
= 18V, V
OUT
= 5.0V
I
负载
= 1毫安
L = 22μH ，C
OUT
= 47F
35882 G18
35882fa
5
电气规格如有变更，
LTC3330
能量收集DC / DC
带有备用电池
特点
n
描述
该
LTC
3330
集成的高电压能量收集
电源加一个DC / DC转换器供电的由一个主
电池创建一个单独的输出电源替代
能源的应用。能量收集电源，
包括一体的全波桥式整流器和一个中
高电压降压型转换器，从压电能量收获
电，太阳能，或磁源。主细胞输入
权力降压 - 升压型转换器能够运行下来
以在1.8V的输入。或者DC / DC变换器可以提供烯
ERGY到单个输出。收获时，降压运行
能量是可用的，降低了静态电流
上的电池向基本为零。该降压 - 升压花费
在收获的时候能消失。
低噪声LDO后置稳压器和超级电容器
均衡器也被集成，适应范围广
输出存储配置。
对于输入和输出电压和电流设置
可通过引脚搭接逻辑输入进行编程。
该LTC3330提供5mm × 5毫米QFN -32封装。
L,
线性LT ， LTC ， LTM ，凌特和线性标识是注册商标
技术公司。所有其他商标均为其各自所有者的财产。
n
n
n
n
n
n
n
n
n
双输入，单输出DC / DC与输入
优先排序
能量收集输入： 3.0V至18V降压型DC / DC
原代细胞输入： 1.8V至5.5V降压 - 升压型DC / DC
零电池I
Q
当从供电负荷
采集的能量
超低静态电流： 900nA空载
低噪声LDO后置稳压器
集成超级电容器平衡器
输出电流高达50mA的
可编程DC / DC和LDO的输出电压，
巴克UVLO和降压 - 升压峰值输入电流
集成低损耗全波桥式整流器
输入保护分流高达25mA的V
IN
≥ 20V
采用5mm x 5毫米QFN -32封装
应用
n
n
n
n
能量收集
太阳能供电系统与原代细胞备份
无线HVAC传感器和安全设备
移动资产跟踪
典型用途
4V至18V
+
太阳的
PANEL
AC1
3V至18V
10F
25V
4.7μF 6V
,
1F
6V
帽
V
IN2
V
IN
LTC3330
AC2
SW
SWA
SWB
V
OUT
LDO_IN
22H
22H
压电
MIDE
V25W
–
1.2V至5V
50mA
10mF
2.5V
10mF
2.5V
可选
22F
6V
BAT
SCAP
BAL
+
主
CELL
1.8V至5.5V
1F
6V
3
3
3
4
OUT [ 2 ：0]的
LDO的[2：0 ]
IPK [2 ：0]的
紫外线[3：0 ]
LDO_EN
EH_ON
PGVOUT
PGLDO
LDO_OUT
GND
V
IN3
1F
6V
1.2V至3.6V
50mA
2.2F
6V
3330 TA01a
3330p
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1
LTC3330
绝对最大额定值
（注1 ）
引脚配置
顶视图
PGVOUT
LDO_EN
24 LDO0
23 LDO1
22 LDO2
33
GND
21 LDO_IN
20 LDO_OUT
19 IPK2
18 IPK1
17 IPK0
9 10 11 12 13 14 15 16
V
OUT
SWB
SWA
帽
AC2
BAT
V
IN
SW
PGLDO
EH_ON
OUT2
OUT1
OUT0
V
IN
低阻抗源..........................- 0.3 18V *
目前，美联储，我
SW
= 0A ........................................ 25毫安
AC1 ， AC2 ............................................... .............. 0至V
IN
BAT ，V
OUT
, V
IN3
， LDO_IN ， SCAP ， PGVOUT ， PGLDO ，
EH_ON ................................................. .......- 0.3 6V
V
IN2
....................- 0.3V至[小（V
IN
+ 0.3V ）或6V ]
CAP ...................... [中-0.3V或更高版本（V
IN
- 6V ） ]到V
IN
LDO_OUT ， LDO [ 2 ： 0 ] ， LDO_EN ..- 0.3V至LDO_IN + 0.3V
BAL ...............................................- 0.3 V到SCAP + 0.3V
OUT [ 2：0] .......... -0.3V到的[小（Ⅴ
IN3
+ 0.3V ）或6V ]
IPK [ 2 ： 0 ] ........... -0.3V至[小（V
IN3
+ 0.3V ）或6V ]
紫外线[3：0 ] ............ -0.3V到的[小（Ⅴ
IN2
+ 0.3V ）或6V ]
I
AC1
, I
AC2
..............................................................±50mA
I
SW
, I
SWA
, I
SWB
, I
VOUT
..........................................350mA
I
LDO_OUT
.................................................................50mA
工作结温范围
（注2，注3 ） ............................................ -40 ° C至125°C
存储温度范围.................. -65 ° C至125°C
*V
IN
有一个内部20V钳位
32 31 30 29 28 27 26 25
BAL 1
SCAP 2
V
IN2
3
UV3 4
UV2 5
UV1 6
UV0 7
AC1 8
UH套餐
32引脚（5毫米
×
5毫米）塑料QFN
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 34 ° C / W
裸露焊盘（引脚33 ）为GND ，必须焊接到PCB
订购信息
无铅完成
LTC3330EUH#PBF
LTC3330IUH#PBF
磁带和卷轴
LTC3330EUH#TRPBF
LTC3330IUH#TRPBF
最热
3330
3330
包装说明
32引脚（5毫米
×
5毫米）塑料QFN
32引脚（5毫米
×
5毫米）塑料QFN
温度范围
-40 ° C至85°C
-40_C到125_C
咨询LTC营销部分特定网络版与更广泛的工作温度范围。
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V
IN3
3330p
2
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LTC3330
该
l
表示该应用在特定网络编辑工作的特定连接的阳离子
结温范围内，另有规定的阳离子是在T
A
= 25 ℃（注2） 。 V
IN
= 5V ， BAT = 3.6V ， SCAP = 0V ， LDO_IN = 0V ，除非
另有规定ED 。
符号
V
IN
V
BAT
I
VIN
参数
降压输入电压范围
降压 - 升压型输入电压范围
V
IN
静态电流
V
IN
输入UVLO
巴克启用，睡觉
巴克启用，睡觉
巴克启用，不睡觉
BAT静态电流
BAT输入与V
IN
活跃
降压 - 升压启用，睡眠
降压 - 升压启用，不睡觉
LDO_IN输入范围
LDO_IN静态电流
LDO_OUT漏电流
稳压LDO输出电压
LDO线性调节（ 1.8V至5.5V ）
LDO的负载调整率（ 10μA至10mA ）
LDO低压差电压
LDO电流限制
I
VOUT
I
SCAP
I
来源
I
SINK
V
BAL
V
INUVLO
V
OUT
漏电流
超级电容器平衡器静态电流
超级电容器平衡器源电流
超级电容器均衡吸收电流
超级平衡点
V
IN
欠压锁定阈值
（上升或下降）
LDO_IN = 5.0V ，我
LDO_OUT
= 0A
LDO_IN = 5.0V ， LDO_OUT = 5.0V
误差为目标的百分比
LDO_OUT = 1.2V ，具有10mA的负载
LDO_IN = 5.0V ， LDO_OUT = 3.3V
LDO_OUT = 3.3V ，具有10mA的负载
LDO_IN = 5.0V
V
OUT
= 5.0V
SCAP = 5.0V
SCAP = 5.0V ， BAL = 2.4V
SCAP = 5.0V ， BAL = 2.6V
SCAP电压的百分比
3V级
4V级
5V电平
6V水平
7V水平
8V水平
9V水平
10V电平
11V电平
12V电平
13V电平
14V电平
15V电平
16V电平
17V电平
18V电平
V
分流
V
IN
并联稳压器
I
VIN
= 1毫安
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
电气特性
条件
l
l
民
3.0
1.8
典型值
最大
18
5.5
单位
V
V
nA
nA
nA
A
nA
nA
A
V
IN
= 2.5V ， BAT = 0V
V
IN
= 4V ， BAT = 0V
V
IN
= 18V ， BAT = 0V
V
IN
= 5V ， BAT = 0V ，我
SW1
= 0A （注4 ）
BAT = 1.8V ，V
IN
= 5V
BAT = 5V ，V
IN
= 0V
BAT = 5V ，V
IN
= 0V时，我
SWA
= I
SWB
= 0A
（注4 ）
l
450
1150
1650
150
900
200
1.8V
400
125
–2.0
2
2
90
50
125
165
10
10
49
2.85
3.80
4.75
5.70
6.65
7.60
8.55
9.50
10.4
11.4
12.3
13.3
14.2
15.2
16.1
17.1
19.0
50
3.00
4.00
5.00
6.00
7.00
8.00
9.00
10.0
11.0
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
20.0
700
1800
2500
250
10
1500
330
5.5V
600
2.0
I
BAT
V
LDO_IN
I
LDO_IN
I
LDO_OUT
LDO_OUT
nA
nA
%
mV / V的
毫伏/毫安
mV
mA
nA
250
nA
mA
mA
51
3.15
4.20
5.25
6.30
7.35
8.40
9.45
10.5
11.6
12.6
13.7
14.7
15.8
16.8
17.9
18.9
21.0
%
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
3330p
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3
LTC3330
该
l
表示该应用在特定网络编辑工作的特定连接的阳离子
结温范围内，另有规定的阳离子是在T
A
= 25 ℃（注2） 。 V
IN
= 5V ， BAT = 3.6V ， SCAP = 0V ， LDO_IN = 0V ，除非
另有规定ED 。
符号
I
分流
参数
最大保护电流分流
内部桥式整流器损耗（ | V
AC1
– V
AC2
| – V
IN
) I
桥
= 10A
I
桥
= 50毫安
内部桥式整流器反向漏电流
内部桥式整流器反向击穿
电压
V
OUT
稳压降压/降压 - 升压输出电压
V
反向
= 18V
I
反向
= 1A
1.8V输出选择
睡眠阈值
唤醒阈值
2.5V输出选择
睡眠阈值
唤醒阈值
2.8V输出选择
睡眠阈值
唤醒阈值
3.0V输出选择
睡眠阈值
唤醒阈值
3.3V输出选择
睡眠阈值
唤醒阈值
3.6V输出选择
睡眠阈值
唤醒阈值
4.5V输出选择
睡眠阈值
唤醒阈值
5.0V输出选择
睡眠阈值
唤醒阈值
I
PEAK_BUCK
降压峰值开关电流
I
巴克
I
IPEAK_BB
可降压输出电流
降压 - 升压峰值开关电流
250毫安目标选择
150毫安目标选择
百毫安目标选择
50毫安目标选择
25毫安目标选择
15毫安目标选择
10毫安目标选择
5毫安目标选择
I
BB
R
P_BUCK
R
N_BUCK
R
P_BB
R
N_BB
R
P_LDO
可降压 - 升压型电流
巴克PMOS开关导通电阻
巴克NMOS开关导通电阻
降压 - 升压型PMOS开关导通电阻
降压 - 升压型NMOS开关导通电阻
LDO PMOS开关导通电阻
输入和输出开关
输入和输出开关
LDO_IN = 2.5V ，我
LDO_OUT
= 50毫安
I
IPEAK_BB
= 250毫安， BAT = 1.8V ，
V
OUT
= 3.3V
l
l
电气特性
条件
民
25
700
1400
V
分流
典型值
800
1500
30
最大
900
1600
20
单位
mA
mV
mV
nA
V
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
l
待定
1.806
1.794
2.508
2.492
2.809
2.791
3.010
2.990
3.311
3.289
3.612
3.588
4.515
4.485
5.017
4.983
250
250
150
100
50
25
15
10
5
待定
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
200
100
待定
350
350
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
50
1.1
1.3
0.5
0.5
7
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
3330p
4
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LTC3330
该
l
表示该应用在特定网络编辑工作的特定连接的阳离子
结温范围内，另有规定的阳离子是在T
A
= 25 ℃（注2） 。 V
IN
= 5V ， BAT = 3.6V ， SCAP = 0V ， LDO_IN = 0V ，除非
另有规定ED 。
符号
I
泄漏（ P）
I
泄漏（ N）
参数
PMOS开关漏
NMOS开关漏电
巴克最大占空比
PGVOUT门槛
PGLDO门槛
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
OH
V
OL
数字输入高电压
数字输入低电压
数字输入高电流
数字输入低电平电流
PGVOUT ， PGLDO ， EH_ON输出高电压
PGVOUT ， PGLDO ， EH_ON输出低电压
条件
降压/降压 - 升压型稳压器
降压/降压 - 升压型稳压器
降压/降压 - 升压型稳压器
为V的百分比
OUT
目标
由于LDO_OUT目标的百分比
销LDO_EN ， OUT [ 2：0] ， LDO的[2： 0]，
IPK [2： 0]，紫外线[3 ：0]的
销LDO_EN ， OUT [ 2：0] ， LDO的[2： 0]，
IPK [2： 0]，紫外线[3 ：0]的
销LDO_EN ， OUT [ 2：0] ， LDO的[2： 0]，
IPK [2： 0]，紫外线[3 ：0]的
销LDO_EN ， OUT [ 2：0] ， LDO的[2： 0]，
IPK [2： 0]，紫外线[3 ：0]的
V
IN3
= 5V ， 10μA输出引脚的
V
IN3
= 5V ， 10μA到脚
l
l
l
l
l
l
l
电气特性
民
–20
–20
100
90
90
1.2
典型值
最大
20
20
单位
nA
nA
%
%
%
V
92.5
92.5
95
95
0.4
0
0
4.6
0.4
10
10
V
nA
nA
V
V
注1 ：
强调超越上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。暴露于任何绝对
最大额定值条件下工作会影响器件
可靠性和寿命。
注2 ：
该LTC3330E是脉冲负载条件，例如，根据测试
T
J
≈ T
A
。该LTC3330E是保证符合0℃规格
85°C 。该LTC3330I保证工作在-40° C至125 ° C的工作
结温范围。注意，最大环境温度
这些规范是一致通过具体的操作来确定
在电路板布局，额定封装的热条件结合
阻抗和其他环境因素。
注3 ：
T
J
从室温T已计算
A
和功耗PD
根据下面的公式：T已
J
= T
A
+ (P
D
θ
JA
).
注4 ：
动态电源电流较高，由于栅极电荷的存在
在开关频率传递。
3330p
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5
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LTC6101ACMS8TRPBF
L6452DIE8
LMH6523SQ/NOPB
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LG5469-F
LR681
LBPP0.1160K10
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